通孔
- 添加劑競(jìng)爭(zhēng)吸附機(jī)理研究及通孔電鍍應(yīng)用
-10］。電鍍銅通孔是實(shí)現(xiàn)印制電路板（PCB）層間互連的主要途徑之一，使得印制電路板從單面板到多層高精度電路板轉(zhuǎn)換，因此通孔電沉積銅技術(shù)是當(dāng)今PCB制造行業(yè)中至關(guān)重要的技術(shù)之一［11-14］。多樣化的PCB帶來了不同厚徑比（從1∶6到32∶1）的通孔。通常情況下，通孔電鍍銅的目的在于增加孔內(nèi)金屬導(dǎo)電銅層的厚度，以確保PCB中的銅互連結(jié)構(gòu)的信號(hào)傳輸完整性與可靠性。目前，對(duì)于不同厚徑比的通孔電鍍條件和參數(shù)設(shè)置還缺乏系統(tǒng)化的分析，不同厚徑比通孔電鍍條件有所區(qū)別，
電鍍與精飾 2022年11期2022-11-15
- 一種通孔插件回流焊接實(shí)戰(zhàn)技術(shù)
并開始應(yīng)用在傳統(tǒng)通孔工藝當(dāng)中。在傳統(tǒng)加工工藝中，一般采用波峰焊接技術(shù)，然而隨著電子產(chǎn)品發(fā)展的日新月異，波峰焊接技術(shù)已經(jīng)無法滿足部分通孔雙面焊接需求，大力發(fā)展通孔插件回流焊接技術(shù)勢(shì)在必行。本文介紹了通口回流焊接技術(shù)的定義、工藝流程、優(yōu)缺點(diǎn)等，旨在為相關(guān)研究提供重要參考。關(guān)鍵詞：通孔;回流焊接;工藝流程前言：傳統(tǒng)的電子組裝工藝，在安裝有過孔插裝元件印制板組件的焊接，通常選擇波峰焊技術(shù)。但實(shí)踐證明，波峰焊存在很多弊端，如不適用于高密度元件焊接、漏焊、橋接較多等。
科技研究·理論版 2022年11期2022-07-07
- 基于新型磁流變阻尼器的汽車防側(cè)翻研究*
提出了一種帶有旁通孔的MR 阻尼器，并研究了活塞旁通孔數(shù)量、孔徑、線圈高度等幾何參數(shù)對(duì)MR 阻尼特性的影響。Park 等人提出了一種帶有小孔的MR阻尼器，并通過1/4 車輛模型評(píng)價(jià)其舒適性。Oh Jong Seok 等人根據(jù)車輛質(zhì)量分布，將帶旁通孔和不帶旁通孔的阻尼器分別用作前、后阻尼器，并驗(yàn)證了搭載2種不同的MR 阻尼器的乘用車及客車的振動(dòng)控制性能。上述研究中的MR 阻尼器只有開孔和不開孔2 種，且只通過電流對(duì)阻尼力進(jìn)行控制，未涉及對(duì)阻尼器小孔控制策略的
汽車技術(shù) 2022年4期2022-04-27
- 一種橡膠母粒風(fēng)冷振動(dòng)篩
內(nèi)部開設(shè)有主進(jìn)風(fēng)通孔，且主進(jìn)風(fēng)通孔外部的振動(dòng)篩主體上安裝有進(jìn)風(fēng)管道，進(jìn)風(fēng)管道側(cè)邊外部安裝有引流箱體，且引流箱體內(nèi)部的振動(dòng)篩主體中開設(shè)有輔助進(jìn)風(fēng)通孔，固定底板底端上方連接有風(fēng)機(jī)，且風(fēng)機(jī)外部安裝有風(fēng)冷管道，并且風(fēng)冷管道頂端連接有進(jìn)風(fēng)管道，引流箱體內(nèi)部開設(shè)有限位通孔，且限位通孔內(nèi)部嵌合連接有擋風(fēng)板，擋風(fēng)板一端面貼合振動(dòng)篩主體外壁時(shí)，擋風(fēng)板另一端伸入限位通孔內(nèi)部，且擋風(fēng)板外部連接有移動(dòng)手桿。該橡膠母粒風(fēng)冷振動(dòng)篩能夠有效增長(zhǎng)風(fēng)冷降溫路徑（申請(qǐng)專利號(hào)：CN202022
橡塑技術(shù)與裝備 2022年3期2022-03-17
- 含通孔損傷變截面鈦合金蜂窩壁板拉伸性能研究
載荷形式。但是，通孔對(duì)變截面鈦合金蜂窩壁板結(jié)構(gòu)拉伸性能的影響尚不明確。為了評(píng)估通孔損傷對(duì)變截面鈦合金蜂窩壁板拉伸性能的影響，本研究采用試驗(yàn)研究和有限元分析相結(jié)合的方法研究了壁板在拉伸載荷作用下的破壞載荷和破壞模式。1 試驗(yàn)研究變截面鈦合金蜂窩壁板試驗(yàn)件面板和芯體采用真空釬焊爐釬焊成整體，釬焊溫度為920℃，保溫2h。蒙皮材料和芯體材料均采用TC4。試驗(yàn)件長(zhǎng)度Lsp為390mm；寬度Wsp為176mm；內(nèi)蒙皮厚度tskin-in為0.6mm；外蒙皮厚度tsk
航空制造技術(shù) 2022年3期2022-03-16
- 文獻(xiàn)摘要（228）
、間距和更小的導(dǎo)通孔尺寸;尋求利用埋置無源和有源元件、系統(tǒng)封裝（SiP）、芯片系統(tǒng)化（SoC）或其他方式，以增強(qiáng)IC功能的密集封裝。類載板的基本定義為線寬/線距小于35 μm，預(yù)計(jì)將成為一個(gè)主要趨勢(shì)，尤其是用于便攜式和可穿戴設(shè)備，成本是限制大容量、便攜式消費(fèi)產(chǎn)品主要因素。（By Urmi Ray，PCD&F，2020/11，共4頁）剛撓結(jié)合驅(qū)動(dòng)全球創(chuàng)新的五種因素Five Ways Rigid-Flex Is Driving Global Innovatio
印制電路信息 2021年1期2021-12-03
- 晶圓級(jí)封裝中的垂直互連結(jié)構(gòu)
代的作用，其中硅通孔（Through Silicon Via，TSV)、塑封通孔(Through Molding Via，TMV)和玻璃通孔(Through Glass Via，TGV)互連結(jié)構(gòu)在近些年的先進(jìn)封裝領(lǐng)域中是最為普遍的結(jié)構(gòu)，通過垂直互連提高了封裝體的高密度互連能力，使得集成度更高、傳輸速率更快、寄生干擾更小、高頻特性更優(yōu)越。本文從3種垂直互連結(jié)構(gòu)的發(fā)展歷史、工藝方法和應(yīng)用領(lǐng)域等多個(gè)方面進(jìn)行闡述，系統(tǒng)總結(jié)3種垂直互連結(jié)構(gòu)的特點(diǎn)和發(fā)展。2 TSV垂
電子與封裝 2021年10期2021-11-04
