導(dǎo)帶
- 純鐵導(dǎo)帶毛坯硬度影響因素的脫碳工藝研究
0)1 研究背景導(dǎo)帶是彈丸重要組成部分,彈丸發(fā)射過程中,在發(fā)射藥燃燒產(chǎn)生的高溫、高壓氣體推動下彈丸導(dǎo)帶嵌入炮管膛線中沿膛線運動[1],使彈丸做直線和旋轉(zhuǎn)復(fù)合加速運動,出炮口后高速旋轉(zhuǎn)的彈丸有利于飛行穩(wěn)定性;彈丸在膛內(nèi)運動時導(dǎo)帶也起密閉火藥氣體的作用。旋轉(zhuǎn)穩(wěn)定的小口徑炮彈通常采用紫銅導(dǎo)帶,隨著小口徑高炮武器系統(tǒng)向高射速、高射頻、高膛壓和高轉(zhuǎn)速方向發(fā)展[2],相對而言,熔點較低(1083 ℃)的紫銅導(dǎo)帶不能夠承受彈丸進(jìn)入炮管膛線時由于高速擠壓、強力摩擦產(chǎn)生的高
熱處理技術(shù)與裝備 2023年5期2023-10-23
- 不同濃度S摻雜2H-CuInO2的第一性原理研究
nO2的價帶頂和導(dǎo)帶底分別位于布里淵區(qū)的點和點，顯示出間接帶隙的性質(zhì)，帶隙值為0.240eV，摻雜S元素后2H-CuInO2在沿布里淵區(qū)的價帶頂和導(dǎo)帶底的高對稱點及帶隙值的變化如表3所示。表3 摻雜S元素后2H-CuInO2隨濃度變化的價帶頂、導(dǎo)帶底及帶隙值圖1是未摻雜及1.04%、1.39%、2.08%濃度S摻雜2H-CuInO2的能帶結(jié)構(gòu)圖。由表3以及圖1可知，摻雜S后2H-CuInO2的帶隙類型沒有改變，仍為間接帶隙，且導(dǎo)帶底均位于Γ點，價帶頂則位于
全面腐蝕控制 2023年5期2023-06-02
- La摻雜氧空位的α-Bi2O3電子結(jié)構(gòu)和光學(xué)性質(zhì)的第一性原理研究
電子從價帶激發(fā)到導(dǎo)帶需要的能量減小，電子更容易躍遷，進(jìn)而提高了光催化活性。東北大學(xué)于智清課題組[12]利用第一性原理對氧空位和B離子共摻TiO2的光催化性能進(jìn)行了研究，發(fā)現(xiàn)共摻雜能在提高可見光吸收效率的同時降低光生電子-空穴對的復(fù)合效率，有利于提高TiO2的光催化性能，氧空位和B離子共同作用使Ti4+減少且更多低價位的Ti離子出現(xiàn)。在實驗研究方面， Malathy等[13]采用沉淀法成功地制備了過渡金屬(Ni、Zn)摻雜Bi2O3納米顆粒，在可見光的照射下
人工晶體學(xué)報 2023年1期2023-02-23
- S摻雜增強CdS/ɡ-C3N4異質(zhì)結(jié)光催化性能的第一性原理研究
層CdS納米片的導(dǎo)帶底（CBM）和價帶頂（VBM）都在G點，是直接帶隙半導(dǎo)體，帶隙為1.67 eV，與實驗值單層CdS 2.4 eV相比略低［29］，主要是由于密度泛函理論計算帶隙時普遍存在誤差，但不影響結(jié)構(gòu)的規(guī)律性分析.圖3（b）中ɡ-C3N4的CBM和VBM分別在K和G點，是間接帶隙半導(dǎo)體，帶隙為1.4 eV.圖3（c）中CdS/ɡ-C3N4異質(zhì)結(jié)價帶頂和導(dǎo)帶底分別位于G和M點，是間接帶隙半導(dǎo)體，帶隙為1.00 eV，由于ɡ-C3N4和CdS在價帶部分
白城師范學(xué)院學(xué)報 2022年5期2022-12-06
- 紡織數(shù)碼印花機(jī)的機(jī)型結(jié)構(gòu)與應(yīng)用綜述
送方式可以分為：導(dǎo)帶輸送方式、卷對卷收放方式、臺板式。掃描機(jī)有導(dǎo)帶式、臺板式和卷對卷3 種輸送方式，Single pass 機(jī)有導(dǎo)帶式和卷對卷兩種輸送方式，但一般都是導(dǎo)帶式。印花機(jī)實型如圖1所示。圖1 印花機(jī)實型2 紡織數(shù)碼印花機(jī)的各機(jī)型結(jié)構(gòu)2.1 Single pass 機(jī)（以有導(dǎo)帶的機(jī)型為例）2.1.1 機(jī)架目前市面上有兩種主流結(jié)構(gòu)：（1）底座獨立，噴頭模組安裝在底座上，每個模組之間預(yù)留維修通道；（2）底座與模組安裝機(jī)構(gòu)是一體式的，每個模組都可以獨立拉
染整技術(shù) 2021年12期2022-01-14
- 關(guān)于某型系列產(chǎn)品“上下導(dǎo)帶二次收緊”合并的工藝技術(shù)
簡介：某系列產(chǎn)品導(dǎo)帶收緊是該系列產(chǎn)品的重點關(guān)鍵工序，產(chǎn)品質(zhì)量直接關(guān)系到產(chǎn)品質(zhì)量。工藝要求較嚴(yán)格。產(chǎn)品工序簡圖（1）該產(chǎn)品為上下兩個導(dǎo)帶位置，分別是φ153±0.30mm和φ156±0.30mm。本文主要針對導(dǎo)帶收緊工藝流程編制問題，提出優(yōu)化工藝流程的實質(zhì)和方法。并結(jié)合我公司的生產(chǎn)實際，從實際出發(fā)在已有的工藝流程的前提下，采用適當(dāng)?shù)拇胧┻M(jìn)行調(diào)整、改進(jìn)、達(dá)到保證產(chǎn)品的加工質(zhì)量、降低加工成本、提高生產(chǎn)效率、減輕工人勞動強度的目的。二、應(yīng)用領(lǐng)域：主要應(yīng)用于某產(chǎn)品上
裝備維修技術(shù) 2021年36期2021-10-25
- 炮射彈藥滑動導(dǎo)帶環(huán)結(jié)構(gòu)設(shè)計
導(dǎo)炮彈均采用滑動導(dǎo)帶減旋技術(shù)，減小彈丸的出炮口轉(zhuǎn)速，采用尾翼穩(wěn)定裝置來保證彈丸飛行穩(wěn)定。制導(dǎo)炮彈滑動導(dǎo)帶減旋技術(shù)是常規(guī)彈藥制導(dǎo)化的關(guān)鍵技術(shù)之一，其穩(wěn)定工作是武器系統(tǒng)制導(dǎo)、控制部件正常作用的前提。滑動導(dǎo)帶環(huán)由滑動導(dǎo)帶體和鑲嵌在導(dǎo)帶體上的導(dǎo)帶組成。發(fā)射時，嵌入膛線的滑動導(dǎo)帶環(huán)做高速旋轉(zhuǎn)，彈體在與滑動導(dǎo)帶環(huán)接觸面的摩擦力矩作用下微旋，滑動導(dǎo)帶環(huán)同時閉住高壓火藥氣體，避免對火炮身管內(nèi)膛和彈丸導(dǎo)帶前部的沖刷。滑動導(dǎo)帶環(huán)工作環(huán)境及工作過程相對制式彈藥的導(dǎo)帶復(fù)雜很多，且
彈箭與制導(dǎo)學(xué)報 2021年3期2021-07-30
- 摻雜CeO2光學(xué)性質(zhì)和電子結(jié)構(gòu)的第一性原理研究
和4f軌道存在；導(dǎo)帶底是由Ce原子的4f軌道貢獻(xiàn)。圖3(b)是N原子摻雜后的態(tài)密度圖，在N原子摻雜后，從總態(tài)密度和分態(tài)密度的曲線形狀和費米能級位置的區(qū)別可以看出，能帶整體在向左邊低能量方向移動，能帶移動后電子價態(tài)更穩(wěn)定，得電子更容易，CeO2價帶的氧化能力增強，有利于光催化能力的提升。價帶主要由N的2p和O的2p軌道，以及少量的Ce的5d軌道組成。摻雜后同樣出現(xiàn)了雜質(zhì)能級，由Ce原子的4f軌道和N的2p軌道共同作用形成。在圖3(c)中，摻雜了Fe原子，從態(tài)
華北科技學(xué)院學(xué)報 2021年1期2021-05-14
- 單層2H-MoTe2光電效應(yīng)的理論研究
展示MoTe2的導(dǎo)帶的最小值為0.58 eV，價帶的最大值為-0.58 eV，導(dǎo)帶的最小值和價帶的最大值都在第一布里淵區(qū)G-X之間的同一點取得，說明單層MoTe2的能帶結(jié)構(gòu)為直接帶隙，且?guī)吨禐?.16 eV，與其他理論值吻合較好[5]。在第一布里淵區(qū)的 S點，價帶的最大值為-0.73 eV(S1)，導(dǎo)帶的最小值是0.90 eV(S2), 次導(dǎo)帶的最小值為1.09 eV(S3)，在S點價帶到導(dǎo)帶的距離為1.63 eV(S1→S2)，價帶到次導(dǎo)帶的距離為1.
