晶圓
- 基于離焦圖像的晶圓表面缺陷檢測*
略性產(chǎn)業(yè)[1]。晶圓是芯片的載體,晶圓的質(zhì)量決定著芯片產(chǎn)量,所以晶圓缺陷檢測是半導(dǎo)體芯片生產(chǎn)中重要的一環(huán)[2]。目前,晶圓缺陷檢測多采用機(jī)器視覺方法[3],該方法通過采集待測物體表面圖像,進(jìn)行圖像處理、分析和識別,具有無接觸、抽檢率高、實(shí)時(shí)性高等特點(diǎn)?；跈C(jī)器視覺的晶圓缺陷檢測,在檢測過程中,都需對晶圓上每塊區(qū)域進(jìn)行自動對焦,然后采用晶圓缺陷檢測算法來檢測缺陷,檢測結(jié)果的準(zhǔn)確性會影響晶圓質(zhì)量的評定。FAN等[4]使用二維傅里葉變換來分析含有關(guān)鍵參數(shù)的二維圖
組合機(jī)床與自動化加工技術(shù) 2023年7期2023-08-02
- 基于CNN-LSTM的晶圓良率預(yù)測*
產(chǎn)品制造過程涉及晶圓制備、晶圓制造、芯片封裝測試等主要階段,其中晶圓制造是半導(dǎo)體制造企業(yè)資金、技術(shù)、人員投入最為密集的關(guān)鍵環(huán)節(jié)。在晶圓制造最后階段,需對已完工產(chǎn)品進(jìn)行晶圓允收測試(wafer acceptance test,WAT),以此對晶圓片是否合格驗(yàn)收進(jìn)行決策判斷。WAT過程需對集晶圓片大量電路采集各類電測參數(shù),形成大規(guī)模測試數(shù)據(jù)?；赪AT數(shù)據(jù)分析測試電路參數(shù)與晶圓良率之間的關(guān)聯(lián),進(jìn)而對晶圓良率進(jìn)行預(yù)測,可揭示半導(dǎo)體工藝制程中影響晶圓良率的關(guān)鍵環(huán)節(jié)
組合機(jī)床與自動化加工技術(shù) 2023年7期2023-08-02
- 半導(dǎo)體制造領(lǐng)域的晶圓預(yù)對準(zhǔn)系統(tǒng)綜述
過程中，需要確定晶圓的圓心坐標(biāo)。隨著半導(dǎo)體制造工藝的提升，對晶圓圓心坐標(biāo)的定位精度也不斷提高。因此，在制造環(huán)節(jié)中需要晶圓預(yù)對準(zhǔn)系統(tǒng)對晶圓中心進(jìn)行對準(zhǔn)。伴隨著新技術(shù)的應(yīng)用，晶圓預(yù)對準(zhǔn)系統(tǒng)從傳統(tǒng)的機(jī)械式不斷發(fā)展出基于視覺的晶圓預(yù)對準(zhǔn)系統(tǒng)以及光電式晶圓預(yù)對準(zhǔn)系統(tǒng)。1 機(jī)械式晶圓預(yù)對準(zhǔn)系統(tǒng)機(jī)械式晶圓預(yù)對準(zhǔn)結(jié)構(gòu)主要依靠機(jī)械結(jié)構(gòu)推擠晶圓的邊緣，實(shí)現(xiàn)晶圓對準(zhǔn)。圖1為夾持式機(jī)械預(yù)對準(zhǔn)系統(tǒng)[1]，通過夾持氣缸兩側(cè)的輸出端分別連接對中塊，兩側(cè)的對中塊上分別均布有多個(gè)柱塞彈簧對
科學(xué)與信息化 2023年1期2023-01-31
- 基于質(zhì)心調(diào)整的晶圓振動抑制方法
帶動Chuck和晶圓（帶FLAT定位邊）一起高速旋轉(zhuǎn)時(shí)，晶圓定位邊的質(zhì)量缺失所導(dǎo)致的晶圓的質(zhì)心與Chuck的質(zhì)心在軸線方向上產(chǎn)生偏移，這一原因會導(dǎo)致晶圓乃至主軸電機(jī)本體產(chǎn)生很嚴(yán)重的振動現(xiàn)象[1]。圖1 運(yùn)動示意圖本文針對該問題從理論的角度進(jìn)行了分析，并提出了對應(yīng)的解決方案。經(jīng)過實(shí)驗(yàn)驗(yàn)證，此方案可以有效解決因?yàn)橘|(zhì)心偏移導(dǎo)致的振動問題。1 原因分析Chuck部分卡槽會通過銷釘與主軸電機(jī)連接，所以該部分對質(zhì)心在軸線方向的偏移影響很小，在分析時(shí)將此部分視為對稱且均
科學(xué)與信息化 2023年1期2023-01-31
- 緩存區(qū)工位和調(diào)度系統(tǒng)在CMP設(shè)備中的應(yīng)用
在CMP設(shè)備中，晶圓先要經(jīng)過研磨工藝單元，然后進(jìn)入清洗工藝單元，經(jīng)過數(shù)次加工和傳遞后回到卡盒。在研磨工藝單元中最多可同時(shí)加工4個(gè)晶圓，晶圓加工完畢后，需要立即被傳入清洗工藝單元，否則晶圓有長時(shí)間未被藥液浸泡而受損的風(fēng)險(xiǎn)。在清洗工藝單元中，各個(gè)工藝工位中晶圓能夠得到藥液的浸泡，是安全的。用來傳遞清洗工藝單元的機(jī)械手不具備浸泡晶圓的功能，所以晶圓長時(shí)間停留在機(jī)械手上也會有受損的風(fēng)險(xiǎn)。在正常加工過程中，各個(gè)工藝單元能夠保證晶圓的安全，但在有模塊出現(xiàn)故障導(dǎo)致無法完
電子工業(yè)專用設(shè)備 2022年5期2022-12-30
- 磁流變拋光過程粒子行為仿真分析
需求增長，半導(dǎo)體晶圓市場的容量呈現(xiàn)爆發(fā)式增長。無論是制作集成電路還是功能器件，都要求晶圓具有極佳的平整度和超光滑表面，否則將直接降低產(chǎn)品性能[1-2]。目前，人們普遍采用化學(xué)機(jī)械拋光實(shí)現(xiàn)晶圓的超光滑加工。這種方法可獲得較好的表面精度，但在實(shí)際應(yīng)用中也顯現(xiàn)出一定的缺點(diǎn)，例如：半導(dǎo)體晶圓為典型的硬脆材料，拋光過程中較大的機(jī)械力易造成其表面出現(xiàn)脆性破壞、裂紋、碎片等缺陷，同時(shí)晶圓較薄易翹曲變形；拋光后的工件表面會殘留拋光漿料，難于清洗，而化學(xué)拋光漿液的后續(xù)處理會
電加工與模具 2022年5期2022-11-15
- MEMS器件用Cavity-SOI制備中的晶圓鍵合工藝研究