- 一種低壓接地連片的研制
要先通過第一螺紋通孔和第二螺紋通孔將連接片分別和低壓分路開關(guān)出線處以及出線電纜處連接，當(dāng)需要裝設(shè)接地線時(shí)，將接地線的保安鉗夾在接地連片上以將接地線固定在接地連片上，從而開始進(jìn)行后續(xù)的工作。這種低壓接地連片結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，操作方便，就算在空間狹小的地方也能實(shí)現(xiàn)快速裝設(shè)接地線，且不易出現(xiàn)誤觸相鄰的開關(guān)的情況[2]。1.2 主要設(shè)計(jì)方案本發(fā)明是一種低壓接地連片，所采用技術(shù)方案的具體內(nèi)容如下。一是連接片上間隔設(shè)置有第一螺紋通孔和第二螺紋通孔，第一螺紋通孔用以與低壓分路開
通信電源技術(shù) 2021年9期2021-09-23
- 5G通信發(fā)展使印制板導(dǎo)通孔走上主導(dǎo)地位
，甚至無線化；導(dǎo)通孔會(huì)越來越小、越多化，甚至全導(dǎo)通孔化。因此，信號(hào)在PCB導(dǎo)體內(nèi)的傳輸過程會(huì)越來越多的在孔中進(jìn)行。這樣的結(jié)果，PCB導(dǎo)體中影響信號(hào)傳輸完整性的主要因素將由導(dǎo)線轉(zhuǎn)為導(dǎo)通孔為主導(dǎo)地位。同理，導(dǎo)通孔的尺寸、表面狀態(tài)等也存在著阻抗值變化課題，因此提高導(dǎo)通孔的質(zhì)量將成為主要課題。實(shí)驗(yàn)表明，激光脈沖沖擊時(shí)間越短，則倒錐形孔就越小越接近理想的導(dǎo)通孔，因此采用不產(chǎn)生熱傳導(dǎo)的飛秒激光打孔可以得到無燒蝕的理想導(dǎo)通孔。1 導(dǎo)通孔的變遷與地位PCB導(dǎo)體是由孔、線和
印制電路信息 2021年7期2021-08-10
- 淺談大功率LED陶瓷基板制作工藝及填通孔技術(shù)
將DPC工藝和填通孔技術(shù)相結(jié)合，工藝流程見圖1。圖1 大功率LED陶瓷基板的制作工藝流程Figure 1 Process flow for manufacturing ceramic substrate applied to high-powered LEDs具體如下：(1) 選用具有高熱傳導(dǎo)率的氮化鋁陶瓷；(2) 借助激光機(jī)打孔得到通孔陶瓷基板；(3) 在陶瓷基板表面磁控濺射過渡層──微納米氧化鋁膜；(4) 在過渡層上磁控濺射得到熱應(yīng)力緩沖層──鈦鎢合金
電鍍與涂飾 2021年13期2021-08-07
- 多次熱氧化削減硅通孔內(nèi)壁扇貝紋
1-2]?；诠?span id="j5i0abt0b" class="hl">通孔(through silicon via, TSV)實(shí)現(xiàn)多層堆疊芯片互連的三維集成技術(shù)能夠有效縮短互連線的長(zhǎng)度、提高系統(tǒng)集成度和功率密度，且可實(shí)現(xiàn)異質(zhì)集成、減小芯片面積、降低成本[3-7]。硅通孔是三維集成系統(tǒng)的關(guān)鍵技術(shù)之一[8]。目前常見的硅通孔內(nèi)部一般包含絕緣層、勢(shì)壘層和金屬芯，由于各層材料的性質(zhì)不同，層間界面質(zhì)量對(duì)硅通孔的性能以及三維集成系統(tǒng)的可靠性有著至關(guān)重要的影響?？涛g形成原始硅通孔后，孔內(nèi)壁的平滑度對(duì)后續(xù)填充的孔內(nèi)各層材料以
人工晶體學(xué)報(bào) 2021年6期2021-07-12
- 三維封裝硅通孔銅互連電鍍工藝研究進(jìn)展
的最佳選擇。以硅通孔(TSV)互連為特征的三維集成封裝技術(shù)已受到芯片封裝行業(yè)的廣泛認(rèn)可。該技術(shù)在芯片和芯片之間、晶圓和晶圓之間制造垂直通道，并通過金屬填充通道來實(shí)現(xiàn)芯片之間的垂直互連。如圖1所示，與傳統(tǒng)橫向互連技術(shù)相比，TSV技術(shù)只在垂直方向進(jìn)行通孔互連，連線的長(zhǎng)度可以縮短至與芯片厚度相等。這樣，一方面縮短了信號(hào)的傳輸路徑，減小電阻以及信號(hào)傳輸過程中的寄生效應(yīng)和延遲時(shí)間，從而降低功耗；另一方面減少了互連結(jié)構(gòu)在芯片上的面積，縮小了封裝尺寸，在相同面積下形成的
電鍍與涂飾 2021年5期2021-04-19
- 面向異質(zhì)集成應(yīng)用的BCB 通孔刻蝕研究
需要通過BCB 通孔實(shí)現(xiàn)InP HBT 器件與Si CMOS 器件之間的信號(hào)垂直互連。如圖1 所示，對(duì)于兩層金屬的InP HBT 來說，分割成島狀的InP HBT 管芯被2 μm 厚的BCB1 介質(zhì)層包裹，M1 層金屬下同樣覆蓋有約2 μm 厚的BCB2 介質(zhì)層，最上面是M2 層金屬。然后上述結(jié)構(gòu)從原始InP襯底剝離，通過BCB 鍵合轉(zhuǎn)移到目標(biāo)Si CMOS 襯底上，考慮到Si CMOS 表面的起伏，常用的鍵合BCB層約1 μm 厚。即需要通過深度約5 μ
電子元件與材料 2021年3期2021-04-16
- 專利名稱：一種繅絲機(jī)的快速叉手
的頭部設(shè)有一固定通孔，所述的叉架包含一圓柱狀的叉筒，所述的叉筒的側(cè)壁上設(shè)有一對(duì)叉翼，所述的叉翼底部設(shè)有由固絲突出組成的固絲突出陣列，所述的叉翼上設(shè)有一鎖止通孔。本實(shí)用新型的繅絲機(jī)的快速叉手利用叉筒上的一對(duì)叉翼，使用者在進(jìn)行卷繞時(shí)，可以直接旋轉(zhuǎn)一對(duì)叉翼，利用叉翼底部的固絲突出陣列來對(duì)蠶絲進(jìn)行快速固定，最后利用鎖止通孔進(jìn)行固定，整個(gè)過程單手即可完成，需要固定螺釘，大大提高了濕絲條的卷繞效率。該繅絲機(jī)的快速叉手結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，操作方便，實(shí)用性強(qiáng)。
現(xiàn)代絲綢科學(xué)與技術(shù) 2021年1期2021-03-06
