高 潔,鄭 可,馬 永,于盛旺,劉克昌,劉億順
(1.太原理工大學 材料科學與工程學院,太原 030024;2.華陽新材料科技集團有限公司,山西 陽泉 045000)
寶石級單晶金剛石即人們所說的鉆石,分為天然鉆石和培育鉆石。培育鉆石,又稱人造鉆石或合成鉆石,和天然鉆石均為純碳結晶,在物理、化學性質(zhì)上完全一致。確切地說,培育鉆石屬于實驗室或工廠通過一定的技術與工藝流程制造出來的“真鉆石”,是天然鉆石的完美替代品。
培育鉆石的生產(chǎn)方法主要有兩種:高溫高壓法(HTHP)[1-5]和化學氣相沉積法(CVD)[6-10]。HTHP法是模擬天然鉆石生長的高溫高壓環(huán)境,以高純石墨粉為碳源,金屬為觸媒合成培育鉆石毛坯。其優(yōu)點是生長速度快、成本低,產(chǎn)品顏色等級高,但凈度有待提高。CVD法是在高溫、負壓條件下,將H2和CH4等含碳氣體激發(fā)成等離子態(tài),通過控制沉積生長條件,將活性碳原子在基體上沉積、交互生長成培育鉆石毛坯。常見的CVD法有三種,分別是熱絲化學氣相沉積法(HFCVD)[6]、直流電弧等離子體噴射化學氣相沉積法(DC Arc Plasma Jet CVD)[7]和微波等離子體化學氣相沉積法(MPCVD)[9]。相比之下,MPCVD法最適合生長寶石級單晶金剛石,尤其適合于5克拉以上培育鉆石的合成,其產(chǎn)品特點是形狀為片狀,生長面積可控,凈度高,切成方鉆利用率可達60%~70%,但顏色不易控制[11]、成本較高。
全球HTHP和CVD培育鉆石產(chǎn)量各占一半,我國貢獻了HTHP培育鉆石產(chǎn)能的90%,而CVD培育鉆石則主要由歐洲、美國、印度和新加坡等國供應。隨著2018年美國聯(lián)邦貿(mào)易委員會(FTC)將培育鉆石納入鉆石大類,以及鉆石業(yè)界四大評級機構推出了與天然鉆石一致的培育鉆石分級體系,培育鉆石行業(yè)進入了快速發(fā)展通道[12]。鑒于在大克拉和凈度等方面更具優(yōu)勢,CVD鉆石更能代表培育鉆石的發(fā)展趨勢。然而,我國在CVD鉆石生產(chǎn)技術方面起步較晚,目前主要停留在實驗室階段。為了打破國外的市場壟斷,我國需要加速布局CVD鉆石培育技術,更新、發(fā)展相關設備和工藝,促進其從科技型到產(chǎn)業(yè)型的過渡。
基于MPCVD技術,太原理工大學金剛石團隊結合山西省資源和產(chǎn)業(yè)特點提出了煤層氣生產(chǎn)寶石級單晶金剛石技術,經(jīng)過近10年的發(fā)展已在生產(chǎn)設備、生產(chǎn)工藝、深加工產(chǎn)品等方面實現(xiàn)了全方位突破。本文將對該技術發(fā)展及產(chǎn)業(yè)化進程進行報道,以期助力中國CVD培育鉆石行業(yè)的發(fā)展。
隨著天然鉆石開采愈加破壞地球環(huán)境,且挖礦成本日趨升高,40年后培育鉆石將超越并取代天然鉆石[13]。早在10年前太原理工大學金剛石團隊已著手設計MPCVD培育鉆石產(chǎn)業(yè)化工藝路線。鑒于常規(guī)HTHP及CVD培育鉆石生產(chǎn)過程均在一定程度上造成環(huán)境污染或破壞:HTHP培育鉆石生產(chǎn)能耗較高,生產(chǎn)過程中必須使用葉臘石等不可再生礦物資源,同時會產(chǎn)生廢(酸)液、廢渣等;CVD培育鉆石生產(chǎn)尾氣一般直接排入大氣。煤層氣生產(chǎn)寶石級單晶金剛石產(chǎn)業(yè)化工藝路線的設計原則是低碳、減排,降低生產(chǎn)成本,服務地方經(jīng)濟發(fā)展,滿足國家重大需求。
