• 
    

    
    

      99热精品在线国产_美女午夜性视频免费_国产精品国产高清国产av_av欧美777_自拍偷自拍亚洲精品老妇_亚洲熟女精品中文字幕_www日本黄色视频网_国产精品野战在线观看 ?

      碘氧化鉍/氮摻雜石墨烯量子點光電化學傳感器的研制及毒死蜱測定

      2025-04-17 00:00:00陳亞飛章旭輝#楊光煒魏小平李建平
      分析化學 2025年3期

      摘要 合成了具有不同(110)和(001)晶面比例的碘氧化鉍(BiOI),利用BiOI 的(001)和(110)晶面界面之間形成的Ⅱ型異質(zhì)結(jié),提高了光電材料BiOI 光生載流子的分離效率。將BiOI(001)/(110)與氮摻雜石墨烯量子點(N-GQDs)復合,制備復合材料BiOI/N-GQDs,不但增強了光吸收的范圍和強度,而且由于N-GQDs 與BiOI 形成Z 型異質(zhì)結(jié)延長了光生電子的壽命。BiOI/N-GQDs 具有優(yōu)異的光電性能,可產(chǎn)生靈敏的光電響應信號。在氟摻雜二氧化錫(FTO)電極上負載BiOI/N-GQDs 作為光陰極,設計了一種用于毒死蜱(CPF)靈敏檢測的光電化學傳感器。CPF 所含的S 和N 原子與BiOI 表面的Bi(Ⅲ)配位,使BiOI/N-GQDs 的光電流降低,CPF 的濃度在1.5×10–12~5.0×10–9 mol/L 范圍內(nèi),其對數(shù)值與光電流的變化值呈線性關系,檢出限(S/N=3)低至1.5×10?12 mol/L。本傳感器靈敏度高、選擇性和穩(wěn)定性好,并可用于環(huán)境和食品中痕量CPF 的測定。

      關鍵詞 光電化學傳感器;碘氧化鉍;氮摻雜石墨烯量子點;毒死蜱;晶面調(diào)節(jié);異質(zhì)結(jié)

      毒死蜱(CPF)是目前全球使用最廣泛的一種非內(nèi)吸性廣譜殺蟲劑和殺螨劑,常用于糧食和果蔬等多種作物的病蟲害防治。然而, CPF 水溶性差,易被土壤吸附從而長時間殘留在環(huán)境中,引起水體污染和水生生物中毒,經(jīng)食物鏈被人體吸收后還會引起神經(jīng)缺陷和自身免疫性疾病等。因此,多國食品監(jiān)管機構對食品中CPF 的含量做了嚴格限定,如歐洲食品安全局(EFSA)規(guī)定CPF 最高限量為0.01 mg/kg[1],我國規(guī)定在蔬菜、堅果和哺乳動物內(nèi)臟等食品中CPF 的最高限量為0.01~0.05 mg/kg[2]。常用的CPF 檢測方法有氣相色譜[3]、液相色譜[4]、液相色譜-質(zhì)譜聯(lián)用[5]和免疫分析方法[6]等。這些方法需要大型檢測設備和復雜的樣品預處理過程,并在預處理過程中使用大量有機溶劑,不僅耗時耗力,而且存在二次污染。因此,開發(fā)高靈敏、簡便、快速的CPF 檢測方法具有重要意義。

      光電化學(PEC)傳感器具有靈敏度高、儀器和操作簡便等優(yōu)點,近年來在環(huán)境檢測、食品安全監(jiān)測和醫(yī)療分析等領域得到越來越多的應用。利用PEC 傳感器測定CPF 也引起了檢測人員的極大興趣。光電材料對PEC 傳感器的分析性能起著決定性作用。目前,研究者將Bi2S3 修飾的石墨相氮化碳[7]、Ag 納米顆粒復合多孔中空CdCoS2 微球[8]和氧修飾ZnIn2S4 [9]等作為光電材料制備了多種PEC 傳感器用于CPF 測定。然而,由于光電材料的光吸收性能不佳、電荷轉(zhuǎn)移效率較低或者復合光電材料之間的能帶匹配效果不佳等原因,這些方法多存在光電效率低的問題,傳感器的分析性能受限。

