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      大功率晶體管高溫功率老煉方法探究

      2021-11-14 19:48:08李忠麗
      科教創(chuàng)新與實踐 2021年34期
      關鍵詞:大功率晶體管

      李忠麗

      摘要:提出了針對大功率晶體管,控制環(huán)境溫度的功率老煉篩選方法,并介紹了如何進行老煉篩選應力的確定和控制, 通過理論分析和試驗證明,這種方法是切實可行的,能達到老煉篩選的預期目標。

      關鍵詞:大功率;晶體管;老煉篩選

      一、引言

      大功率晶體管是很多高精密設備和系統(tǒng)的關鍵器件,廣泛應用于航空、航天、武器裝備等高科技領域,有很高的可靠性要求。因此,在晶體管的設計、研制、生產(chǎn)、試驗、篩選及驗收等各個過程,均制定了嚴格的要求、詳細的技術規(guī)范和試驗方法,通過執(zhí)行這些要求和方法保證電子器件滿足系統(tǒng)使用的技術要求,并在壽命周期內(nèi)獲得高的可靠性。其中晶體管老化篩選,就是保證晶體管可靠性的重要試驗篩選項目之一。

      二、高溫功率老煉方法的確定

      1、現(xiàn)行大功率晶體管的老化篩選方法

      國內(nèi)對大功率晶體管現(xiàn)行的老煉篩選方法,大都按照技術標準中規(guī)定的方法執(zhí)行,即采用保持殼溫恒定的試驗方法:通過加散熱器,保持殼溫在規(guī)定的溫度下給晶體管施加與該溫度相應得最大額定功率并使之在規(guī)定的時間內(nèi)連續(xù)工作的可靠性試驗項目。根據(jù)GJB128A-97的要求,所加的功率應使晶體管的結溫滿足T=T+0 -25℃。因此,晶體管進行功率老煉篩選時,是按在施加最大額定功率P并在最高允許結溫T下連續(xù)工作。由于試驗過程中晶體管的結溫T不能直接被測量和控制,目前功率晶體管穩(wěn)態(tài)工作壽命試驗大都采用施加最大額定功率和控制殼溫的方法進行,試驗過程中通過監(jiān)測和控制殼溫,使結溫T穩(wěn)定在要求取值。

      晶體管的結溫T與對應結溫的耗散功率P在一定溫度內(nèi)滿足以下的線性關系:

      T=P*R+T?????????????? (1)

      式中, R為晶體管結-殼熱阻;T為晶體管殼溫;耗散功率P即為所加的老化功率。

      晶體管的熱阻與材料有關,是其固有性質(zhì)(不變),維持T恒定,令T=T,代入其熱阻值,即可算出所需施加的老煉功率P

      2、高溫功率老煉方法原理

      高溫功率老煉方法與通常的維持殼溫恒定的老煉方法不同,是通過控制一定的環(huán)境溫度,施加相應的最大額定功率,使晶體管達到最高結溫老化的方法。所用公式如下:

      T=P*R+T?????????????? (2)

      式中,R為晶體管結-環(huán)境熱阻;T為環(huán)境溫度;P為對應環(huán)境溫度下的最大耗散功率,等于晶體管的老煉功率。

      類似式(1),可同樣算出對應環(huán)境溫度T下,使結溫T達到最高結溫T所需施加的功率P。

      3、高溫功率老煉的實際意義

      比較公式(1)和公式(2)可知,兩個公式都表現(xiàn)了結溫Tj對耗散功率P的線性關系,而且因子都是熱阻,但是R遠大于R(通常大10倍以上)。因此,T與T差別不大時,公式(2)中的P遠小于公式(1)中的P。使用高溫功率老煉所加的額定功率比傳統(tǒng)的維持殼溫恒定的方法需要的功率要小很多。

      三、高溫功率老煉試驗條件的確定

      大功率晶體管高溫老煉篩選的條件包含老煉功率P,環(huán)境溫度T和老煉時間t。

      1、老煉功率P和環(huán)境溫度T的確定

      由公式(2)可知老煉功率P為對應環(huán)境溫度T下的晶體管的最大耗散功率P,通常規(guī)定T≤25℃時P= P,T>25℃時,P隨T增大而減小,并且呈線性關系。公式(2)中,代入T=T, T=25℃以及熱阻R的值即可算出P的值。通常在提高環(huán)境溫度,降額功率老煉時,要求老煉功率P≥0.75 P,由此可以規(guī)定老煉功率P為0.75 P或略大于0.75 P,聯(lián)系圖2 的降額曲線,即可得到對應的環(huán)境溫度T取50℃。

      2、老煉時間的確定

      按半導體分立器件試驗方法 (GJB128A-97)的要求,晶體管的老煉時間至少為 168h。晶體管在高溫連續(xù)運行的功率管老煉中,不易散熱或局部散熱不均,實際老煉環(huán)境要較單管老煉的環(huán)境惡劣,所以考慮采用標準的低線時間——168h。

      四、高溫功率老煉試驗

      取某型號大功率晶體管100只,測試電參數(shù)合格后,置于高溫功率老煉設備中進行168h的功率老煉,該晶體管TA=25℃時的最大耗散功率為5W,老煉時施加電壓20V,電流190mA(功率為3.8W),溫度設定為50℃。老煉過程中做好環(huán)境溫度、電壓和電流的實時監(jiān)控,所有樣管在老煉過程中均正常。功率老煉結束后,對樣管特性參數(shù)進行測試,5只樣管不合格。該5只不合格樣管失效參數(shù)的功率老煉前后測試數(shù)據(jù)如表1所示:

      由上表可知,41號飽和壓降V失效,2號、15號、72號和76號經(jīng)功率老煉后放大倍數(shù)h失效。

      五、試驗結果分析

      對于該大功率晶體管樣管,在50℃的高溫環(huán)境下連續(xù)運行168h,共失效 5只。根據(jù)以往同型號產(chǎn)品的數(shù)據(jù),晶體管在老煉后的正常失效比率約為 2%,與本試驗結果吻合,基本達到了預期的目標。

      六、結束語

      生產(chǎn)工藝一直是公司發(fā)展的瓶頸,改進工藝說起來很難,但卻可以從小問題開始,一點一點慢慢的進行,我相信只要通過廣大技術員工的不懈努力,不放過任何一個小問題,一定可以提高公司的工藝水平,使公司不斷發(fā)展壯大。

      參考文獻:

      [1]張俊德,曹紅等,改善晶體管穩(wěn)態(tài)工作壽命 試驗方法的技術措施,電子質(zhì)量,1999年11期

      [2]趙歡軍,結溫可控的晶體管穩(wěn)態(tài)工作壽命試驗方法研究,中國電子科技集團公司第三十八研究所

      [3]GJB128A-97,半導體分立器件試驗方法

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