人工晶體學(xué)報 2021年3期2021-04-17
- 自動導(dǎo)引小車的優(yōu)化設(shè)計與實現(xiàn)
敏傳感器來檢測磁導(dǎo)帶;(3)使用電機(jī)驅(qū)動模塊來控制電機(jī)的運動狀態(tài);(4)具有電源按鍵、復(fù)位按鍵和紅黃綠三個LED燈和蜂鳴器.1 系統(tǒng)總體設(shè)計以STM32F103R8T6 為核心控制器設(shè)計自動導(dǎo)引小車控制系統(tǒng)[4],包括電機(jī)驅(qū)動、磁敏傳感器和電源等相關(guān)電路.系統(tǒng)總體設(shè)計如圖1所示.在圖1 中,由軟件部分根據(jù)實際情況來控制LED的亮暗和蜂鳴器的響滅,電機(jī)的運轉(zhuǎn)也是按照實際情況來判斷.當(dāng)小車開始上電或復(fù)位時,其初始化順序為:LED 初始化、蜂鳴器初始化、電機(jī)初始
湖南理工學(xué)院學(xué)報（自然科學(xué)版） 2021年1期2021-01-29
- g-C3N4基異質(zhì)結(jié)構(gòu)光催化劑的研究
0]。半導(dǎo)體A的導(dǎo)帶(CB)和價帶(VB)分別比相對應(yīng)的半導(dǎo)體B的導(dǎo)帶(CB)高，比B的價帶(VB)低。因此，在光照下，電子積聚在半導(dǎo)體B的導(dǎo)帶(CB)上，空穴將積聚在半導(dǎo)體B的價帶(VB)能級上。由于I型異質(zhì)結(jié)光催化劑的電子和空穴都在同一個半導(dǎo)體(B)上聚集，所以導(dǎo)致電子-空穴對不能有效分離。此外，由于在氧化還原電位較低的半導(dǎo)體上發(fā)生氧化還原反應(yīng)，致使光催化劑的氧化還原能力顯著降低。Li等[11]研究使用了濕浸漬法來構(gòu)建二元結(jié)構(gòu)的 CdIn2S4/g-C
江西化工 2020年6期2021-01-05
- 全自動免扣打捆機(jī)在鋅熔鑄中的應(yīng)用
導(dǎo)槽及穿箭機(jī)構(gòu)、導(dǎo)帶機(jī)構(gòu)、帶盤機(jī)構(gòu)、氣動系統(tǒng)、控制系統(tǒng)等組成。其總體結(jié)構(gòu)見圖1。1.1.1 旋轉(zhuǎn)頂升工件臺主體由伺服馬達(dá)、渦輪旋轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu)，頂升油缸、工件平臺組成，主要負(fù)責(zé)鋅垛的頂升旋轉(zhuǎn)，配合打捆機(jī)實現(xiàn)鋅垛井字捆帶打包。1.橫移機(jī)構(gòu)；2.減速電機(jī)；3.穿箭機(jī)構(gòu)；4.導(dǎo)帶槽1；5.導(dǎo)帶槽2；6.打捆機(jī)頭；7.機(jī)頭升降機(jī)構(gòu)；8.導(dǎo)帶槽2；9.穿帶導(dǎo)槽機(jī)構(gòu)；10.導(dǎo)帶輪機(jī)構(gòu)圖1 免扣全自動鋼帶打捆機(jī)結(jié)構(gòu)總圖Fig.1 General Structure of Ful
有色金屬設(shè)計 2020年1期2020-06-17
- Ce摻雜6H-SiC電子結(jié)構(gòu)和光學(xué)性質(zhì)的第一性原理研究
，是間接半導(dǎo)體，導(dǎo)帶最低點在L點，價帶最高點在G點，其禁帶寬度2.045 eV,比實驗值略小，這是由于計算采用的GGA近似方法低估了激發(fā)態(tài)電子間的相互作用造成的.由(b)中可以得到，摻雜Ce元素，導(dǎo)帶最低點在A點，在M點取得最大值，禁帶寬度為0.812 eV.摻雜后引入了新的雜質(zhì)能級.6H-SiC的Si原子的2s軌道與2p軌道發(fā)生雜化形成sp3軌道，而C原子的3s軌道與3P軌道發(fā)生雜化形成sp3軌道，兩個sp3軌道發(fā)生能級分裂，形成能量較低的成健態(tài)和能量較
原子與分子物理學(xué)報 2020年2期2020-05-15
- N-Mo-W共摻雜金紅石相TiO2的第一性原理研究
改變雜質(zhì)能級或者導(dǎo)帶下移、價帶上移等其實效果參差不齊.基于前人工作的結(jié)論來看，增加摻雜金屬原子種類的方法來提高其催化性質(zhì)是本文研究的一個出發(fā)點，從而我們采用了N與Mo、W兩種金屬元素進(jìn)行共摻雜的方法，來計算所得的結(jié)果是否具有意義.2 計算模型與方法所建立的模型是基于2X2X2的超胞，列舉出了各個摻雜情況下的模型結(jié)構(gòu)如下圖1(a-g)所示.依次為本征TiO2，摻雜N，摻雜Mo，摻雜W，摻雜N-Mo，摻雜N-W，摻雜N-Mo-W.在未摻雜時的TiO2的晶格參數(shù)
原子與分子物理學(xué)報 2019年4期2019-09-17
- 平網(wǎng)印花機(jī)進(jìn)貼布系統(tǒng)的分析探討
貼于印花臺板或者導(dǎo)帶上，直接影響著印花效果的好壞和生產(chǎn)效率的高低?？v觀目前國內(nèi)外各類平網(wǎng)印花機(jī)進(jìn)貼布系統(tǒng)的配置現(xiàn)狀，因各工廠所印的織物類型、品種、設(shè)備購置的年代、操作工的認(rèn)識和使用習(xí)慣不同，具體的配置和使用情況各異，其使用效果存在著明顯的差異。本文試圖對平網(wǎng)印花機(jī)常用進(jìn)貼布裝置和系統(tǒng)的特點及性能優(yōu)劣進(jìn)行分析，以供相關(guān)人員參考。平網(wǎng)進(jìn)貼布系統(tǒng)的形式按照織物是否連續(xù)分，目前主要有手工單條單片（如毛巾、毛毯、成衣裁片）和連續(xù)進(jìn)貼布系統(tǒng)兩種形式，前者簡單，后者較為