- 裝甲車輛油氣彈簧減振閥阻尼特性研究
方程計(jì)算分析了常通孔對(duì)油氣彈簧系統(tǒng)阻尼力的影響；同年，Basavaraj V等[10]對(duì)帶阻尼閥芯的提升閥進(jìn)行了仿真，分析了其瞬態(tài)響應(yīng)；2019年，么鳴濤等[11]將小間隙節(jié)流的計(jì)算方法和薄板彎曲變形的微分方程相結(jié)合,分析了節(jié)流閥片厚度變化時(shí)減振器阻尼力值的變化規(guī)律。上述研究多為常通孔和彈簧閥片式減振閥，然而針對(duì)裝甲車輛的實(shí)際應(yīng)用表明，常通孔減振閥在高速時(shí)由于泄壓不及時(shí)容易出現(xiàn)空程和困壓等現(xiàn)象，造成減振性能變差和部件沖擊載荷過大損壞等問題，難以適用于強(qiáng)沖擊
兵器裝備工程學(xué)報(bào) 2021年1期2021-02-23
- CMUT 面陣制備中的硅通孔金屬互連工藝設(shè)計(jì)
情況，考慮采用硅通孔（Through Silicon Via，TSV）技術(shù)，利用硅晶片的通孔，建立從芯片的有效側(cè)面到背面的電連接，使器件上、下表面構(gòu)成導(dǎo)電通道，將傳感器頂部的上電極引到器件的背面與電路板焊錫連接。目前，大多數(shù)傳感器的電極引出都是使用引線鍵合技術(shù)[1]，不過對(duì)于小尺寸的CMUT 面陣換能器來說，成千上百個(gè)上電極引出并封裝還是無法實(shí)現(xiàn)，硅通孔技術(shù)通過在硅片上制作通孔，能夠?qū)崿F(xiàn)傳感器穿通硅的垂直互連[2-4]。如今，TSV 技術(shù)在傳感器陣列、IC
現(xiàn)代電子技術(shù) 2021年3期2021-02-02
- 一種圓織機(jī)
述展平環(huán)設(shè)有第一通孔，內(nèi)尺碼環(huán)設(shè)有第二通孔，安裝環(huán)設(shè)有螺紋孔，緊固螺栓依次穿過第一通孔和第二通孔與螺紋孔連接將內(nèi)尺碼環(huán)、展平環(huán)一起固定于安裝環(huán)。所述展平環(huán)設(shè)有第一通孔，內(nèi)尺碼環(huán)設(shè)有第二通孔，安裝環(huán)設(shè)有第三通孔，緊固螺栓依次穿過第一通孔、第二通孔、第三通孔與螺母連接將內(nèi)尺碼環(huán)、展平環(huán)一起固定于安裝環(huán)。所述展平環(huán)與內(nèi)尺碼環(huán)之間設(shè)有套筒，套筒套在緊固螺栓上。所述展平環(huán)固定在主軸上。所述展平環(huán)的外周側(cè)面為圓柱面，圓柱面的頂端與展平環(huán)的頂面之間圓角過渡，圓柱面的底端
塑料包裝 2020年6期2021-01-21
- 8光罩BCE結(jié)構(gòu)IGZO-TFT的鈍化層通孔柱狀不良的改善
性[4]。鈍化層通孔刻蝕需要同時(shí)刻蝕SiNx和SiO2兩種不同膜層，通常SiNx采用六氟化硫和氧氣刻蝕氣體進(jìn)行刻蝕，SiO2采用四氟化碳和氧氣刻蝕氣體進(jìn)行刻蝕[5-7]，由于IGZO通孔結(jié)構(gòu)相對(duì)于非晶硅膜層復(fù)雜，且兩種膜層膜質(zhì)差異較大，在通孔刻蝕過程中易出現(xiàn)通孔形貌異常，導(dǎo)致通孔連接異常。本文針對(duì)IGZO通孔柱狀不良進(jìn)行系統(tǒng)研究，確定通孔柱狀發(fā)生的根本原因，同時(shí)討論了改善柱狀不良的方法，成功解決了IGZO通孔柱狀問題，為IGZO的泛應(yīng)用提供技術(shù)參考。2 通
液晶與顯示 2020年12期2020-12-09
- 牟宗三“通孔說”對(duì)新時(shí)代文化自信的啟示
摘要：“通孔”是牟宗三在論述中國哲學(xué)之特殊性的過程中提出的具有理論支撐意義的概念?！?span id="j5i0abt0b" class="hl">通孔說”否 定了“以西釋中”，開辟了“以中釋中”的詮釋范式，具有使人表現(xiàn)自己精神世界的積極意義，并且闡釋了人類 文化存在差異的原因，而且從一個(gè)側(cè)面體現(xiàn)了人類文化的平等性。其對(duì)新時(shí)代文化自信的啟示是：追溯“通孔” 的形成過程，達(dá)到文化自覺，是文化自信的前提;把握“通孔”的內(nèi)外限制，在堅(jiān)持中國特色社會(huì)主義方向的前 提下實(shí)現(xiàn)文化創(chuàng)新，是文化自信的保障;堅(jiān)信“通孔”體現(xiàn)的文化平等觀
西部學(xué)刊 2020年13期2020-08-28
- 鋼管超聲波探傷通孔與刻槽校驗(yàn)靈敏度差異原因探究
3.2 mm 豎通孔校驗(yàn)靈敏度之間， 在相同波高下其靈敏度的差值是一致的。 下面以Φ355.6 mm×8.7 mm 規(guī)格焊管為例進(jìn)行說明。（1） 在線焊縫探傷時(shí)， 在反射波高60%情況下， Φ3.2 mm 豎通孔靈敏度比N10 刻槽靈敏度約高2～3 dB。（2） 離線焊縫探傷時(shí)， 在反射波高60%情況下， N10 刻槽靈敏度比Φ3.2 mm 豎通孔靈敏度約高6 dB。（3） 手工探傷校驗(yàn)時(shí)， 在反射波高60%情況下， N10 刻槽靈敏度比Φ3.2 mm 豎
焊管 2020年6期2020-07-23
- 一種新型雙頭輸液器的設(shè)計(jì)及應(yīng)用
動(dòng)塊上分別有3個(gè)通孔和3個(gè)接口。轉(zhuǎn)動(dòng)桿由3個(gè)凸?fàn)顧C(jī)構(gòu)與轉(zhuǎn)動(dòng)塊固定連接，與第二接口對(duì)應(yīng)連接的凸?fàn)顧C(jī)構(gòu)為藍(lán)色。見圖1。2 使用方法利用三通連接管原理控制液體的接通和斷開。當(dāng)只需輸入第一刺穿管連接的液體時(shí)，旋轉(zhuǎn)傳動(dòng)桿使第一通孔和第二接口對(duì)應(yīng)，第三通孔和第三接口對(duì)應(yīng)，而第二通孔未接通。當(dāng)只需輸入第二刺穿管連接的液體時(shí)，通過旋轉(zhuǎn)傳動(dòng)桿，使第二通孔和第二接口對(duì)應(yīng)，第三通孔和第一接口對(duì)應(yīng)，此時(shí)第一通孔未連通。當(dāng)需同時(shí)輸入第一刺穿管和第二刺穿管連接的液體時(shí)，通過旋轉(zhuǎn)傳動(dòng)桿
