• 
    

    
    

      99热精品在线国产_美女午夜性视频免费_国产精品国产高清国产av_av欧美777_自拍偷自拍亚洲精品老妇_亚洲熟女精品中文字幕_www日本黄色视频网_国产精品野战在线观看

      ?

      聚合物鈍化鈣鈦礦量子點的紅光放大自發(fā)輻射性能

      2022-07-07 02:21:30張思健胡建呂梅朱俊陸紅波
      液晶與顯示 2022年7期
      關(guān)鍵詞:泵浦涂覆X射線

      張思健,胡建,呂梅,朱俊,陸紅波

      聚合物鈍化鈣鈦礦量子點的紅光放大自發(fā)輻射性能

      張思健,胡建,呂梅,朱俊*,陸紅波*

      (合肥工業(yè)大學(xué) 光電技術(shù)研究院 特種顯示技術(shù)國家工程實驗室,測量理論與精密儀器安徽省重點實驗室,安徽 合肥 230009)

      鈣鈦礦量子點;聚合物鈍化;放大自發(fā)輻射;穩(wěn)定性

      1 引言

      激光顯示技術(shù)被稱作第四代顯示技術(shù),具有顏色飽和度高、色域廣以及壽命長等多種優(yōu)點,目前國內(nèi)外都在積極推進(jìn)其產(chǎn)業(yè)化進(jìn)程[1]。半導(dǎo)體激光器因尺寸小、制備成本低,有利于器件的高度集成以及商業(yè)化,因此被視為激光光源模組的重要選擇[2-3]。

      CsPb3(= Cl、Br、I)量子點(QDs)因具有高光致發(fā)光量子產(chǎn)率(PLQY)[4-5]、高光學(xué)增益系數(shù)和發(fā)光光譜可調(diào)[6]等優(yōu)點在半導(dǎo)體顯示和激光領(lǐng)域受到廣泛關(guān)注[7],已有許多報道研究其放大自發(fā)輻射(Amplified Spontaneous Emission,ASE)性能,探究其作為增益介質(zhì)的潛力[8-10]。2015年,Yakunin等[11]首次探究了CsPb3量子點的ASE性能和激光應(yīng)用,發(fā)現(xiàn)CsPbBr3量子點的ASE的閾值可低至(5±1) μJ·cm-2,將CsPbBr3量子點涂覆在二氧化硅微球表面后,實現(xiàn)了以微球為諧振腔的回音壁模式激光。同年, Wang等[12]使用800 nm以及1 250 nm的激光泵浦CsPbBr3量子點薄膜分別實現(xiàn)了雙光子以及三光子的綠色ASE,閾值分別為2.5 mJ·cm-2和5.2 mJ·cm-2,另外他們還通過逐漸增加量子點中Cl-的比例,實現(xiàn)了雙光子泵浦下的藍(lán)色ASE。

      盡管CsPb3量子點具有優(yōu)異的光學(xué)性能,但是其在空氣環(huán)境、水、光照下穩(wěn)定性差,使得CsPb3量子點的實際應(yīng)用受到了限制[13]。2019年,Yan等[14]在合成過程中引入較短的 2-己基癸酸(DA)配體來替代油酸配體。根據(jù)理論計算,相比于傳統(tǒng)的配體油酸,2-己基癸酸配體和量子點之間的結(jié)合更緊密,具有更好的保護(hù)作用,因此,CsPbBr3-DA量子點薄膜表現(xiàn)出更高的穩(wěn)定性和熒光壽命,同時CsPbBr3-DA量子點薄膜的ASE閾值(89.76 μJ·cm-2)相較于使用油酸配體的CsPbBr3量子點薄膜(193.5 μJ·cm-2)降低了約50%。2021年,Li等[15]以CsBr、PbBr2和含有硅樹脂的鈦酸鹽分子篩(TS-1)為原料,通過簡單的一步旋涂制備了CsPbBr3量子點/TS-1薄膜,由于鈦酸鹽分子篩的中空結(jié)構(gòu)和疏水性,量子點的水穩(wěn)定性和熱穩(wěn)定性得到顯著提高。此外,CsPbBr3量子點/TS-1薄膜在室溫環(huán)境下實現(xiàn)了閾值為0.138 mJ·cm-2的ASE,在高能量密度的激光照射下,仍然保持了穩(wěn)定的ASE。但到目前為止,大多數(shù)相關(guān)研究都集中在CsPbBr3量子點的ASE性能和激光應(yīng)用[16-17],因為與其他量子點相比,CsPbBr3量子點具有較高的熒光量子產(chǎn)率和更好的穩(wěn)定性。但對于激光顯示,實現(xiàn)多色發(fā)光十分重要,紅色的CsPbI3量子點由于其相位不穩(wěn)定而面臨更多的挑戰(zhàn)[18],因此,實現(xiàn)穩(wěn)定和低閾值的紅色ASE仍然是一個亟需解決的難題。