網(wǎng)印工業(yè) 2019年8期2019-09-02
- 導(dǎo)帶式數(shù)碼噴射印花機(jī)運行過程中常見疵病
導(dǎo)帶式數(shù)碼噴射印花機(jī)在運行過程中常見疵病見下表。1 噴印過程中面料的邊出現(xiàn)越來越偏的現(xiàn)象分析：進(jìn)布時，面料未放正。解決方法：在把面料放到導(dǎo)帶上時，注意左右位置。2 噴印時突然出現(xiàn)白條或圖案模糊分析：噴頭堵塞。解決方法：清洗噴頭。3 噴印時出現(xiàn)一道道白條或黑條，或出現(xiàn)虛邊分析：噴頭出現(xiàn)堵頭或斜噴。解決方法：清洗噴頭。分析：步進(jìn)不準(zhǔn)。解決方法：對導(dǎo)帶前進(jìn)控制進(jìn)行調(diào)整。4 噴印時出現(xiàn)白條或黑條，并出現(xiàn)左右不等寬的現(xiàn)象分析：導(dǎo)帶左右的張力不均勻，或主動輥和張力輥不
網(wǎng)印工業(yè) 2019年4期2019-05-21
- 打捆機(jī)導(dǎo)帶槽裝置及捆帶盤脹縮裝置的改進(jìn)
或者穿心打捆機(jī)，導(dǎo)帶槽裝置和捆帶盤裝置都是其重要組成部分[5]。傳統(tǒng)導(dǎo)帶槽裝置的設(shè)計為外置彈簧式開合，并通過螺母固定聯(lián)接。外置彈簧式導(dǎo)帶槽裝置所需空間大，導(dǎo)帶槽在頻繁開合時螺母聯(lián)接很容易松動而導(dǎo)致彈簧飛出。常見的捆帶盤脹縮裝置為雙鏈板脹縮形式，結(jié)構(gòu)設(shè)計復(fù)雜且導(dǎo)向輪軸承容易損壞，直接影響包裝機(jī)組的作業(yè)率。本文以周向打捆機(jī)為研究對象，設(shè)計了銷子聯(lián)接的內(nèi)置彈簧式導(dǎo)帶槽裝置和結(jié)構(gòu)簡單且無需導(dǎo)向輪的單鏈板捆帶盤脹縮機(jī)構(gòu)。1 打捆機(jī)設(shè)備組成如圖1所示，周向打捆機(jī)主要由
重型機(jī)械 2019年2期2019-04-28
- AlGaN插入層對InAlN/AlGaN/GaN異質(zhì)結(jié)散射機(jī)制的影響?
帶能級波動散射、導(dǎo)帶波動散射以及合金無序散射三種散射機(jī)制的影響.結(jié)果顯示:當(dāng)Al含量由0增大到1,子帶能級波動散射強度與合金無序散射強度先增大后減小,導(dǎo)帶波動散射強度單調(diào)減小;在Al含量為0.1附近的小組分范圍內(nèi),合金無序散射是限制遷移率的主要散射機(jī)制,該組分范圍之外,子帶能級波動散射是限制遷移率的主要散射機(jī)制;當(dāng)Al摩爾百分含量超過0.52,三種散射機(jī)制共同限制的遷移率超過無插入層結(jié)構(gòu)的遷移率,AlGaN層顯示出對遷移率的提升作用.1 引 言GaN材料具
物理學(xué)報 2019年1期2019-01-25
- 薄壁超高強度鋼熔敷焊接導(dǎo)帶裂紋成因分析及預(yù)防
在兵器制造業(yè)中，導(dǎo)帶是彈藥炮彈極其重要的組成部分，是炮彈能否“安全”實現(xiàn)“遠(yuǎn)”和“準(zhǔn)”作戰(zhàn)指標(biāo)的關(guān)鍵部件。傳統(tǒng)炮彈導(dǎo)帶采用機(jī)械壓帶工藝，限制了炮彈的裝藥量，同時彈體與導(dǎo)帶的機(jī)械連接易使導(dǎo)帶在發(fā)射過程中松動、脫落等，影響射擊精度。隨著武器裝備的發(fā)展，要求彈體的壁厚減薄，以增加爆炸威力，滿足這一設(shè)計要求勢必需要導(dǎo)帶槽的深度減小，因此導(dǎo)帶焊接技術(shù)引起廣泛關(guān)注與研究[1-4]。導(dǎo)帶熔敷焊接技術(shù)是目前國際上先進(jìn)的導(dǎo)帶焊接技術(shù)，其原理為：采用高頻感應(yīng)電流作為熱源，將預(yù)
機(jī)械制造與自動化 2018年5期2018-11-05
- 光器件應(yīng)用改性Ge的能帶結(jié)構(gòu)模型?
導(dǎo)體在應(yīng)力作用下導(dǎo)帶各能級變化可由形變勢模型給出,合金化作用可由Sn和Ge相關(guān)參量的線性插值表征[12,13].(001),(101),(111)雙軸應(yīng)變Ge導(dǎo)帶各能級變化公式如下(式中各參量物理意義和數(shù)值詳見表1):圖1 單軸應(yīng)力示意圖Fig.1.Diagram of uniaxial stress.表1 IV族半導(dǎo)體導(dǎo)帶形變勢參數(shù)(所有物理量單位均為eV)[12,13]Table 1.Deformation potential parameters o
物理學(xué)報 2018年19期2018-11-03
- 交換場和非共振光對單層MoS2能帶結(jié)構(gòu)的調(diào)控*
層MoS2價帶與導(dǎo)帶之間的能隙，可以得到新的半金屬性和金屬性二維材料.[12-14]筆者將利用緊束縛近似下的低能有效哈密頓模型，研究外部磁近鄰交換場和非共振圓偏振光對單層MoS2電子能帶結(jié)構(gòu)的調(diào)控作用.1 模型與方法圖1 MoS2納米場效應(yīng)管模型Fig. 1 MoS2 Nano Field Effect Transistor Model構(gòu)建基于單層MoS2的場效應(yīng)晶體管模型(圖1)，其中單層MoS2置于中心區(qū)域并受到磁近鄰交換場作用和非共振圓偏振光的輻照.