中國臨床護(hù)理 2020年1期2020-05-14
- 基于C語言模擬計(jì)算的cdPCR最佳反應(yīng)通孔數(shù)分析
分到芯片上的反應(yīng)通孔中進(jìn)行PCR反應(yīng)，然后根據(jù)泊松分布和熒光信號(hào)陽性比例來計(jì)算目的核酸的拷貝數(shù)[13]。利用C語言程序來模擬芯片數(shù)字PCR中目的核酸進(jìn)入反應(yīng)通孔的過程，從而可以對(duì)干擾粒子對(duì)目的核酸分布的影響[17-20]、目的核酸最佳反應(yīng)通孔數(shù)、目的核酸分布均勻性等問題進(jìn)行分析與計(jì)算，旨在為數(shù)字PCR的芯片設(shè)計(jì)提供一定的參數(shù)依據(jù)與理論指導(dǎo)。1 模擬分析算法通過C語言模擬“干擾作用完全隨機(jī)的情況下目標(biāo)粒子進(jìn)入反應(yīng)通孔的過程”的模擬算法如圖1所示，具體過程如下
黑龍江八一農(nóng)墾大學(xué)學(xué)報(bào) 2020年2期2020-05-06
- 基于MEMS器件的玻璃通孔內(nèi)金屬批量化填充制備
0 引言目前玻璃通孔(through glass via，TGV)晶片應(yīng)用十分廣泛，在微機(jī)械系統(tǒng)制造和圓片級(jí)封裝中發(fā)揮著重要作用，通過TGV晶片可以有效實(shí)現(xiàn)電隔離和提高器件性能，實(shí)現(xiàn)的縱向互連技術(shù)工藝簡(jiǎn)單，寄生電容小，氣密性良好[1-2]。本文所討論的TGV晶片主要應(yīng)用于圓片級(jí)封裝，通過TGV晶片的批量化金屬填充，實(shí)現(xiàn)晶圓級(jí)真空封裝的導(dǎo)線互連技術(shù)。TGV成孔技術(shù)目前已報(bào)道有多種方法，如有激光燒蝕、濕法刻蝕光敏玻璃、干法刻蝕、熔融玻璃回流法等[3-5]。其中
儀表技術(shù)與傳感器 2020年1期2020-02-26
- 碳納米管在三維集成電路芯片硅通孔中的應(yīng)用
件層信號(hào)，采用硅通孔實(shí)現(xiàn)垂直互聯(lián)，將器件層進(jìn)行三維集成電路芯片受到重視。三維芯片可降低互聯(lián)線功耗，提高芯片處理速度，具有信號(hào)延遲小，走線短等特點(diǎn)?？赏ㄟ^三維芯片減少芯片面積。芯片內(nèi)部器件產(chǎn)生熱量增大。如何合理處理散熱是設(shè)計(jì)三維芯片需要考慮的問題。一、硅通孔技術(shù)的研究隨著半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展，傳統(tǒng)集成電路面臨挑戰(zhàn)。SMOS晶體管趨近物理極限，互連線延遲等問題隨著工作頻率升高嚴(yán)重，硅通孔三維集成技術(shù)應(yīng)運(yùn)而生。硅通孔可提高芯片集成度，但面臨信號(hào)完整性等問題，為提高硅通
科學(xué)咨詢 2020年36期2020-01-06
- 高速PCB差分孔阻抗的影響因素及優(yōu)化研究
高頻下傳輸時(shí)，導(dǎo)通孔的寄生電容和寄生電感所產(chǎn)生的阻抗會(huì)引起信號(hào)反射、串?dāng)_或衰減等問題。實(shí)現(xiàn)高速PCB互連必須采用導(dǎo)通孔設(shè)計(jì)，導(dǎo)通孔是PCB設(shè)計(jì)中的常用結(jié)構(gòu)[2]。因此，在高速PCB設(shè)計(jì)和制造中，如何減小導(dǎo)通孔寄生效應(yīng)帶來的阻抗是我們必須面對(duì)的問題。本文通過導(dǎo)通孔的影響因素分析，并通過優(yōu)化設(shè)計(jì)試驗(yàn)得出可以從孔徑、焊盤和反焊盤三方面改善孔阻抗。在研究過程中把控深鉆技術(shù)應(yīng)用到孔阻抗優(yōu)化設(shè)計(jì)，得到了差分孔阻抗的很好改善。1 孔阻抗的理論分析1.1 導(dǎo)通孔介紹高速電
印制電路信息 2019年8期2019-08-22
- 三重圖樣光刻與定向自組裝技術(shù)下通孔層的分解
于制造分布密集的通孔層[3]. 為了通過DSA對(duì)通孔層進(jìn)行刻印制造，通常需要使用引導(dǎo)槽來輔助形成通孔[4]. 使用一些單孔的引導(dǎo)槽可以來制造稀疏結(jié)構(gòu)的通孔. 但對(duì)密集結(jié)構(gòu)，太近的單孔引導(dǎo)槽之間會(huì)產(chǎn)生沖突[5]. 為了減少?zèng)_突，本研究將一些短距離內(nèi)的通孔放在某個(gè)多孔引導(dǎo)槽中組合制造[6]，但是復(fù)雜且不規(guī)則形狀的引導(dǎo)槽將會(huì)產(chǎn)生更大的重疊成本[7]. 因此，在引導(dǎo)槽分配時(shí)，應(yīng)考慮引導(dǎo)槽的成本. 此外，對(duì)于非常密集的通孔層版圖，由于一些沖突錯(cuò)誤，通過單重圖樣光刻制
- 鉆頭鉆尖角對(duì)鋁合金材料加工清潔度影響分析
某公司在加工缸蓋通孔時(shí)，刀具出口產(chǎn)生大量的翻邊毛刺，嚴(yán)重影響了零件加工質(zhì)量&清潔度，本文從設(shè)備、材料、加工方法、加工環(huán)境四個(gè)方面進(jìn)行剖析，找出了產(chǎn)生毛刺的根源，并得出了相應(yīng)解決方法，具有較高參考價(jià)值。關(guān)鍵詞：鋁合金缸蓋；通孔；鉆；翻邊毛刺1 缸蓋材料介紹發(fā)動(dòng)機(jī)缸蓋結(jié)構(gòu)復(fù)雜，集油道、氣道和水道于一體，而且工作條件惡劣，與缸體、活塞構(gòu)成燃燒室，承受高溫、高壓作用。近年來，發(fā)動(dòng)機(jī)功率的提高使得缸蓋的工作溫度和工作壓力顯著增加，這就要求制造材料具有良好的室溫性能和
時(shí)代汽車 2019年3期2019-06-11
- 大尺寸帶通孔鋁合金板材熱成形工藝研究
