光刻膠
- 一種基于光刻膠犧牲層的RF MEMS 開關(guān)制備方法*
比于上述材料，光刻膠作為犧牲層時具有厚度易控制、釋放過程簡單、材料兼容性好等優(yōu)點［11～14］。此外，由于光刻膠的流動性好，能極大提高犧牲層表面的平整度，滿足不同懸浮結(jié)構(gòu)的制備要求。2017年，韋劍等人采用BP212 正性光刻膠作為犧牲層，制作了表面完整、梯度應(yīng)力小的懸臂梁薄膜結(jié)構(gòu)［15］；2020 年，Ashudeep 等采用AZ-4620 光刻膠作為犧牲層，成功制備了2um 厚的固支梁結(jié)構(gòu)［16］；同年，Prem 等人研究了AZ-P4620 光刻膠作為
艦船電子工程 2023年3期2023-07-05
- 無懼斷供！光刻膠國產(chǎn)化提速
顏媛媛光刻膠斷供傳聞不斷一則傳聞再次將光刻膠推到了風(fēng)口浪尖。近期國內(nèi)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)傳出繼美國所屬DuPont杜邦等公司開始逐步減少對國內(nèi)光刻膠供應(yīng)后，日系光刻膠大廠信越化學(xué)Shin-Etsu 可能存在限制或者斷供國內(nèi)中高階晶圓制程光刻膠的可能性，引發(fā)爭議。不過，目前該消息并沒有得到明確的證實。然而，相對確切的消息是日本宣布解除了對韓半導(dǎo)體原材料的出口管制，其中也包含光刻膠這一項材料，這讓不少市場人士認為“美日荷”聯(lián)手攪動半導(dǎo)體市場的影響正在擴大，通過利益交換，
電腦報 2023年12期2023-04-04
- 基于SU—8光刻膠的微光學(xué)元件制備工藝研究*
型化。SU—8光刻膠作為一種新型的負性光刻膠，近幾年來被廣泛用于光通信和制作結(jié)構(gòu)模具[6]，而作為光學(xué)傳感器內(nèi)部元件的研究則較少。目前,傳統(tǒng)的光學(xué)儀器與傳感器中，占用體積較大的則為內(nèi)部的光學(xué)透鏡模組以及復(fù)雜的光路系統(tǒng)，如Winkowski M等人[7]設(shè)計的光學(xué)痕量氣體檢測系統(tǒng)，其透鏡間距達到了65 cm，透鏡直徑也大于5 cm。利用MEMS工藝的批量制備優(yōu)勢與SU—8光刻膠相結(jié)合，可以極大縮小光學(xué)透鏡模組的體積；同時,復(fù)雜的光路也可以實現(xiàn)單次制備即可完成
傳感器與微系統(tǒng) 2022年11期2022-11-11
- 金屬基極紫外光刻膠
的光照射在涂有光刻膠薄膜的硅晶圓上，引發(fā)光刻化學(xué)反應(yīng)，實現(xiàn)曝光區(qū)域溶解性的改變，經(jīng)過后烘(post exposure bake,PEB)、顯影、刻蝕等過程之后，將掩膜版上的圖案轉(zhuǎn)移到硅片基底上[2](圖1)，最終經(jīng)過后序工藝制備得到所需的微納器件。圖1 光刻工藝示意圖Fig.1 Schematic illustration of the photolithography process光刻膠是光刻工藝的核心基礎(chǔ)材料，主要成分由樹脂、光敏劑、溶劑和其他助劑組
化工學(xué)報 2022年8期2022-09-13
- 基于分子動力學(xué)模擬的光刻膠轉(zhuǎn)移機理分析
面雕刻，通過對光刻膠的曝光，實現(xiàn)超衍射極限分辨率加工［7］。但是，在近場光刻系統(tǒng)中，光刻膠的曝光環(huán)境非常復(fù)雜，以至于影響磁頭與磁盤之間的飛行穩(wěn)定性，進而導(dǎo)致光刻過程失敗。分子動力學(xué)模擬（Molecular Dynamics Simulations，MD）是一種結(jié)合了物理、數(shù)學(xué)和化學(xué)的理論計算方法，主要依靠牛頓力學(xué)確定論的熱力學(xué)計算方法，通過對不同狀態(tài)的分子或原子系統(tǒng)抽取樣本，進而計算體系的熱力學(xué)物理量以及其他的宏觀性質(zhì)。同時，MD還可以配合OVITO（Op
實驗室研究與探索 2022年4期2022-08-06
- 基于專利信息的半導(dǎo)體光刻膠領(lǐng)域發(fā)展與現(xiàn)狀分析*
［1，2］。而光刻膠作為一種感光材料，是制造集成電路中的關(guān)鍵材料，也是光刻工藝中最關(guān)鍵的功能性化學(xué)材料［3-5］。光刻膠又稱為光致抗蝕劑，主要由成膜樹脂、光敏劑、溶劑和其他助劑組成［6］，按照應(yīng)用范圍可分為印刷電路板（Printed Circuit Board，PCB）光刻膠、液晶顯示（Liquid Crystal Display，LCD）光刻膠和半導(dǎo)體光刻膠三大類。其中半導(dǎo)體光刻膠與另外兩種光刻膠相比，技術(shù)壁壘較高，因而一定程度上能夠反映出光刻膠技術(shù)的先
世界科技研究與發(fā)展 2022年3期2022-07-14
- 拋光液組分對3D微同軸中銅和光刻膠化學(xué)機械拋光速率選擇性的影響
多余的銅，加之光刻膠旋涂時存在誤差，在將銅大量去除后還需將銅和光刻膠同時去除5 μm左右，而化學(xué)機械拋光(CMP)是目前微電子技術(shù)領(lǐng)域唯一能夠?qū)崿F(xiàn)全局和局部平坦化的方法。因此，為滿足微同軸的結(jié)構(gòu)精度和性能要求，應(yīng)對銅/光刻膠軟質(zhì)復(fù)合材料進行兩步CMP[3]：第一步是去除電鍍后多余的銅，第二步是以接近1∶1的去除速率選擇比同時去除銅和光刻膠。微同軸加工所用的光刻膠是重氮萘醌系的正性膠，以酚醛樹脂為光刻膠樹脂，重氮萘醌為感光劑。酚醛樹脂通常以苯酚和甲醛為原料，
電鍍與涂飾 2022年7期2022-05-06
- 我國半導(dǎo)體光刻膠行業(yè)發(fā)展現(xiàn)狀及對石化產(chǎn)業(yè)建議