基于上述原則,通過大量的實地考察,因地制宜,將煤層氣產(chǎn)業(yè)與培育鉆石產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新整合,設計出了煤層氣生產(chǎn)寶石級單晶金剛石產(chǎn)業(yè)化工藝路線,如圖1所示。該路線使用低濃度煤層氣發(fā)電為鉆石生產(chǎn)提供電能,高濃度煤層氣提純后的CH4和CH4經(jīng)等離子催化并提純后的H2作為原料氣進行鉆石的生產(chǎn)。CH4、H2提純和鉆石生產(chǎn)過程中排放的尾氣最后再被輸送到燃氣發(fā)電機助燃,使氣體得到高效、綠色、循環(huán)利用。山西省煤層氣資源豐富,儲量和產(chǎn)量均占全國90%以上,但利用渠道單一,附加值低。采用上述工藝路線將煤層氣轉化為高端鉆石產(chǎn)品,其利用價值將提升15~100倍。
圖1 煤層氣生產(chǎn)寶石級單晶金剛石產(chǎn)業(yè)化工藝路線Fig.1 Industrial process route of gem-quality diamond produced from coal bed methane
完成產(chǎn)業(yè)化工藝路線設計后,2013年開發(fā)出橢球形諧振腔石英鐘罩式MPCVD鉆石裝置,見圖2(a).通過對橢球形諧振腔石英鐘罩式模型結構的模擬優(yōu)化,消除了高氣壓時鐘罩上部出現(xiàn)的次生等離子體,有效地避免了刻蝕污染問題,使裝置的容納功率提升至9 kW.同時,用石英布氣管將反應氣體引導至等離子體上方,結合出氣口的位置優(yōu)化,使基片上方的氣體流場更加均勻,提升了鉆石有效沉積區(qū)域及均勻性。2014年,又自主研發(fā)出錐形反射體石英環(huán)式MPCVD金剛石裝置[14],見圖2(b).該裝置的諧振腔由三個圓柱形腔體組成,分別為上耦合腔體、中傳輸腔體和下調(diào)諧腔體;采用中心帶凸臺的環(huán)形天線耦合,介質(zhì)窗口安裝在耦合天線下方的石英環(huán)。為避免等離子體蝕刻石英環(huán)介質(zhì)窗口,中間腔體的直徑小于上、下腔體,該設計可將石英環(huán)與下腔體中產(chǎn)生的等離子體隔離開;錐形和筒形結構的反射體設置于下腔體中,通過調(diào)節(jié)其位置可使諧振腔的固有頻率與微波源輸出頻率達到最佳諧振狀態(tài)。此外,圓柱形基臺的高度可調(diào),增加了裝置對不同厚度基片的適應性。該裝置可實現(xiàn)微波輸入功率10 kW條件下的長時間穩(wěn)定運行,允許放置9顆12 mm×12 mm籽晶進行均勻沉積。經(jīng)過不斷地優(yōu)化迭代,該類型裝置已經(jīng)研發(fā)至第五代。
圖2 自主研發(fā)MPCVD鉆石設備Fig.2 Self-developed MPCVD diamond device
上述MPCVD培育鉆石設備腔體屬于一體設計,內(nèi)徑大、真空度高、有效生長區(qū)域大、容納功率高、運行穩(wěn)定,相應的產(chǎn)品生長周期短、品質(zhì)高、單爐產(chǎn)量大。同國外高端設備相比,無論是在設備價格還是在產(chǎn)品性能方面均存在明顯優(yōu)勢。目前,第五代設備已作為核心生產(chǎn)設備在華陽新材料科技集團有限公司(簡稱華陽集團)產(chǎn)業(yè)化落地。
設計金剛石單晶生長專用基片臺是高品質(zhì)克拉級單晶金剛石生長的重要環(huán)節(jié)。目前生長單晶金剛石所使用的基片臺大致可分為兩類:開放式和嵌入式。開放式基片臺是將籽晶直接放置在基片臺上進行生長,但由于微波放電特有的“邊緣效應”,會造成金剛石籽晶邊緣溫度高于中心區(qū)域,引起邊緣多晶金剛石的生長。此外,“邊緣效應”還會引起單晶金剛石的內(nèi)應力增高,誘發(fā)裂紋甚至開裂,嚴重影響了單晶的質(zhì)量和完整性。嵌入式基片臺一般是在基片臺上設計加工圓形或者方形槽[15-16]。沉積時,將金剛石籽晶放入槽中,并使籽晶的表面略低于基片臺表面,利用槽的邊緣對籽晶邊緣形成遮擋作用,緩解單晶沉積時的“邊緣效應”。為實現(xiàn)克拉級單晶金剛石產(chǎn)品產(chǎn)業(yè)化生產(chǎn),設計了多種金剛石單晶生長專用基片臺,實現(xiàn)了多尺寸、高品質(zhì)金剛石單晶單爐、多顆的同步生長。圖3為自主設計常用9槽基片臺結構圖。