吉首大學(xué)學(xué)報（自然科學(xué)版） 2018年3期2018-07-03
- (001)面雙軸應(yīng)變鍺材料的能帶調(diào)控
構(gòu)建應(yīng)變Ge材料導(dǎo)帶結(jié)構(gòu)、價帶結(jié)構(gòu)以及帶隙的相關(guān)數(shù)值模型，最后得到了Ge半導(dǎo)體的禁帶寬度與應(yīng)變之間的函數(shù)關(guān)系式。2 模型的構(gòu)建2.1 應(yīng)變對Ge晶體對稱性的影響晶體的對稱操作與系統(tǒng)的哈密頓量相互關(guān)聯(lián)，通過分析晶體的對稱性也能夠獲得半導(dǎo)體能帶結(jié)構(gòu)的一些重要特征。選擇合適晶向或晶面對晶體施加適當(dāng)?shù)膯位螂p軸應(yīng)變可以改變晶體結(jié)構(gòu)的對稱性，因此，通過分析半導(dǎo)體晶體結(jié)構(gòu)的對稱性是研究應(yīng)變對半導(dǎo)體能帶結(jié)構(gòu)影響的有效而又直觀的方法之一。根據(jù)形變勢理論[19-21]，半導(dǎo)體
材料科學(xué)與工程學(xué)報 2018年3期2018-06-26
- 單軸應(yīng)變鍺帶隙特性和電子有效質(zhì)量計算
淵區(qū)給定點附近的導(dǎo)帶和價帶結(jié)構(gòu)，通常用于計算載流子的有效質(zhì)量和運輸特性．目前，針對應(yīng)變Ge能帶結(jié)構(gòu)和運輸特性的研究主要集中在價帶和空穴遷移率增強方面[4-5]，關(guān)于導(dǎo)帶結(jié)構(gòu)，特別是與電子散射和運輸密切相關(guān)的有效質(zhì)量的理論研究相對較少．此外，已有研究表明雙軸應(yīng)變Ge可以從間接帶隙轉(zhuǎn)變?yōu)橹苯訋栋雽?dǎo)體，并具有與Ⅲ-Ⅴ化合物半導(dǎo)體相比擬的光增益，可用于光電子器件的設(shè)計[6-7]．與雙軸應(yīng)變相比，單軸應(yīng)變具有一些顯著的優(yōu)點，例如，在高垂直電場下維持空穴遷移率增益，
西安電子科技大學(xué)學(xué)報 2018年3期2018-06-14
- 雙軸拉伸應(yīng)變對鍺能帶退簡并的影響
e的倒空間中由于導(dǎo)帶最小值位于布里淵區(qū)L點，與價帶最大值不在同一位置，因此Ge是一種間接帶隙材料，而在間接帶隙材料中間接導(dǎo)帶谷電子與價帶頂空穴復(fù)合時動量不守恒，此時電子與空穴復(fù)合需要聲子的輔助，所以電子空穴對復(fù)合效率很低，因此發(fā)光效果不好[4]。應(yīng)變作為能帶調(diào)節(jié)的一種方式，越來越受到人們的關(guān)注，應(yīng)變Ge作為高效發(fā)光材料也越來越受到人們的青睞。這是因為施加應(yīng)變時，導(dǎo)帶Γ點的能量比L點下降的速率快，因此更多的電子將注入到直接導(dǎo)帶Γ谷，直接導(dǎo)帶谷電子與價帶頂空穴
上海金屬 2018年1期2018-04-09
- 半導(dǎo)體中載流子復(fù)合的類型
激發(fā)時可以躍遷到導(dǎo)帶，同時在原來的位置留下一個空穴，從而形成了電子－空穴對。由于這些電子和空穴在電場作用下可以定向移動，所以也稱為載流子。位于導(dǎo)帶的電子實際上處于一種高能量的亞穩(wěn)態(tài)，它有自發(fā)回歸到價帶從而降低能量的傾向，如果電子躍遷回價帶，它將填補空穴，導(dǎo)致電子－空穴對的消失，這個過程就是復(fù)合。1 輻射復(fù)合導(dǎo)帶中的電子直接躍遷回價帶，并釋放一個光子或多個聲子，這個過程稱為直接復(fù)合。如果只輻射光子，那么這種直接復(fù)合也是一種輻射復(fù)合。需要注意，盡管激發(fā)時電子吸
山東化工 2018年23期2018-03-29
- Fe, Co, Ni 對NaNbO3的電子結(jié)構(gòu)與光催化性能影響的密度泛函理論研究
的帶隙間能級位于導(dǎo)帶下面1.06 eV, Co-NaNO3的帶隙間能級 位于導(dǎo)帶下方0.51 eV，Ni-NaNbO3的帶隙間能級位于導(dǎo)帶下方0.55 eV，這些能級將為電子從價帶到導(dǎo)帶的躍遷提供橋梁，從而使得電子吸收光譜發(fā)生紅移，對太陽光的光響應(yīng)范圍增大，提高NaNbO3光催化活性。表1 優(yōu)化得到的NaNbO3及Fe-NaNbO3, Co-NaNbO3和 Ni-NaNbO3的晶胞參數(shù)Tab.1 The optimized lattice paramete
陶瓷學(xué)報 2018年1期2018-03-22
- 影響圓網(wǎng)印花精度的因素
花機(jī)要達(dá)到圓網(wǎng)同導(dǎo)帶的同步，也就是要將圓網(wǎng)鎳網(wǎng)的運行速度，無論在導(dǎo)帶穩(wěn)速或變速的情況下，嚴(yán)格地控制在導(dǎo)帶運行速度的-0.2%至-3%范圍內(nèi)，即：通常所講圓網(wǎng)同導(dǎo)帶間的速差穩(wěn)定。因此，我們必須在設(shè)計時分別考慮主電機(jī)帶輪、過渡軸帶輪、蝸輪蝸桿減速箱、主輥直徑、導(dǎo)帶或織物厚度等影響導(dǎo)帶速度的因素；還同時需要考慮圓網(wǎng)同導(dǎo)帶間隙、網(wǎng)頭、網(wǎng)頭傳動齒輪的速比、網(wǎng)頭傳動齒輪箱速比等影響圓網(wǎng)速度的因素。當(dāng)然，除此之外，機(jī)械配合公差、傳動磨損也是需要研究的，最后使得圓網(wǎng)和導(dǎo)帶
紡織機(jī)械 2017年12期2018-01-04
- 張應(yīng)變和N型摻雜對鍺能帶結(jié)構(gòu)的調(diào)節(jié)
。張應(yīng)變使價帶和導(dǎo)帶的能級分裂、偏移，N型摻雜使費米能級偏移，從而將鍺調(diào)節(jié)為準(zhǔn)直接帶隙材料。當(dāng)單獨引入0.018的張應(yīng)變時，鍺變?yōu)闇?zhǔn)直接帶隙，直接帶隙為0.53 eV。當(dāng)單獨摻雜N型雜質(zhì)9.5×1019cm-3時，鍺的費米能級到達(dá)Γ帶底。引入適量的張應(yīng)變和N型摻雜濃度，既有利于鍺能帶結(jié)構(gòu)的調(diào)節(jié)，又有利于材料的實際制備。研究結(jié)果為鍺發(fā)光器件的設(shè)計和制作提供借鑒。鍺；張應(yīng)變；n型摻雜；能帶；發(fā)光器件引言制備兼容于硅（Si）互補金屬-氧化物-半導(dǎo)體（CMOS）工
深圳信息職業(yè)技術(shù)學(xué)院學(xué)報 2017年3期2017-12-09
