王皓琰, 李俊娜, 龔渝涵, 陳旭良, 崔光曦, 李興文
(西安交通大學(xué) 電氣工程學(xué)院, 西安 710049)
為研究電子系統(tǒng)及其組成單元的電磁脈沖(electromagnetic pulse,EMP)效應(yīng),評(píng)估電子系統(tǒng)和電力設(shè)備在電磁脈沖環(huán)境下的生存能力,并對(duì)其進(jìn)行抗電磁脈沖的防護(hù)和加固,須對(duì)EMP模擬器進(jìn)行研究和研制[1-4]。按電場(chǎng)方向,EMP模擬器可分為水平極化模擬器[5]和垂直極化模擬器[6];根據(jù)生成電磁脈沖環(huán)境的原理不同,EMP模擬器又可分為有界波模擬器[7-8]和輻射波模擬器[9]。其中,水平極化輻射波模擬器以雙錐籠型結(jié)構(gòu)為主,包括雙錐水平籠型和雙錐橢圓籠型2種結(jié)構(gòu)[10],文獻(xiàn)[11]中介紹了法國(guó)CEG中心的水平極化偶極子天線(horizontally polarized dipole, HPD)和美國(guó)的快上升沿電磁脈沖模擬器(horizontally fast rise electromagnetic pulser, HFREMP),并進(jìn)一步分析了雙錐籠型關(guān)鍵參數(shù)對(duì)輻射場(chǎng)的影響。
然而,雙錐籠形結(jié)構(gòu)天線中錐形天線向籠形天線過渡段引起的電流負(fù)反射會(huì)使輻射電場(chǎng)產(chǎn)生快速下降,從而削減脈沖寬度[11],半高寬很難滿足ICE-61000-2-9標(biāo)準(zhǔn)中的要求[12]。Bailey等[11]提出了一種雙錐線柵組合型水平極化天線,并通過計(jì)算驗(yàn)證了該型天線能夠改善半高寬,使波形更接近標(biāo)準(zhǔn)波形。但文獻(xiàn)對(duì)于該型天線的設(shè)計(jì)及關(guān)鍵參數(shù)對(duì)輻射場(chǎng)的影響并未做深入分析。
本文在Bailey提出的雙錐-線柵型水平極化天線的基礎(chǔ)上,對(duì)擴(kuò)展天線的線柵結(jié)構(gòu)進(jìn)行了調(diào)整,具有架設(shè)機(jī)動(dòng)、調(diào)節(jié)靈活和改善半高寬的優(yōu)點(diǎn)。分析了雙錐形天線和擴(kuò)展天線的特性阻抗和輻射特性,并利用CST MWS電磁仿真軟件對(duì)天線的輻射場(chǎng)進(jìn)行計(jì)算,分析了幾個(gè)關(guān)鍵參數(shù)對(duì)天線輻射特性的影響。
圖1為雙錐-線柵型水平極化天線三視圖和總體視圖。天線由對(duì)稱雙錐和對(duì)稱線柵組成,雙錐天線底面邊緣均勻連接線柵,線柵末端連接分布式電阻接地。圖1中:α為雙錐的半錐角;r為雙錐底面半徑;H為雙錐中心距離地面高度;d為地面上兩側(cè)接地線柵之間的距離;w為單側(cè)線柵的寬度;R為每側(cè)接地電阻的總阻值;ε為大地相對(duì)介電常數(shù),ε=10;σ為地面電導(dǎo)率,σ=0.01 S·m-2。每側(cè)線柵都包含9束擴(kuò)展天線,每束中的天線根線為n,每束擴(kuò)展天線都從雙錐底面逐漸匯聚到地面附近,連接一個(gè)接地電阻接地,每側(cè)有9個(gè)接地點(diǎn)。
(a) Front view
(b) Top view
(c) Side view
(d) Overall view圖1 水平極化天線結(jié)構(gòu)圖Fig.1 Configuration of the horizontally polarized antenna