卡脖子”難題。光刻膠是芯片最重要的原料，廣泛應(yīng)用于信息通訊、顯示、新能源等多個“十四五”規(guī)劃重點發(fā)展領(lǐng)域，市場潛力巨大[1-2]。我國高端半導(dǎo)體光刻膠幾乎全部依賴進口。美國斷供華為高端芯片，日本斷供韓國光刻膠，導(dǎo)致華為、三星等知名企業(yè)陷入困境；半導(dǎo)體光刻膠目前已經(jīng)關(guān)乎到國家戰(zhàn)略安全，快速實現(xiàn)其國產(chǎn)化替代意義重大。國外化工巨頭正積極布局半導(dǎo)體光刻膠，搶占戰(zhàn)略制高點；而我國半導(dǎo)體光刻膠技術(shù)尚在起步階段，與國外先進技術(shù)存在較大差距。在政策及市場的雙輪驅(qū)動下，中國
當代石油石化 2022年3期2022-04-07
- 國內(nèi)外光刻膠發(fā)展概述
分辨率的同時對光刻膠的研發(fā)提出了更高的要求。后續(xù)對紫外光刻膠的種類和發(fā)展歷程進行重點分析。1 國外光刻膠研究、發(fā)展歷程光刻膠是一種對光敏感的材料，可以將需要的圖案轉(zhuǎn)移到基底上。光刻膠在接觸一定劑量的光輻照后發(fā)生相應(yīng)的化學(xué)反應(yīng)，溶解性/溶解速率發(fā)生變化形成反差以達到圖形轉(zhuǎn)移的目的[4]。隨著曝光系統(tǒng)中的光源波長減小，隨之配套的光刻膠也經(jīng)歷了不同時期的發(fā)展。1.1 酚醛樹脂基光刻膠酚醛樹脂基光刻膠作為一種常見的I-線、G-線光刻膠被廣泛應(yīng)用，它主要包含酚醛樹脂
化工管理 2022年7期2022-03-23
- 關(guān)于解決晶背污染的方法研究
染，即圓背部被光刻膠沾污，主要發(fā)生在后道的圖形化工藝過程中，產(chǎn)生的原因主要與光刻膠的特性有關(guān)：一種是光刻膠黏度值比較大，在旋涂過程中，在晶圓邊緣由于旋轉(zhuǎn)線速度過大，容易產(chǎn)生膠絲，沾染晶背；還有一種是光刻膠特別容易揮發(fā)，在光刻膠攤開鋪滿整個晶圓的過程中，自然揮發(fā)產(chǎn)生大量霧狀顆粒，隨后慢慢凝聚產(chǎn)生膠絲，從而污染整個晶背。上述兩種是較為常見的晶背污染根源的產(chǎn)生方式，根據(jù)這兩種晶背污染的產(chǎn)生方式，本文提出了以下兩種解決晶背污染的實用辦法，適用于大多數(shù)勻膠顯影工藝生
現(xiàn)代工業(yè)經(jīng)濟和信息化 2022年10期2022-03-15
- 光刻膠涂膠厚度均勻性影響因素探究
性[2]。影響光刻膠厚度均勻性的因素有很多，如旋轉(zhuǎn)速度、光刻膠的溫度、冷板溫度及排風(fēng)壓力等。本文針對掩模版的涂膠膠厚均勻性的影響因素進行深入研究，對掩模版的涂膠生產(chǎn)具有指導(dǎo)意義。1 光刻工藝1.1 光刻技術(shù)發(fā)展大多數(shù)IC模型從電路功能的定義開始。如果一個電路的作用很多很復(fù)雜的話，就可以將它分為多個方面的子功能。二級功能塊放置在整體的布局和規(guī)劃之中，為芯片分配空間以供未來規(guī)劃。在這個階段，設(shè)計人員應(yīng)該建立芯片的高級功能作為模型，以執(zhí)行功能檢查和評估性能。然后
電子工業(yè)專用設(shè)備 2022年6期2022-02-17
- 熱敏BARC 顯影工藝時長影響因素研究
再到刻蝕、剝離光刻膠，最后表面檢測、問題查找。其中，晶圓表面準備還包括，晶圓清洗、增黏劑涂底、光刻膠旋涂。勻膠工藝，即光刻膠旋涂過程，作為圖形化工藝器件產(chǎn)品生產(chǎn)的基礎(chǔ)中的基礎(chǔ)，使用的光刻膠也多種多樣。熱敏BARC 作為一種新型BARC 光刻膠，不僅可以作為抗反射層，具有預(yù)防駐波效應(yīng)的作用，還可以與其他PR 或PI光刻膠配合，進行曝光顯影工藝。此外，熱敏BARC光刻膠是一種對勻膠后烘烤，即軟烘熱盤的溫度變化特別敏感的光刻膠，同時，它還對軟烘熱盤腔體環(huán)境內(nèi)的氣
現(xiàn)代工業(yè)經(jīng)濟和信息化 2022年3期2022-02-06
- 國內(nèi)外光刻膠發(fā)展及應(yīng)用探討
崔杰 翟博濤光刻膠是由感光樹脂、增感劑和溶劑為主要成分的一種對光特別敏感的混合液體，別名為“光致抗蝕劑”。光刻膠對光非常敏感，透過光線，其化學(xué)特性就會發(fā)生變化，因此把光刻膠涂敷在硅基片上，再經(jīng)過曝光、顯影、刻蝕等工藝，就可以將設(shè)計好的圖形復(fù)刻到硅基片上，因此光刻膠成為了光電信息產(chǎn)業(yè)中圖形復(fù)刻加工技術(shù)中的關(guān)鍵性材料，在其行業(yè)內(nèi)得到了廣泛的應(yīng)用。隨著電子工業(yè)中集成電路技術(shù)的不斷發(fā)展，芯片器件的特征尺寸在不斷的減小，芯片的集成度越來越高，同時體積也越來越小。作
新材料產(chǎn)業(yè) 2021年5期2021-10-29
- 水性丙烯酸醇酸樹脂紫外光刻膠的制備與性能研究
紫外光固化水性光刻膠。用紅外光譜表征了產(chǎn)物結(jié)構(gòu);用粒度分布儀測得不同pH下產(chǎn)品的粒徑大小;用粘度儀測定產(chǎn)品在不同pH下的粘度。此水性丙烯酸醇酸樹脂對石英玻璃或鋁箔的附著力較好，可望用作制造集成電路芯片的光刻膠。關(guān)鍵詞：植物油; 醇酸樹脂; 水性膠粘劑; 紫外光固化; 光刻膠中圖分類號：TQ437 文獻標識碼：A 文章編號：1001-5922（2021）06-0001-04Abstract：Waterborne alkyd resin was prepare
粘接 2021年6期2021-08-09
- 先進制程用光刻膠及TMAH 顯影液的改進