- Modification of CaO-based sorbents prepared from calcium acetate for CO2 capture at high temperature☆
，可以較快地與硅導(dǎo)帶和價帶交換電荷,促進(jìn)了電子通過熱運動由價帶躍遷到導(dǎo)帶，導(dǎo)致表面有效產(chǎn)生速度se增大。由式(1)可知，se增大，Js將增大。電子輻射引起的位移效應(yīng)，在像素單元體耗盡區(qū)內(nèi)產(chǎn)生大量的體缺陷，這些缺陷能級在禁帶中起到產(chǎn)生-復(fù)合中心的作用，使耗盡區(qū)載流子壽命τg顯著減小，由式(2)可知，τg顯著減小，Jg將顯著增大。Compared with CaO–CaAc2,the skeleton supporting structure made by
- 固溶體光催化材料的研究進(jìn)展
電子吸收光躍遷至導(dǎo)帶，產(chǎn)生光生電子和空穴對；(2)光生電子和空穴從半導(dǎo)體內(nèi)部向表面遷移；(3)光生電子和空穴在表面與吸附物分別發(fā)生氧化還原反應(yīng)。一方面，由于寬的本征帶隙，傳統(tǒng)半導(dǎo)體光催化材料如 TiO2和 SrTiO3等的光響應(yīng)位于紫外光區(qū)，因此這些材料只能吸收和利用很小一部分的太陽能。另一方面，在光催化反應(yīng)過程中，很大比例的光生電子和空穴在半導(dǎo)體的內(nèi)部或表面發(fā)生復(fù)合，以發(fā)光和發(fā)熱的形式散發(fā)部分能量。因此，大部分光催化材料太陽能轉(zhuǎn)換效率非常低，不能滿足大規(guī)
物理化學(xué)學(xué)報 2017年2期2017-03-10
- 雙波泵浦非對稱量子阱的光學(xué)整流效應(yīng)
流系數(shù)表達(dá)式，在導(dǎo)帶為拋物線形和非拋物線形兩種條件下對進(jìn)行對比研究。計算結(jié)果表明，其偶極躍遷矩陣元隨量子阱總阱寬的增大而逐漸減小。當(dāng)固定量子阱總阱寬及其中一束泵浦光波長不變時，隨著另一束泵浦光波長的增加，呈現(xiàn)出先增大后減小的變化趨勢。當(dāng)深阱為7 nm、總阱寬為23 nm、兩束泵浦光相等為10.64 μm時，達(dá)到最大值5.925×10-6m/V;隨著總阱寬的增大，曲線呈現(xiàn)“紅移”現(xiàn)象，其原因為量子限制效應(yīng)導(dǎo)致了不同阱寬條件下的量子阱能級值差不同，從而造成滿足
發(fā)光學(xué)報 2016年2期2016-10-28
- 組元厚度結(jié)構(gòu)對層狀聲子晶體導(dǎo)帶的影響
構(gòu)對層狀聲子晶體導(dǎo)帶的影響唐啟祥，邱學(xué)云，胡家光（文山學(xué)院信息科學(xué)學(xué)院，云南文山663099）以三組元層狀聲子晶體為例，采用一定的中心頻率確定各組元的中心波長，以各組元中心波長的倍數(shù)為該組元的厚度系數(shù)，以不同組元與某一組元的厚度系數(shù)之比為相應(yīng)的厚度系數(shù)比，采用傳輸矩陣法計算傳輸特性，研究了不同厚度系數(shù)、厚度系數(shù)比及原胞數(shù)對聲子晶體的傳輸特性的影響。結(jié)果顯示，導(dǎo)帶分布具有非常完美的對稱性，且每個導(dǎo)帶的頻率中心值、導(dǎo)帶寬度以及相鄰導(dǎo)帶頻率中心的間隔均隨厚度系數(shù)
大理大學(xué)學(xué)報 2016年6期2016-09-23
- 絲網(wǎng)印刷 專利產(chǎn)品集錦
一種圓網(wǎng)印花機(jī)的導(dǎo)帶內(nèi)側(cè)清潔裝置專利申請?zhí)枺篊N201520343044．4公開號：CN204736561U申請日：2015．05．25公開日：2015．11．04申請人：湖州宏鑫綢廠本實用新型公開了一種圓網(wǎng)印花機(jī)的導(dǎo)帶內(nèi)側(cè)清潔裝置，包括機(jī)架、導(dǎo)帶，所述機(jī)架上固定有驅(qū)動電機(jī)，所述驅(qū)動電機(jī)的輸出軸上連接有轉(zhuǎn)軸，所述轉(zhuǎn)軸的一端固定有一對連桿，所述連桿的一端連接在轉(zhuǎn)軸上、另一端固定連接有軸承座，連軸的兩端分別鉸接在兩個軸承座上，所述連軸中部通過軸承插套有壓輥，所
網(wǎng)印工業(yè) 2016年2期2016-09-19
- 沖壓成型觸點摩擦副力特性設(shè)計與優(yōu)化
其一、電刷觸點與導(dǎo)帶的接觸正壓力。電刷觸點和導(dǎo)帶的配合狀況。其二、電刷觸點或導(dǎo)帶可參與磨損并損耗的體積，姑且稱之為接觸體積。本文將以沖壓型銅合金觸點油位傳感器為例，圍繞接觸副力特性的這兩個方面展開。1 沖壓型油位傳感器接觸副的構(gòu)成沖壓型油位傳感器的接觸副由電刷觸點和燒結(jié)在厚膜電阻片上的導(dǎo)帶構(gòu)成，電刷觸點與電阻片導(dǎo)帶的接觸部位，通過直接沖壓成型的方式獲得。2 力特性的設(shè)計與優(yōu)化2.1接觸體積設(shè)計與優(yōu)化沖壓型觸點典型失效模式為沖壓觸點接觸部位過度磨損引致的斷裂
山東工業(yè)技術(shù) 2016年14期2016-09-07
- 杭州開源設(shè)備入選國家印染行業(yè)推薦目錄
源彩虹7系列高速導(dǎo)帶數(shù)碼印花機(jī)。近日，杭州開源電腦技術(shù)有限公司的“彩虹7系列高速導(dǎo)帶數(shù)碼印花機(jī)”經(jīng)過中國印染行業(yè)協(xié)會嚴(yán)謹(jǐn)?shù)目疾旒霸u定后，成功入選第9批《中國印染行業(yè)節(jié)能減排先進(jìn)技術(shù)推薦目錄》。據(jù)介紹，此次入選的彩虹7系列高速導(dǎo)帶數(shù)碼印花機(jī)采用國際領(lǐng)先的數(shù)碼噴印技術(shù)，優(yōu)選部件，精工制造，經(jīng)久耐用，穩(wěn)定高效，并可有效降低維護(hù)費用，能夠滿足7天×24小時不間斷運行要求，日產(chǎn)量達(dá)8000平方米～20000平方米，最高打印精度1200dpi，門幅有2.1M/2.8M
紡織機(jī)械 2016年1期2016-05-31
- 層狀聲子晶體橫波帶隙結(jié)構(gòu)研究
