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      氫氣泡模板法電沉積制備三維多孔銅的工藝參數(shù)研究①

      2020-11-18 11:36:44徐宏剛王碧俠王子鈺馬紅周韓曉剛
      礦冶工程 2020年5期
      關(guān)鍵詞:電解液電流密度微觀

      徐宏剛, 王碧俠, 王子鈺, 馬紅周, 韓曉剛

      (1.西安建筑科技大學(xué) 冶金工程學(xué)院,陜西 西安710055; 2.西安交通大學(xué) 電力設(shè)備電氣絕緣國家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室,陜西 西安710049)

      多孔銅具有表面積大、密度小、成本低等[1]優(yōu)點(diǎn),在電池、電化學(xué)電容器和儲能領(lǐng)域都有應(yīng)用[2]。 多孔銅作集流體可為電極活性材料提供較大的體積變化緩沖空間,增強(qiáng)兩者之間的結(jié)合力,進(jìn)而提高電池的循環(huán)性能和容量;同時因多孔銅密度小,不僅能夠有效降低銅箔原材料成本,還能將整個電池的能量密度從器件角度提升[3-4]。 多孔銅的制備方法有去合金化法[5]、粉末冶金法[6-7]等,但制備過程較復(fù)雜。 近年來,有不少研究者采用氫氣泡模板法制備出多孔銅材料,該方法具有簡單、綠色、低成本等優(yōu)點(diǎn),顯著優(yōu)勢是不涉及模板的去除問題[8-10]。 但已有文獻(xiàn)對制備過程中銅晶粒形貌變化的研究較少,本文主要研究電流密度、電沉積時間以及添加劑(Cl-、PEG)對氫氣泡模板法制備的多孔銅微觀組織形貌以及晶粒形貌的影響。

      1 實(shí)驗(yàn)部分

      1.1 實(shí)驗(yàn)原料與設(shè)備

      主要試劑:無水硫酸銅、硫酸、氯化鈉、聚乙二醇(PEG)和無水乙醇,均為分析純;PEG 相對分子質(zhì)量為6 000。 實(shí)驗(yàn)用水為蒸餾水。

      電極材料:陰極采用鎳電極(純度99.99%),被固定在電解池中,單面施鍍,用膠帶作掩膜,電鍍面積為1 cm2。 陽極為銅電極(純度99.99%),與陰極待鍍面正對平行放置,極間距為1.5 cm。

      實(shí)驗(yàn)設(shè)備:PARSTAT?D4000 電化學(xué)工作站和phenom?prox 臺式掃描電子顯微鏡。

      1.2 實(shí)驗(yàn)方法

      1.2.1 基材的預(yù)處理

      鎳電極在使用之前分別用1000#、600#和220#砂紙打磨至表面光亮;用200#砂紙將銅片的表面打磨平整,以除去表面氧化層和雜質(zhì),然后用壓平裝置壓平,再用去離子水和無水乙醇分別超聲清洗20 min,最后放入60 ℃烘箱中烘干備用。

      1.2.2 多孔銅的制備

      在自制聚四氯乙烯電解槽中借助PARSTAT?D4000 電化學(xué)工作站,在室溫下進(jìn)行電沉積實(shí)驗(yàn)。 電解液濃度與電沉積工藝為:CuSO40.4 mol/L, H2SO41 mol/L,Cl-30~1 000 mg/L,PEG 60~120 mg/L,電流密度0.5~4.0 A/cm2,電沉積時間15~35 s。