tor,SOI)晶圓以其優(yōu)良的器件層單晶材料特性和埋氧層絕緣特性而在微機(jī)電系統(tǒng)(MEMS)器件中得到了廣泛的應(yīng)用。在襯底層中經(jīng)刻蝕形成腔體圖形，并與器件層裸硅片直接鍵合可形成預(yù)埋腔體絕緣體上硅(Cavity-SOI)[1～3]。Cavity-SOI的發(fā)明可以使MEMS敏感結(jié)構(gòu)與襯底之間形成大于埋氧層的垂直距離，有利于減少與襯底之間的寄生電容；同時(shí)在MEMS敏感結(jié)構(gòu)加工時(shí)，器件層經(jīng)過干法刻蝕即可實(shí)現(xiàn)可動結(jié)構(gòu)的釋放，可以省去常規(guī)SOI片制備MEMS器件時(shí)所需的
傳感器與微系統(tǒng) 2022年3期2022-03-23
- CMP 清洗傳輸機(jī)械手的優(yōu)化設(shè)計(jì)
100176)晶圓經(jīng)過化學(xué)機(jī)械拋光（CMP）工藝后，會在晶圓表面殘留少許的漿料 (拋光液)，需要通過CMP 后清洗將其清除，目的是把CMP 中的殘留粒子和金屬沾污減少到可接受的水平[1]。晶圓清洗是利用物理、化學(xué)或機(jī)械作用的方法使吸附在晶圓表面的污染物解吸而離開的過程，是化學(xué)機(jī)械拋光（CMP）后對晶圓進(jìn)行處理的關(guān)鍵步驟。整個(gè)清洗工藝需要在不同的清洗工位完成，實(shí)現(xiàn)晶圓在不同工位之間的傳輸，機(jī)械手成為必不可少的機(jī)構(gòu)。機(jī)械手在充滿各種清洗液的槽體中的適用性和傳
電子工業(yè)專用設(shè)備 2021年6期2022-01-06
- Loadport控制系統(tǒng)設(shè)計(jì)
導(dǎo)體生產(chǎn)過程中，晶圓需要經(jīng)常在潔凈與超潔凈環(huán)境間轉(zhuǎn)換，轉(zhuǎn)換過程中為保證晶圓不受微粒子附著，需要使用Loadport（晶圓裝載端口）做為環(huán)境轉(zhuǎn)換的輸入輸出端口。目前在Fab廠中Loadport已得到非常廣泛的應(yīng)用，但其仍需依賴進(jìn)口。擁有Loadport相關(guān)技術(shù)的國家仍對我國進(jìn)行技術(shù)限制，所以Loadport關(guān)鍵技術(shù)的研發(fā)就顯得尤為重要。本文設(shè)計(jì)并實(shí)現(xiàn)了一種Loadport控制系統(tǒng)可以滿足實(shí)際半導(dǎo)體產(chǎn)線應(yīng)用需求。關(guān)鍵詞：Loadport;控制系統(tǒng);晶圓;Fou
智能建筑與工程機(jī)械 2021年4期2021-09-10
- 隱形劃片技術(shù)及其在MEMS制造中的應(yīng)用
電路制造過程中，晶圓劃片是一項(xiàng)非常重要的工藝，它是采用機(jī)械旋轉(zhuǎn)刀片或激光，沿集成電路設(shè)計(jì)時(shí)預(yù)留的切割道運(yùn)動，將晶圓分離成一個(gè)個(gè)具有獨(dú)立電氣性能的芯片的過程。傳統(tǒng)劃片工藝多采用機(jī)械式旋轉(zhuǎn)刀片切割方式，電路集成密度高的晶圓、高速低功耗芯片晶圓、有特殊結(jié)構(gòu)芯片的晶圓多采用激光劃片。MEMS（Micro-Electro-Mechanical System）即微電子機(jī)械系統(tǒng)，是指在幾毫米乃至更小晶圓面積內(nèi)，構(gòu)造復(fù)雜的機(jī)械、電路結(jié)構(gòu)，通過半導(dǎo)體工藝實(shí)現(xiàn)不同能量形式間轉(zhuǎn)
電子工業(yè)專用設(shè)備 2021年4期2021-08-10
- 報(bào)告：中國大陸晶圓產(chǎn)能今年或超日本
告顯示，以半導(dǎo)體晶圓工廠所屬地區(qū)劃分，預(yù)計(jì)中國大陸的晶圓產(chǎn)能今年將超過日本位居世界第三，僅次于中國臺灣地區(qū)和韓國。據(jù)日本“電腦觀察”網(wǎng)站15日報(bào)道，這份2021年至2025年全球晶圓月度產(chǎn)能報(bào)告中的產(chǎn)量排名以晶圓工廠所屬地統(tǒng)計(jì)，而非生產(chǎn)商企業(yè)總部所在地。例如，韓國的三星公司在美國有一個(gè)晶圓工廠，其產(chǎn)量就屬于美國晶圓的產(chǎn)能。報(bào)告顯示，在全世界的晶圓產(chǎn)能排名中，中國臺灣地區(qū)制造的晶圓市場占有率最高，為21.4%；其次是韓國，為20.4%。盡管日本以15.8%位
環(huán)球時(shí)報(bào) 2021-07-162021-07-16
- 單片式濕法刻蝕均勻性及藥液回收率的相關(guān)性研究
通過化學(xué)刻蝕液與晶圓上所需刻蝕的材料發(fā)生化學(xué)反應(yīng)達(dá)到刻蝕的目的,濕法刻蝕又包含兩大類：槽式濕法刻蝕和單片式濕法刻蝕。槽式濕法刻蝕產(chǎn)能高,化學(xué)液消耗小,但是由于從硅片上清洗下來的污染會繼續(xù)在化學(xué)液中殘留,容易造成二次沾污。單片式濕法刻蝕由于不斷地有新的化學(xué)液或者去離子水供應(yīng)到硅片表面,可以有效的防止二次沾污現(xiàn)象的發(fā)生[1-2]。雖然在轉(zhuǎn)移掩膜圖形的保真性上濕法刻蝕與干法刻蝕存在一定的差距,但因其具有對器件損傷小、生產(chǎn)成本低、產(chǎn)能高和適應(yīng)性強(qiáng)等特點(diǎn),在去氧化硅
科學(xué)技術(shù)創(chuàng)新 2021年13期2021-05-16
- 自動對準(zhǔn)定位算法技術(shù)在探針設(shè)備中的應(yīng)用研究
能夠?qū)呻娐泛?span id="j5i0abt0b" class="hl">晶圓上各種管芯的電參數(shù)及其功能完成自動測試。全自動探針臺主要由主機(jī)和自動上下片系統(tǒng)組成，主機(jī)部分主要是控制XYZ 工作臺的運(yùn)動，完成承片臺上晶圓的自動測試，自動上下片系統(tǒng)主要負(fù)責(zé)片盒與承片臺間晶圓的傳輸。全自動探針臺在接收到上下片系統(tǒng)傳輸?shù)?span id="j5i0abt0b" class="hl">晶圓片后，完成晶圓自動對準(zhǔn)和晶圓啟測芯粒自動定位（即自動對準(zhǔn)定位），然后進(jìn)行晶圓的參數(shù)和功能測試，自動對準(zhǔn)定位是全自動探針設(shè)備中的關(guān)鍵技術(shù)。全自動探針測試設(shè)備的自動對準(zhǔn)定位系統(tǒng)框圖如圖1 所示。圖1 全自