影響。結(jié)果顯示，導(dǎo)帶和禁帶均勻分布，但寬度一般不等；導(dǎo)帶、禁帶的中心均隨厚度系數(shù)增大而向低頻段移動，同時，導(dǎo)帶和禁帶寬度也隨之減小；隨著原胞數(shù)的增加，導(dǎo)帶中心、禁帶中心及導(dǎo)帶寬度及禁帶寬度沒有發(fā)生變化。聲子晶體；橫波；帶隙結(jié)構(gòu)1992年，M. M.Sigalas和E. N. Economou 首次從理論上證實了彈性波帶隙的存在[1]。1995年，M. S. Kushwaha等人在研究鎳/鋁二維固體周期復(fù)合介質(zhì)時第一次明確提出了聲子晶體的概念[2]。通俗地說
文山學(xué)院學(xué)報 2016年6期2016-04-13
- 摻鎂鋁酸鈣光學(xué)性質(zhì)的理論計算
強相互作用占據(jù)著導(dǎo)帶底部，鎂雜質(zhì)能級進(jìn)入導(dǎo)帶靠近導(dǎo)帶底部是決定摻雜材料光學(xué)性質(zhì)的主要因素.摻鎂鋁酸鈣；雜質(zhì)能級；光學(xué)性質(zhì)；第一原理單鋁酸鈣是原始球粒隕石中幾種高壓相的主要成分之一，起初作為新型水泥，僅限于建筑工程施工[1]，直至1996年研究人員發(fā)現(xiàn)摻有稀土元素，如銪Eu、鏑Dy、釹Nd等的此種化合物有著比傳統(tǒng)硫化物磷光體發(fā)光強度高5～10倍且余輝時間長達(dá)20 h的優(yōu)良發(fā)光性能后，才被廣泛關(guān)注[2].此后，科研工作者詳細(xì)研究了Eu2+激活的鋁酸鹽(MAl2
鞍山師范學(xué)院學(xué)報 2016年6期2016-02-06
- 碳摻雜WO3電子結(jié)構(gòu)的第一性原理研究
合適的禁帶寬度、導(dǎo)帶和價帶電位.TiO2因其化學(xué)性質(zhì)穩(wěn)定、抗光腐蝕能力強、難溶、無毒、低成本，是研究中使用最廣泛的光催化材料.但是，TiO2的禁帶寬度達(dá)3.2eV，光吸收僅限于紫外光區(qū)，只能響應(yīng)占太陽光譜約5%左右的紫外光，太陽能利用率很低.再加上光生電子空穴對的復(fù)合率高，太陽能利用效率僅在1%左右.因此，要提高太陽能利用效率，就必須擴(kuò)大催化劑響應(yīng)太陽光波長的范圍，即減小半導(dǎo)體催化劑的帶隙至2 eV 左右.這其中，WO3吸引了人們的注意.WO3是一種n 型
湖南師范大學(xué)自然科學(xué)學(xué)報 2015年4期2015-12-22
- 石墨烯能帶中的重疊矩陣效應(yīng):Tight-Binding方法在模擬中的研究
服能帶間隙躍遷到導(dǎo)帶，因此對石墨烯能帶的研究是非常有意義的，這對邏輯電路和其他電子設(shè)備的應(yīng)用是必不可少的［4］.認(rèn)識石墨烯，首先就必須對其的能帶有足夠清晰的了解. 無論從實驗上還是理論上，前人都已經(jīng)做了相當(dāng)全面的工作. Konschuh 等人［5］主要研究了考慮自旋-軌道(s，p，和d)耦合的緊束縛模型，重點研究了d 軌道對高對稱點(K 點)能帶的影響. Harrison［6］從方法學(xué)的角度，利用Louie 微擾法，在緊束縛模型中引入了s 軌道激發(fā)態(tài)，這種
原子與分子物理學(xué)報 2015年1期2015-07-13
- 滇西北地區(qū)地磁臺陣觀測的短周期變化特征研究
具有北北西走向高導(dǎo)帶特征。不同周期垂直分量變化幅度和水平分量變化幅度的比ΔZ/ΔH的等值線圖反映了高導(dǎo)帶的走向和位置隨深度的變化情況。通過對8個測點轉(zhuǎn)換函數(shù)的計算，獲取了2～256 min周期范圍內(nèi)的威斯矢量，結(jié)果顯示在分界線兩側(cè)威斯矢量的指向大體上相互背離，且威斯矢量的大小和指向隨周期的增大不斷變化。根據(jù)研究區(qū)內(nèi)大地電磁測深結(jié)果，計算出周期—視等效深度曲線，可知高導(dǎo)帶從中下地殼一直延伸至上地幔，且高導(dǎo)帶的位置和走向隨深度不斷發(fā)生變化。利用三維交錯采樣有限
地震科學(xué)進(jìn)展 2015年9期2015-03-29
- 應(yīng)變Si1－xGex(100)電子有效質(zhì)量研究*
子有效質(zhì)量(包括導(dǎo)帶能谷電子縱、橫向有效質(zhì)量，導(dǎo)帶底電子態(tài)密度有效質(zhì)量及電子電導(dǎo)有效質(zhì)量)進(jìn)行了系統(tǒng)的研究。結(jié)果表明:應(yīng)變Si1－xGex/(100)Si材料導(dǎo)帶能谷電子縱、橫向有效質(zhì)量在應(yīng)力的作用下沒有變化，導(dǎo)帶底電子態(tài)密度有效質(zhì)量在Ge組份較小時隨著x的增加而顯著減小，沿［100］方向的電子電導(dǎo)有效質(zhì)量隨應(yīng)力明顯降低。以上結(jié)論可為應(yīng)變Si1－xGex/(100)Si材料電學(xué)特性的研究提供重要理論依據(jù)。關(guān)鍵詞:應(yīng)變Si1－xGex;有效質(zhì)量; K-P(K
電子器件 2015年4期2015-02-23
- 飛虎科技推出兩款新型數(shù)碼印花機(jī)
：FH-052D導(dǎo)帶數(shù)碼印花機(jī)和FH-052P平板數(shù)碼印花機(jī)。據(jù)悉，F(xiàn)H-052D導(dǎo)帶式數(shù)碼印花機(jī)是飛虎最新的直噴設(shè)備，采用印花導(dǎo)帶的輸送方式，增加了導(dǎo)帶自動水洗裝置、烘干系統(tǒng)，包含傳統(tǒng)印花機(jī)的大部分功能；采用先進(jìn)的伺服傳動系統(tǒng)，保證印花對位的準(zhǔn)確性，可以在棉、亞麻、化纖、尼龍、絲綢、羊毛等面料上實現(xiàn)數(shù)碼印花生產(chǎn)，同時實現(xiàn)了低能耗、無污染、無噪音的綠色生產(chǎn)過程。FH-052P平板數(shù)碼印花機(jī)是針對毛衫、服裝裁片印花、家紡等領(lǐng)域研發(fā)的高端數(shù)碼印花系統(tǒng)，其高效、
紡織機(jī)械 2014年8期2014-12-19
- (101)單軸應(yīng)力對Si材料電子電導(dǎo)率有效質(zhì)量的影響*
軸應(yīng)力下Si材料導(dǎo)帶E-k解析模型，重點研究沿任意晶向(101)單軸應(yīng)力對Si材料電子電導(dǎo)率有效質(zhì)量的影響。結(jié)果表明:(101)單軸應(yīng)力沿0°和45°晶向均導(dǎo)致導(dǎo)帶底附近的六度簡并能谷分裂成兩組分立的能谷;(101)單軸張應(yīng)力下，沿45°晶向的電子電導(dǎo)率有效質(zhì)量隨應(yīng)力增大而明顯減小，沿0°和90°晶向的電子電導(dǎo)率有效質(zhì)量隨應(yīng)力增大而明顯增大;(101)單軸壓應(yīng)力下，Si材料沿高對稱晶向的電子電導(dǎo)率有效質(zhì)量隨應(yīng)力增大而明顯增大或幾乎不變。應(yīng)變張量;簡并度;晶