李 信?大尺寸帶通孔鋁合金板材熱成形工藝研究薛 杰 秦中環(huán) 李保永 劉 偉 徐 凱 李 信（北京航星機(jī)器制造有限公司，北京 100013）以大尺寸帶通孔鋁合金板材熱成形工藝過程為研究對(duì)象，通過Deform-3D有限元分析軟件進(jìn)行板材熱成形數(shù)值模擬。結(jié)果表明：板材上通孔沿周向熱成形比沿其它方向熱成形的變形程度小，原因在于沿周向熱成形時(shí)通孔大部分區(qū)域的等效應(yīng)力為80MPa，比沿其它方向熱成形時(shí)通孔的等效應(yīng)力小。試驗(yàn)驗(yàn)證帶通孔板材沿周向熱成形相比沿其它方向熱成形
航天制造技術(shù) 2019年2期2019-05-09
- 連鑄機(jī)冷卻水管道用超聲波傳感器探頭固定裝置
安裝板上設(shè)有第一通孔，第二安裝板上設(shè)有第二通孔，活動(dòng)板兩端均設(shè)有連接板，連接板上設(shè)有第三通孔，第一通孔、第二通孔和第三通孔內(nèi)穿設(shè)有螺栓，螺栓端部連接有螺母，活動(dòng)板中部設(shè)有第一螺紋孔和限位銷孔，限位銷孔與第一螺紋孔相連通，第一螺紋孔中螺接有第一頂緊螺栓，第一頂緊螺栓上設(shè)有條形銷孔，限位銷孔和條形銷孔內(nèi)穿設(shè)有限位銷。本實(shí)用新型結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、便于操作、安裝效率高，而且穩(wěn)固性好。
傳感器世界 2019年3期2019-02-17
- MEMS傳感器制備中的玻璃通孔金屬填充工藝設(shè)計(jì)
意法半導(dǎo)體已將硅通孔技術(shù)引入MEMS器件的制造中，例如，多軸慣性模塊、智能傳感器等，用垂直短線互聯(lián)的方式代替?zhèn)鹘y(tǒng)芯片間引線互聯(lián)，在降低了產(chǎn)品尺寸的同時(shí)實(shí)現(xiàn)了更高的集成度，大大提高了產(chǎn)品的性能[3-5]。實(shí)現(xiàn)3-D和2.5-D集成電路的集成，關(guān)鍵技術(shù)有硅通孔（TSV）工藝、化學(xué)機(jī)械拋光工藝（CMP）、晶圓鍵合工藝、電化學(xué)沉積工藝（ECD）等，其中硅通孔工藝由于其縮短了芯片間的互聯(lián)路徑，同時(shí)具有更薄的封裝尺寸，被認(rèn)為是 3-D集成工藝中的核心技術(shù)[6-8]，可
中國慣性技術(shù)學(xué)報(bào) 2018年5期2018-12-20
- 一種穿戴式空氣監(jiān)測(cè)裝置
座的下端設(shè)有第一通孔和第二通孔，固定座的側(cè)壁上設(shè)有兩個(gè)第一滑槽，第一滑槽豎直設(shè)置，且第一滑槽與第二通孔相貫通。本實(shí)用新型的有益效果是:結(jié)構(gòu)小巧，相較于環(huán)境有關(guān)部門的大區(qū)域監(jiān)測(cè)數(shù)據(jù)，監(jiān)測(cè)結(jié)果更加可靠，且可根據(jù)用戶需要佩戴于衣物上的任意位置。本實(shí)用新型涉及監(jiān)測(cè)技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及一種穿戴式空氣監(jiān)測(cè)裝置。一種穿戴式空氣監(jiān)測(cè)裝置，其特征在于:包括監(jiān)測(cè)裝置本體(1)和固定裝置(2)，所述固定裝置(2)包括固定座(21)、卡針(22)、鋼珠(23)、移動(dòng)架(24)和彈簧
數(shù)碼設(shè)計(jì) 2018年8期2018-12-03
- 一種高密度薄膜多層布線基板BCB通孔制作技術(shù)
介質(zhì)材料，其介質(zhì)通孔互連的導(dǎo)通性能直接影響著信號(hào)的高速傳輸，因此，BCB通孔光刻成為該基板制造的關(guān)鍵，可利用其光敏特性實(shí)現(xiàn)BCB通孔制作.傳統(tǒng)浸沒顯影方式進(jìn)行BCB通孔顯影，容易導(dǎo)致通孔的高阻連接甚至互連斷路問題，特別是高深寬比的通孔顯影，造成信號(hào)斷路的幾率越來越大，為此，必須使用高昂的等離子刻蝕設(shè)備，采用O2/C2F6、O2/SF6等特殊氣體進(jìn)行BCB去底膜工藝[11]，造成了基板制造過程中工藝周期增加，工藝復(fù)雜程度提高，甚至制造成本的大幅上升.基于此，
材料科學(xué)與工藝 2018年5期2018-11-20
- 電廠換熱器彎管遠(yuǎn)場(chǎng)渦流檢測(cè)研究
不同位置和大小的通孔檢測(cè)信號(hào)做了對(duì)比分析,對(duì)彎管的遠(yuǎn)場(chǎng)渦流檢測(cè)技術(shù)進(jìn)行了探索。1 檢測(cè)系統(tǒng)本文采用的是西班牙Tecnatom公司生產(chǎn)的ETBox2i型多頻渦流儀,具備遠(yuǎn)場(chǎng)渦流檢測(cè)功能。樣管及標(biāo)定管材質(zhì)為20#鋼,規(guī)格為Φ15 mm×1.2 mm。配套使用Tecnatom公司的CL115FMF20內(nèi)穿型柔性遠(yuǎn)場(chǎng)渦流探頭,對(duì)中花瓣,雙發(fā)雙收。探頭外徑為11.5 mm,填充系數(shù)為83%。探頭前部有43 dB放大器,檢測(cè)頻率為1 700 Hz。2 樣管檢測(cè)試驗(yàn)所用
上海電力大學(xué)學(xué)報(bào) 2018年4期2018-09-11
- 混裝型印制板組件的通孔回流焊接工藝研究
裝型印制板組件的通孔回流焊接工藝研究楊小健 沈 麗 於德雪 張 琪（北京計(jì)算機(jī)技術(shù)及應(yīng)用研究所，北京 100854）介紹了混裝型印制板組件的通孔回流焊接工藝技術(shù)。首先選用可用于回流焊接的表貼和通孔器件制作試驗(yàn)板，繼而開展了焊膏印刷模板優(yōu)化設(shè)計(jì)和印刷工藝參數(shù)研究；采用預(yù)成型焊片進(jìn)行焊錫量補(bǔ)償?shù)姆椒ǎ鉀Q了傳統(tǒng)通孔回流焊接工藝中通孔器件焊點(diǎn)焊錫量不足的問題；明確了通孔器件的插裝要求，合理設(shè)計(jì)了混裝回流焊接工藝參數(shù)。完成了試驗(yàn)板的組裝和焊接，形成的焊點(diǎn)形態(tài)良好，
航天制造技術(shù) 2018年2期2018-05-17
- 專利集錦(31)