電子工業(yè)專用設(shè)備 2021年1期2021-03-10
- 基于改進(jìn)的連續(xù)型深度信念網(wǎng)絡(luò)的晶圓良率預(yù)測方法
共同發(fā)展的態(tài)勢。晶圓良率是完成所有工藝步驟后測試合格的芯片的數(shù)量與整片晶圓上的有效芯片的比值[1]，由于集成電路產(chǎn)品生產(chǎn)投入大、損失代價(jià)高，提前預(yù)知晶圓生產(chǎn)的良率情況，對提升晶圓生產(chǎn)工藝、降低晶圓生產(chǎn)損失具有重要意義。傳統(tǒng)的晶圓良率預(yù)測方法主要考慮晶圓的缺陷來源、缺陷數(shù)目、缺陷聚集程度與良率之間的關(guān)系，如：Raghavachari等[2]從統(tǒng)計(jì)學(xué)的角度，通過對晶圓單位面積的平均缺陷數(shù)進(jìn)行分析，建立基于泊松分布的良率預(yù)測方法，但該方法未考慮晶圓缺陷的群聚特性
計(jì)算機(jī)集成制造系統(tǒng) 2020年9期2020-10-12
- 晶圓傳輸機(jī)械手結(jié)構(gòu)淺析
片生產(chǎn)過程中，用晶圓傳輸系統(tǒng)來實(shí)現(xiàn)晶圓在不同工位之間快速、高效、可靠的搬運(yùn)。隨著晶圓生產(chǎn)的產(chǎn)量和尺寸的不斷增加，對晶圓傳輸結(jié)構(gòu)的速度、精度要求也日益提高。本文主要介紹R.θ型晶圓傳輸機(jī)械手的典型結(jié)構(gòu)、使用條件、特點(diǎn)及注意事項(xiàng)。為晶圓輸送系統(tǒng)的設(shè)計(jì)及選型提供一些參考依據(jù)。關(guān)鍵詞： R.θ；機(jī)械手；晶圓；結(jié)構(gòu)；潔凈集成電路是電子信息產(chǎn)業(yè)的核心，是推動國民經(jīng)濟(jì)和社會信息化發(fā)展的高新技術(shù)之一。IC制造裝備作為實(shí)現(xiàn)工藝制程的載體在其中發(fā)揮著重要作用。晶圓的生產(chǎn)、加工
科技風(fēng) 2019年3期2019-10-21
- 硅晶圓的晶向偏離度測定方法探索
加工愈加精密，硅晶圓襯底參數(shù)的要求也愈趨于嚴(yán)格。一般硅晶圓襯底的晶向偏離的要求為±0.5°到±1°之間。由于晶向偏離度可能對后續(xù)的外延[1]等工序產(chǎn)生影響，部分廠家對晶向偏離度提出了更加嚴(yán)格的要求。由于后續(xù)加工對晶向的影響甚微，對經(jīng)過線切割加工而成的晶圓的晶向的測量就可以得到出廠需要的晶向參數(shù)。二、晶向偏離度的測定方法半導(dǎo)體單晶晶向的測定方法一般分為兩種：X射線衍射法定向法和光圖定向法[2]。另外，賈陳平提出了一種通過對晶圓的預(yù)刻蝕加工而準(zhǔn)確找到晶向方位，
產(chǎn)業(yè)與科技論壇 2019年7期2019-05-22
- 利用大數(shù)據(jù)計(jì)算產(chǎn)品在工序中搬送距離的方法
晶面板;半導(dǎo)體;晶圓中圖分類號：TP39 ? ? ? ? ?文獻(xiàn)標(biāo)識碼：A在液晶面板及半導(dǎo)體等制造、加工過程中，因?yàn)閺乃夭ＡЩ蚬杵度氲揭壕姘寤?span id="j5i0abt0b" class="hl">晶圓的做成，這中間需要許多制程的支持，每一道制程有多臺設(shè)備分布在不同位置且可能跨區(qū)塊需要搬送系統(tǒng)連接，每個(gè)工廠規(guī)劃搬送路徑不可能唯一。持續(xù)搬送距離的監(jiān)控可優(yōu)化減少搬送距離，節(jié)省動力用力。持續(xù)進(jìn)行動態(tài)搬送路徑監(jiān)控可及時(shí)發(fā)現(xiàn)路徑設(shè)置的不合理之處，優(yōu)化搬送路徑，提高搬送效率。為了厘清問題根源，工程同時(shí)經(jīng)常會調(diào)查產(chǎn)品在S
海峽科技與產(chǎn)業(yè) 2019年8期2019-04-22
- 半導(dǎo)體缺陷監(jiān)控的一種智能取樣派工方案
；②對等待監(jiān)控的晶圓缺乏優(yōu)先級排序，不能及時(shí)的覆蓋全部機(jī)臺表現(xiàn)；③對于前層缺陷重復(fù)掃描，造成時(shí)間的浪費(fèi)；④缺乏對問題機(jī)臺的實(shí)時(shí)派工調(diào)整，響應(yīng)不及時(shí)。 本文介紹了一種全新的針對缺陷監(jiān)控的智能取樣派工方案，通過不斷自動調(diào)節(jié)實(shí)現(xiàn)高效快速的監(jiān)控方式，來更好的提升工藝表現(xiàn)。1 智能缺陷監(jiān)控方案智能缺陷監(jiān)控方案是基于不同的工藝狀態(tài)、機(jī)臺情況等對取樣率和晶圓優(yōu)先級實(shí)現(xiàn)動態(tài)調(diào)整，同時(shí)對缺陷掃描進(jìn)行自動優(yōu)化并根據(jù)缺陷結(jié)果對生產(chǎn)機(jī)臺進(jìn)行派工調(diào)節(jié)。 該方案通過四個(gè)模塊實(shí)現(xiàn)四個(gè)功
自動化與儀表 2019年2期2019-03-06
- 超薄石英玻璃晶圓雙面拋光過程中破裂的探究
1 引言石英玻璃晶圓因具有化學(xué)純度高、抗熱膨脹和熱沖擊性能強(qiáng)、抗拉強(qiáng)度高、耐輻射性能高、光傳輸效果好等一系列優(yōu)點(diǎn)，被廣泛應(yīng)用于半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)，常用于光刻環(huán)節(jié)，也是MEMS及CMOS等傳感器中的重要組成部分。2017年全球半導(dǎo)體用玻璃晶圓銷量達(dá)到4.9億美元，在未來五年將以每年6%的增速持續(xù)發(fā)展[1]。隨著新型電子設(shè)備小型化及芯片制造量產(chǎn)化的發(fā)展趨勢，厚度更薄尺寸更大的石英玻璃晶圓正成為半導(dǎo)體廠商采購的熱點(diǎn)。我公司從事石英玻璃晶圓產(chǎn)品加工多年，長期出口歐洲半導(dǎo)體