      鹵化鉍(BiOX, X=Cl, Br, I)是一類重要的化合物。其中, BiOI 是一種窄帶隙(1.7~1.9 eV)半導體,由[Bi2O2]板條和碘原子交錯構成[10]。光照下, BiOI 內(nèi)部很容易形成電場,從而促進光生電子-空穴對的分離[11],因而具有優(yōu)異的光電性能。BiOI 的晶面有(110)、(010)、(001)和(101)等,研究表明[12-13],通過對上述BiOI 晶面進行構建,在不同晶面之間形成內(nèi)部異質(zhì)結(jié),可以顯著提高其光電響應性能。其中, BiOI的(001)與(110)晶面之間形成的Ⅱ型異質(zhì)結(jié)可獲得更強的光電化學響應[14-15]。然而, BiOI 的(110)和(001)晶面的比例不協(xié)調(diào)會導致光生電子-空穴對溢出效應[11],影響晶面間電子-空穴對轉(zhuǎn)移的效率。因此,控制BiOI(110)/(001)異質(zhì)結(jié)中(001)和(110)晶面的組成是BiOI 材料具有優(yōu)異光電性能的前提條件。

      另一方面,為進一步避免BiOI(110)/(001)異質(zhì)結(jié)產(chǎn)生的光生電子-空穴對復合,提高BiOI 材料的光電性能,可以引入另一種材料構建新異質(zhì)結(jié)[16]。石墨烯量子點(GQDs)是一種具有優(yōu)異導電性能的材料[17],特別是氮摻雜GQDS(N-GQDs)材料,摻入的N 原子改變了GQDs 中電子傳輸?shù)哪軌?,可促使電子快速遷移[18]。研究表明,將N-GQDs 與半導體耦合不僅能增強復合光電材料的光捕獲能力,擴大可見光吸收范圍,還可以促進界面電荷轉(zhuǎn)移,延長光生電荷壽命,減少光生電子-空穴對的復合[19-21]。

      本研究將固態(tài)反應與隨后的水解反應相結(jié)合,在室溫下通過控制溶劑用量,制備了具有不同(001)和(110)晶面比率和優(yōu)異光電性能的BiOI,將其分別與N-GQDs 復合,制備BiOI(001)/(110)/N-GQDs 三元異質(zhì)結(jié)材料,并以此制備了光電化學傳感器用于CPF 檢測,其檢測原理見圖1。在BiOI(001)/(110)中加入N-GQDs 生成Z 型異質(zhì)結(jié),此異質(zhì)結(jié)的形成可使BiOI(001)/(110)的導帶(CB)上的電子轉(zhuǎn)移到N-GQDs的價帶(VB)上并與N-GQDs 上的空穴復合,而N-GQDs 上的電子可以被電解液中溶解的O2 捕獲。這種Z型異質(zhì)結(jié)電子轉(zhuǎn)移機制顯著提高了光生載流子的分離效率,并延長了光生電子的壽命(圖1B)。當CPF存在時, CPF 會與BiOI(001)/(110)材料表面的Bi(Ⅲ)之間發(fā)生螯合作用(圖1A),形成的空間位阻效應會極大地限制材料的光照射程度,大大減弱了材料之間的光生電子-空穴對的轉(zhuǎn)移效果,導致異質(zhì)結(jié)光電效應受到抑制,光電流顯著降低。

      1 實驗部分

      1.1 儀器與試劑

      PGSTAT28N Autolab 電化學工作站(瑞士萬通有限公司);場發(fā)射掃描電子顯微鏡(日本電子株式會社);CHI660D 電化學工作站(上海辰華儀器有限公司);HSX-F300 氙燈光源系統(tǒng)(北京紐比特科技公司);X′pert PRO 型X 射線衍射儀(XRD,荷蘭PANalytical 公司);PerkinElmer Lambda 750 紫外-可見分光光度計(鉑金埃爾默儀器(上海)有限公司);F-7000 FL 熒光分光光度計(廣州貝拓科學技術有限公司);FTO 電極(洛陽卓尚科技有限公司)。

      Bi(NO3)3·5H2O 和KI(國藥集團化學試劑有限公司);殼聚糖、阿特拉津、噻蟲啉、噻蟲嗪、倍硫磷、甲基對硫磷、丙溴磷和CPF(上海阿拉丁生化科技股份有限公司);殺草強(天津希恩思生化科技有限公司);檸檬酸和尿素(西隴化工股份有限公司)。所用試劑均為分析純試劑;實驗用水為二次蒸餾水。