，其進步離不開光刻膠及配套顯影液試劑的不斷發(fā)展。其中，光刻膠是一種被光源曝光前后，在顯影液中溶解度會發(fā)生變化的有機物，是集成電路中微細圖形加工的關(guān)鍵材料之一，其主要由感光化合物、基體材料和溶劑組成。光刻膠組分中的感光化合物具有一定的光敏特性，能夠在曝光前后發(fā)生變化，并且對光刻膠在顯影液中的溶解性產(chǎn)生影響；基體材料多為聚合物，在曝光前后，由于感光化合物的變化，其溶解度在顯影液中也會有所變化；使用的溶劑一般為醇醚類有機溶劑。與光刻膠配套使用的顯影液主要采用濃度
浙江化工 2021年7期2021-08-06
- 芯片缺貨，怎么光刻膠火了？
上游傳遞，導(dǎo)致光刻膠跟著供不應(yīng)求，成為資本市場新的焦點。芯片產(chǎn)業(yè)鏈上游材料那么多，為何是光刻膠首當其沖跟著緊缺？在國產(chǎn)替代背景下，哪些光刻膠企業(yè)受益匪淺？光刻膠為何吃香公開資料顯示，光刻膠是一種對光敏感的混合液體，也是微電子技術(shù)中微細圖形加工最重要的關(guān)鍵材料，光刻膠的質(zhì)量對光刻工藝有著重要影響，其主要作用是在光刻過程中，起到防腐蝕的保護作用。粗看，似乎并未有特別之處。其實不然，光刻膠是一個技術(shù)門檻頗高的行業(yè)，主要由日本、美國的企業(yè)把持，日本合成橡膠、東京應(yīng)
電腦報 2021年12期2021-07-01
- 國產(chǎn)Lift- Off 光刻膠在空間用太陽電池中的應(yīng)用
，其特點是采用光刻膠材料，以光學(xué)加工的形式制備出特定光刻膠圖形，最終制備出符合設(shè)計需求的金屬圖形，是制備空間用太陽電池上電極柵線的主要方式。Lift-Off光刻技術(shù)主要分為兩種：一種是采用反轉(zhuǎn)光刻膠的光刻技術(shù)[2]；另一種是采用負性光刻膠的光刻技術(shù)。反轉(zhuǎn)光刻膠具有精度高、穩(wěn)定性好的優(yōu)勢，長期以來在空間用太陽電池的生產(chǎn)工藝中廣泛采用。本文采用的負性光刻膠體系具備工藝時間短的優(yōu)勢[3]，只需一次曝光，但是其工藝穩(wěn)定性尚未在空間用太陽電池工藝中得到驗證。因此，我
科學(xué)技術(shù)創(chuàng)新 2021年10期2021-04-26
- 基于納米劃痕的電子束光刻膠微觀力學(xué)性能研究
EP-520 光刻膠（體積比為1∶1 的α-氯甲基丙烯酸酯和α-甲基苯乙烯混合試劑）由于具有高靈敏度、高分辨率的特性，而被廣泛應(yīng)用于電子束光刻[1-2]、集成電路制備[3]以及現(xiàn)代光測力學(xué)中[4]。在電子束光刻中，其所制備的最小孔徑可達8 nm[5]，通過電子束直寫技術(shù)所制備的高頻正交光柵頻率可達 14 832線/mm[6]。但在微納米器件加工和光柵制備過程中，尤其在光刻膠工作尺度進入百納米量級時，光刻膠膠層經(jīng)常出現(xiàn)開裂和脫粘問題[3,7-8]。為提高光刻
表面技術(shù) 2021年3期2021-04-07
- 光刻膠國產(chǎn)替代的受益鏈
顧天嬌光刻膠受限于人，國內(nèi)相關(guān)概念公司股價缺乏支撐。2月13日，日本福島東部海域發(fā)生7.3級地震，受地震影響，信越化學(xué)、瑞薩電子等半導(dǎo)體廠商在當?shù)氐墓S只能暫停生產(chǎn)。信越化學(xué)目前占據(jù)全球光刻膠市場份額超兩成，如今其生產(chǎn)以及海外供貨受阻，已有下游代理商考慮配合運輸與相關(guān)成本提高，調(diào)漲新合約報價。因此，預(yù)計本次停產(chǎn)事件除了將加劇全球汽車芯片產(chǎn)能的緊張程度，還將對光刻膠供應(yīng)造成負面影響。事實上，多次日本大地震都曾引發(fā)市場對于半導(dǎo)體產(chǎn)能不確定性的擔憂，由此導(dǎo)致國內(nèi)
英才 2021年3期2021-03-12
- TFT-LCD 四次光刻工藝中的光刻膠剩余量
其中，精確控制光刻膠剩余膜厚極為重要[7-8]，直接關(guān)系到導(dǎo)電溝道的寬長比 (W/L)，進而影響TFT的電學(xué)特性。在半光刻工藝中，減壓干燥時間、預(yù)烘溫度、曝光量、顯影時間都直接影響半光刻區(qū)域光刻膠剩余量。一方面，光刻膠剩余量過大，易導(dǎo)致源漏金屬層短接，形成亮點異常；光刻膠剩余量過小，則溝道處非晶銦鎵鋅氧化物可能被刻開，導(dǎo)致無法驅(qū)動，形成暗點。更為重要的是，陣列基板上AA區(qū)域(Active area)和GOA區(qū)域 (Gate on array)TFT的寬長比
液晶與顯示 2021年2期2021-03-02
- 基于單色光干涉的光刻膠膜厚測量方法
測量納米級別的光刻膠的厚度。傳統(tǒng)的光刻膠膜厚測量方式是通過實驗人員的個人經(jīng)驗，以及光刻膠供應(yīng)商提供的光刻膠旋涂轉(zhuǎn)速-膠厚關(guān)系表，來大致判斷在某轉(zhuǎn)速下光刻膠的厚度大小。由于在旋涂前需要稀釋光刻膠才能使用，所以這種傳統(tǒng)的測量方法僅能用于大致判斷光刻膠的厚度范圍，卻不能得到精確的光刻膠信息。光刻膠的膠膜厚度是光刻工藝中重要參數(shù)之一，用高效精確的方法得到光刻膠厚度就能更好地控制調(diào)整曝光時間，從而得到更符合要求的元器件。為了精確測量光刻膠的膜厚，在此研究一種基于單色
機械與電子 2021年2期2021-03-02
- 彩色濾光片之光刻膠的特性探究與用量改善
的關(guān)鍵材料就是光刻膠。光刻膠的特性將直接決定產(chǎn)品的光學(xué)性能與產(chǎn)品品質(zhì)，同時因為其價格昂貴，故對光刻膠的特性研究與用量改善對實際生產(chǎn)具有重要的意義。2 光刻膠的特性光刻膠在陣列圖案化工藝中僅起到掩膜的作用，是正性光刻膠；在彩色濾光片圖案化工藝中直接起到圖案的作用，是負性光刻膠。主要組成是顏料、溶劑、分散劑、單體、聚合體和光起始劑等。顏料：是光刻膠呈現(xiàn)顏色的關(guān)鍵成分，色度由其決定。顏料的化學(xué)結(jié)構(gòu)、粒徑和粒子的聚集狀態(tài)等，影響著光刻膠的性能。RGB 分別以RGB
科學(xué)技術(shù)創(chuàng)新 2021年1期2021-01-20