中國建材科技 2018年6期2019-01-31
- 應(yīng)用于MEMS及3D-IC封裝中的噴膠技術(shù)
通過芯片到芯片、晶圓到晶圓間的垂直互聯(lián)，從而得到堆疊密度大、尺寸小、運(yùn)行速度快、功耗小的高質(zhì)量芯片。所以向具有不平整形貌的TSV結(jié)構(gòu)涂覆光刻膠的需求越來越大，這就促使了新的涂覆光刻膠技術(shù)發(fā)展。圖1為采用TSV技術(shù)3D-IC封裝SEM圖片。圖1 采用TSV技術(shù)3D-IC封裝SEM圖片旋轉(zhuǎn)式涂膠工藝是最傳統(tǒng)的涂膠工藝，但是由于旋涂過程中光刻膠所受離心力與重力的作用，常規(guī)的旋轉(zhuǎn)式涂膠技術(shù)并不能在這些具有形貌的晶圓表面達(dá)到共形的光刻膠涂布。優(yōu)化的電子束沉積光刻膠工
電子世界 2018年20期2018-11-14
- 晶圓直接鍵合技術(shù)發(fā)展分析
摘 要：晶圓直接鍵合是通過晶圓界面處的原子在外界能量的作用下，通過范德華力、分子力甚至原子力使晶圓鍵合成為一體的技術(shù)。該鍵合技術(shù)由于避免了中介層引起的污染也無需外部電場的作用而成為研究熱點(diǎn)。本文結(jié)合專利文獻(xiàn)統(tǒng)計(jì)情況，對晶圓直接鍵合技術(shù)的發(fā)展進(jìn)行了分析，并從分析結(jié)果中得到了有益的結(jié)論。關(guān)鍵詞：低溫鍵合 直接鍵合 晶圓一、晶圓鍵合技術(shù)發(fā)展介紹20世紀(jì)80年代， 由美國IBM公司的Lasky和日本東芝公司的Shimbo等人提出了硅晶圓直接鍵合技術(shù)，該技術(shù)是把兩片
西部論叢 2018年10期2018-10-25
- 晶圓傳輸過程中自動掃描算法的實(shí)現(xiàn)
能化的發(fā)展需求。晶圓自動傳輸是集成電路(IC)生產(chǎn)設(shè)備實(shí)現(xiàn)自動化的關(guān)鍵工藝環(huán)節(jié)，而晶圓自動上下片機(jī)構(gòu)是自動化生產(chǎn)設(shè)備的關(guān)鍵單元，其在設(shè)備中的地位越來越高。在IC制造晶圓自動傳輸過程中，需要隨時(shí)檢測片盒內(nèi)的晶圓存放狀態(tài)，以確認(rèn)晶圓在片盒內(nèi)的擺放位置，如斜放、雙片、空片等不符合傳輸要求的情況，確保順利提取晶片。傳統(tǒng)的晶圓位置檢測分有兩種形式，一種為片盒固定，檢測裝置上下移動掃描，檢測片盒內(nèi)晶圓位置；一種為檢測裝置固定，片盒上下移動，檢測片盒內(nèi)晶圓狀態(tài)。由于檢測
電子工業(yè)專用設(shè)備 2018年2期2018-04-19
- 清洗系統(tǒng)在晶圓減薄后的應(yīng)用
尺寸的器件需求，晶圓直徑在逐步增大，同時(shí)封裝用的晶圓厚度逐步減小。由于市場需求的不斷更新，芯片厚度減薄的趨勢越來越快，導(dǎo)致薄晶圓的加工風(fēng)險(xiǎn)越來越高，對晶圓減薄設(shè)備的技術(shù)要求也越來越高[1]。在進(jìn)行晶圓減薄拋光后，晶圓表面不可避免地殘留有大量的拋光液以及磨削產(chǎn)生的顆粒污染物，不能以濕法狀態(tài)進(jìn)入下道揭膜工藝，更不能滿足后續(xù)的劃切、通孔電鍍及硅通孔（TSV）封裝的材料工藝要求。必須通過專門的清洗工藝對拋光后的晶圓表面殘留的拋光液以及磨削產(chǎn)生的顆粒污染物進(jìn)行有效去
電子工業(yè)專用設(shè)備 2018年1期2018-03-16
- 半導(dǎo)體刻蝕工藝的晶圓背面顆粒研究
干法刻蝕工藝需要晶圓背面與設(shè)備接觸，把晶圓固定和支撐住，掌握晶圓背面顆粒狀態(tài)對半導(dǎo)體工藝制程相當(dāng)重要。本文主要研究前段刻蝕工藝后晶圓背面顆粒的狀態(tài)、對工藝制程的影響以及降低這種影響的方法。前段刻蝕工藝由于穩(wěn)定性、精確性和準(zhǔn)確性的高要求，需要在每片晶圓作業(yè)完后對刻蝕腔體進(jìn)行自身清潔和聚合物再淀積，以此來保證每片晶圓都有一致的刻蝕環(huán)境，刻蝕腔體中的靜電吸盤（ESC）表面會覆蓋聚合物，此聚合物的反應(yīng)對溫度非常敏感，由于ESC本身硬件的特性，表面聚合物淀積不均勻，
科技資訊 2017年24期2017-09-15
- 晶片的初始宏觀形變對硅-硅直接鍵合的影響
系；理論分析認(rèn)為晶圓鍵合前有必要根據(jù)彎曲變形量來匹配鍵合晶圓，并通過試驗(yàn)進(jìn)行了驗(yàn)證。鍵合；彎曲變形；翹曲度晶片直接鍵合技術(shù)是指不需要中間粘附層，將表面平整潔凈的晶片對直接粘合在一起，而且粘合強(qiáng)度與晶片體材料斷裂強(qiáng)度相近。鍵合過程依賴于室溫下晶片界面的短程分子力的作用達(dá)到預(yù)鍵合，然后通過熱處理來加強(qiáng)鍵合的強(qiáng)度.鍵合工藝在集成新材料方面具有極大的自由度和完整性，目前已廣泛應(yīng)用到微電子、傳感器、功率器件、MEMS、光電子器件等領(lǐng)域[1-3]。晶圓直接鍵合質(zhì)量的好
電子工業(yè)專用設(shè)備 2017年4期2017-09-03
- 晶圓表面等離子蝕刻均勻性控制技術(shù)的進(jìn)步
arik泛林集團(tuán)晶圓表面等離子蝕刻均勻性控制技術(shù)的進(jìn)步Stephen Hwang，Keren Kanarik泛林集團(tuán)隨著半導(dǎo)體的特征尺寸越來越小，其設(shè)計(jì)的復(fù)雜度日益增加。這就要求蝕刻工藝必須在更高粒度化層面具備復(fù)雜的調(diào)節(jié)能力，以滿足更嚴(yán)格的均勻性要求。在工藝均勻性管理工作鏈中，晶圓表面等離子蝕刻的控制是一大關(guān)鍵因素，這些均勻性管理工作包括減少管芯間、晶圓間以及蝕刻腔間的差異性。正如本文討論的，在晶圓表面的許多“微區(qū)”內(nèi)獨(dú)立調(diào)節(jié)關(guān)鍵參數(shù)的能力不僅能夠控制各個(gè)