的頭部設(shè)有一固定通孔，所述的叉架包含一圓柱狀的叉筒，所述的叉筒的側(cè)壁上設(shè)有一對(duì)叉翼，所述的叉翼的底部設(shè)有由固絲突出組成的固絲突出陣列，所述的叉翼上設(shè)有一鎖止通孔。本發(fā)明的繅絲機(jī)的快速叉手利用叉筒上的一對(duì)叉翼，使用者在進(jìn)行卷繞時(shí)，可以直接旋轉(zhuǎn)一對(duì)叉翼，利用叉翼底部的固絲突出陣列來對(duì)蠶絲進(jìn)行快速固定，最后利用鎖止通孔進(jìn)行固定，整個(gè)過程單手即可以完成，需要固定螺釘，大大提高了濕絲條的卷繞效率。該繅絲機(jī)的快速叉手結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，操作方便，實(shí)用性強(qiáng)。
現(xiàn)代絲綢科學(xué)與技術(shù) 2018年5期2018-02-16
- 一種具有頂置擠壓機(jī)構(gòu)的擠出模具
有縱置貫通的圓形通孔，頂置模塊左、右兩側(cè)壁上均開設(shè)有用于擠入熱熔塑料的擠入管，頂置模塊內(nèi)部橫向開設(shè)有用于連通圓形通孔和擠入管的橫置流道。本實(shí)用新型的一種具有頂置擠壓機(jī)構(gòu)的擠出模具通過在頂置模塊上端固定連接有用于帶動(dòng)圓形通孔內(nèi)部擠壓活塞升降的頂置電動(dòng)推桿，通過擠壓管向圓形通孔內(nèi)部注料，然后通過擠壓活塞對(duì)熱熔塑料進(jìn)行擠壓，提升熱熔塑料的擠入效率，縮短生產(chǎn)時(shí)間，提升產(chǎn)品的品質(zhì)，延長(zhǎng)整個(gè)模具的使用壽命和生產(chǎn)效率（申請(qǐng)專利號(hào)：CN201620629311.9）。
橡塑技術(shù)與裝備 2018年2期2018-01-16
- 一種多層結(jié)構(gòu)鉬隔熱屏
層鉬圓片上設(shè)置有通孔，各單層鉬圓片上設(shè)置有支撐各相鄰單層鉬圓片的凸軌，通孔中穿有兩端設(shè)有緊固支撐鉬螺桿。優(yōu)選的，所述設(shè)置在單層鉬圓片上的通孔有若干個(gè)，各通孔兩端鄰近位置各設(shè)置有一道凸軌，所述凸軌用于支撐和固定相鄰鉬圓片，其中，凸軌處壓制成半圓形，使得相鄰鉬圓片之間還留有縫隙；優(yōu)選的，所述鉬螺桿下方設(shè)置成直角彎曲狀，并留有一段支撐鉬螺桿，用于構(gòu)成對(duì)鉬隔熱屏底部支撐架，螺桿上方設(shè)置有緊固螺母。
中國鉬業(yè) 2017年3期2017-01-20
- 一種造口專用腹帶的臨床應(yīng)用
的中部開設(shè)有造口通孔，直徑7.5 cm，造口通孔設(shè)有相應(yīng)的方形布罩，布罩上下邊沿有粘扣，能與帶體隨意粘貼，布罩內(nèi)層有一內(nèi)袋，造口袋尾端可直接放在內(nèi)袋里，對(duì)造口袋起到一定的保護(hù)和支托作用，并能很好地保護(hù)病人的隱私。造口通孔二側(cè)均預(yù)設(shè)有引流管通孔并配有系帶，通孔處均有鎖邊，需要時(shí)，將預(yù)留的引流管通孔剪開則行。兩側(cè)引流管通孔的多少，造口通孔與引流管通孔兩側(cè)的距離以及引流管通孔之間的距離是根據(jù)造口定位原則以及腹部器官解剖定位，經(jīng)過臨床無數(shù)次試驗(yàn)制定，使造口通孔與引
護(hù)士進(jìn)修雜志 2016年13期2017-01-06
- 多芯片組件BGA-垂直通孔結(jié)構(gòu)參數(shù)對(duì)信號(hào)傳輸特性的影響
組件BGA-垂直通孔結(jié)構(gòu)參數(shù)對(duì)信號(hào)傳輸特性的影響周保林，周德儉，盧楊(桂林電子科技大學(xué) 機(jī)電工程學(xué)院，廣西 桂林541004)為了提高多芯片組件的信號(hào)傳輸特性，用HFSS軟件建立了多芯片組件的BGA-垂直通孔互聯(lián)模型，分析垂直通孔半徑、焊盤半徑、反焊盤半徑及信號(hào)線與地間的距離等結(jié)構(gòu)參數(shù)對(duì)傳輸特性的影響。分析結(jié)果表明，該模型的回波損耗隨著通孔半徑和焊盤半徑的增大而增大，隨信號(hào)線與地間距離的增大而減?。惶匦宰杩闺S通孔半徑和反焊盤半徑的增大突變值達(dá)到最大。通過仿
桂林電子科技大學(xué)學(xué)報(bào) 2016年4期2016-09-14
- 一種滑翔傘用手柄及其成型模具
形狀為L(zhǎng)型的第一通孔，中空一部遠(yuǎn)離第一端口的一側(cè)邊上設(shè)有向第一端口方向凹陷的第一圓弧凹部；中空二部?jī)?nèi)具有軸向貫穿的第二通孔，中空三部?jī)?nèi)具有軸向貫通的第三通孔，第三通孔與第二通孔同軸連通設(shè)置，第二通孔連通第一通孔的第二端口，且中空二部與第一圓弧凹部同側(cè)側(cè)邊上設(shè)有第二圓弧凹部。該實(shí)用新型套于操作繩外可減少操作繩對(duì)人手的摩擦，保護(hù)手部，而第一圓弧凹部和第二圓弧凹部的設(shè)計(jì)符合人體工程學(xué)原理，在操作使用時(shí)手指輕松握在第一圓弧凹部和第二圓弧凹部，操作方便靈活。
科技資訊 2016年5期2016-08-13
- 一種手動(dòng)液壓隨形活動(dòng)支承定位裝置
方向上設(shè)置有第一通孔，在主體內(nèi)下部的水平方向上設(shè)置有第二通孔；在主體的上部安裝有油缸外套，在第一通孔上部設(shè)置有彈性套；在油缸外套內(nèi)設(shè)置有第一活塞，第一活塞與第一手柄相連接；在彈性套內(nèi)設(shè)置有活動(dòng)支承，在第一通孔的下端設(shè)置有下堵蓋；在第二通孔油缸側(cè)的外端設(shè)置有端蓋，內(nèi)端設(shè)置有第二襯套，在第二通孔另一側(cè)的外端設(shè)置有螺紋堵蓋，內(nèi)端設(shè)置有第二活塞，在螺紋堵蓋上設(shè)置有通氣孔，在第二活塞與螺紋堵蓋之間設(shè)置有彈簧；在第二通孔內(nèi)設(shè)置有錐閥，錐閥的一端穿過端蓋與第二手柄相連，
科技資訊 2016年4期2016-06-11
- 用于檢測(cè)顆粒的激光傳感器