天線由2種結(jié)構(gòu)組成,需滿足阻抗匹配條件,避免像雙錐籠型天線一樣在過渡段出現(xiàn)電流反射。填充擴(kuò)展天線之間的空隙,就能達(dá)到圓錐曲線的效果,線柵可近似為錐型平板天線,其特性阻抗應(yīng)和雙錐天線的特性阻抗值相同,減小連接處電流反射。
理想雙錐天線有嚴(yán)格的解析解[13],錐型平板天線輻射場(chǎng)沒有解析解,按照準(zhǔn)靜態(tài)近似,考慮邊緣效應(yīng)時(shí),錐型平板天線的特征阻抗Zc可表示為[14]
(1)
其中:Z0為真空中的波阻抗;w′為錐板末端寬度;d′為兩平板末端間距。
擴(kuò)展天線雖然不是理想的錐型平板天線,但寬度w′和間距d′的設(shè)計(jì)可參考式(1),保持天線的連續(xù)性,減少輻射場(chǎng)的畸變。同時(shí),擴(kuò)展天線的末端通過一定的阻抗連接到大地上,用于吸收擴(kuò)展天線上的傳播電流,減小由此造成的反射場(chǎng)。
本文采用電磁場(chǎng)仿真軟件CST MWS進(jìn)行仿真,該軟件內(nèi)置時(shí)域有限積分法等諸多算法,對(duì)不同的物理模型采用不同算法,求解準(zhǔn)確,克服了傳統(tǒng) FDTD 算法在建模精度和場(chǎng)的描述方面的缺點(diǎn)[15-16]。
雙錐半錐角取α= 32°,圓錐底面半徑取r=1.5 m,雙錐中心距離地面的高度取H=15 m,兩個(gè)擴(kuò)展天線極板之間的距離d=48 m,單側(cè)極板寬度取w=64 m,單側(cè)擴(kuò)展天線根數(shù)為27根,單側(cè)極板的總接地電阻值取雙錐阻抗的1/2(R=75 Ω)。雙錐中心的饋源采取電壓峰值為2.5 MV,時(shí)間波形取前沿tr=2.0 ns,半高寬為28 ns的雙指數(shù)波形。
仿真邊界條件Zmin方向設(shè)置為“Electric(Et=0)”,其余均設(shè)置為完全吸收邊界“Open(add space)”??紤]到天線結(jié)構(gòu)和輻射場(chǎng)的對(duì)稱關(guān)系,只需計(jì)算天線的1/4部分,將zox面設(shè)為電壁,yoz面設(shè)為磁壁,提高了仿真效率。根據(jù)最高頻率fH=0.6/tr[17-18]來估算,仿真頻率最高約為300 MHz,由于大地相對(duì)介電常數(shù)ε=10,所以大地中對(duì)應(yīng)的最小波長(zhǎng)λmin≈ 0. 316 m,這要求仿真空間剖分的網(wǎng)格Δ≤0. 031 6 m,將網(wǎng)格剖分設(shè)置為每波長(zhǎng)15個(gè)網(wǎng)格。同時(shí),錐天線和擴(kuò)展天線的材料設(shè)置為“PEC”。
每側(cè)取9束天線,每束天線取3根,僅改變半錐角的度數(shù),則極板w寬度也隨之改變。半錐角選取32°,36°,40° 3檔,雙錐輸入阻抗分別為150,135 ,121 Ω,根據(jù)式(1)的計(jì)算,線柵極板w′/d′取值分別為1.33,1.59,1.89。在雙錐形中心下方距地面3 m(0,0,3 m),5m(0,0,5 m)處設(shè)置測(cè)點(diǎn)。不同半錐角下2個(gè)測(cè)點(diǎn)的水平電場(chǎng)波形如圖2所示。
(a) Ey at point (0,0,3 m)
(b) Ey at point (0,0,5 m)圖2 不同半錐角下2個(gè)測(cè)點(diǎn)的水平電場(chǎng)波形Fig.2 Horizontal electric field waveforms of two points under different α