      1.2.3 后處理

      將鎳片上的膠帶掩膜取下,然后用蒸餾水和無水乙醇多次交替清洗帶有多孔銅的地方,然后放入50 ℃烘箱烘干, 20 min 后置于干燥的器皿中保存待用。

      1.3 分析表征方法

      用phenom?prox 臺式掃描電子顯微鏡對三維多孔銅的微觀形貌進(jìn)行表征。

      2 實(shí)驗(yàn)結(jié)果與討論

      2.1 電流密度對多孔銅結(jié)構(gòu)形貌的影響

      采用CuSO40.4 mol/L、H2SO41 mol/L 溶液作為基礎(chǔ)電解液,在不同電流密度下電沉積25 s 得到的三維多孔銅的微觀組織見圖1。

      圖1 不同電流密度下電沉積所得多孔銅SEM 形貌

      由圖1 可見,電流密度為0.5 A/cm2時,由于氫在陰極鎳片上的析出電位較低導(dǎo)致氫氣泡產(chǎn)生量較少,無法形成三維多孔的結(jié)構(gòu)。 電流密度達(dá)到1 A/cm2時,陰極析出氫氣泡增多,逐漸形成三維多孔的結(jié)構(gòu)。當(dāng)電流密度提高到2 ~4 A/cm2,三維多孔結(jié)構(gòu)逐漸穩(wěn)定。 從圖1(d)~(f)可以觀察到多孔銅孔徑大小約30~80 μm,孔密度變化不大,可見在這一實(shí)驗(yàn)條件范圍內(nèi), 電流密度的變化對銅沉積層的形貌影響較?。?1]。 利用Image J 所得到的相應(yīng)統(tǒng)計(jì)和計(jì)算結(jié)果如表1 所示。

      表1 電流密度對多孔銅結(jié)構(gòu)形貌的影響

      從表1 可以看出,隨著電流密度提高,表面孔的面積占總面積的比例越來越大。 根據(jù)表1 計(jì)算結(jié)果確定最佳電流密度為3 A/cm2。

      2.2 電沉積時間對多孔銅結(jié)構(gòu)形貌的影響

      電流密度3 A/cm2,室溫下電沉積不同時間得到的三維多孔銅的微觀形貌見圖2。 由圖2 可見,隨著沉積時間延長,表面的孔數(shù)量明顯減少,孔徑也有所增加。 從圖中圓圈處可觀察到多孔銅的厚度也隨著時間延長而增加。 利用Image J 所得到的相應(yīng)統(tǒng)計(jì)和計(jì)算結(jié)果如表2 所示。

      圖2 不同電沉積時間下的多孔銅SEM 形貌

      表2 電沉積時間對多孔銅結(jié)構(gòu)形貌的影響

      從表2 可以看出,孔徑、表面孔的面積占總面積的比例均隨著電沉積時間增加而增大。 這是由于隨著時間延長,氫氣泡在從鎳基底離開向多孔銅?電解液界面移動的過程中,小氫氣泡匯聚成大氣泡,最終氣泡數(shù)量減少,使得表面孔密度減小、平均孔徑變大和表面孔面積占比變大。 實(shí)驗(yàn)中發(fā)現(xiàn),電沉積時間35 s 時,多孔銅的多孔結(jié)構(gòu)較25 s 時更松散易坍塌,這是由于時間延長,在沉積過程中銅晶粒之間的氫氣泡增多,氫氣泡占據(jù)了原本晶粒的位置,導(dǎo)致銅晶粒之間的距離變大,使得多孔銅結(jié)構(gòu)不致密更易坍塌;此外,時間延長,界面處的氫氣泡體積更大,使得多孔銅的孔壁更薄易坍塌。 因此,確定沉積時間為25 s。

      圖3 為不同工藝參數(shù)下所得多孔銅晶粒的微觀形貌。 從圖3 可以看出,這與文獻(xiàn)[12]研究結(jié)果一致。

      圖3 不同工藝參數(shù)下多孔銅SEM 微觀形貌

      2.3 添加劑對多孔銅結(jié)構(gòu)形貌的影響

      2.3.1 Cl-的影響

      向基礎(chǔ)電解液(CuSO40.4 mol/L、H2SO41 mol/L)中分別加入不同濃度的Cl-(NaCl),在室溫和電流密度3 A/cm2下電沉積25 s 所得多孔銅的微觀形貌見圖4。 結(jié)合圖4 與圖2(b)可以觀察到,隨著Cl-的加入,多孔銅形態(tài)發(fā)生了較大變化,孔壁的結(jié)構(gòu)變得更加致密;隨著Cl-濃度依次增大,多孔銅孔壁變得更加光滑與致密,孔徑也逐漸變大,當(dāng)Cl-濃度增加至140 mg/L 時多孔結(jié)構(gòu)出現(xiàn)裂紋。 圖4(f)~(h)依次對應(yīng)的是圖4(a)、(c)、(e)的局部放大圖,從圖4(f)、(g)可以觀察到,隨著Cl-濃度增大,銅晶粒尺寸減小,相互堆積更緊密,當(dāng)Cl-濃度為30 mg/L 時銅晶粒的形狀主要為樹枝狀,當(dāng)濃度增加至120 mg/L 時銅晶粒形狀為顆粒狀與樹枝狀。 這是由于Cl-在電沉積過程中起著陰極去極化和促進(jìn)銅沉積的作用[13-14],在Cl-的作用下,枝晶顆粒的尺寸減小,相互之間堆疊更緊,給氫氣泡留下更多的空間聚集,增大了氣泡尺寸,從而增大了銅表面孔徑的大小。 從圖4(e)、(h)觀察到,當(dāng)Cl-濃度為1 g/L 時,多孔銅孔壁變得更加致密與光滑,但銅晶粒變?yōu)轭w粒狀,孔數(shù)量減少。 由于過量的Cl-會嚴(yán)重影響多孔銅膜的形貌,選擇Cl-濃度為120 mg/L。