      1.2 實驗方法

      1.2.1 BiOI 的制備

      參照文獻[11]的方法并稍做修改,制備BiOI 材料。取4 個研磨器,各加入0.97 g Bi(NO3)3·5H2O 和0.34 g KI,于室溫下研磨30 min,直至形成黑色糊狀物;分別轉(zhuǎn)移至含1、5、80 和400 mL 水的燒杯中,快速攪拌混合30 min,靜置5 h;所得產(chǎn)物依次用水和乙醇清洗,在80 ℃下干燥。根據(jù)所用水的體積將產(chǎn)物分別標記為BiOI-1、BiOI-5、BiOI-80 和BiOI-400。

      1.2.2 N-GQDs 的制備

      稱取0.525 g 檸檬酸(2.5 mmol)和0.450 g 尿素(7.5 mmol),加入12 mL 水溶解;將混合物轉(zhuǎn)移到以聚四氟乙烯為內(nèi)襯的不銹鋼高壓反應釜中, 160 ℃下水熱反應8 h;自然冷卻至室溫后,向溶液中加入乙醇,以4000 r/min離心8 min;在60 ℃下烘干,得到N-GQDs。

      1.2.3 BiOI/N-GQDs/FTO 傳感電極的制備

      稱取0.025 g 殼聚糖加入到5 mL 1%乙酸溶液中,配制成0.5%殼聚糖的乙酸溶液,冷藏,備用。稱取0.004 g BiOI 置于5 mL 試管中,加入0.006 g N-GQDs、0.5%殼聚糖-乙酸溶液和1 mL 水。將試管放在振蕩器上振蕩1 h。

      將FTO 電極分別用丙酮、乙醇和水超聲清洗10 min,自然晾干。取50 μL 上述溶液滴涂于FTO(面積1 cm×1 cm)上,在60 ℃烘箱中烘干,備用。

      1.2.4 實驗方法

      在CHI660D 電化學工作站上進行I-t 實驗,使用三電極系統(tǒng),其中,修飾FTO 電極為工作電極,鉑絲為對電極, Ag/AgCl 電極為參比電極。設置恒定電壓為0 V,將修飾FTO 浸泡在含有CPF 的20 mL0.20 mol/L 的Na2SO4 電解質(zhì)溶液中,孵育5 min 后,在300 W 的氙燈光源下照射10 s,記錄“關-開-關”模式下光照前后的光電流變化。電化學阻抗譜(EIS)測量在含有5 mmol/L [Fe(CN)6]3–/4– 的0.1 mol/L KCl溶液中進行,開路電位為0.19 V,頻率范圍為0.1 Hz~100 kHz。

      1.2.5 樣品處理

      池塘水和漓江水經(jīng)4000 r/min 離心10 min 后,取上清液,備用。風干的土壤樣品研磨至60 目(粒徑0.25 mm)后,稱取2.00 g 置于20 mL 甲醇中,超聲提取45 min, 4000 r/min 離心10 min,移取5 mL 上清液,用水稀釋至10 mL,備用。將10 g 甘蔗樣品研磨30 min 后,全部轉(zhuǎn)移至含有5 mL 丙酮-乙醇(1∶1, V/V)溶液的離心管中超聲處理2 h, 4000 r/min 離心10 min,將上清液轉(zhuǎn)移至10 mL 比色管中,用水稀釋至刻度,得到甘蔗測試液,于4 ℃保存,備用。

      2 結(jié)果與討論

      2.1 光電材料的表征

      2.1.1 掃描電鏡及能量色散譜表征

      采用掃描電鏡(SEM)對不同形態(tài)的BiOI 和BiOI-80/N-GQDs 復合材料的結(jié)構和形貌進行表征。圖2A-a 和圖2A-b 分別為BiOI-1 與BiOI-5 的SEM 圖像,可見二者均為片狀結(jié)構,直徑分別約為26.58 和27.56 μm。圖2A-c 和圖2A-d 分別為BiOI-80 與BiOI-400 的SEM 圖像,可見二者均為納米片組裝而成的花狀結(jié)構,直徑分別約為40.54和25.05 μm。上述不同形態(tài)的BiOI的形貌均與文獻[11]的結(jié)果高度相似,表明成功制備了不同形態(tài)的BiOI。由圖2A 還可見, BiOI-80 和BiOI-400 的形貌呈現(xiàn)花型,具有更大的表面積。分別對不同形態(tài)的BiOI 進行光電流測試,發(fā)現(xiàn)BiOI-80 具有較好的光電性能。將BiOI-80 與N-GQDs 形成BiOI-80/N-GQDs 復合材料,并對其進行SEM 表征(圖2A-e)。相對于BiOI-80 材料(圖2A-c),BiOI-80/N-GQDs 的表面明顯塌陷,原本的花狀形貌變得不規(guī)則,表明成功制備了BiOI-80/N-GQDs 復合材料。圖2B 和圖2C 為BiOI-80/N-GQDs 復合材料的元素映射(EDS)圖,可見此復合材料含有Bi、O、C、N和I元素,并且Bi、O、C、N和I原子分布均勻,進一步證明成功制備了BiOI-80/N-GQDs復合材料。

