金玉亮
摘? 要:為了在光學(xué)加工過程中提高紫外增透能力,我們開發(fā)了一種有效的制造工藝。在紫外光范圍內(nèi)透射增強(qiáng)顯著。透鏡表面的局部測量顯示,對于紫外光而言,其反射率大大降低,而這種現(xiàn)象在整個透鏡上都是均勻的。由此可見,本研究在提高光學(xué)加工中的紫外增透具有很好的適用性。
關(guān)鍵詞:光學(xué)加工,紫外,增透,工藝
抗反射表面是許多光學(xué)應(yīng)用的基本要求。它們可以在許多光學(xué)產(chǎn)品中被找到,包括眼鏡鏡片和照相機(jī)物鏡,以及高度專業(yè)化的光學(xué)和實(shí)驗(yàn)室系統(tǒng)??狗瓷浔砻娌捎脙煞N主要技術(shù):干涉涂層[1]和抗反射結(jié)構(gòu),也稱為motheye結(jié)構(gòu)[2]。涂層使用相消干涉來減少光的反射。為了獲得更寬的光譜性能和角度接收度,必須在光學(xué)表面上沉積多層疊層。與抗反射涂層相比,ARS[3]表現(xiàn)出一些重要的優(yōu)點(diǎn)。它們作用于寬光譜范圍,并且由于其單片結(jié)構(gòu)而對高功率密度的光穩(wěn)定。盡管這些結(jié)構(gòu)不具備涂層的機(jī)械穩(wěn)定性,但ARS在各種光學(xué)的應(yīng)用中越來越受到關(guān)注。
一、 結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)
我們開發(fā)了一種自下而上的技術(shù),不需要任何掩模步驟,只需一個工藝步驟就能在熔融石英中生成ARS。在蝕刻過程中,掩模由蝕刻化學(xué)物質(zhì)本身產(chǎn)生,即所謂的自掩模。因此,出現(xiàn)了完全隨機(jī)分布的納米結(jié)構(gòu)。它們表現(xiàn)出顯著的抗反射性能,通過改變蝕刻條件,我們能夠控制結(jié)構(gòu)的抗反射性能,在紫外光、可見光和紅外光范圍內(nèi)具有最大的透射率,如圖1所示。由于具有自掩模特性,并且不需要任何光刻制造步驟,我們不僅可以在平面上制造ARS,而且還可以在二元光柵和透鏡等結(jié)構(gòu)表面和曲面上制造ARS。
使用平凸透鏡,由熔融石英制成,直徑25.0mm,焦距37.0mm,棱角45°。在清洗鏡片后,凸面用我們的干蝕刻工藝處理,在這些表面上形成ARS,其目標(biāo)最大透射率在350nm至450nm波長之間。在等離子體蝕刻過程中,通過自掩模在透鏡表面形成ARS。蝕刻之后,鏡片就可以使用了。我們使用掃描電子顯微鏡(SEM)圖像、波前分析(干涉測量)以及透射和反射測量來對透鏡進(jìn)行表征。
二、 仿真分析
波前測量用于檢查在蝕刻過程中透鏡形狀的變形。在這些測量中,透鏡在蝕刻前后進(jìn)行了表征。經(jīng)過蝕刻減法處理后,平均總?cè)コ繛?50nm。圖1顯示蝕刻后峰谷的最大表面變化約為100nm。這是因?yàn)橥哥R曲面上的蝕刻速率略有不同。但這對ARS的形成和形狀的影響相當(dāng)小。此外,透鏡的遠(yuǎn)場性能不會受到100nm輪廓變化的負(fù)面影響。
我們進(jìn)行了兩種測量,首先,使用自制的測量裝置確定了透鏡幾乎整個孔徑的光譜透射率。通過將ARS鏡片與未經(jīng)處理的鏡片進(jìn)行比較,可以確定它們的相對透射率。
三、 測試數(shù)據(jù)對比
測試數(shù)據(jù)發(fā)現(xiàn)在所選波長區(qū)間中,透射率增加了約3%,這與3.6%的理論值非常接近。該值是通過考慮熔融石英單一界面上的垂直入射來計(jì)算的。透鏡上的表面反射被局部確定。透鏡在沒有散焦的情況下安裝在反射光顯微鏡上。我們使用了氘白光光源和分束器,并用光柵光譜儀測量了透鏡的反射。圖5顯示,透鏡表面的局部反射顯著減少,尤其是在紫外光范圍內(nèi)。即使在42°的高入射角下,反射仍低于0.6%和1.5%。在300nm波長下,我們在整個角譜上測得的反射率低于0.1%。然而,對于非常短的波長,由于反射測量中不包括散射比例,因此我們不能排除發(fā)生散射的情況。但是由于這些短波長的透射率仍在大幅增加,所以散射比例不可能很高。此外,我們還分析了透鏡上反射行為的均勻性。本研究中,反射是在25°的恒定方位角下測量的,同時沿極軸旋轉(zhuǎn)透鏡。
四、 結(jié)論
本文開發(fā)的自下而上的制造流程在一個單個的流程步驟中通過自組織創(chuàng)建了這些ARS。通過改變我們的制造條件,我們可以控制結(jié)構(gòu)的抗反射性能,從而使其適應(yīng)特定的應(yīng)用。
參考文獻(xiàn)
[1]Y.Kanamori,M.Sasaki,and K.Hane,Opt.Lett.24,1422 (1999)
[2]M.Schulze,H.-J.Fuchs,E.-B.Kley,and A.Tünnermann, Proc.SPIE 6883,68830N (2008)
[3]U.Schulz,P.Munzert,R.Leitel,I.Wendling,N.Kaiser,and A.Tünnermann, Opt.Express 15,13108 (2007)
[4]A.Gombert,W.Glaubitt,K.Rose,J.Dreibholz,B.Bl?si,A.Heinzel,D.Sporn,W. D?ll,and V.Wittwer,Thin Solid Films 351,73 (1999)