- 用于PolyStrata技術(shù)的光刻工藝探索研究
在硅基表面利用光刻膠制作電鑄母型，電化學(xué)沉積在其上電鑄金屬Cu，利用研磨或拋光將基片表面平坦化處理，根據(jù)器件結(jié)構(gòu)重復(fù)上述過程，最后釋放光刻膠得到懸空的內(nèi)導(dǎo)體及空氣腔結(jié)構(gòu)。微同軸器件一般通過五到十一層金屬銅堆疊實現(xiàn)，圖1以五層同軸傳輸線結(jié)構(gòu)為例介紹PolyStrata技術(shù)的工藝流程。如圖1所示，每層銅厚50μm～100μm，傳輸線截面寬高都在百微米左右，復(fù)雜結(jié)構(gòu)根據(jù)器件需求在層數(shù)及尺寸上都有增加，但整體尺寸在毫米級。圖1 基于PolyStrata技術(shù)的五層同
遙測遙控 2020年6期2021-01-12
- 極紫外光刻膠產(chǎn)氣的定性和定量檢測
t， EUV）光刻膠產(chǎn)氣檢測系統(tǒng)， 對以分子玻璃（Molecular glass）螺芴（9，9′-Spirobifluorene， SP）為主體材料的光刻膠薄膜體系Film A、B、C和D進行產(chǎn)氣的定性和定量分析， 其中， Film A的主體材料外圍取代基團為叔丁氧羰基（t-Butylcarbonyl， Boc）， Film B和C是在Film A光刻膠薄膜頂層覆蓋不同厚度的保護層， Film D的主體材料外圍取代基團為醋酸金剛烷酯（Adamantyl a
分析化學(xué) 2020年12期2020-12-25
- 萘酚基酚醛樹脂的合成及其在lift-off光刻膠中的應(yīng)用
芯片制造工藝對光刻膠的性能不斷提出新的要求，其中的金屬剝離工藝(lift-off process)較為典型[1]，該類工藝要求所使用的光刻膠經(jīng)過曝光、顯影后其剖面可以形成倒梯形或底切(undercut)形貌。通常lift-off光刻膠主要由成膜樹脂(酚醛樹脂或?qū)αu基苯乙烯樹脂)、光致產(chǎn)酸劑(PAG)、交聯(lián)劑、吸光劑及溶劑組成。曝光區(qū)域的PAG產(chǎn)酸引發(fā)交聯(lián)反應(yīng)，這種體系一般屬于負性光刻膠體系[2,3]。通過調(diào)整光刻膠配方中吸光劑的濃度可以得到倒梯形的側(cè)面結(jié)構(gòu)
影像科學(xué)與光化學(xué) 2020年4期2020-08-08
- 248 nm深紫外光刻膠用成膜樹脂的研究進展
00)1 引言光刻膠又稱作光致抗蝕劑[1]，廣義上是指經(jīng)過不同波長的光或電子束、離子束、X射線等照射或輻射后，在曝光區(qū)域發(fā)生交聯(lián)或降解，從而改變其在顯影液中的溶解度和親疏水性的混合物。根據(jù)曝光后在顯影液中溶解度的變化情況，可分為正型光刻膠(光降解型，所得圖形與掩膜版相同)和負型光刻膠(光交聯(lián)型，所得圖形與掩膜版相反)。光刻膠的主要成分包括成膜樹脂、感光劑、阻溶劑、溶劑和添加劑等。成膜樹脂作為其中重要的組成部分，關(guān)系到光刻膠整體的性能。隨著光刻工藝的曝光波長
影像科學(xué)與光化學(xué) 2020年3期2020-05-25
- 化學(xué)增幅型光刻膠材料研究進展
成度越來越高，光刻膠的分辨率也隨之提高，對應(yīng)的曝光波長越來越短。光刻技術(shù)已從G 線(436 nm)光刻、I 線(365 nm)光刻、深紫外線(deep ultraviolet，DUV)光刻發(fā)展到極紫外(extreme ultraviolet，EUV)光刻[4,5]，與之對應(yīng)的光刻膠也隨之發(fā)生變化。光刻膠中各組分相互作用，影響光刻膠的感度、分辨率、對比度、粘度、粘附性、耐熱性、耐蝕刻性等性能[6]。光刻膠的感度是其性能中的一個重要參數(shù)，直接影響到芯片的生產(chǎn)效
影像科學(xué)與光化學(xué) 2020年3期2020-05-25
- 晶圓表面光刻膠的涂覆與刮邊工藝的研究
路所用的載體。光刻膠是指通過紫外光、準分子激光束、X 射線、電子束、離子束等照射，能使溶解度發(fā)生變化的耐蝕刻高分子材料，主要被應(yīng)用于集成電路和半導(dǎo)體分立器件的微細圖形加工。近年來，隨著紅外技術(shù)的不斷發(fā)展,光刻膠被逐步應(yīng)用于光電子領(lǐng)域平板顯示器的制作[1]。目前，客戶現(xiàn)場沒有自動設(shè)備，生產(chǎn)線滴膠、勻膠、刮膠等工藝流程完全由人工手工完成。滴膠量以及刮膠精度完全靠肉眼識別，精度較差，成品合格率較低。本文主要論述光刻膠的特性及其在碲鎘汞紅外探測器制造中的具體應(yīng)用。
機械管理開發(fā) 2020年11期2020-04-15
- 國內(nèi)外集成電路光刻膠研究進展
江洪 王春曉光刻膠又名“光致抗蝕劑”，是一種在紫外光等光照或輻射下，其溶解度會發(fā)生變化的薄膜材料。光刻膠的配方較為復(fù)雜，通常由增感劑、溶劑、感光樹脂以及多種添加劑成分構(gòu)成[1]，是集成電路制造的關(guān)鍵基礎(chǔ)材料之一，是光刻技術(shù)中涉及到最關(guān)鍵的功能性化學(xué)材料[2]，廣泛用于印刷電路和集成電路的制造以及半導(dǎo)體分立器件的微細加工等過程[3]。光刻膠分為光聚合型、光分解型、光交聯(lián)型、含硅光刻膠等種類。光刻膠的主要參數(shù)有分辨率、對比度、靈敏度、粘滯性黏度、抗蝕性、表面
新材料產(chǎn)業(yè) 2019年10期2019-12-23
- 基于SU-8厚膠光刻技術(shù)的爆炸箔加速膛工藝研究