有長(zhǎng)方體形的檢測(cè)通孔，檢測(cè)通孔包括進(jìn)氣口和出氣口，檢測(cè)通孔的內(nèi)壁上設(shè)置有激光發(fā)射器，激光發(fā)射器連接有激光驅(qū)動(dòng)器，檢測(cè)通孔的頂部和底部均設(shè)置有光電二極管，兩個(gè)光電二極管均連接有前置放大器和A/D轉(zhuǎn)換器，A/D轉(zhuǎn)換器和激光驅(qū)動(dòng)器分別與控制系統(tǒng)連接。本激光傳感器采用兩個(gè)光電二極管檢測(cè)顆粒散射光的結(jié)構(gòu)，可以準(zhǔn)確有效地檢測(cè)出顆粒的粒徑和數(shù)量，彌補(bǔ)了現(xiàn)有技術(shù)的缺陷。
傳感器世界 2016年12期2016-03-25
- 鋼管通孔直徑對(duì)渦流檢測(cè)信號(hào)的影響研究
飽和磁化，并針對(duì)通孔缺陷和不同規(guī)格的鋼管，明確其對(duì)應(yīng)能檢出最小的通孔直徑，如鋼管外徑在76～144 mm 范圍內(nèi)，應(yīng)能夠檢出最小直徑為2.2 mm 的通孔即可。然而在實(shí)際檢測(cè)的工件中，通孔缺陷大小各異，值得研究的是，通孔直徑是否對(duì)渦流信號(hào)的相位或幅值產(chǎn)生影響，這將對(duì)鋼管通孔缺陷的定量評(píng)價(jià)方面有著重要意義。目前對(duì)于非鐵磁性管道通孔缺陷的研究較為透徹，如楊寶初［5］和曹剛等［6］發(fā)現(xiàn)不同直徑的通孔信號(hào)相位并非一個(gè)固定的值，并解釋了信號(hào)相位會(huì)隨直徑的改變而變化的
失效分析與預(yù)防 2015年3期2015-11-28
- 3D封裝與硅通孔（TSV）技術(shù)
維封裝一般利用硅通孔技術(shù)來實(shí)現(xiàn)。硅通孔技術(shù)通過在硅圓片上制作出一定布線排序的垂直互連孔，在孔中淀積通孔材料，實(shí)現(xiàn)不同芯片層之間的電互連，從而保證了芯片間具有較短的互連線，因此可以獲得更好的電性能以及更小的信號(hào)延遲。1 TSV簡(jiǎn)介區(qū)別于傳統(tǒng)的芯片封裝技術(shù)，硅通孔技術(shù)在三維層面實(shí)現(xiàn)芯片間的電互連，封裝密度大大提高，而垂直的互連線也改善了芯片間的信號(hào)傳輸速度，同時(shí)在硅通孔技術(shù)保證了對(duì)電路板空間的集約化利用，降低了芯片的功耗。另外，一些大型的IDM制造商如IBM和
中國新技術(shù)新產(chǎn)品 2015年24期2015-05-11
- 通孔電鍍填孔工藝研究與優(yōu)化
610054）通孔電鍍填孔工藝研究與優(yōu)化Paper Code: S-014劉 佳 陳際達(dá) （重慶大學(xué)化學(xué)與化工學(xué)院，重慶 401331） 鄧宏喜 陳世金 郭茂桂 （博敏電子股份有限公司，廣東 梅州 514000） 何 為 江俊峰 （電子科技大學(xué)微電子與固體電子學(xué)院，四川 成都 610054）為了提高高密度互連印制電路板的導(dǎo)電導(dǎo)熱性和可靠性，實(shí)現(xiàn)通孔與盲孔同時(shí)填孔電鍍的目的，以某公司已有的電鍍填盲孔工藝為參考，適當(dāng)調(diào)整填盲孔電鍍液各組分濃度，對(duì)通孔進(jìn)行填孔
印制電路信息 2015年3期2015-02-05
- 3D-TSV封裝技術(shù)
on Via，硅通孔）技術(shù)可實(shí)現(xiàn)芯片與芯片間垂直疊層互連，無需引線鍵合，有效縮短互連線長(zhǎng)度，減少信號(hào)傳輸延遲和損失，提高信號(hào)速度和帶寬，降低功耗和封裝體積，是實(shí)現(xiàn)多功能、高性能、高可靠且更輕、更薄、更小的半導(dǎo)體系統(tǒng)級(jí)封裝的有效途徑之一[1～4]。TSV工藝分前通孔和后通孔，但具有相同的關(guān)鍵技術(shù)：通孔制作、通孔薄膜淀積技術(shù)、通孔填充、銅化學(xué)機(jī)械研磨、超薄晶圓減薄、芯片/晶圓疊層鍵合。2 通孔制作技術(shù)制作TSV通孔的方法主要有：激光鉆孔（Laser Drill
電子與封裝 2014年7期2014-09-19
- LTCC互連基板金屬化孔工藝研究*
分析。2 金屬化通孔填充工藝及控制技術(shù)通孔填充技術(shù)的研究目的就是提高通孔金屬化質(zhì)量，保證通孔互連導(dǎo)通率100%。填孔起到層與層之間的電路連接的作用，其有兩種方式：絲印及通孔注射填孔。絲網(wǎng)印刷法對(duì)小于0.1 mm直徑的通孔來說填充非常困難，效果較差，燒結(jié)后的基板成品率低。原因是模板孔徑較小，印刷時(shí)漏過的漿料較少，經(jīng)常有孔內(nèi)填不滿，燒結(jié)后會(huì)出現(xiàn)漿料收縮，影響層與層之間的連接。通常注射填孔效果最好，但需要專門設(shè)備，填孔時(shí)漿料是通過空氣壓力將漿料壓進(jìn)孔中，能自然排
電子與封裝 2014年2期2014-09-19
- 基于氣浮噴射的MEMS封裝中通孔的金屬互聯(lián)
板的鍵合;2) 通孔互連技術(shù),用于芯片與外界的電學(xué)連接．蓋板一般采用玻璃材料,以形成玻璃-硅-玻璃結(jié)構(gòu)或玻璃絕緣襯底上的硅(SOI)結(jié)構(gòu)[2]．其中,激光刻蝕和噴砂工藝是在玻璃上刻蝕通孔的常用方法．然而,這2種工藝制作的通孔底部一般會(huì)產(chǎn)生脆性崩邊,導(dǎo)致硅和通孔之間形成5～40 μm的斷層,如圖1所示．這一缺陷極大降低了通孔金屬互聯(lián)的電學(xué)可靠性．針對(duì)這類普遍存在的工藝缺陷,通常采用增加沉積金屬厚度[3]或改變通孔底部結(jié)構(gòu)[4]兩類方法加以解決．(a) 橫截面
- 流體粘度對(duì)通孔泡沫鋁水下聲學(xué)特性的影響
33)流體粘度對(duì)通孔泡沫鋁水下聲學(xué)特性的影響姚欣鵬，何世平(海軍工程大學(xué)機(jī)械工程系，湖北武漢430033)對(duì)流體飽和狀態(tài)的通孔泡沫鋁的水下聲學(xué)性能進(jìn)行實(shí)驗(yàn)研究，測(cè)試500～4 000 Hz頻率范圍內(nèi)不同粘度流體飽和狀態(tài)下的水下反聲系數(shù)和透聲系數(shù)。結(jié)果表明，通孔泡沫鋁中充入流體的粘度對(duì)其水下聲學(xué)特性有非常大的影響：低粘度流體飽和的通孔泡沫鋁有優(yōu)良的水下反聲性能，而高粘度的流體飽和通孔泡沫鋁有較好的吸聲性能;流體的粘度對(duì)通孔泡沫的反聲性能有所降低，對(duì)吸聲性能有