由圖2可見,同一位置的電場(chǎng)幅值隨著半錐角的增加而增大。根據(jù)光程差的計(jì)算,錐和線柵連接處的反射均在波形到達(dá)峰值之后到來,該部分反射不會(huì)對(duì)幅值造成影響。
在底面半徑不變的情況下,半錐角的增大會(huì)使場(chǎng)均勻性變差。半錐角不同時(shí),地面上方5 m處的電場(chǎng)幅值分布如圖3所示。由圖3可見,在地面上方5 m,20 m×20 m范圍內(nèi),半錐角為40°的輻射電場(chǎng)在靠近線柵的位置產(chǎn)生突變,原因在于半錐角的增加使兩側(cè)線柵的距離變短,離地高度相同時(shí),輻射面積減小,考察的范圍邊緣更靠近線柵。線柵部分為非均勻金屬板,線柵周圍輻射場(chǎng)受單根導(dǎo)線的影響,使這些區(qū)域的電場(chǎng)產(chǎn)生了畸變。按平面上峰值的50%劃定范圍,當(dāng)α=32°時(shí),范圍大于20 m×20 m;當(dāng)α=36°時(shí),y方向范圍小于18 m;當(dāng)α=40°時(shí),y方向范圍小于16 m。因此,為保證測(cè)試平面的均勻性,半錐角α應(yīng)取32°。
(a) α=32°
(b) α=36°
(c) α=40°圖3 半錐角不同時(shí),地面上方5 m處的電場(chǎng)強(qiáng)度幅值分布Fig.3 Distribution of Ey amplitude under different α at 5 m above the ground
同時(shí),半錐角的增大也會(huì)增加工程難度,提高饋源電壓可得到預(yù)期的電場(chǎng)強(qiáng)度,降低半錐角。因此,選擇半錐角為32°能兼顧輻射強(qiáng)度和場(chǎng)均勻性。
每側(cè)取9束天線,每束天線取3根,分別取錐底面半徑為1,1.25,1.5,1.75 m,其余參數(shù)不變,地面上方3 m處2個(gè)測(cè)點(diǎn)的水平電場(chǎng)波形如圖4所示。由圖4(a)可見,減小錐底面半徑,電場(chǎng)幅值略有下降,雙錐天線尺寸的降低,使雙錐的輻射范圍縮小。在雙錐中心下方1.5 m之外的區(qū)域,來自雙錐天線的高頻能量降低,且擴(kuò)展天線的特性對(duì)這些區(qū)域的輻射場(chǎng)影響較大,越接近地面,每束天線之間的間距越大,輻射強(qiáng)度降低,因此電場(chǎng)幅值會(huì)略有下降。在錐底面半徑為1 m時(shí),該測(cè)點(diǎn)峰值已受“錐與線柵連接處”的影響。由圖4(b)可見,r=1 m時(shí),峰值后的快速下降達(dá)到了25.5 kV·m-1,幾乎達(dá)到了峰值的一半,采用此點(diǎn)判讀則會(huì)大大降低半高寬的值,所以錐底面半徑應(yīng)大于等于1.5 m。
(a) Ey at point (0,0,3 m)
(b) Ey at point (0,10 m,3 m)圖4 不同錐底面半徑下2個(gè)測(cè)點(diǎn)的水平電場(chǎng)波形Fig.4 Horizontal electric field waveforms at two points under different radius