要 SU-8光刻膠是厚膠工藝常用的光刻膠，它是一種基于EPON SU-8樹脂的環(huán)氧型、負性、近紫外線光刻厚膠，由于曝光時SU-8光刻膠層能夠得到均勻一致的曝光量，故使用SU-8光刻膠可獲得具有垂直側(cè)壁和較大高深寬比的厚膜圖形。本文基于爆炸箔加速膛產(chǎn)品要求，研究了決定SU-8厚膠光刻后產(chǎn)品質(zhì)量的主要工藝參數(shù)：膠厚與涂膠轉(zhuǎn)速的關(guān)系、前后烘溫度與時間、曝光量、顯影時間等。獲得了適用于片式薄膜爆炸箔加速膛的SU-8厚膠光刻方案。關(guān)鍵詞 SU-8光刻膠 光刻工藝
科教導(dǎo)刊·電子版 2019年30期2019-12-12
- 基于支持向量機的光刻膠粘接芯片存儲安全檢測
劉芳摘要：光刻膠因其良好的性能被運用于芯片中，是芯片制作不可缺少的重要材料。對于保證光刻膠粘接芯片的存儲安全，需要對其進行檢測。文章將基于支持向量機檢測光刻膠粘接芯片存儲安全，為了提高檢測的準確率，引入深度置信網(wǎng)絡(luò)。通過仿真實驗的方法，研究支持向量算法、深度置信網(wǎng)絡(luò)算法、兩者相結(jié)合的算法對光刻膠粘接芯片存儲安全進行檢測。研究結(jié)果表明支持向量算法的檢測準確率低于深度置信網(wǎng)絡(luò)算法低于兩者相結(jié)合的算法，即兩者相結(jié)合的算法檢測光刻膠粘接芯片存儲安全的準確率更高、誤
粘接 2019年9期2019-11-08
- MOEMS器件的硅微透鏡陣列制造工藝
效率低。(3)光刻膠熱熔法：將光刻得到的圓柱圖形加熱至高于玻璃化轉(zhuǎn)換溫度，使光刻膠在表面張力作用下流動形成微透鏡。Ph Nussbaum、Hiroshi Toshiyoshi和T.H.Lin等人先后對此進行了研究[6-10]。該方法制作微透鏡工藝簡單、成本低，且表面光潔，適于制作微米級的透鏡，對毫米級的透鏡制作則較為困難。對于焦平面陣列器件來說，盡管單個像元是μm級，但包含M×N像元陣列的芯片則達到了mm級，與此對應(yīng)的單個透鏡的有效通光口徑也達到了mm級。
儀表技術(shù)與傳感器 2019年10期2019-11-05
- 對彩色濾光膜RGB光刻膠性質(zhì)的分析與研究
濾光膜中RGB光刻膠性質(zhì)和功能進行了分析，以期為該技術(shù)的發(fā)展提供一些理論上的幫助和支持。關(guān)鍵詞：彩色濾光膜;RGB;光刻膠在當下的信息化時代，液晶顯示器已然成為主流顯示器，彩色濾光膜通過光刻的原理在白玻璃上做出圖形，其高對比度、高平整度、高透過率和色純度、良好的耐受性等品質(zhì)和性能在不斷地提高。本文對彩色濾光膜RGB光刻膠性質(zhì)進行了簡要的分析和研究，以期為該技術(shù)的發(fā)展提供一些理論上的幫助和支持。1? ? RGB光刻膠光刻膠包括負性膠和正性膠，主要是依據(jù)化學(xué)反
科學(xué)大眾 2019年8期2019-10-21
- 含POSS光刻膠材料研究進展
光致抗蝕劑又稱光刻膠，是一種經(jīng)過曝光后能發(fā)生光化學(xué)反應(yīng)，引起曝光區(qū)溶解性能的變化，通過顯影實現(xiàn)精細圖形轉(zhuǎn)移的材料。光刻技術(shù)是指利用光刻膠的曝光、顯影、刻蝕、去膠等過程，實現(xiàn)將精細圖形從掩膜板(mask)轉(zhuǎn)移至基材上的技術(shù)[1]。光刻膠分為正膠和負膠：曝光后選擇適當?shù)娘@影液將曝光區(qū)顯影除去，未曝光區(qū)保留下來，形成與掩膜板一致的圖像為正膠；而未曝光區(qū)被顯影除去，形成與掩膜板相反的圖像，則為負膠。評價光刻膠性能的主要參數(shù)包括分辨率(resolution)、靈敏度
影像科學(xué)與光化學(xué) 2019年5期2019-09-25
- 光刻制程參數(shù)對光刻膠DICD和錐角的影響
光刻工藝制程后光刻膠的關(guān)鍵尺寸(Develop Inspection Critical Dimension，DICD)對FICD產(chǎn)生決定性影響[2]。光刻制程是一個圖形轉(zhuǎn)移的過程：曝光光源經(jīng)過掩膜板(Mask)、透鏡，將掩膜板圖形成像于玻璃基板上，經(jīng)過顯影后，玻璃基板上的光刻膠形成與掩膜板一樣的電路圖案[3-4]。以正性光刻膠為例，形成圖案的光刻膠寬度被稱作DICD；同時，形成圖案的光刻膠在截面方向形成錐角或坡度角，此錐角在TFT行業(yè)被稱作Taper[5]
液晶與顯示 2019年2期2019-03-26
- 4-Mask工藝Cu腐蝕分析及改善研究
半導(dǎo)體層干刻、光刻膠的灰化、第二次銅濕刻以及源/漏電極之間的歐姆接觸層干刻，其中有源半導(dǎo)體層干刻和光刻膠的灰化通常在一個干刻反應(yīng)腔內(nèi)連續(xù)完成。銅是比較活潑的金屬，在上述刻蝕過程中容易發(fā)生腐蝕從而造成不良[5-7]。本文針對4-Mask工藝銅數(shù)據(jù)線腐蝕造成的鋸齒狀不良現(xiàn)象進行系統(tǒng)研究，確定腐蝕發(fā)生的工藝步驟和發(fā)生機理，同時討論了改善腐蝕的方法，成功解決了銅數(shù)據(jù)線腐蝕問題，為銅導(dǎo)線的廣泛應(yīng)用提供技術(shù)參考。2 銅腐蝕原因分析及機理研究2.1 不良現(xiàn)象確認本論文采
液晶與顯示 2019年2期2019-03-26
- 我國正性光刻膠的制備與應(yīng)用研究進展
730060）光刻膠是一類通過光束、電子束、離子束等能量輻射后，溶解度發(fā)生變化的耐蝕刻薄膜材料，在集成電路和半導(dǎo)體分立器件的微細加工中有著廣泛的應(yīng)用[1～5]。通過將光刻膠涂覆在半導(dǎo)體、導(dǎo)體和絕緣體材料上，經(jīng)曝光、顯影后留下的部分對底層起保護作用，然后采用蝕刻劑進行蝕刻就可將所需要的微細圖形從掩膜版轉(zhuǎn)移到待加工的襯底上，因此光刻膠是微細加工技術(shù)中的關(guān)鍵材料。跟據(jù)光化學(xué)反應(yīng)機理不同，光刻膠分為正性光刻膠與負性光刻膠：曝光后，光刻膠在顯影液中溶解性增加，得到與
粘接 2019年1期2019-02-21
- 基于MEMS結(jié)構(gòu)的旋轉(zhuǎn)式涂膠、噴霧式涂膠工藝的比較