電子工業(yè)專用設(shè)備 2017年4期2017-09-03
- 采用新型活化氫技術(shù)進(jìn)行大規(guī)模無助焊劑晶圓凸點(diǎn)回流焊
行大規(guī)模無助焊劑晶圓凸點(diǎn)回流焊C.Christine Dong1*，Richard E.Patrick1，Gregory K.Arslanian1，Tim Bao1，Kail Wathne2，Phillip Skeen2(1.Air Products and Chemicals，Allentown，PA 18195-1501，USA；2.Sikama International，Inc.，Santa Barbara，CA 93101-2314，USA)介紹
電子工業(yè)專用設(shè)備 2017年3期2017-07-31
- 晶圓盒中晶圓位置檢測技術(shù)的研究
201114）晶圓盒中晶圓位置檢測技術(shù)的研究劉勁松1,2，朱志強(qiáng)1，時(shí) 威2（上海理工大學(xué) 機(jī)械工程學(xué)院，上海 200093；2.上海微松工業(yè)自動化有限公司，上海 201114）晶圓盒自動開蓋機(jī)構(gòu)（Load Port）是半導(dǎo)體工業(yè)自動化中的核心設(shè)備之一，晶圓盒（Cassette）中晶圓位置檢測（Mapping）過程的好壞直接決定了Load Port的優(yōu)劣。通過簡要介紹晶圓自動開蓋機(jī)構(gòu)檢測的原理，闡述了由于晶圓彎曲對檢測過程影響。然后把晶圓抽象為一個(gè)密度不
制造業(yè)自動化 2017年4期2017-04-27
- 晶圓邊緣檢測技術(shù)研究
的提升，人們對于晶圓的研究逐漸深入。晶圓的特征尺寸縮小的同時(shí)將會產(chǎn)生很多的微小缺陷。通過晶圓的邊緣檢測技術(shù)能夠?qū)崿F(xiàn)對晶圓缺陷的檢測。在本文中利用邊緣提取技術(shù)以及模式識別技術(shù)，對晶圓的缺陷等進(jìn)行有效識別，對邊緣檢測技術(shù)進(jìn)行研究。【關(guān)鍵詞】晶圓 邊緣檢測技術(shù) 研究應(yīng)用晶圓邊緣檢測技術(shù)，需要對晶圓表面的缺陷種類以及成因進(jìn)行分析。然后根據(jù)晶圓圖像，對其中的直線幾何特征進(jìn)行提取，有助于對于晶圓進(jìn)行相關(guān)的缺陷檢測。晶圓缺陷檢測技術(shù)，綜合了機(jī)器視覺、數(shù)字圖像處理等技術(shù)，
電子技術(shù)與軟件工程 2016年15期2017-04-27
- 采用晶圓傳送機(jī)器人的晶圓預(yù)對準(zhǔn)方法
1114)?采用晶圓傳送機(jī)器人的晶圓預(yù)對準(zhǔn)方法劉勁松1，2，王 森1，褚大偉1(1．上海理工大學(xué) 機(jī)械工程學(xué)院，上海 200093；2．上海微松工業(yè)自動化有限公司，上海 201114)針對傳統(tǒng)的晶圓預(yù)對準(zhǔn)控制系統(tǒng)成本高和體積大的不足，設(shè)計(jì)了基于晶圓傳送機(jī)器人的晶圓預(yù)對準(zhǔn)裝置，并提出了高效、高精度的晶圓圓心和缺口定位算法。采用交換吸附的方式通過預(yù)對準(zhǔn)裝置一維旋轉(zhuǎn)和晶圓傳送機(jī)器人空間平移實(shí)現(xiàn)晶圓預(yù)對準(zhǔn)。誤差分析及預(yù)對準(zhǔn)實(shí)驗(yàn)研究結(jié)果表明，晶圓圓心的定位精度晶圓預(yù)
電子科技 2016年11期2016-12-19
- 一種探針臺自動定位方法的研究與實(shí)現(xiàn)
人工對準(zhǔn)，就能從晶圓的第一個(gè)晶粒(第一點(diǎn))開始檢測，然而晶圓上片后，探針下方的開始位置往往并不是第一點(diǎn)；為了讓第一點(diǎn)快速的移至探針下方，對平臺的運(yùn)行軌跡進(jìn)行了研究，提出了螺旋定位法的概念，以平臺上開始位置為中心，螺旋式步進(jìn)運(yùn)行，配合鏡頭的圖像識別技術(shù)，一步一識別，逐步擴(kuò)大范圍，直至在鏡頭視野中找到晶圓中唯一的特殊晶粒(特殊點(diǎn))；由于第一點(diǎn)與特殊點(diǎn)的位置相對固定，所以找到了特殊點(diǎn)即找到了第一點(diǎn)；此方法經(jīng)過算法分析及整合編程后，進(jìn)行了多次試驗(yàn)，并交付客戶使用，
計(jì)算機(jī)測量與控制 2016年2期2016-03-17
- 清洗系統(tǒng)在晶圓減薄后的應(yīng)用
01)清洗系統(tǒng)在晶圓減薄后的應(yīng)用劉玉倩，高津平(中國電子科技集團(tuán)公司第四十五研究所，北京101601)根據(jù)集成電路晶圓的不同用途，分析了晶圓減薄后，殘留的污染物對后續(xù)工藝的影響；提出了一種集成在減薄機(jī)內(nèi)部的清洗系統(tǒng)，根據(jù)清洗目標(biāo)，配套了完整的清洗方案。晶圓；減薄后；清洗系統(tǒng)從集成電路的發(fā)展趨勢看，出于終端應(yīng)用特別是移動設(shè)備對更高性能、更低成本、更小形狀因子的器件需求，晶圓片直徑在逐步增大，同時(shí)封裝用的晶圓厚度逐步減小。由于市場需求的不斷更新，芯片厚度減薄的
電子工業(yè)專用設(shè)備 2016年12期2016-02-10
- 影響硅片倒角加工效率的工藝研究
，利用不同尺寸的晶圓，不同的倒角吸盤轉(zhuǎn)速，不同甩干程序?qū)M(jìn)行倒角程序加工并統(tǒng)計(jì)其加工時(shí)間，進(jìn)而分析不同加工條件對倒角邊緣磨削加工效率的影響，從而進(jìn)行最大的改善、優(yōu)化和提升。倒角邊緣磨削；晶圓尺寸；吸盤轉(zhuǎn)速；甩干；磨削效率一、引言在半導(dǎo)體晶圓的加工工藝中，對晶圓邊緣磨削是非常重要的一環(huán)。晶錠材料被切割成晶圓后會形成銳利邊緣，有棱角、毛刺、崩邊，甚至有小的裂縫或其它缺陷，邊緣的表面也比較粗糙。而晶圓的構(gòu)成材料如Si、Ge、InP、GaAs、SiC等均有脆性