艦船科學(xué)技術(shù) 2014年6期2014-07-12
- 基于鏈?zhǔn)降男盘?hào)轉(zhuǎn)移冗余TSV方案
形尺寸小?；诠?span id="j5i0abt0b" class="hl">通孔的三維集成得到了行業(yè)的廣泛采用。然而，硅通孔的制造過程引入了新的缺陷機(jī)制。一個(gè)失效的硅通孔會(huì)使整個(gè)芯片失效，會(huì)極大地增加成本。增加冗余硅通孔修復(fù)失效硅通孔可能是最有效的提高良率的方法，但是卻帶來了面積成本。提出了一種基于鏈?zhǔn)降男盘?hào)轉(zhuǎn)移冗余方案，輸入端從下一分組選擇信號(hào)硅通孔傳輸信號(hào)。在基于概率模型下，提出的冗余結(jié)構(gòu)良率可以達(dá)到99%，同時(shí)可以減少冗余TSV的數(shù)目。三維集成電路；硅通孔；容錯(cuò)1 引言隨著集成電路的發(fā)展，為了在一定尺寸的芯片
計(jì)算機(jī)工程與應(yīng)用 2014年17期2014-07-08
- 盲埋孔對(duì)高速PCB板信號(hào)特性的影響
真，將盲埋孔與導(dǎo)通孔進(jìn)行比較，分析盲埋孔孔徑、焊盤、反焊盤幾種關(guān)鍵參數(shù)對(duì)信號(hào)特性的影響。信號(hào)完整性；高速數(shù)字電路；盲孔；埋孔隨著大規(guī)模、超大規(guī)模集成電路越來越多地應(yīng)用到電路系統(tǒng)中，芯片的集成規(guī)模越來越大，體積越來越小，引腳數(shù)越來越多，速率越來越高，電路板也朝著多層復(fù)雜化的趨勢(shì)發(fā)展。高速多層PCB板中，大多采用導(dǎo)通孔進(jìn)行層與層之間的連接，但是對(duì)于一些非頂層到底層的電氣連接就會(huì)產(chǎn)生多余的導(dǎo)通孔短柱（Stub）。文獻(xiàn)[1]中詳細(xì)明說了多余短柱對(duì)高速多層PCB板傳
印制電路信息 2014年1期2014-05-12
- 高深寬比硅通孔檢測(cè)技術(shù)研究
35）高深寬比硅通孔檢測(cè)技術(shù)研究燕英強(qiáng)，吉 勇，明雪飛，陳 波，陳桂芳（中國電子科技集團(tuán)公司第58研究所，江蘇 無錫 214035）由于SEM顯微鏡、FIB顯微鏡檢測(cè)高深寬比硅通孔耗時(shí)、費(fèi)用高，研究了垂直掃描白光干涉技術(shù)檢測(cè)硅通孔的可行性。設(shè)定刻蝕/鈍化時(shí)間比率，改變深硅刻蝕功率和刻蝕時(shí)間，獲得不同深度和側(cè)壁粗糙度的硅通孔，并用垂直掃描白光干涉技術(shù)進(jìn)行檢測(cè)。研究結(jié)果表明垂直掃描白光干涉技術(shù)可以觀察硅通孔的形狀、測(cè)量側(cè)壁粗糙度、精確無損測(cè)量硅通孔深度，可以替
電子與封裝 2014年11期2014-03-22
- 硅通孔電鍍銅填充工藝優(yōu)化研究
越多的重視，以硅通孔（Through Silicon Via，TSV）互連為特征的三維集成封裝技術(shù)正在成為其中備受關(guān)注的新技術(shù)[1，2]。由于銅具有高導(dǎo)電率、與傳統(tǒng)多層互連技術(shù)兼容等優(yōu)點(diǎn)，因此銅被廣泛的用作硅通孔填充材料[3]。電鍍工藝作為最合適的硅通孔填充技術(shù)而受到人們的普遍關(guān)注[4]，硅通孔填充又分為盲孔填充和通孔填充兩種方法[5]。然而，若想獲得良好的銅填充卻面臨著種種困難與挑戰(zhàn)，目前影響銅填充的主要問題包括：硅通孔內(nèi)側(cè)壁種子層的覆蓋[6]、硅通孔內(nèi)
電子工業(yè)專用設(shè)備 2012年10期2012-09-16
- 三維疊層DRAM封裝中硅通孔開路缺陷的模擬
Li Jiang ,Yuxi Liu ,Lian Duan ,Yuan Xie ,and Qiang Xu(1.CUhk REliable computing laboratory(CURE)Department of Computer Science&Engineering，The Chinese University of Hong Kong,Shatin,N.T.,Hong Kong；2.Department of Computer Science&
電子工業(yè)專用設(shè)備 2011年1期2011-10-24
- 通孔微結(jié)構(gòu)對(duì)Cu/低-k應(yīng)力誘生空洞的影響*
關(guān)的失效——Cu通孔內(nèi)部或通孔底部下面互連的空洞，是跟熱應(yīng)力有關(guān)的失效模式，它會(huì)導(dǎo)致高電阻甚至電路功能失效.文獻(xiàn)［1］中提出了活性擴(kuò)散體的概念，指出Cu互連SIV與互連尺寸、應(yīng)力和應(yīng)力梯度有關(guān).文獻(xiàn)［2］中指出寬厚比為1的互連結(jié)構(gòu)具有最大的靜水應(yīng)力.文獻(xiàn)［3］中指出當(dāng)通孔與底部相連接的互連為寬互連時(shí)，常在通孔底部互連產(chǎn)生SIV.互連通孔和通孔阻擋層形成工藝的波動(dòng)性將影響互連通孔結(jié)構(gòu)的尺寸，由此帶來的通孔微結(jié)構(gòu)效應(yīng)對(duì)互連通孔和通孔底部互連SIV的影響需要被更
- 倒裝焊器件中Cu/low-k結(jié)構(gòu)熱可靠性分析
中選擇了兩種Cu通孔寬度，分別為0.2 μm和0.4 μm。模型中各部分具體的尺寸參數(shù)在表1中已給出，分析中采用了四邊形平面應(yīng)變單元進(jìn)行計(jì)算。表2列出了子模型中各部分的材料性能參數(shù)，表格中的材料均視為線彈性材料，已給出了有限元模擬時(shí)所用到的楊氏模量，熱膨脹系數(shù)及泊松比。分析時(shí)用到的low-k材料包括兩種，分別為TEOS(tetraethyl orthosilicate，四乙氧基硅烷)和SiLK(一種不含Si和F的芳香族碳?xì)渚酆衔?。表1 子模型各部分厚度尺
電子工業(yè)專用設(shè)備 2010年2期2010-08-09