      圖4 Cl-濃度對多孔銅微觀形貌及晶粒的影響

      圖5 PEG 濃度對多孔銅微觀形貌及晶粒的影響

      2.3.2 PEG 的影響

      向基礎(chǔ)電解液(CuSO40.4 mol/L、H2SO41 mol/L)中加入不同濃度的PEG,在室溫和電流密度3 A/cm2下電沉積25 s 所得多孔銅的微觀形貌見圖5。 比較圖2(b)和圖5(a)、(c)、(e)、(g)可知,在電解液中加入PEG 后,所得多孔銅的微孔結(jié)構(gòu)變得比較規(guī)則,且隨著PEG 質(zhì)量濃度增加,多孔銅孔徑明顯減小。 電解液中PEG 含量不同,所得多孔銅的表面形貌也不同。這是由于氫氣從陰極基底析出,氫氣泡在向液?氣界面上升的過程中,PEG 阻礙氫氣泡之間匯聚成大氣泡,從而使多孔銅孔徑明顯減小。 當(dāng)PEG 濃度為80 mg/L時,多孔銅孔壁上沒有過剩生長的銅枝晶,同時孔徑大小適宜。 繼續(xù)增大PEG 濃度,銅的孔徑和孔隙率無明顯變化,多孔銅的晶粒形貌也無明顯變化,但孔壁上出現(xiàn)過剩生長的銅枝晶(如圖5(e)、(g)圓圈內(nèi)所示)。因此,選擇PEG 濃度為80 mg/L。

      2.3.3 Cl-和PEG 的協(xié)同作用

      由于電解液中加入Cl-會使得多孔銅結(jié)構(gòu)變得致密和光滑,但會使孔徑過度增加;加入PEG 微孔結(jié)構(gòu)變得比較規(guī)則,孔徑也明顯減小,但多孔銅結(jié)構(gòu)不致密。 為了適當(dāng)減小孔徑同時又能使多孔銅結(jié)構(gòu)變得致密和光滑, 將Cl-和PEG 同時加入電解液中。

      向基礎(chǔ)電解液(CuSO40.4 mol/L、H2SO41 mol/L)中加入120 mg/L Cl-和80 mg/L PEG,在室溫和電流密度3 A/cm2下電沉積25 s 所得多孔銅的微觀形貌見圖6。 結(jié)合圖4(c)和圖6(a)可知,在Cl-和PEG 協(xié)同作用下,三維多孔銅的孔數(shù)量變多,孔徑變小。 從圖6(b)可以看到多孔銅的晶粒形貌主要是較小的枝晶狀。 結(jié)合圖5(b)和圖6(a)可看出,三維多孔銅的孔壁變得更加致密和光滑。 可見在PEG 和Cl-的協(xié)同作用下,可獲得較為理想的三維多孔銅。

      圖6 Cl-與PEG 協(xié)同作用對多孔銅微觀形貌的影響

      3 結(jié) 論

      1) 以酸性硫酸銅溶液(CuSO40.4 mol/L、H2SO41 mol/L)作基礎(chǔ)電解液,采用氫氣泡模板法電解沉積制備了三維多孔銅,當(dāng)電流密度為3 A/cm2、沉積時間25 s 時,可制得平均孔徑53 μm 的多孔銅。

      2) 添加Cl-可細(xì)化晶粒,使多孔銅的孔壁結(jié)構(gòu)更加致密、光滑并且增大孔徑,Cl-濃度為120 mg/L 時,多孔結(jié)構(gòu)無裂紋且銅晶粒形狀為顆粒狀與樹枝狀;PEG 可抑制孔徑過度增長,PEG 濃度為80 mg/L 時,多孔銅孔壁上無過剩生長的銅枝晶,孔徑大小適宜。

      3) 在基礎(chǔ)電解液(CuSO40.4 mol/L、H2SO41 mol/L)中加入120 mg/L Cl-和80 mg/L PEG,在兩者的協(xié)同作用下,可制得孔隙分布均勻、孔壁致密光滑的多孔銅。

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