      本文為獲得穩(wěn)定的紅色ASE,首先制備了發(fā)光峰位于640 nm的CsPbBr1.2I1.8量子點,再分別將聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)、聚甲基丙烯酸異丁酯(PIBMA)、聚苯乙烯(PS)3種聚合物涂覆在CsPbBr1.2I1.8量子點薄膜表面進(jìn)行鈍化。量子點薄膜在聚合物的保護(hù)下,水穩(wěn)定性得到了大幅度提升。在532 nm的納秒激光泵浦下,CsPbBr1.2I1.8量子點薄膜的ASE閾值為138 μJ·cm-2,而CsPbBr1.2I1.8/PIBMA薄膜可降低至81 μJ·cm-2,將薄膜樣品在空氣中保存30天后,CsPbBr1.2I1.8量子點薄膜不再有ASE現(xiàn)象,但復(fù)合薄膜均能保持一定閾值的ASE。

      2 實驗

      2.1 樣品制備

      油酸銫前驅(qū)體的制備:稱取0.602 4 g的Cs2CO3,量取2 mL的油酸和30 mL的十八烯加入單頸燒瓶中,在120 °C下抽真空攪拌30 min,再在氮氣氣氛下升至150 °C繼續(xù)攪拌,直到固體完全溶解獲得油酸銫前驅(qū)體。

      CsPbBr3量子點的制備:稱量0.320 g的PbBr2和30 mL的十八烯加入三頸燒瓶中,120 °C抽真空攪拌30 min,將油酸和油胺在氮氣氣氛下依次注入燒瓶中,真空脫氣10 min加熱至165 °C,將3 mL油酸銫迅速注入三頸燒瓶中,5~10 s后,立即將三頸燒瓶浸入冰水中并快速搖晃,約30 s后得到CsPbBr3量子點的粗溶液。

      提純:將粗溶液以等體積分入3個離心管中,在離心管中加入3倍體積的乙酸乙酯,8 500 r/min離心3 min,倒出上清液,將沉淀分散在5 mL己烷中,再7 000? r/min離心3 min,保留上清液。

      CsPbBr1.2I1.8量子點的制備:首先稱取96 mg 的ZnI2,量取0.4 mL的油胺和10 mL的己烷加入樣品瓶中,攪拌30 min后獲得ZnI2己烷溶液。再將約1.8? mL ZnI2己烷溶液加入到2 mL的CsPbBr3量子點溶液中,攪拌10 min左右,獲得CsPbBr1.2I1.8量子點粗溶液。經(jīng)過提純后得到CsPbBr1.2I1.8量子點。

      量子點薄膜的制備:以3 000 r/min的旋涂速度,30 s的旋涂時間,在1.5 cm×1.5 cm的玻璃片上旋涂濃度為70 mg·mL-1的量子點溶液制備量子點薄膜。

      量子點/聚合物薄膜的制備:在制備好的CsPbBr1.2I1.8量子點薄膜上,旋涂濃度為50 mg·mL-1的聚合物(PMMA、PIBMA、PS)甲苯溶液,轉(zhuǎn)速為3 000 r/min,時間為30 s,待自然干燥后得到聚合物層為鈍化涂覆層的復(fù)合薄膜(本文使用的聚PMMA的重均分子量約為12~15萬,PIBMA約為6.5~12萬,PS為17~19萬)。