電子器件 2014年1期2014-09-28
- N和硫?qū)僭負(fù)诫s及共摻雜TiO2第一性原理計算
N的2p軌道占據(jù)導(dǎo)帶頂部［3］，致使N摻雜TiO2的效率并不高。因此，一些研究者對N和硫?qū)僭剡M(jìn)行了一些研究。Jenks W S等［4］指出，經(jīng)Se摻雜TiO2之后，在可見光區(qū)域具有更快的降解速率，表現(xiàn)出更好的光催化性能。高洪寶等［5］運用第一性原理計算指出，N和S摻雜TiO2之后，S引入雜質(zhì)帶在價帶和導(dǎo)帶之間，從而電子從價帶向導(dǎo)帶的躍遷變得容易。時白成等［6］計算分析了陰離子摻雜TiO2的電子性質(zhì)，認(rèn)為，帶間能級的出現(xiàn)使陰離子取代型S摻雜后吸收光譜發(fā)生紅
山西化工 2014年1期2014-09-11
- 1維光子晶體中兩種偏振光的場分布
光強迅速衰減；在導(dǎo)帶范圍內(nèi)，隨著TM波和TE波在1維光子晶體中傳播深度的增加，其光強不會衰減。這一結(jié)果對1維光子晶體中TM波和TE波的禁帶和導(dǎo)帶的形成的認(rèn)識是有幫助的。光電子學(xué)；光子晶體；偏振光；光強；位相差引 言光子晶體的概念自JOHN和YABLONOVITCH于1987年提出來后，由于利用光子晶體的帶隙可以十分方便地控制光波的傳播，對光子晶體的研究很快成為光學(xué)的前沿領(lǐng)域內(nèi)一個活躍的課題。在光子晶體的研究中由于1維光子晶體的結(jié)構(gòu)最簡單、研究最方便，但它卻
激光技術(shù) 2014年5期2014-04-17
- 一維缺陷光子晶體傳輸特性研究
每個禁帶中心都有導(dǎo)帶出現(xiàn)，M值越大，禁帶的反射率越大，邊緣越陡峭，且導(dǎo)帶的反射率先增大后減小。當(dāng)M＝4時，禁帶中心導(dǎo)帶的反射率最低，透射效果最好，而且在p取0～4之間時，禁帶中心導(dǎo)帶的透射率較好，p值增大，透射率變差。當(dāng)M＞8或M＜2時，禁帶中心幾乎沒有導(dǎo)帶，因此缺陷層所處的位置對晶體禁帶中心的導(dǎo)帶有很大的影響。圖2 介質(zhì)層周期數(shù)變化對傳輸特性的影響各介質(zhì)層的折射率和m值不變，改變周期數(shù)N和M 的數(shù)值，進(jìn)行多次仿真研究發(fā)現(xiàn)：后面周期介質(zhì)數(shù)比前面周期介質(zhì)數(shù)少
機(jī)電信息 2014年6期2014-03-06
- 一種雙頻雙圓極化共面波導(dǎo)饋電縫隙天線
面相連一個倒L型導(dǎo)帶[1]或兩個螺旋型導(dǎo)帶[2]來實現(xiàn)雙頻圓極化，或是包括導(dǎo)帶蝕刻天線[3]，雙單極子天線[4－6]，圓環(huán)縫隙天線[7]在內(nèi)的各種結(jié)構(gòu)都可以實現(xiàn)圓極化性能。2008年，J．Y．Sze提出了添加一對倒L型接地帶的共面波導(dǎo)饋電縫隙天線[8]。文中，利用改進(jìn)的開口接地環(huán)形導(dǎo)帶以及添加水平短截線的結(jié)構(gòu)來使所設(shè)計天線實現(xiàn)雙頻雙旋向圓極化輻射。仿真和實驗結(jié)果表明了所設(shè)計天線的性能，它可以應(yīng)用在GPS和WLAN系統(tǒng)上。1 天線設(shè)計所設(shè)計的天線采用厚度為1
電子設(shè)計工程 2014年21期2014-01-21
- 圓網(wǎng)印花機(jī)誤差分析與系統(tǒng)改進(jìn)
是由各個圓網(wǎng)跟隨導(dǎo)帶的速度進(jìn)行轉(zhuǎn)動，導(dǎo)帶速度發(fā)生波動時，導(dǎo)帶輥電機(jī)光電編碼器發(fā)出的脈沖信號也會發(fā)生變化，那么導(dǎo)帶輥電機(jī)光電編碼器發(fā)出的信號，經(jīng)電子齒輪后發(fā)給各個圓網(wǎng)伺服驅(qū)動器的信號也會變化，正是由于這種變化實現(xiàn)了各個圓網(wǎng)與導(dǎo)帶的跟隨。但這種跟隨會產(chǎn)生一定誤差，本文分析了誤差產(chǎn)生的原因，并對系統(tǒng)進(jìn)行了改進(jìn)。1 誤差產(chǎn)生原因圓網(wǎng)印花機(jī)印花產(chǎn)生的誤差主要有兩個來源:(1)機(jī)械原因，主要是機(jī)械加工精度造成的，可以通過適當(dāng)?shù)拇胧﹣硌a償。(2)電氣控制原因，各個圓網(wǎng)與
電氣自動化 2013年2期2013-12-14
- 固-固無限周期聲子晶體中SH波全反射隧穿的諧振理論*
減波,SH波出現(xiàn)導(dǎo)帶.其色散函數(shù)利用(13)式繪出色散函數(shù)F的圖像,在F的圖像中,F＜0對應(yīng)禁帶,F≥0對應(yīng)導(dǎo)帶.3 隧穿效應(yīng)波從波速小(c0)的介質(zhì)入射到波速大(c1)的介質(zhì)的分界面時會發(fā)生全反射現(xiàn)象,當(dāng)SH波從有機(jī)玻璃中入射到該聲子晶體時,其全反射角為θm=arcsin c0/c1=0.333 rad.SH波以大于全反射角入射該一維聲子晶體時能否出現(xiàn)全反射隧穿現(xiàn)象呢?計算出SH波以入射角θ0=0.55 rad入射該一維固-固無限周期聲子晶體其色散函數(shù)F
物理學(xué)報 2013年4期2013-12-12
- 第一性原理研究稀土摻雜ZnO結(jié)構(gòu)的光電性質(zhì)*
以看出,價帶頂和導(dǎo)帶底都位于G點處,說明ZnO是直接帶隙半導(dǎo)體,帶隙為0.73 eV.這一計算結(jié)果與關(guān)麗等[26]得到的計算結(jié)果(0.72 eV)十分接近,但是與ZnO的實驗禁帶值3.37 eV差距明顯,這是因為采用密度泛函理論計算晶體的結(jié)構(gòu)時,禁帶普遍偏低.對于本文的本征ZnO結(jié)構(gòu)而言,由于Zn 3d態(tài)的能量被過高估計,使得其與O 2p態(tài)之間的互作用增強,價帶帶寬增大,因此帶隙偏低.但理論計算與實驗之間帶隙的偏差并不影響對ZnO電子結(jié)構(gòu)及相關(guān)性質(zhì)的理論分
物理學(xué)報 2013年4期2013-12-12
- BaZrO3和CaZrO3電子結(jié)構(gòu)及光學(xué)性質(zhì)的研究