      2.1.2 X 射線衍射表征

      合成樣品的X 射線衍射(XRD)譜圖見圖3。不同形態(tài)的BiOI 的衍射峰與BiOI 的四方相(JCPDS#10-0445)衍射峰一致。對于BiOI-80,分別在10.525o、29.575o、32.625o、36.975o、39.225o、45.375o、51.275o和55.125o處出現(xiàn)衍射峰,對照JCPDS#10-0445,這些衍射峰分別屬于(001)、(102)、(110)、(112)、(004)、(200)、(114)和(212)晶面,說明BiOI-80 含有上述8 種晶面。在圖3A 中, BiOI-1、BiOI-5、BiOI-80 和BiOI-400 的(001)和(110)晶面的峰強度存在明顯差異,其中,(001)晶面的衍射峰峰高分別為3063、2462、2101 和1885,而(110)晶面的衍射峰峰高分別為647、825、885 和952,二者呈相反的變化趨勢,表明本合成方法對BiOI 的(001)和(110)晶面的生成具有明顯影響。根據(jù)文獻[11],(001)和(110)晶面同時接收更多的光照可以使BiOI 獲得更好的光電性能,這是因為一個晶面光照過多,而另一個晶面光照不足,會發(fā)生光生電子溢出效應,容易導致光生載流子復合。因此,具有適度的(001)和(110)晶面配比的BiOI-5 和BiOI-80 可產(chǎn)生較強的光電響應。此外, BiOI-80 和BiOI-400 的花狀形貌(圖2A-c 和圖2A-d)使其具有更大的比表面積和更強的光吸收能力。因此,推測在4 種不同形態(tài)的BiOI中, BiOI-80 的光電化學性能最佳。

      BiOI-80、N-GQDs 和BiOI-80/N-GQDs 的XRD譜圖如圖3B 所示, N-GQDs 在32.671o處的特征峰歸屬于石墨烯的(002)晶面[20], BiOI-80 與N-GQDs 兩種材料均出現(xiàn)了衍射峰,但N-GQD 的特征峰較低,其原因是復合材料中N-GQDs 含量少且分布分散[22]。

      2.1.3 光電性質(zhì)表征

      利用紫外-可見漫反射光譜(UV-vis DRS)研究了光電材料的光學性能,在320~650 nm 范圍內(nèi), BiOIa80/N-GQDs 的吸光度大于BiOI-80 和N-GQDs 的吸光度(圖4A),說明材料復合后提高了吸光強度,有利于提高光的利用效率。材料的帶隙寬度(Eg)通過Tauc plot圖和公式 ahv = A(hv Eg)1/2進行計算,其中,a、h、v 和A 分別表示吸收系數(shù)、普朗克常數(shù)、頻率和常數(shù)。如圖4B 所示,經(jīng)過推算, BiOI-80/N-GQDs和BiOI-80 的Eg 分別為1.79 和1.90 eV。其中, BiOI-80/N-GQDs 具有更高的光利用效率,這是因為窄帶隙有利于光催化劑吸收更多的可見光,從而產(chǎn)生更多的光生載流子。在Mott-Schottky(M-S)圖(圖4C)中,BiOI-80 的斜率為負值,說明BiOI-80 為p 型半導體,其平帶電位Efb 為–0.09 eV。根據(jù)公式ECB(vs NHE)=Efb(vs Ag/AgCl)–0.197 和EVB=ECB+Eg 分別計算出BiOI-80 的導帶ECB 為–0.287 eV,價帶EVB 為1.613 eV。此外,利用陰極化和陽極化伏安掃描測定了N-GQDs 的能級[23-24],結(jié)果表明, N-GQDs 的CB 值為–1.15 eV,VB 值為1.34 eV(vs Ag/AgCl)(圖4D 和4E)。