      2.2 測試與表征

      用Thermo Scientific ESCALAB 250Xi X射線光電子能譜儀測試量子點的鹵素比例,用Horiba FluoroMax-4熒光光譜儀測定穩(wěn)態(tài)光致發(fā)光光譜,用Shimadzu UV-2550紫外-可見分光光度計測定吸收光譜,用Thermo Nicolet iS50型號的傅里葉變換紅外光譜儀探究聚合物與樣品之間的作用,用Malvern PANalytical X-Pert PRO MPD型號X射線衍射儀探究樣品的晶體結(jié)構(gòu),用Bruker Dimension Icon型號原子力顯微鏡測試樣品粗糙度,用Quantel Q-Smart 850型號納秒激光器(波長:532 nm;脈寬:10 ns;頻率:10 Hz)泵浦樣品,并采用海洋光學(xué)QE65Pro光譜儀收集樣品的發(fā)光光譜,使用Ophir Vega型號能量計進(jìn)行激光能量測試。ASE測試光路:激光經(jīng)過格蘭泰勒棱鏡組經(jīng)由會聚透鏡,聚焦在薄膜樣品,被泵浦后的樣品發(fā)射出激發(fā)光,使用方向垂直于樣品的光纖探頭對前方激發(fā)光譜數(shù)據(jù)進(jìn)行捕捉,并通過光譜儀收集光譜。

      3 結(jié)果與討論

      3.1 光學(xué)性質(zhì)

      實驗流程如圖1所示,本文通過熱注入法制備了CsPbBr3量子點,之后在CsPbBr3量子點中加入ZnI2溶液制備了紅色CsPbBrI3-x量子點,并使用X射線光電子能譜對其鹵素成分進(jìn)行定量分析,圖2(a)給出了測試譜圖,并根據(jù)測試結(jié)果將其命名為CsPbBr1.2I1.8量子點,再分別將聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)、聚甲基丙烯酸異丁酯(PIBMA)、聚苯乙烯(PS)3種聚合物涂覆在CsPbBr1.2I1.8量子點薄膜表面,制備了CsPbBr1.2I1.8、CsPbBr1.2I1.8/PMMA、CsPbBr1.2I1.8/PIBMA和CsPbBr1.2I1.8/PS薄膜。

      圖1 實驗流程圖

      圖2 (a)CsPbBr1.2I1.8的X射線光電子能譜;CsPbBr1.2I1.8、CsPbBr1.2I1.8/PMMA、CsPbBr1.2I1.8/PIBMA和CsPbBr1.2I1.8/PS薄膜的PL光譜(b)和紫外可見吸收光譜(c)。

      圖2(b)和圖2(c)分別給出了CsPbBr1.2I1.8、CsPbBr1.2I1.8/PMMA、?CsPbBr1.2I1.8/PIBMA和CsPbBr1.2I1.8/PS薄膜的光致發(fā)光(PL)光譜和紫外可見(UV-Vis)吸收光譜。通過PL光譜可以發(fā)現(xiàn)CsPbBr1.2I1.8量子點薄膜的發(fā)光峰位為640 nm,在涂覆了不同的聚合物后發(fā)光峰位和吸收峰位均沒有明顯的移動。此外,可以發(fā)現(xiàn)CsPbBr1.2I1.8/PS薄膜的PL強(qiáng)度與純量子點薄膜的強(qiáng)度相近,但是量子點薄膜在旋涂了PMMA和PIBMA后,其PL強(qiáng)度明顯增大,說明這兩種聚合物對量子點薄膜有一定的鈍化效果,經(jīng)過鈍化處理的復(fù)合薄膜相對于CsPbBr1.2I1.8量子點薄膜有著更少的缺陷,減少了材料內(nèi)部的非輻射復(fù)合[19]。并且CsPbBr1.2I1.8/PIBMA的PL強(qiáng)度要明顯高于CsPbBr1.2I1.8/PMMA,說明PIBMA對量子點薄膜有著更加顯著的鈍化作用。

      3.2 傅里葉變換紅外光譜

      圖3 CsPbBr1.2I1.8/PMMA和PMMA (a)、CsPbBr1.2I1.8/PIBMA和PIBMA (b)、CsPbBr1.2I1.8/PS和純PS(c)的傅里葉變換紅外光譜。CsPbBr1.2I1.8/PMMA和PMMA (d)、CsPbBr1.2I1.8/PIBMA和PIBMA(e)、CsPbBr1.2I1.8/PS和PS(f)的傅里葉變換紅外光譜的局部放大圖。

      3.3 晶體結(jié)構(gòu)