雙錐和線柵連接處結(jié)構(gòu)的不連續(xù)及相鄰天線束之間的大間距,使與地面有一定距離測(cè)點(diǎn)的電場(chǎng)強(qiáng)度幅值均小于雙錐天線輻射場(chǎng)公式的計(jì)算值。為保證一定區(qū)域內(nèi)的輻射強(qiáng)度,雙錐底面半徑的選擇不宜過小。雙錐底面半徑不同時(shí),地面上方3 m處水平電場(chǎng)強(qiáng)度幅值分布,如圖5所示。由圖5可見,從中心位置開始,半徑為1.5 m時(shí)的電場(chǎng)幅值就始終略大于半徑為1 m時(shí);半徑為1.5 m時(shí),電場(chǎng)強(qiáng)度大于50 kV·m-1的區(qū)域基本覆蓋了20 m×20 m的范圍,而半徑為1 m時(shí)的區(qū)域覆蓋范圍只有18 m×20 m,所以,為保證輻射區(qū)域的電場(chǎng)強(qiáng)度,錐底面半徑的尺寸至少應(yīng)為1.5 m。
(a) r=1 m
(b) r=1.5 m圖5 雙錐底面半徑不同時(shí),地面上方3 m處水平電場(chǎng)強(qiáng)度幅值分布Fig.5 Distribution of Ey amplitude under different radius at 3 m above the ground
然而,錐底面半徑越大,雙錐天線體積越大,制作難度也越大,耗材越多。在保證電場(chǎng)強(qiáng)度波形類似雙指數(shù)波,且遠(yuǎn)場(chǎng)幅值不會(huì)降低過多的情況下,應(yīng)盡可能縮小錐底面半徑,所以錐底面半徑選擇為1.5 m是較理想的。
每側(cè)天線仍為9束,僅改變每一束天線的根數(shù),每一束天線根數(shù)不同時(shí),2個(gè)測(cè)點(diǎn)的水平電場(chǎng)波形如圖6所示。由圖6可見,改變每束天線的根數(shù)對(duì)上述2個(gè)測(cè)點(diǎn)水平電場(chǎng)的上升沿、幅值和半高寬均沒有太大影響,但可能會(huì)影響測(cè)點(diǎn)處電場(chǎng)的時(shí)域波形。如,根數(shù)不同時(shí),雙錐正下方(0,0,3 m)的電場(chǎng)波形均下降平滑;而沿著x軸遠(yuǎn)離中心的位置的測(cè)點(diǎn)(16 m,0,3 m)處,根數(shù)過多,則會(huì)出現(xiàn)明顯的“上揚(yáng)”現(xiàn)象,導(dǎo)致波形出現(xiàn)第2個(gè)峰,且根數(shù)越多,“上揚(yáng)”現(xiàn)象越嚴(yán)重。如,根數(shù)為3時(shí),輻射場(chǎng)波形第2個(gè)峰的峰值為4.3×104V·m-1,而根數(shù)分別為5,8時(shí),第2個(gè)峰的峰值分別為4.42×104,5×104V·m-1,達(dá)到第一個(gè)峰峰值的90%和98.8%。
(a) Ey at point (0,0,3 m)
(b) Ey at point (16 m,0,3 m)圖6 每一束天線根數(shù)不同時(shí),2個(gè)測(cè)點(diǎn)的水平電場(chǎng)波形Fig.6 Horizontal electric field waveforms of two points under different numbers of wires
每束天線的天線根數(shù)不同時(shí),不同測(cè)點(diǎn)水平電場(chǎng)波形的上升時(shí)間和半高寬如表1所列。
表1 每束天線的天線根數(shù)不同時(shí),不同測(cè)點(diǎn)水平電場(chǎng)波形的上升時(shí)間和半高寬Tab.1 Rise time and half-width of horizontal electric field waveforms with different numbers of wire at different points