      2.1.4 電子轉(zhuǎn)移機理

      BiOI-80 的(001)和(110)晶面的協(xié)同作用可以提高BiOI 的光電性能。根據(jù)文獻[14],(110)晶面的VB 和CB 比(001)晶面更正,并且(001)和(110)晶面的CB 和VB 之間存在的差異可以促進晶面之間形成異質(zhì)結(jié),進而促使光生電子-空穴對的有效分離,改善BiOI-80 的光電化學性能。在BiOI-80 的(001)和(110)晶面中,(001)晶面的光生電子從CB 轉(zhuǎn)移到(110)晶面的CB 上,而空穴從(110)晶面的VB 轉(zhuǎn)移到(001)晶面的VB 上,最終導致電子和空穴分別匯積在(110)晶面的CB 和(001)晶面的VB 上[11,14],促進了光生電子-空穴對的分離。

      在BiOI-80 中引入N-GQDs 后,根據(jù)2.1.3 節(jié)分析得到的BiOI-80 和N-GQDs 價帶導帶位置,可以推斷光生載流子轉(zhuǎn)移過程。分層異質(zhì)結(jié)的形成有利于光生電子在CB 上按從高到低的方向轉(zhuǎn)移,而空穴在VB上按從低到高的方向轉(zhuǎn)移[25]。當可見光照射BiOI-80/N-GQDs 時,電子從BiOI-80 的VB 向CB 移動。在BiOI-80 的VB 中留下的空穴可以向FTO 轉(zhuǎn)移,產(chǎn)生陰極光電流信號[26-28],開路電位響應OCP 測試結(jié)果(圖4F)證實了這一點。然后, BiOI-80 上的電子可以與N-GQDs 的VB 上的空穴重新結(jié)合,形成Z 型載流子轉(zhuǎn)移過程。由于N-GQDs 的ECB(–1.15 eV)低于E(O2/·O2–)的標準氧化還原電位(–0.33 eV), N-GQDs 的CB 上更多的電子可以被電解液中的溶解O2 捕獲,這種電子在BiOI 和N-GQDs 之間的Z 型異質(zhì)結(jié)中的轉(zhuǎn)移機制有效提高了光生電子-空穴對的分離效率,改善了BiOI-80/N-GQDs 復合材料的光電化學性能。

      2.1.5 光致發(fā)光表征

      光致發(fā)光(Photoluminescence, PL)技術常用于研究光生載流子的分離效率和復合過程,較弱的PL 強度表明其分離光生電子-空穴對的效率較高。圖5A 表明,在BiOI-80 上引入N-GQDs 后,發(fā)射峰的強度顯著降低,這表明BiOI-80/N-GQDs 的光生電子-空穴對復合率低于單一的BiOI-80,說明N-GQDs 能夠加快BiOI-80 表面的光生電子轉(zhuǎn)移。將BiOI-80/N-CQDs 修飾電極置于CPF 溶液中,其PL 強度高于BiOI-80/NCQDs,這可能是CPF 結(jié)構中的C=N 和S=P 基團與BiOI-80/N-CQDs 中的Bi(Ⅲ)結(jié)合,形成Bi-CPF 配合物,對入射光產(chǎn)生了屏蔽現(xiàn)象,這不僅抑制了光生電子-空穴對的產(chǎn)生,還阻礙了光生電子-空穴對的轉(zhuǎn)移,導致光電流降低。

      2.1.6 電化學阻抗譜表征

      EIS 譜圖中,高頻區(qū)的半圓直徑越小表示阻抗值(Rct)也越小,光生電子-空穴對的分離更有效,界面電荷轉(zhuǎn)移更快。對所制備的材料進行EIS 譜測試,如圖5B 所示,相比于BiOI-80, BiOI-80/N-GQDs 具有明顯更低的Rct 值,這表明BiOI-80/N-GQDs 比BiOI-80 更有利于電子傳輸。當CPF 存在時, CPF 中的C=N、P=S 基團中的N、S 原子分別與BiOI 中的Bi(Ⅲ)結(jié)合形成較大體積的螯合物,導致Rct 明顯變大。