      為了進(jìn)一步探究旋涂聚合物層對量子點薄膜的影響,對CsPbBr1.2I1.8量子點薄膜和復(fù)合薄膜進(jìn)行了X射線衍射表征,并在圖4中給出了表征結(jié)果。通過觀察圖4可以發(fā)現(xiàn),4種樣品的X射線衍射圖譜均在14.6°、20.7°和29.5°附近出現(xiàn)衍射峰,并且不同樣品間衍射峰形狀也沒有明顯變化,表明旋涂聚合物層并沒有改變鈣鈦礦量子點的晶體結(jié)構(gòu)。此外,由于PMMA、PIBMA和PS三種材料均是非結(jié)晶性質(zhì)的聚合物,因此除了鈣鈦礦量子點的特征峰,在相應(yīng)的X射線衍射圖譜上并沒有觀察到其他尖銳的結(jié)晶衍射峰。

      圖4 CsPbBr1.2I1.8、CsPbBr1.2I1.8/PMMA、CsPbBr1.2I1.8/PIBMA和CsPbBr1.2I1.8/PS薄膜的X射線衍射圖譜。

      3.4 水穩(wěn)定性測試

      為了探究聚合物對量子點薄膜水穩(wěn)定性的影響,將CsPbBr1.2I1.8量子點薄膜和復(fù)合薄膜不經(jīng)處理直接浸沒在水中,隨后每2 min測試一次薄膜樣品的PL強(qiáng)度,測試的結(jié)果展示在圖5(a)中,而圖5(b)給出了在水中浸泡0,8,14 min后的不同薄膜樣品的實物照片。從圖5(a)中可以發(fā)現(xiàn),CsPbBr1.2I1.8量子點薄膜的PL強(qiáng)度在浸泡水中8 min中時幾乎降低至零,這主要是因為量子點接觸水后快速分解,發(fā)光性能急劇下降。從圖5(b)看出浸泡8 min的CsPbBr1.2I1.8量子點薄膜出現(xiàn)了大面積的分解。而CsPbBr1.2I1.8/PMMA、CsPbBr1.2I1.8/PIBMA和CsPbBr1.2I1.8/PS薄膜由于存在聚合物的保護(hù),在水中浸泡了2 min后并沒有出現(xiàn)明顯的PL強(qiáng)度下降,且在水中浸泡了14 min后,PL強(qiáng)度仍然分別保留了初始值的53%、50%、68%。其中CsPbBr1.2I1.8/PS薄膜顯示了最優(yōu)的水穩(wěn)定性,主要是因為PS具有較高的疏水性,有效阻擋了水分對量子點薄膜的侵蝕。此外,從圖5(b)中也可以觀察到,在14 min后復(fù)合薄膜才出現(xiàn)部分量子點的分解。以上結(jié)果說明,涂覆聚合物薄膜的策略顯著地提升了量子點的水穩(wěn)定性。

      圖5?。╝)在水中浸泡0~14 min薄膜的相對PL強(qiáng)度變化;(b)在水中浸泡0,8,14 min后的薄膜樣品圖片(薄膜從上到下依次為CsPbBr1.2I1.8、CsPbBr1.2I1.8/PMMA、CsPbBr1.2I1.8/PIBMA和CsPbBr1.2I1.8/PS薄膜)。

      3.5 薄膜粗糙度測試

      當(dāng)使用激光對薄膜樣品進(jìn)行泵浦時,粗糙度大的薄膜表面可能出現(xiàn)一些光損失,比如在薄膜與空氣的界面處發(fā)生散射、反射等現(xiàn)象。因此,在使用激光對樣品進(jìn)行泵浦時,粗糙度低的薄膜樣品由于存在較少的光損失,可以更大程度地吸收來自光源的光子,更有可能在低能量密度激光下獲得ASE[14,? 23]。為了探究聚合物對于量子點薄膜表面粗糙度的影響,對不同薄膜樣品進(jìn)行了原子力顯微鏡測試,結(jié)果如圖6所示。其中CsPbBr1.2I1.8、CsPbBr1.2I1.8/PMMA、CsPbBr1.2I1.8/PIBMA和CsPbBr1.2I1.8/PS薄膜的表面均方粗糙度分別為7.6,4.9,1.8,10.2 nm,在引入PMMA和PIBMA涂層后,復(fù)合薄膜的粗糙度相對于CsPbBr1.2I1.8薄膜得到了明顯改善。因此PMMA和PIBMA不僅對量子點的缺陷進(jìn)行了鈍化,還有效地改善了量子點薄膜的表面形貌,有利于CsPbBr1.2I1.8/PMMA和CsPbBr1.2I1.8/PIBMA薄膜實現(xiàn)低閾值的ASE。