圖3 金剛石單晶生長專用9槽基片臺結構圖Fig.3 Sketch of an enclosed substrate holder with 9 different cavities
金剛石籽晶在長成鉆石毛坯前需要經(jīng)歷多次外延生長過程,每一次生長前都需要對生長面進行預處理,即切割和拋光。切割主要是切除單晶四周及生長面多晶。生長面多晶切割采取單面切割和雙面切割兩種模式,單面切割損耗大,切割面坡度陡,對應后期拋光時間長,主要用于切割小尺寸單晶金剛石,雙面切割則主要用于切割大尺寸單晶金剛石。對于激光切割過程中產(chǎn)生裂紋、劃痕等現(xiàn)象,可以通過調(diào)整切割功率和切割頻率解決。單晶金剛石的拋光包括機械拋光、化學拋光和等離子體輔助拋光,為了提高去除效率和改善拋光質(zhì)量,采用機械拋光結合化學拋光的方法。圖4為采用白光干涉儀得到的拋光表面三維輪廓圖,粗糙度小于10 nm.
圖4 拋光表面三維輪廓圖Fig.4 Polished topography of diamond growth surface
針對產(chǎn)業(yè)化發(fā)展,開發(fā)了煤層氣生產(chǎn)寶石級單晶金剛石的專用工藝,具體工藝參數(shù)及生產(chǎn)步驟如下:先對設備沉積腔室進行抽真空,當沉積腔內(nèi)壓強抽至0.1 Pa左右時,通入H2,隨著H2的不斷通入,沉積腔內(nèi)壓強不斷上升,當氣壓上升至700 Pa左右時,將微波輸入功率設置為1 kW.負壓條件下,H2在籽晶上方會被電離成等離子態(tài),隨后調(diào)節(jié)沉積腔內(nèi)部壓強,并增加微波輸入功率,以增加等離子體密度。此過程中,富含活性氫原子的等離子體會對基片表面進行清潔刻蝕,進一步去除未被清洗干凈的雜質(zhì)。當基片溫度升至900~1 100 ℃,微波功率調(diào)至沉積需求時,向沉積腔內(nèi)通入不同純度的煤層氣,開始沉積單晶金剛石。
圖5為紅外測溫儀拍攝的單晶金剛石在不同沉積時間的照片。由圖可知,隨沉積時間延長,單晶金剛石顏色逐漸加深,厚度不斷增加,邊緣(十字視野上部)逐漸出現(xiàn)多晶顆粒。隨沉積時間繼續(xù)延長,多晶顆粒尺寸及區(qū)域會逐漸增大。當多晶影響鉆石的生長質(zhì)量時,停機取出,進行表面切割、拋光處理后再次進行外延生長。CVD培育鉆石毛坯的理想生長高度是籽晶邊長的60%左右,鑒于籽晶尺寸,CVD培育鉆石毛坯一般要經(jīng)歷2~4次的外延生長過程。
圖5 單晶金剛石隨沉積時間的生長變化Fig.5 Gem-quality diamond growth changes with deposition time
圖6為采取上述工藝,以煤層氣為原材料生產(chǎn)的培育鉆石毛坯。毛坯成色好,凈度高,可以進行后續(xù)加工。毛坯四周的黑色區(qū)域主要為激光切割引起的石墨化和未切割干凈的少量多晶,在后續(xù)切割加工中很容易被去除。
圖6 采用煤層氣生產(chǎn)的培育鉆石毛坯Fig.6 Rough diamonds produced from coal bed methane