      2.2 實驗條件的優(yōu)化

      對BiOI-1、BiOI-5、BiOI-80 和BiOI-400 這4 種不同形態(tài)的BiOI 光電材料進行光電響應測試,結(jié)果見圖6A,其中, BiOI-80 的光電信號最大,其原因是BiOI-80 具有最佳比例的(001)和(110)晶面。比較了BiOI-80 與BiOI-80/N-GQDs 在可見光照射下的光電流響應。結(jié)果表明,相較于BiOI-80, BiOI-80/N-GQDs的光電響應增大了17 倍(曲線c 和曲線h)。這可能是因為N-GQDs 和BiOI-80 形成Z 型異質(zhì)結(jié),促進了光生電子-空穴對在電極界面的分離和轉(zhuǎn)移,使光電材料表現(xiàn)出優(yōu)異的光電性能。此外,利用相同方法制備的BiOI-80/GQDs 的光電流值遠小于BiOI-80/N-GQDs 的光電流值。對比了GQDs 和N-GQDs 的光電流,發(fā)現(xiàn)后者比前者明顯增大(曲線e 和曲線f),說明在GQDs 中摻雜氮可有效誘導電荷離域,提高GQDs的電子傳遞能力。因此, N-GQDs與BiOI-80的結(jié)合可以改善光生電子-空穴對的有效分離,提高光電性能。

      分別將BiOI-1、BiOI-5、BiOI-80 和BiOI-400 與N-GQDs 制備成復合材料,并測試其在空白溶液中的光電流;分別配制5.0×10–10 mol/L 的CPF 溶液,利用上述復合材料測試其光電流信號,并計算二者的光電流差值ΔI。如圖6B 所示, BiOI-80/N-GQDs顯示出最大的光電流響應,故本研究選擇BiOI-80/N-GQDs作為傳感器的敏感材料。

      N-GQDs 可以增強光吸收,導致產(chǎn)生更多的光生載流子。對N-GQDs 的加入量進行優(yōu)化,結(jié)果表明,當N-GQDs 的質(zhì)量為BiOI-80 質(zhì)量的1.5 倍時,光電流最大。因此,選擇加入1.5 倍BiOI-80 質(zhì)量的N-GQDs 進行后續(xù)實驗。

      考察了滴涂量對光電響應的影響。當?shù)瓮苛砍^50 μL 時,可獲得最大的光電流,因此,選擇滴涂量為50 μL 進行后續(xù)實驗。為了保持復合材料在電極上的穩(wěn)定性,在實驗中加入殼聚糖,利用其自身“網(wǎng)”狀結(jié)構固定光電材料。實驗結(jié)果表明,當殼聚糖的滴涂量為25 μL 時,光電流達到最大,并且固載層能保持長時間穩(wěn)定。因此,本研究選擇殼聚糖的加入量為25 μL。

      2.3 傳感器對CPF 的響應性能

      在最優(yōu)的實驗條件下,測量了傳感器對不同濃度CPF的光電流響應,響應曲線如圖7A 所示,隨著CPF濃度增大,光電流值逐漸減小。CPF濃度在1.5×10–12~5.0×10–9 mol/L范圍內(nèi),光電流的變化值與CPF濃度的對數(shù)值呈線性關系(圖7B),線性方程為 I(μA) = 0.17 lgC(10 12 mol/L) + 0.72,相關系數(shù)(R2)為0.9989,檢出限為1.5×10–12 mol/L (S/N=3, n=11)。與其它CPF檢測方法相比,本方法具有更高的靈敏度和更低的檢出限(表1)。

      2.4 傳感器的選擇性

      選擇殺草強(AMT)、阿特拉津(ATZ)、倍硫磷(FEN)、甲基對硫磷(MP)、丙溴磷(PFF)、噻蟲啉(TH)和噻蟲嗪(THM)等農(nóng)藥以及Al3+、Ba2+、Ca2+、Cr3+、Cu2+、Mg2+、Mn2+、Na+、Pb2+和Zn2+等常見金屬離子作為干擾物考察構建的光電傳感器的選擇性。如圖8A 所示, 5.0×10–8 mol/L 的上述干擾物質(zhì)產(chǎn)生的光電流變化明顯小于5.0×10–10 mol/L 的CPF 所產(chǎn)生的光電流變化。此外,同時含有上述濃度的CPF和各干擾物時,測得的光電流變化與僅含CPF 時幾乎相同。因此,此光電化學傳感器具有良好的抗干擾性能,這歸因于CPF 可通過其結(jié)構中的C=N 與S=P 基團與光電材料表面的Bi(Ⅲ)配位形成一個六原子螯合環(huán),阻礙了電子-空穴對的產(chǎn)生,降低了光電流。對于干擾物殺草強(含C=N 鍵)、甲基對硫磷(含P=S 鍵)和倍硫磷(含P=S 鍵),因其僅含有C=N 或P=S 鍵,故難以形成穩(wěn)定的Bi(Ⅲ)螯合物。