      圖6 CsPbBr1.2I1.8(a)、CsPbBr1.2I1.8/PMMA (b)、CsPbBr1.2I1.8/PIBMA (c)、CsPbBr1.2I1.8/PS (d)薄膜的原子力顯微鏡圖像。

      3.6 ASE性能測試

      圖7 CsPbBr1.2I1.8(a)、CsPbBr1.2I1.8/PMMA (b)、CsPbBr1.2I1.8/PIBMA (c)、CsPbBr1.2I1.8/PS薄膜(d)在不同泵浦能量密度激光泵浦下的發(fā)射光譜。峰值強(qiáng)度(紅色)和半峰寬(藍(lán)色)作為CsPbBr1.2I1.8(e)、CsPbBr1.2I1.8/PMMA (f)、CsPbBr1.2I1.8/PIBMA (g)、CsPbBr1.2I1.8/PS (h)薄膜的泵浦能量的函數(shù)。

      3.7 ASE儲存穩(wěn)定性測試

      為了測試薄膜的空氣穩(wěn)定性,將所有樣品在室溫的空氣環(huán)境中(濕度為30%~40%)放置30天后,再次測試薄膜樣品ASE閾值,并與放置前的ASE閾值進(jìn)行比較,結(jié)果展示在圖5中。從圖8(a)中可知,在空氣保存30天后,CsPbBr1.2I1.8量子點薄膜已經(jīng)無法在激光泵浦下實現(xiàn)ASE,這主要是由于空氣中的水氧對量子點有較大的損害,造成其發(fā)光性能下降。而CsPbBr1.2I1.8/PMMA、CsPbBr1.2I1.8/PIBMA和CsPbBr1.2I1.8/PS薄膜由于存在聚合物涂覆層的保護(hù),物理隔絕了空氣中的水氧與量子點的接觸,在保存30天后,仍然可以實現(xiàn)ASE,閾值分別為227,169,241 μJ·cm-?2。雖然相對于初始閾值均有一定程度的增長,但是較于CsPbBr1.2I1.8量子點薄膜,復(fù)合薄膜的儲存穩(wěn)定性都得到了明顯提升。

      4 結(jié)論

      此外,在CsPbBr1.2I1.8、CsPbBr1.2I1.8/PMMA、CsPbBr1.2I1.8/PIBMA和CsPbBr1.2I1.8/PS復(fù)合薄膜中都觀測到ASE現(xiàn)象,閾值分別為138,109,81,154 μJ·cm-2,其中PIBMA具有相對最佳的鈍化效果以及較低的薄膜粗糙度,獲得了最低的ASE閾值。將4種薄膜在空氣環(huán)境中放置30天后,CsPbBr1.2I1.8量子點薄膜未觀察到ASE現(xiàn)象,而在聚合物的保護(hù)下,CsPbBr1.2I1.8/PMMA、CsPbBr1.2I1.8/PIBMA和CsPbBr1.2I1.8/PS薄膜仍具有227,169,241 μJ·cm-2的ASE閾值,這主要是因為聚合物鈍化層阻擋了空氣中的水分對量子點的損害。綜上所述,對于提升量子點的增益性能,在量子點薄膜表面涂覆具有合適功能基團(tuán)的聚合物是一種簡便有效的手段,為獲得低閾值穩(wěn)定的ASE以及實現(xiàn)半導(dǎo)體激光應(yīng)用提供了一個新思路。

      [1] 李繼軍,聶曉夢,甄威,等.顯示技術(shù)比較及新進(jìn)展[J].液晶與顯示,2018,33(1):74-84.

      LI J J, NIE X M, ZHEN W,. New developments and comparisons in display technology[J].,2018, 33(1): 74-84. (in Chinese)

      [2] 顏博霞,王延偉,亓巖,等.激光顯示光源顏色配比和色溫研究[J].中國激光,2018,45(4):0401004.

      YAN B X, WANG Y W, QI Y,. Study of color proportion and color temperature in laser display[J]., 2018, 45(4): 0401004. (in Chinese)

      [3] 孟雪,寧永強(qiáng),張建偉,等.面向激光顯示的紅光半導(dǎo)體激光器的研究進(jìn)展[J].激光與光電子學(xué)進(jìn)展,2019,56(18):180001.