除了可以實現(xiàn)單爐、多顆鉆石高品質(zhì)生長外,還成功實現(xiàn)了馬賽克拼接法大克拉鉆石的生長。馬賽克拼接法指通過各籽晶側向及法向同質(zhì)外延生長完成接縫連接及厚度的增長,以實現(xiàn)超大尺寸單晶金剛石的制備[10,17]。相比于珠寶首飾行業(yè),該方法在半導體產(chǎn)業(yè)具有更為廣闊的應用前景。圖7為兩片邊長12 mm×12 mm,厚度0.4 mm的籽晶,生長到3 mm厚時的照片。從圖中可以看出,生長后的單晶表面均勻,光學性好(紙上字體清晰可見),只需切除四邊及拼接縫處的多晶金剛石,便可繼續(xù)進行外延生長。
圖7 采用馬賽克拼接法生長的大尺寸單晶金剛石Fig.7 Large area single crystal diamond made by using “mosaic” growth method
鉆石加工一般指對鉆石毛坯進行設計、劃線、分割、成型和拋磨等5個操作步驟,使其形成具有一定形狀和光澤的成品裸鉆。對于異形鉆的加工,可以根據(jù)需要不用進行分割或成型操作。毛坯設計是鉆石加工的第一步,也是較為關鍵的一步,基本原則是盡可能設計加工出最大、最干凈、最完美的鉆石,以充分體現(xiàn)鉆石的價值。根據(jù)鉆石毛坯設計方案,精確確定劃線位置,不但有助于保持鉆石的重量,而且有助于下一步切割過程中減少鉆石內(nèi)含物。目前太原理工大學金剛石團隊可以對鉆石毛坯進行設計和劃線操作,分割、成型和拋磨主要由代加工中心完成。圖8為煤層氣生產(chǎn)鉆石毛坯的兩種設計方案,可以看出CVD毛坯加工成異形鉆(公主方)比圓鉆更能充分利用坯料。
圖8 煤層氣生產(chǎn)鉆石毛坯的兩種設計方案Fig.8 Two planning ways of rough diamond produced from coal bed methane
鉆石加工位于培育鉆石行業(yè)產(chǎn)業(yè)鏈的中游,自動化程度低,具有勞動密集型特點。印度為世界培育鉆石毛坯的加工中心,行業(yè)地位領先優(yōu)勢明顯。我國培育鉆石加工主要位于廣州、深圳和西安。布局培育鉆石行業(yè)上游毛坯生產(chǎn)的同時,進軍鉆石加工業(yè),將有助于推進CVD培育鉆石在中國的產(chǎn)業(yè)化進程。
鉆石評級主要是依據(jù)GIA 4C標準,從質(zhì)量(Carat)、顏色(Color)、凈度(Clarity)及切工(Cut)四個方面進行等級劃分。鉆石質(zhì)量等級一般是低于1克拉時,每隔10分劃分一個等級;介于1~2克拉,每隔50分劃分一個等級;高于2克拉,每隔1克拉劃分一個等級。鉆石顏色越接近無色,價值越高,顏色等級從字母D(代表無色)開始,一直到字母Z(淡色)共劃分了23個級別。鉆石凈度等級分為6個大類11個等級:無瑕級(FL),內(nèi)無瑕級(IF),極輕微內(nèi)含級(VVS1,VVS2),輕微內(nèi)含級(VS1,VS2),微內(nèi)含級(SI1,SI2)以及內(nèi)含級(I1,I2,I3).鉆石切工是鉆石最重要的指標,切工等級分為完美(EX),非常好(VG),好(GD),一般(FR)和差(Poor)5個等級。所謂3EX鉆石指其切磨、拋光和對稱性均為完美級別。
太原理工大學金剛石團隊利用煤層氣可批量生產(chǎn)20克拉以內(nèi)的CVD鉆石毛坯,顏色一般介于F色和J色之間,凈度達到VVS級。圖9為煤層氣生產(chǎn)的5克拉3EX鉆石冠角、亭角及八心八箭圖案。冠部主刻面(風箏刻面)6對應最大冠角35.6°,風箏刻面3對應最小冠角35.3°,偏差為0.3°.亭部主刻面2對應最大亭角41.1°,主刻面5對應最小亭角40.9°,偏差僅為0.2°.完美的八心八箭圖案進一步證明了煤層氣生產(chǎn)的CVD鉆石可以滿足市場需求,能夠擴大產(chǎn)業(yè)化規(guī)模為地方經(jīng)濟發(fā)展注入新活力。