由表1可知,改變每束天線的天線根數(shù)對(duì)所選擇的大部分測(cè)點(diǎn)場(chǎng)的上升沿的影響很小。其中,某些特殊位置,如測(cè)點(diǎn)(10 m,10 m,5 m)處,根數(shù)為72時(shí),上升沿增加了51%,不符合要求。這是由于該測(cè)點(diǎn)更靠近線柵,“上揚(yáng)”來得更早,疊加在波峰上,使幅值進(jìn)一步增大,影響了上升沿的判讀。增加每束天線的天線根數(shù),會(huì)增加線柵天線的導(dǎo)波性能,使天線內(nèi)傳播的電磁波能量增加,導(dǎo)致同一測(cè)點(diǎn)場(chǎng)的半高寬增加。然而,對(duì)大部分區(qū)域來說,根數(shù)為8時(shí),波形的半高寬比根數(shù)為3時(shí)提高了不到15%,效果并不明顯。部分測(cè)點(diǎn)的上升沿略小于饋源的上升沿(2 ns),一是因?yàn)樵陔p錐正下方之外的區(qū)域受擴(kuò)展天線影響大,且每束擴(kuò)展天線之間有較大間距,輻射效果不如雙錐天線,導(dǎo)致波形峰值無法達(dá)到理論計(jì)算值就開始下降,波形前沿也就隨之縮短;二是因?yàn)槟承y(cè)點(diǎn)的峰值受到“錐和線柵連接處”的影響,反射出現(xiàn)在上升沿,減小了峰值,降低了上升沿;三是因?yàn)闇y(cè)點(diǎn)距離地面過近,地面反射會(huì)降低峰值和上升沿。
天線根數(shù)的增加可提高輸出電場(chǎng)的脈寬,但對(duì)大部分區(qū)域而言,并不明顯,考慮地面反射的影響,實(shí)際上脈寬的提高更小。根數(shù)為8時(shí),遠(yuǎn)場(chǎng)波形的上升沿甚至增加了50%以上,達(dá)不到IEC標(biāo)準(zhǔn)提出的技術(shù)指標(biāo)[12]。天線根數(shù)增多也會(huì)增加架設(shè)難度和材料消耗,所以,從波形平滑度、脈寬、上升沿和工程實(shí)施角度來說,擴(kuò)展天線每束天線的根數(shù)應(yīng)為3~5。
雙錐-線柵型水平極化天線可使用吊車進(jìn)行架設(shè),以滿足天線的機(jī)動(dòng),而吊車和橫梁也會(huì)產(chǎn)生反射,但考慮到效應(yīng)物一般置于地面附近,橫梁和吊車距離過遠(yuǎn),反射通常在地面反射之后到來,增加架設(shè)系統(tǒng)后的仿真波形主要特征不會(huì)發(fā)生變化,架設(shè)系統(tǒng)的影響很小。因此,新型水平極化天線的機(jī)動(dòng)性并不會(huì)對(duì)輻射場(chǎng)產(chǎn)生不良影響。
本文從特性阻抗角度對(duì)新型水平極化天線的反射進(jìn)行分析,并從幾個(gè)重要參數(shù)出發(fā),對(duì)輻射場(chǎng)脈沖前沿、半高寬、幅值和場(chǎng)均勻性等多方面進(jìn)行仿真計(jì)算和比較。研究結(jié)果表明:錐和線柵連接處存在一定反射,但線柵型擴(kuò)展天線能很大程度延續(xù)雙錐天線的輻射場(chǎng);增大半錐角可提高電場(chǎng)幅值,但會(huì)使場(chǎng)均勻性變差,半錐角應(yīng)為32°;增大錐底面半徑可提高遠(yuǎn)場(chǎng)的幅值,過小的錐底面半徑會(huì)使輻射場(chǎng)波形下降嚴(yán)重,錐底面半徑應(yīng)為1.5 m;增加擴(kuò)展天線的根數(shù),可稍增加半高寬,但根數(shù)過多增加了“上揚(yáng)”趨勢(shì),對(duì)前沿、半高寬及幅值的改善很小,每束天線的根數(shù)應(yīng)為3~5;架設(shè)系統(tǒng)因架設(shè)位置較遠(yuǎn),對(duì)波形主要特征無影響。