      2.5 傳感器的重現(xiàn)性和穩(wěn)定性

      重現(xiàn)性和穩(wěn)定性是評價傳感器性能的一個重要指標。在相同條件下制備了5 支傳感電極,利用其檢測3.0×10–11 mol/L CPF,以考察傳感器檢測CPF 的重現(xiàn)性,結(jié)果表明, 5 支傳感器的光電流響應值的相對標準偏差(RSD)為0.8%,說明傳感器具有良好的制備重現(xiàn)性。此外,在3.0×10–10 mol/L CPF 存在下,采取光源“開?關?開”的方式連續(xù)測量此傳感器的響應情況,記錄信號曲線,如圖8B 所示,連續(xù)記錄300 s得到的光電流值變化較小,表示此傳感器具有良好的穩(wěn)定性。

      2.6 實際樣品檢測

      考察了此光電化學傳感器的實際應用效果。選取池塘水(桂林理工大學附近村莊內(nèi)的池塘)、漓江水(秋季漓江下游段)、土壤(校園附近某果園內(nèi)3 cm 深處的土壤)和甘蔗(購于校園附近水果店)作為實際樣品,按照1.2.5 節(jié)中方法進行樣品預處理,測定其中的CPF 含量,同時利用標準加入法評估檢測結(jié)果的準確性。如表2 所示,加標回收率為98.6%~102.8%, RSD 為2.9%~7.1%,說明本研究制備的傳感器對實際樣品中CPF 的檢測具有良好的準確性。

      3 結(jié)論

      通過簡單研磨攪拌,結(jié)合固態(tài)反應和水解反應,成功制備了不同形態(tài)的BiOI。將BiOI-80 與N-GQDs組合,得到具有優(yōu)異光電性能的BiOI-80/N-GQDs 復合材料。利用殼聚糖將此光電材料固定在FTO 電極表面,構建了一種光電化學傳感器用于CPF 的檢測。此傳感器具有靈敏度高、選擇性和穩(wěn)定性良好等優(yōu)勢,為后續(xù)開發(fā)類似農(nóng)藥檢測的傳感器提供了新思路。

      References

      [1] MA H, HU L, DING F, LIU J, SU J, TU K, PENG J, LAN W, PAN L. Biosens. Bioelectron. , 2024, 263: 116577.

      [2] GB 2763—2021. National Food Safety Standard-Maximum Residue Limits of Pesticides in Food. National Standards of the People′s Republic of China.

      食品安全國家標準食品中農(nóng)藥最大殘留限量. 中華人民共和國國家標準. GB 2763—2021.

      [3] GAWE? M, KILJANEK T, NIEWIADOWSKA A, SEMENIUK S, GOLISZEK M, BUREK O, POSYNIAK A. Food Chem. ,2019, 282: 36-47.

      [4] CHEN X, TIAN W. J. Chromatogr. A, 2025, 1741: 465611.

      [5] VéGH R, S?R?S C, MAJERCSIK N, SIPOS L. J. Agric. Food Chem. , 2022, 70(5): 1507-1515.

      [6] ZOU R, GUO Y, WANG Y, LU X, MA Z, SHOU L, LIU Y, ZHU G, GUO Y. Anal. Chem. , 2023, 95(30): 11287-11295.

      [7] LEI Q, LI J, LEI J, HONG B, LI X, LI H, WAN Y. Surf. Interfaces, 2023, 39: 102913.

      [8] ZHENG D, CHEN M, CHEN Y, GAO W. Anal. Chim. Acta, 2022, 1212: 339913.

      [9] CHENG Z, YANG J, LIAO R, DENG W, TAN Y. J. Electroanal. Chem. , 2024, 960: 118211.

      [10] WANG M Y, KAFIZAS A, SATHASIVAM S, BLUNT M O, MOSS B, GONZALE-CARRERO S, CARMALT C J. Appl.Catal. , B, 2023, 331: 122657.

      [11] HE R, ZHANG J, YU J, CAO S. J. Colloid Interface Sci. , 2016, 478: 201-208.

