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      晶圓產(chǎn)品測(cè)試地點(diǎn)轉(zhuǎn)移程序的概述

      2015-05-13 19:31:20馬曉營
      卷宗 2015年3期
      關(guān)鍵詞:晶圓探針工程師

      馬曉營

      摘 要:本文主要研究的是針對(duì)集成電路產(chǎn)品晶圓測(cè)試地點(diǎn)的改變所遵循的使測(cè)試產(chǎn)品達(dá)到合格標(biāo)準(zhǔn)的操作程序。

      關(guān)鍵詞:晶圓;測(cè)試;地點(diǎn)轉(zhuǎn)移

      由于降低成本,平衡產(chǎn)能等業(yè)務(wù)需要,晶圓測(cè)試的測(cè)試地點(diǎn)會(huì)有所改變。將一個(gè)集成電路產(chǎn)品轉(zhuǎn)移到新的晶圓測(cè)試工廠進(jìn)行測(cè)試,需要該產(chǎn)品的產(chǎn)品工程師,器件工程師,市場(chǎng)事業(yè)部,品質(zhì)部,工廠企劃部,轉(zhuǎn)出廠和轉(zhuǎn)入廠的晶圓測(cè)試工藝工程師,設(shè)備工程師,探針卡工程師,數(shù)據(jù)系統(tǒng)工程師的共同參與,并需要經(jīng)過以下相關(guān)性評(píng)測(cè)。

      ·KAPPA(對(duì)比測(cè)試結(jié)果的一致性)

      ·ILD(層間介質(zhì))的破損分析

      ·PMI (探針標(biāo)記檢測(cè))

      ·GR&R(測(cè)試參數(shù)的穩(wěn)定性比較)

      1. 前期準(zhǔn)備

      由產(chǎn)品轉(zhuǎn)出廠提供產(chǎn)品的基本信息,測(cè)試卡的信息和對(duì)測(cè)試機(jī)臺(tái)的要求,以便轉(zhuǎn)入廠評(píng)估是否可以接收該產(chǎn)品。確認(rèn)可以接收后,轉(zhuǎn)出廠將測(cè)試用于KAPPA的晶圓,然后將KAPPA晶圓,ILD晶圓和連同做KAPPA使用的探針卡一并寄給轉(zhuǎn)入廠。同時(shí)將測(cè)試程序,探針機(jī)的設(shè)置文件,KAPPA晶圓的控制圖和測(cè)試結(jié)果發(fā)送給轉(zhuǎn)入廠。

      2. 相關(guān)性測(cè)評(píng)

      產(chǎn)品轉(zhuǎn)入廠收到KAPPA晶圓,ILD晶圓,探針卡和全部的測(cè)試軟件信息后,開始做相關(guān)性測(cè)評(píng)。在符合測(cè)試要求的測(cè)試機(jī)上進(jìn)行設(shè)置,并測(cè)試KAPPA晶圓,將本地的測(cè)試結(jié)果與轉(zhuǎn)出廠的測(cè)試結(jié)果進(jìn)行比對(duì),若比對(duì)結(jié)果符合設(shè)定的合格標(biāo)準(zhǔn),則表示KAPPA通過。若未達(dá)到合格標(biāo)準(zhǔn),則需要進(jìn)行近一步的數(shù)據(jù)分析,評(píng)判是否重新做KAPPA。

      KAPPA通過后,用ILD晶圓進(jìn)行探針標(biāo)記檢測(cè)和層間介質(zhì)的破損分析,以評(píng)判晶圓測(cè)試過程中,探針卡上的探針與晶圓的焊墊(pad)之間的接觸情況。如果接觸點(diǎn)的壓力過大,會(huì)累加到焊墊上面,有可能破壞晶圓中間絕緣層,使下層金屬電路產(chǎn)生短路或斷路。通過ILD實(shí)驗(yàn),可以避免上述狀況發(fā)生,并找到探針與焊墊之間合適的接觸壓力和最大允許的接觸次數(shù),以確保大批量生產(chǎn)時(shí)產(chǎn)品的品質(zhì)。