.引言目前涂布光刻膠的工藝被廣泛的應(yīng)用于集成電路（IC）的領(lǐng)域當中對于一些微電子機械系統(tǒng)（MEMS）應(yīng)用以及3D微結(jié)構(gòu)中圖案轉(zhuǎn)移到形貌起伏很大的晶圓表面工藝需要在平面上和不規(guī)則面上均勻地涂布光刻膠。迄今為止，主要有兩種光刻膠涂布工藝應(yīng)用于MEMS設(shè)備中。旋轉(zhuǎn)式涂膠工藝（spin coating）是最傳統(tǒng)的涂膠工藝，由于其很難滿足三維晶圓微結(jié)構(gòu)的要求，因此適合在平坦表面均勻涂布抗蝕劑。相應(yīng)的，人們提出了噴霧式涂膠工藝。噴霧式涂膠工藝則很好地克服了這些問題。它
電子世界 2018年22期2018-12-06
- 應(yīng)用于MEMS及3D-IC封裝中的噴膠技術(shù)
用AZ4620光刻膠，對375μm深的TSV孔進行霧化噴膠。引言：隨著微電子機械系統(tǒng)（MEMS）與3D-IC封裝技術(shù)應(yīng)用的發(fā)展，為了滿足不斷發(fā)展的小尺寸和高集成度的器件要求，需要在非平整的表面上（具有溝道、V型槽以及深孔）覆蓋共形的光刻膠。硅通孔技術(shù)（TSV）作為3D-IC封裝中重要的工藝技術(shù)，通過芯片到芯片、晶圓到晶圓間的垂直互聯(lián)，從而得到堆疊密度大、尺寸小、運行速度快、功耗小的高質(zhì)量芯片。所以向具有不平整形貌的TSV結(jié)構(gòu)涂覆光刻膠的需求越來越大，這就促
電子世界 2018年20期2018-11-14
- 勻膠膠厚均勻性的研究
圖形印制在涂有光刻膠的電阻合金膜層上，曝光后被掩膜版覆蓋的光刻膠部分得到保護，而未被掩膜版覆蓋的光刻膠部分，被紫外光照射后光刻膠發(fā)生分解反應(yīng)，后期在經(jīng)過顯影液的清洗，將曝光后的光刻膠去除，得到掩膜版上預(yù)期的圖形，再經(jīng)過濕法刻蝕去除沒有光刻膠保護的電阻合金膜層，來得到想要的電阻圖形實現(xiàn)阻值的提高。光刻工藝的優(yōu)點是顯而易見的，最主要的是圖形分辨率高，還原度高，不像激光調(diào)阻使合金膜層受到高溫影響，產(chǎn)品一致性及長期穩(wěn)定性好，但是光刻工藝同樣由于操作的復(fù)雜程度、選取
- 光刻膠：國產(chǎn)化勢不可擋
長江證券 馬太光刻膠：國產(chǎn)化勢不可擋長江證券 馬太光刻膠是在微電子制造業(yè)中實現(xiàn)精細線路及圖形加工工藝的核心材料。光刻技術(shù)利用光刻膠在輻射前后溶解度的差異來轉(zhuǎn)移圖案，不同光刻膠及曝光光源的組合會得到不同精細度的線路圖形，目前分辨率最高可達納米級。根據(jù)應(yīng)用領(lǐng)域分類，光刻膠可分為PCB光刻膠、LCD光刻膠、半導(dǎo)體光刻膠等。全球總需求不斷增長中國產(chǎn)業(yè)信息網(wǎng)數(shù)據(jù)顯示，2015年全球光刻膠市場規(guī)模為73.6億美元，其中PCB光刻膠占比24.5%，LCD光刻膠占比26.
股市動態(tài)分析 2017年41期2017-11-01
- AZ4620紫外厚膠制備金屬小零件工藝研究
Z4620紫外光刻膠在UV-LIGA技術(shù)基礎(chǔ)上制備了高深寬比MESM微結(jié)構(gòu)。研究曝光、顯影關(guān)鍵工藝因素對圖形微結(jié)構(gòu)的影響，解決勻膠、烘培等關(guān)鍵工藝問題，優(yōu)化了AZ4620膠光刻工藝，成功制作出了近30μm厚的AZ4620光刻膠微結(jié)構(gòu)圖形，并通過電鑄銅得到了具有垂直側(cè)壁和高深寬比的精細鍍銅MESM微結(jié)構(gòu)。關(guān)鍵詞：光刻膠；烘焙；曝光；顯影；電鑄引言MEMS（微機電系統(tǒng)）是21世紀科技與產(chǎn)業(yè)的熱點之一，而微細加工技術(shù)又是MEMS發(fā)展的重要基礎(chǔ)。MEMS器件都需要
科技創(chuàng)新與應(yīng)用 2017年16期2017-06-10
- 涂膠顯影技術(shù)改進對光刻工藝的影響
光刻技術(shù)要應(yīng)用光刻膠，它們作為一種聚合可溶解物被涂在襯底表面，然后光刻膠被烘焙除去溶劑，下一步再將其用受控的光線曝光，最后完成圖形轉(zhuǎn)移后就要被去掉。而涂膠顯影技術(shù)的好壞對于光刻工藝來講也有著重要的影響。1 涂膠顯影技術(shù)改進對光刻工藝的影響1.1 光刻工藝光刻工藝制程涵蓋非常廣，光學(xué)，物理，有機化學(xué)等非常多的基礎(chǔ)知識，本文僅從涂膠、曝光、顯影、量測、后烘、去膠等共14個工藝步驟進行簡述，如表1所示，可以了解光刻工藝的基本步驟。圖1為TEL公司的光刻膠涂布顯影
電子工業(yè)專用設(shè)備 2017年2期2017-04-25
- 光刻膠聚硅氧烷和硅倍半氧烷樹脂的合成
261205)光刻膠聚硅氧烷和硅倍半氧烷樹脂的合成馮心奕1，2劉運2周元基2向容2孫遜運2(1．濰坊市第一中學(xué)，山東 濰坊 261205；2．濰坊星泰克微電子材料有限公司，山東 濰坊 261205)介紹了用于高硅光刻膠的聚硅氧烷和硅倍半氧烷樹脂的合成方法。探討了溫度、時間、攪拌等條件對合成結(jié)構(gòu)的影響。該合成方法可操作性強，工藝簡單成本較低。合成得到的聚硅氧烷和硅倍半氧烷樹脂適合用于光刻膠原料，抗蝕性能非常優(yōu)異。聚硅氧烷；聚硅倍氧半烷；光刻膠；刻蝕性能聚硅氧
化工管理 2017年24期2017-03-06
- 集成電路光刻工藝研究
；光刻；工藝；光刻膠DOI：10.16640/j.cnki.37-1222/t.2016.24.0111 緒論1.1 集成電路集成電路（Integrated Circuit，簡稱IC）是20世紀60年代初期發(fā)展起來的一種新型半導(dǎo)體器件。它是經(jīng)過氧化、光刻、擴散、外延、蒸鋁等半導(dǎo)體制造工藝，把構(gòu)成具有一定功能的電路所需的半導(dǎo)體、電阻、電容等元件及它們之間的連接導(dǎo)線全部集成在一小塊硅片上，然后焊接封裝在一個管殼內(nèi)的電子器件。使電子元件向著微小型化、低功耗、智能