      [12] DI J, XIA J, LI H, GUO S, DAI S. Nano Energy, 2017, 41: 172-192.

      [13] LIU Z, NIE H, KONG B, XU X, HE F, WANG W. Int. J. Hydrogen Energy, 2024, 51: 733-747.

      [14] LU J, WU J, XU W, CHENG H, QI X, LI Q, ZHANG Y, GUAN Y, LING Y, ZHANG Z. Mater. Lett. , 2018, 219: 260-264.

      [15] ZHAO H, LIU X, DONG Y, XIA Y, WANG H, ZHU X. ACS Appl. Mater. Interfaces, 2020, 12(28): 31532-31541.

      [16] CHENG D, WU H, FENG C, ZHANG Y, DING Y, MEI H. J. Alloys Compd. , 2021, 882: 160690.

      [17] RUIYI L, MENGYU W, XINYI Z, ZAIJUN L, XIAOHAO L. Microchim. Acta, 2024, 191(9): 530.

      [18] LUO L, LEI Y, DU P, WANG Y, LI C, DU B, WU Y. J. Mater. Sci.: Mater. Electron. , 2022, 33(24): 19071-19081.

      [19] ZHANG Z M, LIU X Q, YU C L, ZHOU W Q, LI F. Colloids Surf. , A, 2021, 626: 127109.

      [20] ZHU X L, GUO X Y, SONG J L, HAN P, XIN G X, WANG R F. Colloids Surf. , A, 2022, 633: 127841.

      [21] ZHOU Y, ZHANG C, LIU J, MOU Y. Talanta, 2025, 285: 127223.

      [22] WU Z, LIANG Z, HE Z, WANG T, XIAO R, HAN F, ZHAO Z, HAN D, HAN D, NIU L. Chem. Res. Chin. Univ. , 2022,38(6): 1387-1393.

      [23] ZHU M, LIU Q, CHEN W, YIN Y, GE L, LI H, WANG K. ACS Appl. Mater. Interfaces, 2017, 9(44): 38832-38841.

      [24] LEI Y, WANG Y, DU P, WU Y, LI C, DU B, LUO L, SUN Z, ZOU B. Mater. Sci. Semicond. Process. , 2022, 141: 106416.

      [25] ZHOU Y, XIAO W, TIAN G, ZHANG S, WEI X, LI J. Microchim. Acta, 2024, 191(5): 232.

      [26] HANG T, LI C, LIANG D, LI S, ZHOU H, GE P, ZHU X, LIU T. Chem. Eng. J. , 2022, 431: 133465.

      [27] LI J, GAO X, LIU B, FENG Q, LI X B, HUANG M Y, LIU Z, ZHANG J, TUNG C H, WU L Z. J. Am. Chem. Soc. , 2016,138(12): 3954-3957.

      [28] WANG H, ZHANG B, ZHAO F, ZENG B. ACS Appl. Mater. Interfaces, 2018, 10(41): 35281-35288.

      [29] LIU Q, HE Z, WANG H, FENG X, HAN P. Microchim. Acta, 2020, 187(9): 524.

      [30] SOONGSONG J, LERDSRI J, JAKMUNEE J. Analyst, 2021, 146(15): 4848-4857.

      [31] SUN C Y, LIU N, LIU J N, LV T, YANG C Y, SU C S, ZHANG N X, LI H X, YAN X. Sens. Actuators, B, 2023, 375:132924.

      [32] SHARMA M, SHARMA A K, SHUKLA S K. Inorg. Chem. Commun. , 2025, 171: 113530.

      [33] DEY B, AHMAD M W, SYED A, BAHKALI A H, VERMA M, CHOUDHURY A. Mater. Sci. Semicond. Process. , 2024,181: 108669.

      國家自然科學基金項目(No. 22264010)資助。

      晋宁县| 深圳市| 临西县| 建湖县| 茂名市| 安丘市| 兴安县| 罗城| 盐边县| 监利县| 黄浦区| 呼和浩特市| 缙云县| 阿拉善盟| 营口市| 紫阳县| 万源市| 萍乡市| 靖西县| 西城区| 莱芜市| 崇州市| 麻阳| 克东县| 海南省| 娱乐| 京山县| 桦川县| 卢湾区| 泸定县| 九江市| 黎平县| 星子县| 黔江区| 依安县| 栾川县| 商河县| 南皮县| 叙永县| 大姚县| 泰宁县|