中國新技術(shù)新產(chǎn)品 2015年17期2015-07-20
- CMP承載器背壓發(fā)展歷程
點(diǎn)越來越嚴(yán)苛，對晶圓的局部和全局平整度提出了越來越高的要求，化學(xué)機(jī)械拋光技術(shù)（CMP）是滿足晶圓表面形貌的關(guān)鍵技術(shù)。承載器是CMP設(shè)備的關(guān)鍵部件，通過研究歷代承載器的背壓施加方式和區(qū)域壓力控制方式對晶圓表面全局平整度的影響，發(fā)現(xiàn)隨著技術(shù)節(jié)點(diǎn)的提高，承載器施加越來越多路背壓且背壓控制精度越來越高。因此，國產(chǎn)CMP設(shè)備為了滿足集成電路的嚴(yán)格要求，其承載器必須具備施加多區(qū)域背壓，且控制精度越來越高?；瘜W(xué)機(jī)械平坦化；背壓；多區(qū)域控制；承載器；保持環(huán)化學(xué)機(jī)械拋光（C
電子工業(yè)專用設(shè)備 2015年3期2015-07-18
- 晶圓產(chǎn)品測試地點(diǎn)轉(zhuǎn)移程序的概述
針對集成電路產(chǎn)品晶圓測試地點(diǎn)的改變所遵循的使測試產(chǎn)品達(dá)到合格標(biāo)準(zhǔn)的操作程序。關(guān)鍵詞：晶圓；測試；地點(diǎn)轉(zhuǎn)移由于降低成本，平衡產(chǎn)能等業(yè)務(wù)需要，晶圓測試的測試地點(diǎn)會有所改變。將一個(gè)集成電路產(chǎn)品轉(zhuǎn)移到新的晶圓測試工廠進(jìn)行測試，需要該產(chǎn)品的產(chǎn)品工程師，器件工程師，市場事業(yè)部，品質(zhì)部，工廠企劃部，轉(zhuǎn)出廠和轉(zhuǎn)入廠的晶圓測試工藝工程師，設(shè)備工程師，探針卡工程師，數(shù)據(jù)系統(tǒng)工程師的共同參與，并需要經(jīng)過以下相關(guān)性評測?！APPA（對比測試結(jié)果的一致性）·ILD（層間介質(zhì)）的破
卷宗 2015年3期2015-05-13
- 晶圓測試生產(chǎn)線晶片操作的方法
：本文主要研究在晶圓測試生產(chǎn)線上是正確地操作晶片和正確地使用晶片操作設(shè)備的方法。關(guān)鍵詞：晶圓；測試生產(chǎn)線；晶片操作半導(dǎo)體行業(yè)對于晶片制造過程中，晶片的接觸、輸送等操作都有著非常嚴(yán)格的要求，對所有接觸晶片的人員、裝置和設(shè)備，做了明確而詳細(xì)的規(guī)定和指導(dǎo)，以確保晶片在制造過程中的清潔和安全。1. 晶片操作設(shè)備操作人員在任何時(shí)候操作晶片時(shí)，都必須遵守潔凈室規(guī)范，并且按規(guī)定正確使用晶片操作設(shè)備。無論是一片或是多片晶片，必須使用片匣存儲或傳送，而裝有晶片的片匣必須存儲
卷宗 2015年4期2015-05-12
- ams推出專為物聯(lián)網(wǎng)應(yīng)用優(yōu)化的傳感器技術(shù)
（艾邁斯）宣布其晶圓代工業(yè)務(wù)部推出專為物聯(lián)網(wǎng)應(yīng)用優(yōu)化的傳感器技術(shù)，為晶圓代工客戶提供一整套用于開發(fā)先進(jìn)傳感器解決方案的工具，迎合如今電子行業(yè)的快速發(fā)展需要。ams晶圓代工服務(wù)不僅提供完整的PDK及IP模塊系列產(chǎn)品和先進(jìn)的制程技術(shù)，同時(shí)具備產(chǎn)品質(zhì)量檢驗(yàn)和供應(yīng)鏈管理能力，幫助客戶開發(fā)用于不同領(lǐng)域的先進(jìn)解決方案，如環(huán)境監(jiān)控、基礎(chǔ)設(shè)施建設(shè)、能源管理、工廠及家庭自動化、交通、可穿戴設(shè)備、醫(yī)療及健康狀況監(jiān)測系統(tǒng)。諸如用于創(chuàng)建MEMS驅(qū)動器IC和開關(guān)的高壓CMOS、用于
單片機(jī)與嵌入式系統(tǒng)應(yīng)用 2015年6期2015-03-26
- 帶駐留約束的雙臂集束型設(shè)備群的調(diào)度方法
隨著300 mm晶圓制造技術(shù)的問世，集束型設(shè)備群正在被越來越廣泛地應(yīng)用于半導(dǎo)體制造過程中.目前，如何優(yōu)化半導(dǎo)體集束型設(shè)備群的調(diào)度問題，已成為提升半導(dǎo)體制造系統(tǒng)整體效率的關(guān)鍵途徑.對單個(gè)集束型設(shè)備調(diào)度的研究已比較成熟.例如 Perkinson 等［1］和 Venkatesh 等［2］對單個(gè)單臂和雙臂集束型設(shè)備穩(wěn)態(tài)下的產(chǎn)能進(jìn)行了分析，建立了單臂、雙臂集束型設(shè)備的分析模型，提出了基礎(chǔ)調(diào)度周期（fundamental period，F(xiàn)P）的計(jì)算方法，并建立了單臂機(jī)
哈爾濱工業(yè)大學(xué)學(xué)報(bào) 2014年1期2014-09-21
- 影響晶圓劃片質(zhì)量的重要因素
摘 要：在一片晶圓上，通常有幾百個(gè)至數(shù)千個(gè)芯片連在一起。它們之間留有80um至150um的間隙，此間隙被稱之為劃片街區(qū)（Saw Street）。將每一個(gè)具有獨(dú)立電氣性能的芯片分離出來的過程叫做劃片或切割（Dicing Saw）。目前，機(jī)械式金剛石切割是劃片工藝的主流技術(shù)。在這種切割方式下，金剛石刀片（Diamond Blade）以每分鐘3萬轉(zhuǎn)到4萬轉(zhuǎn)的高轉(zhuǎn)速切割晶圓的街區(qū)部分，同時(shí)，承載著晶圓的工作臺以一定的速度沿刀片與晶圓接觸點(diǎn)的切線方向呈直線運(yùn)動，切割
卷宗 2014年7期2014-08-27