      PMI是用于檢測(cè)探針標(biāo)記的 ,在探針卡上的探針與晶圓的焊墊接觸后,選取不同位置的一定數(shù)量的探針標(biāo)記點(diǎn),在高倍顯微鏡下進(jìn)行檢查,這項(xiàng)檢測(cè)同樣是在ILD晶圓上進(jìn)行的。如果說ILD實(shí)驗(yàn)是對(duì)探針與焊墊之間接觸點(diǎn)的深度做了檢測(cè)的話,那么PMI則是對(duì)探針標(biāo)記點(diǎn)在焊墊上的位置做了檢測(cè)。探針標(biāo)記點(diǎn)在焊墊上的位置必須在標(biāo)準(zhǔn)范圍內(nèi),距離焊墊邊緣過近,或者超出焊墊范圍的,都是不被接受的,需要重新檢查探針卡,調(diào)試機(jī)器,重新檢測(cè),直至得到合格的探針標(biāo)記。

      GR&R是在晶圓測(cè)試的數(shù)據(jù)中選取了一些測(cè)試參數(shù),進(jìn)行數(shù)據(jù)分析,以檢驗(yàn)測(cè)量系統(tǒng)(包括人員,機(jī)器和物料)的穩(wěn)定性。若數(shù)據(jù)分析結(jié)果符合設(shè)定的合格標(biāo)準(zhǔn),則表示GR&R通過。若未達(dá)到合格標(biāo)準(zhǔn),則需要重新進(jìn)行測(cè)試晶圓,提取數(shù)據(jù),再次分析結(jié)果。

      以上相關(guān)性評(píng)測(cè)全部通過后,需要得到負(fù)責(zé)該產(chǎn)品的產(chǎn)品工程師和器件工程師的批準(zhǔn),如有需要,還要通過市場(chǎng)事業(yè)部通知最終客戶,并得到其批準(zhǔn)。獲得批準(zhǔn),才表示該產(chǎn)品在轉(zhuǎn)入廠已達(dá)到合格標(biāo)準(zhǔn),可以正式進(jìn)行晶圓測(cè)試。

      3. 正式生產(chǎn)驗(yàn)證

      在正式投產(chǎn)之前,第一個(gè)正式的生產(chǎn)批將用于檢驗(yàn)整個(gè)生產(chǎn)流程的有效性與準(zhǔn)確性,測(cè)試結(jié)果產(chǎn)生和數(shù)據(jù)傳輸?shù)耐陚湫浴_@個(gè)生產(chǎn)批必須使用正式的生產(chǎn)流程進(jìn)行晶圓測(cè)試。器件工程師將審核全部測(cè)試結(jié)果,達(dá)到合格標(biāo)準(zhǔn)后,將其放行至下一站。

      至此,轉(zhuǎn)入廠別確認(rèn)為完全符合對(duì)該產(chǎn)品進(jìn)行晶圓測(cè)試的合格標(biāo)準(zhǔn),可以開始批量生產(chǎn)。

      對(duì)于集成電路產(chǎn)品晶圓測(cè)試地點(diǎn)的變動(dòng)事例,遵循標(biāo)準(zhǔn)的操作程序,是保證晶圓測(cè)試合格的關(guān)鍵。從而,避免了因晶圓測(cè)試地點(diǎn)的改變,影響了產(chǎn)品品質(zhì),給客戶造成不良影響。

      參考文獻(xiàn)

      [1]戴鵬飛. 測(cè)試工程與Lab VIEW應(yīng)用[M].北京: 電子工業(yè)出版社, 2006.

      [2]Sheng Liu, Yong Liu Wafer Probing Test Published Online 2 Sep.2011

      [3]中國科學(xué)院半導(dǎo)體研究所理化分析中心研究室. 半導(dǎo)體的檢測(cè)與分析[M]. 北京: 科學(xué)出版社,1984.269.

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