圖9 煤層氣生產(chǎn)的3EX鉆石冠角、亭角及八心八箭圖案Fig.9 Crown angle, pavilion angle,eight hearts and eight arrows of 3EX diamond produced from coal bed methane
2018年以來,消費者對培育鉆石的接受度逐漸提升,品牌商開始發(fā)力布局,培育鉆石市場越來越火爆[12]。2018年11月太原理工大學與華陽集團就煤層氣生產(chǎn)金剛石項目設立了合資公司(山西新碳超硬材料科技有限公司),旨在加速煤層氣生產(chǎn)金剛石項目的產(chǎn)業(yè)化和推廣應用。公司規(guī)劃一期建設150臺裝備,二期500臺,三期達到5 000臺以上的規(guī)模。目前已建成50臺設備產(chǎn)業(yè)化示范基地,實現(xiàn)了批量化試生產(chǎn)和相關產(chǎn)品的銷售,預期2022年銷售額可達2 000萬以上。圖10為產(chǎn)業(yè)化示范基地1號車間及其產(chǎn)品。針對CVD培育鉆石技術的進一步研發(fā),太原理工大學和華陽集團還專門成立了超硬材料技術研究院。未來3~5年,通過與華陽集團的深度合作,技術的迭代更新,按預定規(guī)模三期建成后,年產(chǎn)值將超過100億元,煤層氣年消納量將達到4.5億m3.
圖10 煤層氣生產(chǎn)寶石級單晶金剛石產(chǎn)業(yè)化示范 基地1號車間及其產(chǎn)品Fig.10 Workshop1 and corresponding products of industrialization demonstration base of gem-quality diamond produced from coal bed methane
單晶金剛石不僅在珠寶首飾行業(yè)擁有極高的商業(yè)價值,在電子行業(yè)同樣備受重視,被業(yè)界譽為“終極半導體”。歐洲、美國等已紛紛投入巨資、并成立相關組織和產(chǎn)學研機構推進單晶金剛石及其電子器件的研發(fā)和應用。為了在未來電子技術革命中占得先機,從而擺脫歐美等發(fā)達國家的壟斷,下一步將研發(fā)新型高功率金剛石生產(chǎn)系統(tǒng),突破超大尺寸高品質(zhì)單晶金剛石生長、摻雜等關鍵技術,實現(xiàn)金剛石半導體器件的產(chǎn)品化。
煤層氣生產(chǎn)寶石級單晶金剛石是響應國家“實現(xiàn)綠色能源可持續(xù)發(fā)展”號召,將傳統(tǒng)煤基產(chǎn)業(yè)與高技術金剛石產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新整合,自主研發(fā)的一項新技術。該技術以煤層氣提純后的CH4和等離子體輔助催化制得的H2為原料進行培育鉆石的生產(chǎn),并將煤層氣提純CH4、等離子體輔助催化制H2以及鉆石生產(chǎn)所產(chǎn)生的尾氣回收發(fā)電,實現(xiàn)了煤層氣的高效、綠色、循環(huán)利用。從MPCVD培育鉆石生產(chǎn)設備的自主研發(fā)到寶石級單晶金剛石高質(zhì)量生產(chǎn)工藝的開發(fā),再到鉆石切割加工和鑒定,均實現(xiàn)了全方位突破。煤層氣生產(chǎn)金剛石技術已通過校企合作的形式在華陽集團產(chǎn)業(yè)化落地,目前已建成50臺設備產(chǎn)業(yè)化示范基地,實現(xiàn)了批量化試生產(chǎn)和相關產(chǎn)品的銷售?;谂嘤@石市場需求的快速崛起,下一步將繼續(xù)擴大煤層氣生產(chǎn)鉆石產(chǎn)業(yè)化規(guī)模,將煤層氣生產(chǎn)鉆石發(fā)展成山西省一個新的支柱產(chǎn)業(yè),形成一條引領山西轉型的價值鏈。