- 晶圓測試復(fù)測介紹
摘 要：晶圓測試是半導(dǎo)體制程中的重要步驟，其準(zhǔn)確性影響產(chǎn)品成本和質(zhì)量，復(fù)測對保證其準(zhǔn)確性發(fā)揮了重要的作用。晶圓制造和測試中都可能出現(xiàn)異常，情況復(fù)雜，復(fù)測可以幫助判定和消除這些異常。針對不同情況，復(fù)測也有不同種類，分類有多種標(biāo)準(zhǔn)。即時(shí)復(fù)測是比較復(fù)雜的復(fù)測方式，需要考慮多方面的因素。關(guān)鍵字：晶圓測試；復(fù)測；即時(shí)復(fù)測1 晶圓測試簡述芯片制造流程中，電性測試是重要的組成，通常包括參數(shù)測試（Parametric probe）、晶圓測試（wafer probe）和最終
卷宗 2014年7期2014-08-27
- 晶圓測試方法的研究
的是針對集成電路晶圓進(jìn)行測試的各種方法及對其如何生成最后的結(jié)果圖進(jìn)行闡述性分析。其中包括一般性常規(guī)測試、抽樣測試、對測試次品的復(fù)測檢驗(yàn)三種方式。另外，對于在測試過程中發(fā)現(xiàn)的劃傷、缺陷進(jìn)行目測，將其受影響的芯片在最后的結(jié)果圖中去掉的過程。關(guān)鍵字：晶圓；測試；抽樣；復(fù)測1 測試概述對于晶圓的測試是在晶圓制造廠之后，封裝之前的一個(gè)步驟，其目的是將不良品在前期及時(shí)發(fā)現(xiàn)并剔除出去，進(jìn)而大大減少后期封裝的費(fèi)用。這樣不但節(jié)約成本，減少了不必要的浪費(fèi)，還極大地提高了生產(chǎn)效
卷宗 2014年7期2014-08-27
- 承載器殘余真空分析
廣泛應(yīng)用在IC 晶圓及其襯底材料的平坦化過程中[1]。在CMP 過程中，晶圓被固定在承載器和拋光臺之間，通過控制晶圓承載器和拋光臺的相對位置和運(yùn)動，在機(jī)械摩擦和化學(xué)刻蝕的共同作用下去除晶圓表面定量的材料，以此實(shí)現(xiàn)晶圓全局平整度[2]。1 承載器晶圓承載器作為CMP 設(shè)備的關(guān)鍵部件，其性能直接決定晶圓的拋光質(zhì)量。依據(jù)承載器采用的背膜，可將承載器分為Film 型承載器和Membrane 型承載器。承載器以真空方式吸附晶圓，以壓縮空氣卸載晶圓。1.1 承載器功能
電子工業(yè)專用設(shè)備 2014年9期2014-07-04
- 淺談晶圓超薄化
ackage），晶圓級封裝WLP（Wafer Level Packaging），硅通孔TSV（Through-silicon Vias）技術(shù)以及倒裝FC（Flip chip）技術(shù)等。但是，無論采用哪種堆疊形式和焊接方式，在封裝整體厚度不變甚至需要降低的趨勢下，疊層芯片的厚度就不可避免地要求更薄。一般情況下，較為先進(jìn)的疊層封裝所使用的芯片厚度都在100 μm以下。隨著封裝技術(shù)的發(fā)展和電子產(chǎn)品的需求，堆疊的層數(shù)越來越多，芯片的厚度將越來越薄。因此，晶圓超薄化在
電子工業(yè)專用設(shè)備 2014年4期2014-07-04
- 提高晶圓掃描效率的方法研究
m(8 英寸)的晶圓上(如圖1 所示)。設(shè)備的工作原理：在晶圓的正面，有兩個(gè)X、Y 方向的電機(jī)帶動探針組件運(yùn)動，在晶圓的背面，另有兩個(gè)X、Y 方向的電機(jī)帶動鏡頭運(yùn)動。測試時(shí)，探針組件和鏡頭定位到同一個(gè)芯片的正反面，與測試板通訊來進(jìn)行測試，測試過程與手動測試類似。測試完成后再定位到下一個(gè)芯片。由于芯片的正反兩面在測試過程中均需要使用，晶圓必須采用環(huán)型夾具來懸空固定。夾具在正反兩面都高出晶圓表面約5 mm；而在移動過程中，探針脫離凸點(diǎn)的距離在0.3～0.5 m
電子工業(yè)專用設(shè)備 2014年3期2014-07-04
- 基于Petri Net的雙臂組合設(shè)備故障響應(yīng)策略的研究*
510006）晶圓制造的加工工藝日趨復(fù)雜，組合設(shè)備加工模塊中存在嚴(yán)格的逗留時(shí)間約束以及頻繁的故障，因此研究其生產(chǎn)調(diào)度，排除出現(xiàn)的故障成為至關(guān)重要的問題。通過分析雙臂組合設(shè)備的并行模塊及其加工流程模式，建立能夠描述系統(tǒng)的穩(wěn)態(tài)特性的Petri Net模型?；谠撃Ｐ停?dāng)雙臂組合設(shè)備并行模塊出現(xiàn)故障時(shí)，分析系統(tǒng)的可調(diào)度性，對可調(diào)度情況提出有效的運(yùn)行控制策略，使得晶圓不違反嚴(yán)格的逗留時(shí)間約束。最后通過實(shí)例驗(yàn)證該控制策略的可行性。晶圓制造；雙臂組合設(shè)備；故障響應(yīng)；
機(jī)電工程技術(shù) 2014年10期2014-02-10
- 晶圓預(yù)對準(zhǔn)系統(tǒng)誤差仿真分析*
819)0 引言晶圓預(yù)對準(zhǔn)是晶圓搬運(yùn)以及整個(gè)IC 制造過程中的重要環(huán)節(jié)，晶圓的定位與識別都需要預(yù)對準(zhǔn)機(jī)(Prealigner)的參與。晶圓預(yù)對準(zhǔn)的目的是計(jì)算晶圓的偏心并找到其缺口(notch)，進(jìn)而補(bǔ)償其偏心并將缺口轉(zhuǎn)到預(yù)設(shè)方向，為下一步的晶圓識別或處理做好準(zhǔn)備。文章［1］～［6］對晶圓偏心及缺口的識別方法進(jìn)行了理論計(jì)算和實(shí)驗(yàn)，驗(yàn)證了晶圓預(yù)對準(zhǔn)方法的有效性，其不足之處在于，對晶圓預(yù)對準(zhǔn)誤差分析不能反映出包括轉(zhuǎn)動中心偏置、晶圓初始放置狀態(tài)等因素在內(nèi)的其他誤差
組合機(jī)床與自動化加工技術(shù) 2013年2期2013-12-23
- 基于earliest調(diào)度策略對帶駐留時(shí)間約束單臂組合設(shè)備的暫態(tài)分析