      MENG X, NING Y Q, ZHANG J W,. Research progress of red semiconductor laser diodes for laser display[J]., 2019, 56(18): 180001. (in Chinese)

      [4] 劉王宇,陳斐,孔淑祺,等.全無機(jī)鈣鈦礦量子點的合成、性質(zhì)及發(fā)光二極管應(yīng)用進(jìn)展[J].發(fā)光學(xué)報,2020,41(2):117-133.

      LIU W Y, CHEN F, KONG S Q,. Synthesis, properties and application of all-inorganic perovskite quantum dots[J]., 2020, 41(2): 117-133. (in Chinese)

      [5] LIU H W, YAO D, LIU Y,. Mn2+-doped CsPbX3(X=Cl, Br and I) perovskite nanocrystals and their applications[J]., 2019, 12(5): 933-951.

      [6] 常鵬,翟玥,吳娜,等.鉀離子摻雜CsPbCl3:Mn鈣鈦礦量子點的熒光性能[J].液晶與顯示,2021,36(10):1352-1361.

      CHANG P, ZHAI Y, WU N,. Fluorescence properties or potassium ions doped CsPbCl3: Mn perovskite quantum dots[J]., 2021, 36(10): 1352-1361. (in Chinese)

      [7] ZHANG H L, YUAN L, CHEN Y,. Amplified spontaneous emission and random lasing using CsPbBr3quantum dot glass through controlling crystallization[J]., 2020, 56(19): 2853-2856.

      [8] XIONG Q, HUANG S H, DU J,. Surface ligand engineering for CsPbBr3quantum dots aiming at aggregation suppression and amplified spontaneous emission improvement[J]., 2020, 8(20): 2000977.

      [9] KRIEG F, OCHSENBEIN S T, YAKUNIN S,. Colloidal CsPbX3(X = Cl, Br, I) nanocrystals 2.0: zwitterionic capping ligands for improved durability and stability[J]., 2018, 3(3): 641-646.

      [10] LI S Q, LEI D Y, REN W,. Water-resistant perovskite nanodots enable robust two-photon lasing in aqueous environment[J]., 2020, 11(1): 1192.

      [11] YAKUNIN S, PROTESESCU L, KRIEG F,. Low-threshold amplified spontaneous emission and lasing from colloidal nanocrystals of caesium lead halide perovskites[J]., 2015, 6: 8056.

      [12] WANG Y, LI X M, ZHAO X,. Nonlinear absorption and low-threshold multiphoton pumped stimulated emission from all-inorganic perovskite nanocrystals[J]., 2016, 16(1): 448-453.

      [13] HUANG S Q, WANG B, ZHANG Q,. Postsynthesis potassium-modification method to improve stability of CsPbBr3perovskite nanocrystals[J]., 2018, 6(6): 1701106.

      [14] YAN D D, SHI T C, ZANG Z G,. Ultrastable CsPbBr3perovskite quantum dot and their enhanced amplified spontaneous emission by surface ligand modification[J]., 2019, 15(23): 1901173.

      [15] LI J M, LIU J M, MEI E R,. Low threshold amplified spontaneous emission in ultrastable CsPbBr3-TS-1 nanocomposite films under two-photon excitation[J]., 2021, 119(9): 091102.

      [16] DE GIORGI M L, PERULLI A, YANTARA N,. Amplified spontaneous emission properties of solution processed CsPbBr3Perovskite thin films[J]., 2017, 121(27): 14772-14778.

      [17] TANG X S, YANG J, LI S Q,. Single halide perovskite/semiconductor core/shell quantum dots with ultrastability and nonblinking properties[J]., 2019, 6(18): 1900412.

      [18] DUTTA A, PRADHAN N. Phase-stable red-emitting CsPbI3nanocrystals: successes and challenges[J]., 2019, 4(3): 709-719.

      [19] QAID S M H, GHAITHAN H M, AL-ASBAHI B A,. Investigation of the surface passivation effect on the optical properties of CsPbBr3perovskite quantum dots[J]., 2021, 23: 100948.

      [20] GU X J, XIANG W C, TIAN Q W,. Rational surface-defect control via designed passivation for high-efficiency inorganic perovskite solar cells[J]., 2021, 60(43) 23164-23170.

      [21] HUANG Z Q, HU X T, LIU C,. Water-resistant and flexible perovskite solar cells via a glued interfacial layer[J]., 2019, 29(37): 1902629.

      [22] LIU G L, LIU C, LIN Z J,. Regulated crystallization of efficient and stable tin-based perovskite solar cells via a self-sealing Polymer[J]., 2020, 12(12): 14049-14056.