山東工業(yè)技術(shù) 2016年24期2017-01-12
- MEMS器件刻蝕工藝優(yōu)化
通過調(diào)整掩蔽層光刻膠的厚度，保持較高線寬分辨率的同時實現(xiàn)了硅片深溝槽的刻蝕加工；采用俄羅斯5026A型雙面光刻機實現(xiàn)了硅片的對準套刻，成功實現(xiàn)了電容式傳感器器件結(jié)構(gòu)的刻蝕工藝，為用戶提供了滿意的產(chǎn)品，證明了該刻蝕工藝的可行性和實用性。關(guān)鍵詞：MEMS器件；光刻膠；厚膜光刻；雙面光刻；對準套刻；深溝槽刻蝕1 引 言MEMS將電子系統(tǒng)和外部世界有機地聯(lián)系起來，它不僅可以感受運動、光、聲、熱、磁等自然界信號，并將這些信號轉(zhuǎn)換成電子系統(tǒng)可以識別的電信號，而且還可以
微處理機 2016年2期2016-06-16
- 熱壓印光刻膠的研究進展
熱壓印光刻膠的研究進展綜述了熱壓印光刻膠的主要分類，重點介紹了熱固性光刻膠和熱塑性光刻膠的研究進展，并介紹了2種光刻膠的應(yīng)用情況，最后指出熱壓印光刻膠今后的發(fā)展方向。熱壓??；光刻膠；熱固性；熱塑性光刻膠是通過紫外光等光照或輻射后，使其曝光（或非曝光）造成部分降解并溶解于特定顯影液的耐蝕刻薄膜材料。光刻膠成品一般由成膜樹脂、光敏劑、溶劑和助劑等組成，將其涂布在印刷線路板、半導(dǎo)體基片、絕緣體或其他基材的表面，經(jīng)曝光、顯影、蝕刻、擴散和離子注入等工藝加工后，得到
粘接 2016年6期2016-03-24
- RZJ-304光刻膠壓電霧化噴涂工藝及其應(yīng)用
RZJ-304光刻膠壓電霧化噴涂工藝及其應(yīng)用翟榮安1，繆燦鋒1，魏頂1，儲成智1，汝長海1,2, *（1.蘇州大學(xué)江蘇省機器人與微系統(tǒng)研究中心，江蘇 蘇州 215123；2.蘇州大學(xué)蘇州納米科技協(xié)同創(chuàng)新中心，江蘇 蘇州 215123）在自主搭建的壓電霧化噴涂系統(tǒng)上，以 RZJ-304正性光刻膠為研究對象，圓形拋光硅片為基材，研究了稀釋體積比、預(yù)熱溫度以及噴涂層數(shù)對光刻膠薄膜平均厚度及均勻性的影響，并得到最佳工藝參數(shù)。以具有方形結(jié)構(gòu)的拋光硅片為基材，分別進行
電鍍與涂飾 2016年20期2016-02-15
- 瑞紅RZJ-304光刻膠光刻工藝研究
RZJ-304光刻膠光刻工藝研究龐夢瑤1，程新利1*，秦長發(fā)1，沈嬌艷1，唐運海1，王冰2（1.蘇州科技學(xué)院數(shù)理學(xué)院，江蘇蘇州215009；2.昆山雙橋傳感器測控技術(shù)有限公司，江蘇昆山215321）利用光刻技術(shù)對瑞紅RZJ-304正性光刻膠進行光刻工藝研究，用透射式光柵作為掩模版，通過改變光刻步驟中的前烘時間、曝光時間、顯影時間等來研究光刻效果。實驗結(jié)果表明，掩模版圖形被成功地轉(zhuǎn)移到了硅片基底上，顯影后光刻膠厚度均勻，光刻膠線條呈周期性排列，得到了與掩模版
蘇州科技大學(xué)學(xué)報(自然科學(xué)版) 2015年3期2015-02-06
- 光刻膠成膜樹脂的研究進展
430062）光刻膠成膜樹脂的研究進展馮 波 艾照全 朱 超 宋夢瑤（有機功能分子合成與應(yīng)用教育部重點實驗室，湖北大學(xué)化學(xué)化工學(xué)院，湖北 武漢 430062）光刻膠是集成電路和分立器件的基礎(chǔ)工藝材料，主體成膜樹脂是光刻膠的重要組分之一，不同的成膜樹脂對光刻膠的性能有不同影響。主要綜述了光刻膠的分類，影響光刻膠成膜樹脂性能的因素，成膜樹脂的發(fā)展，及光刻膠的主要技術(shù)參數(shù)。光刻膠；單體；成膜樹脂；光敏度；化學(xué)放大光刻膠；有效含碳量光刻膠（photoresisit
粘接 2015年2期2015-01-28
- RRC工藝涂膠膠厚均勻性優(yōu)化研究
生產(chǎn)成本，減少光刻膠的用量，需要在涂膠工藝上不斷改進和提高。從原來傳統(tǒng)的涂膠工藝到RRC（Reduced Resist Consumption）工藝，能夠使光刻膠的用量減少，而隨著光刻膠用量的減少，圓片上膠厚的均勻性也在發(fā)生劇烈的變化。同時光刻涂膠工序最重要的工藝要求就是膠厚和均勻性，它直接影響著后續(xù)曝光工藝的穩(wěn)定性。在RRC工藝下，通過對噴膠轉(zhuǎn)速、排風(fēng)、噴膠速率等涂膠參數(shù)進行多次試驗，最終找出影響膠厚均勻性的參數(shù)及其調(diào)整方法，來達到工藝要求的膠厚及均勻性
電子與封裝 2014年8期2014-03-22
- 一種根據(jù)晶圓移動量精確預(yù)測光刻膠日用量的方法
有的化學(xué)品中，光刻膠是價格最貴的材料之一，但有效期卻最短（80%以上的光刻膠進廠后有效期僅有90天）。為了避免不必要的浪費，精確地預(yù)測光刻膠的日用量對半導(dǎo)體工廠的正常運行非常重要。光刻膠的儲存有效期一般為六個月的有效期，并要求低溫冷藏。通常，在滿載的Fab里面需要用到的光刻膠會有30多種。一般地，光刻膠從出廠到運輸，經(jīng)過進境報關(guān)和進口報關(guān)等一段時間后，剩余有效期僅為4～5個月，這對于安全庫存量的設(shè)置提出了非常高的要求。當安全庫存配置較高時，一旦客戶的需求有
中國新技術(shù)新產(chǎn)品 2014年9期2014-03-17
- 海歸博士的“光刻膠”國產(chǎn)夢