導(dǎo)體制造中，由于晶圓直徑越來越大，加工工藝復(fù)雜，組合設(shè)備被廣泛的用來加工晶圓。組合設(shè)備是一類集成制造設(shè)備。在這樣的一臺設(shè)備中，有幾個(gè)加工模塊（Processing Module，PM），一個(gè)機(jī)械手以及真空鎖（Loadlock）。機(jī)械手分為單臂機(jī)械手和雙臂機(jī)械手，如圖1所示為單臂機(jī)械手，因此叫單臂組合設(shè)備。此系統(tǒng)的工作過程大致如下：一批裝在一個(gè)卡盒中待加工的晶圓首先放入真空鎖中，然后由機(jī)械手從卡盒中抓取一枚晶圓放到AL中，經(jīng)AL的視覺系統(tǒng)進(jìn)行校準(zhǔn)后，由機(jī)械手
機(jī)電工程技術(shù) 2013年11期2013-11-06
- 國產(chǎn)PLC晶圓低價(jià)中尋求突破
對于國內(nèi)的PLC晶圓廠商而言，多數(shù)廠商的產(chǎn)能仍然有限，國產(chǎn)PLC晶圓所占的市場份額微乎其微，整個(gè)市場仍處于供不應(yīng)求的局面，當(dāng)務(wù)之急主要在于擴(kuò)大產(chǎn)能，提高市場份額占比。今年下半年，整個(gè)ODN市場遭遇慘淡時(shí)期，運(yùn)營商集采量的減少導(dǎo)致諸多ODN廠商利潤增長放緩，國內(nèi)的相關(guān)光通信產(chǎn)業(yè)也遭受波折。而作為ODN的上游芯片環(huán)節(jié)也隨之受創(chuàng)，PLC晶圓是光分路器的核心芯片，此前晶圓的制造工藝一直被日韓等企業(yè)所壟斷，直至今年國內(nèi)才有部分廠商突破，然而在當(dāng)前行業(yè)發(fā)展不景氣的情況
通信世界 2012年42期2012-07-10
- 2015年300 mm（12英寸）晶圓產(chǎn)量將增長近1倍
使用300 mm晶圓的半導(dǎo)體生產(chǎn)將進(jìn)入新的時(shí)代，2010-2015年產(chǎn)量將增長近1倍。到2015年，代工廠商和集成設(shè)備制造商(IDM)將利用300 mm晶圓生產(chǎn)87.53億平方英寸的硅片，而2010年是47.994億，5年的復(fù)合年度增長率為12.8%。今年，IDM將利用300mm晶圓生產(chǎn)大約56.085億平方英寸的硅片。最初，300 mm晶圓生產(chǎn)主要面向最先進(jìn)的產(chǎn)品。但最近兩年情況發(fā)生了變化，代工廠商和IDM現(xiàn)在都認(rèn)為，300 mm晶圓是用于生產(chǎn)成熟產(chǎn)品的
電子工業(yè)專用設(shè)備 2011年10期2011-08-15
- SEMI發(fā)布硅晶圓出貨量預(yù)測報(bào)告
-2013年期間晶圓的需求前景。結(jié)果表明，2011年拋光和外延硅的出貨量預(yù)計(jì)為91.31億平方英寸，2012年預(yù)計(jì)為95.29億平方英寸，而2013年預(yù)計(jì)為99.95億平方英寸。晶圓總出貨量預(yù)期在去年高位運(yùn)行的基礎(chǔ)上會有所增加，并在未來兩年會保持平穩(wěn)的增長態(tài)勢。SEM I總裁兼首席執(zhí)行官Stanley T.Myers表示：“由于2011年上半年驚人的出貨勢頭，2011年的總出貨量預(yù)期將保持在歷史最高水平。雖然現(xiàn)在正處在短期緩沖階段，但預(yù)期未來兩年仍將保持積
電子工業(yè)專用設(shè)備 2011年10期2011-06-04
- 用于3D 集成中的晶圓和芯片鍵合技術(shù)
Shari Farrens(SUSS MicroTec,228 Suss Drive,Waterbury Center,VT 05677,U.S.A.)1 INTRODUCTIONThe basic processing steps that transcend all three stacking options are alignment and bonding.Aligned bonding allows for interlayer connect
電子工業(yè)專用設(shè)備 2010年10期2010-10-24
- Crossing Automation獲得四項(xiàng)關(guān)鍵半導(dǎo)體生產(chǎn)自動化專利
利。這些專利涉及晶圓生產(chǎn)設(shè)備前端的Loaport(晶圓裝載端口)，晶圓輸送機(jī)器手臂和晶圓輸送機(jī)器手臂的終端操作器，進(jìn)一步拓展了Crossing在晶圓輸送環(huán)節(jié)自動化技術(shù)領(lǐng)域的領(lǐng)先地位。這些重要專利為Crossing的Express ConnectTM產(chǎn)品系列增添了新的功能，并將被Crossing主要的半導(dǎo)體生產(chǎn)設(shè)備市場采用。展望未來，Crossing已經(jīng)開始把這些專利應(yīng)用于其它市場的生產(chǎn)設(shè)備，包括發(fā)光二極管(LED)和光伏(PV)等綠色技術(shù)以及生命科學(xué)領(lǐng)域。
電子工業(yè)專用設(shè)備 2010年7期2010-04-03
- 晶圓級攝像頭的測試
及中芯國際等都將晶圓級攝像頭(WLC)作為下一代低成本手機(jī)攝像頭制造的終極技術(shù)，紛紛推出各自的量產(chǎn)擴(kuò)產(chǎn)計(jì)劃，以求取得領(lǐng)先地位。所謂晶圓級攝像頭(WLC)就是所有組件在200mm晶圓上制造，之后將光學(xué)晶圓與CMOS晶圓貼裝在一起，最后將該堆疊的晶圓切成大約2000～3000個(gè)攝像頭模塊，該模塊隨后一面與鏡頭實(shí)體組裝，另一面直接安裝在PCB基板上，成為成品攝像頭。晶圓級攝像頭的測試就是在晶圓堆疊后，劃切前進(jìn)行的一項(xiàng)不可或缺的工藝。生產(chǎn)線上該工藝目前為手工操作，
電子工業(yè)專用設(shè)備 2010年7期2010-03-23