      [23] WANG D, LIU R Q, TAN X,. Amplified spontaneous emission properties of solution processed CsPbBr3perovskite thin films doped with large-group ammonium cations[J]., 2020, 10(4): 981-997.

      [24] LI J, ZHOU W, JIANG L,. Highly compact and smooth all-inorganic perovskite films for low threshold amplified spontaneous emission from additive-assisted solution processing[J]., 2019, 7(48): 15350-15356.

      [25] SHE C X, FEDIN I, DOLZHNIKOV D S,. Low-threshold stimulated emission using colloidal quantum wells[J]., 2014, 14(5): 2772-2777.

      [26] WU X, JIANG X F, HU X W,. Highly stable enhanced near-infrared amplified spontaneous emission in solution-processed perovskite films by employing polymer and gold nanorods[J]., 2019, 11(4): 1959-1967.

      [27] LI J, SI J J, GAN L,. Simple approach to improving the amplified spontaneous emission properties of perovskite films[J]., 2016, 8(48): 32978-32983.

      [28] TIAN K, LU Y N, LIU R Q,. Low-threshold amplified spontaneous emission from air-stable CsPbBr3perovskite films containing trace amounts of polyethylene oxide[J]., 2021, 86(11): 1537-1543.

      Red amplified spontaneous emission of polymer passivated perovskite quantum dots

      (,,,,230009,)

      CsPb3quantum dots; polymer passivation; amplified spontaneous emission; stability

      O482.31;TN383

      A

      10.37188/CJLCD.2022-0127

      1007-2780(2022)07-0787-10

      2022-04-15;

      2022-04-23.

      國家重點研發(fā)計劃項目(No.2019YFE0101300);合肥市自然科學(xué)基金(No.2021040)

      Supported by National Key Research and Development Program (No.2019YFE0101300); Natural Science Foundation of Hefei (No.2021040)

      ,E-mail:jzhu@hfut.edu.cn;bozhilu@hfut.edu.cn

      張思?。?996—),男,安徽六安人,碩士研究生,2018年于安徽工程大學(xué)獲得學(xué)士學(xué)位,主要從事CsPbX3量子點的合成及放大自發(fā)輻射性能研究。E-mail:zsj67638585@163.com

      朱俊(1979—),男,江蘇靖江人,博士,研究員,2005年于中國科學(xué)技術(shù)大學(xué)獲得博士學(xué)位,主要從事量子點發(fā)光顯示研究。E-mail:jzhu@hfut.edu.cn

      陸紅波(1979—),男,安徽合肥人,博士,研究員,2006年于中國科學(xué)技術(shù)大學(xué)獲得博士學(xué)位,主要從事新型液晶材料及器件方面的研究。E-mail:bozhilu@hfut.edu.cn

      猜你喜歡
      泵浦涂覆X射線
      “X射線”的那些事兒
      實驗室X射線管安全改造
      低溫球形顆粒表面噴霧冷凍涂覆液膜的生長規(guī)律
      虛擬古生物學(xué):當(dāng)化石遇到X射線成像
      科學(xué)(2020年1期)2020-01-06 12:21:34
      基于980nm泵浦激光器的恒溫驅(qū)動設(shè)計
      電子制作(2018年9期)2018-08-04 03:30:54
      LD面陣側(cè)面泵浦Nd:YAG光場均勻性研究
      分形粗糙表面涂覆目標(biāo)太赫茲散射特性
      N d:Y A G電光調(diào)Q泵浦固體激光器輸出特性研究
      太陽光泵浦固體激光閾值的理論分析
      微通道下費托合成催化劑層涂覆厚度的數(shù)值研究
      404 Not Found

      404 Not Found


      nginx
      响水县| 卓尼县| 双牌县| 长兴县| 大兴区| 兖州市| 曲周县| 广德县| 阳朔县| 丽水市| 嘉义县| 鄄城县| 沿河| 元朗区| 泗水县| 宣化县| 获嘉县| 江达县| 宁陕县| 东城区| 光泽县| 晴隆县| 宣汉县| 定兴县| 西藏| 元氏县| 罗江县| 五大连池市| 电白县| 海南省| 永顺县| 涡阳县| 隆化县| 葫芦岛市| 德钦县| 临夏市| 勃利县| 定安县| 南开区| 辉县市| 涟源市|