寶“對于中國的光刻膠市場，大約92%的產(chǎn)品來自國外，國內(nèi)生產(chǎn)的不足8%，我所努力的就是這8%之外的光刻膠生產(chǎn)?！焙w博士孫遜運說。光刻膠，又名光阻，是半導(dǎo)體芯片制造工業(yè)的核心材料，而芯片又是國防、航天、信息等多個領(lǐng)域的關(guān)鍵技術(shù)。目前，國內(nèi)企業(yè)對于光刻膠的需求多數(shù)依賴進口。為了打破國外對高端光刻膠的壟斷，2010年，加拿大達爾豪西大學(xué)博士、美國密蘇里大學(xué)博士后孫遜運回到山東濰坊高新區(qū)創(chuàng)立了濰坊星泰克微電子材料有限公司，致力于光刻膠的研發(fā)和生產(chǎn)。光刻膠的實驗和
神州學(xué)人 2014年2期2014-02-20
- L C D光刻膠涂布質(zhì)量淺析
8）L C D光刻膠涂布質(zhì)量淺析譚代木（南京華日液晶顯示技術(shù)有限公司，江蘇南京 210038）通過對液晶顯示器制造過程中的關(guān)鍵工序——光刻膠涂布工藝、原理進行分析，對光刻膠涂布設(shè)備參數(shù)進行調(diào)整等，為生產(chǎn)LCD提高合格率提供參考。光刻膠；涂布；顯示器；液晶平板顯示，作為信息產(chǎn)業(yè)的重要構(gòu)成部分。平板顯示中液晶顯示的生產(chǎn)技術(shù)不斷提高，市場需求量急速增長，為了提高LCD產(chǎn)品質(zhì)量，把好生產(chǎn)過程中的工藝關(guān)、光刻工藝中光刻膠涂布質(zhì)量的好壞直接影響光刻質(zhì)量從而影響LCD質(zhì)
電子工業(yè)專用設(shè)備 2013年7期2013-09-17
- 不同襯底材料對光刻膠剖面的影響
對光刻工序而言光刻膠剖面控制是光刻工藝控制的關(guān)鍵點，光刻膠剖面影響著光刻CD的穩(wěn)定性和精確性[2]。光刻膠剖面的影響因素有很多，光刻工藝條件包括涂膠、曝光、顯影是最主要的影響因素[3]。除此之外，不同襯底材料對光刻膠形貌也有重要的影響，本研究通過對金屬薄膜和SiN薄膜進行研究，就高反射率薄膜材料和透明薄膜材料影響光刻膠形貌的根本原因作了詳盡分析，并提出了有效的解決方案，可以在科研開發(fā)和生產(chǎn)中推廣應(yīng)用。2 實驗結(jié)果與討論2.1 金屬襯底光刻膠形貌一般的0.8
電子與封裝 2013年8期2013-09-05
- 觸控屏網(wǎng)版印刷型光刻膠
成本。網(wǎng)版印刷光刻膠在觸控屏制造技術(shù)中，首先需要制作一個高精細的網(wǎng)版，通常用500目不繡鋼絲網(wǎng)，絲徑為18μm，用這塊精細絲網(wǎng)空版，放置于ITO玻璃上進行滿版印刷網(wǎng)版型光刻膠。印刷環(huán)境應(yīng)該是在十分潔凈的操作室內(nèi)進行（室溫在22℃左右，濕度為55～60%），在黃或紅燈安全條件進行。網(wǎng)版印刷型光刻膠簡稱光刻膠，又稱光阻液或光致抗蝕耐酸油墨等。光刻膠一般由感光劑、增感劑和溶劑組成。感光劑是一種對光敏感的高分子化合物，當它受到適當光波長的光照射時能吸收一定波長的光
網(wǎng)印工業(yè) 2013年5期2013-07-23
- 不同光刻膠作保護層對a-IGZO TFT性能的影響*
變化。本文采用光刻膠作為保護層，通過旋涂法快速成膜，不需要經(jīng)過真空環(huán)境、Plasma轟擊和高溫處理，具有較好的抗酸堿性，制備工藝簡單，低溫、低成本。研究了不同光刻膠(正性膠和負性膠)作為保護層，對TFT器件電學(xué)特性及其穩(wěn)定性的影響，探討影響產(chǎn)生的原因。1 實驗條件本研究中，采用脈沖直流(Pulsed DC，ENI RPG-50)方式濺射制作IGZO膜，IGZO靶直徑為150 mm，功率為30 W，氣壓為0.5 Pa，濺射氣體為單組份的Ar(純度≥5 N)。
電子器件 2012年4期2012-12-30
- 硅通孔用光刻膠霧化噴涂技術(shù)
圓表面均勻涂布光刻膠，傳統(tǒng)的旋轉(zhuǎn)涂膠方法因為離心力很難滿足三維微結(jié)構(gòu)的要求，噴霧式涂膠是攻克這些挑戰(zhàn)的一種有效方法。與電鍍光刻膠不同，噴霧式涂膠技術(shù)不受待噴涂基底材料影響，既適用于導(dǎo)電基底也適用于絕緣基底。圖1是硅通孔制作工藝流程圖。圖1 通孔制作工藝流程2 光刻膠霧化噴涂2.1 準備晶圓為實現(xiàn)硅通孔互聯(lián)，需要先在200mm硅晶圓上制作高深寬比通孔。首先，經(jīng)由前道工藝在硅晶圓正面制作微芯片，然后進入后道將硅晶圓鍵合在玻璃晶圓載體上，并對硅晶圓背面減薄至10
電子與封裝 2012年2期2012-09-19
- 射頻MEMS開關(guān)中金屬剝離工藝研究
BP212正性光刻膠(浸泡氯苯)、AZP4620正性光刻膠(浸泡氯苯)、AZ5214E反轉(zhuǎn)光刻膠光刻后的圖形剝離金屬的難易度及圖形質(zhì)量.用掃描電鏡(SEM)觀察不同光刻膠及浸泡氯苯后的側(cè)壁圖形，并分析不同側(cè)壁圖形的形成機理，找出最佳工藝參數(shù)，并應(yīng)用于射頻MEMS開關(guān)制作中的金屬剝離.BP212;AZP4620;AZ5214E;氯苯浸泡;剝離Abstract:The lift-off processes of BP212 positive photoresi
蘇州市職業(yè)大學(xué)學(xué)報 2012年2期2012-09-14
- AZ4620光刻膠的噴霧式涂膠工藝
槽）均勻地涂布光刻膠。噴霧式涂膠(spray coating)正是為了滿足這些要求而開發(fā)的，它具有其它技術(shù)如旋轉(zhuǎn)涂膠（spin coating）和電鍍（electroplating）所沒有的優(yōu)勢。沈陽芯源微電子設(shè)備有限公司KS-M200-1SP噴霧式涂膠機和用丙酮稀釋的黏度分別為0.020，0.012，0.005 Pa·s的AZ4620光刻膠溶液應(yīng)用在噴霧式涂膠實驗中。本文分別對裸片及深孔尺寸為 75，150，250，375，425 μm 的晶圓進行噴霧式
電子工業(yè)專用設(shè)備 2011年12期2011-08-08