在R點和M點, 導(dǎo)帶底出現(xiàn)在G點, 屬于間接帶隙結(jié)構(gòu), 帶隙寬度為3.144eV. 在-10～-20eV能量區(qū)域內(nèi), 有兩條能帶與其他雜化帶分開, 這兩條能帶主要來源于Ba原子的p態(tài)和O的s態(tài)電子與導(dǎo)帶間的雜化作用, 其他大于-10eV的能量主要來源于Zr原子的d態(tài)和O原子的p態(tài)電子與導(dǎo)帶間強烈的雜化.圖2給出了BaZrO3總態(tài)密度和各元素的分態(tài)密度.由圖2可知, 價帶和導(dǎo)帶都來源于Ba原子和Zr原子的d態(tài)和O原子的p態(tài)電子間的雜化. 價帶頂態(tài)密度主要由O
淮陰師范學(xué)院學(xué)報（自然科學(xué)版） 2013年1期2013-11-02
- 堆疊方法與堆疊層數(shù)對扶手型石墨烯納米帶電子能帶的影響*
帶;E-為能量的導(dǎo)帶．1．2 少層扶手型石墨烯納米帶1．2．1 AA 堆疊法圖1為AA堆疊雙層AGNRs，所有1層碳原子直接對應(yīng)2層碳原子(上下對稱)．單位晶包共有2N個碳原子，同層內(nèi)的碳原子間鍵長為a=0．142 nm，兩層石墨的間距為b=0．335 nm．為解出能量本征值，由薛定諤方程得到的哈密頓矩陣［Hij］是一個4×4矩陣圖1 AA堆疊雙層AGNRs其中:H11，H12，H21，H22均為2 ×2 的方陣．最后得到本征能量為式(5)中:E±1分別為
浙江師范大學(xué)學(xué)報（自然科學(xué)版） 2012年2期2012-12-17
- 一維摻雜光子晶體結(jié)構(gòu)參數(shù)對帶隙結(jié)構(gòu)影響
心出現(xiàn)一個極窄的導(dǎo)帶，該導(dǎo)帶深度會隨著摻雜的位置和自身性質(zhì)的改變，而影響禁帶中心導(dǎo)帶的深度。目前關(guān)于一維光子晶體的研究非常多［3－8］。本文從一維摻雜光子晶體的基本結(jié)構(gòu)出發(fā)，利用傳輸矩陣法尋找到當(dāng)雜質(zhì)處在某個特定位置時，禁帶中心導(dǎo)帶深度最大，在此基礎(chǔ)上通過改變基本層厚度，來研究基本層厚度變化對禁帶中心導(dǎo)帶深度的影響程度。1 一維摻雜光子晶體結(jié)構(gòu)及理論分析一維光子晶體的基本結(jié)構(gòu)可以是由兩種不同折射率(n1，n2)和不同厚度(a，b)的各向同性介質(zhì)薄層交替排列
延安大學(xué)學(xué)報（自然科學(xué)版） 2012年1期2012-01-25
- 不同晶系應(yīng)變Si狀態(tài)密度研究*
角晶系應(yīng)變 Si導(dǎo)帶、價帶態(tài)密度模型.結(jié)果表明，除單斜和三角晶系導(dǎo)帶底態(tài)密度外，應(yīng)力對其余各態(tài)密度均有顯著影響.本文所得模型數(shù)據(jù)量化，可為應(yīng)變Si材料物理的理解及其他物理參數(shù)模型的建立奠定重要理論基礎(chǔ).應(yīng)變Si，KP，態(tài)密度PACS:71.20.－ b，71.15.－ m，71.20.mg1.引 言應(yīng)變Si是當(dāng)前國內(nèi)外研究發(fā)展重點，在高速/高性能CMOS器件和電路，以及光電子器件中有廣闊的應(yīng)用前景［1—3］.由于晶格失配，弛豫 Si1－xGex襯底上可外延
物理學(xué)報 2011年4期2011-10-25
- (001)面任意方向單軸應(yīng)變硅材料能帶結(jié)構(gòu)*
晶向?qū)?yīng)變硅材料導(dǎo)帶帶邊、價帶帶邊、導(dǎo)帶分裂能、價帶分裂能、禁帶寬度的影響.研究結(jié)果可為單軸應(yīng)變硅器件應(yīng)力及晶向的選擇設(shè)計提供理論依據(jù).單軸應(yīng)變硅，K·P法，能帶結(jié)構(gòu)PACS:71.15.－ m，71.70.Fk1.引 言應(yīng)變硅由于具有載流子遷移率高、能帶結(jié)構(gòu)可調(diào)、并與硅的微電子技術(shù)相兼容等優(yōu)異特性，成為提高器件與電路性能的首選方案［1］.在硅中引入應(yīng)變的方法常見有襯底致雙軸應(yīng)變和工藝致單軸應(yīng)變.與雙軸應(yīng)變相比，單軸應(yīng)變以其在低應(yīng)變和高垂直電場下可以更大程
物理學(xué)報 2011年2期2011-10-23
- 拉伸形變下BC3納米管的能帶結(jié)構(gòu)*
，BC3納米管的導(dǎo)帶能級和價帶能級逐漸靠近，最終發(fā)生能帶交疊.壓縮形變下能帶的交疊程度可達(dá)0.5 eV，而拉伸形變下只有0.2 eV.對于扶手椅型BC3納米管，隨著拉伸和壓縮的不斷增加，BC3納米管首先由直接半導(dǎo)體轉(zhuǎn)化為間接半導(dǎo)體，進(jìn)而發(fā)生能帶的交疊，表現(xiàn)出金屬性.在無形變時，扶手椅型BC3納米管是一種很不穩(wěn)定的直接躍遷窄帶半導(dǎo)體，輕微的壓縮形變(et=－0.003)都可以使其轉(zhuǎn)化為間接半導(dǎo)體.對于鋸齒型BC3納米管，由于存在平坦的導(dǎo)帶和價帶，輕微的拉伸和
物理學(xué)報 2010年6期2010-09-08
- C 摻雜銳鈦礦相TiO2吸收光譜的第一性原理研究*
能量的光子躍遷到導(dǎo)帶，所以從理論上可以計算出摻雜后的TiO2在可見光范圍內(nèi)存在兩個吸收邊，與實驗中所得到的現(xiàn)象相一致.C摻雜，銳鈦礦TiO2，能帶結(jié)構(gòu)，吸收光譜PACC:7115A，7115H，7210，71201. 引言TiO2由于具有良好的電［1，2］、磁［3］、光催化［4］和電化學(xué)性質(zhì)［5］，在過去的幾十年里被廣泛研究;同時，TiO2在實際應(yīng)用中也得到了廣泛的開發(fā)，例如，用作催化劑、傳感器、顏料［6］等.特別是自從1971年，F(xiàn)ujishima和Ho
物理學(xué)報 2010年4期2010-09-08
- 硅基超晶格Si1－xSnx/Si的能帶結(jié)構(gòu)
，價帶頂在Γ點，導(dǎo)帶底在Γ-X方向上的X點附近(約85%處).由于動量守恒的要求，電子的間接躍遷必須借助于其他準(zhǔn)粒子過程，如聲子的參與，其躍遷概率遠(yuǎn)小于直接躍遷.因此，體Si不是一種合適的發(fā)光材料，直接在Si材料上實現(xiàn)全Si光電子集成是一件幾乎不可能的事情.于是，多年來世界上許多科學(xué)家把注意力集中到Ⅲ-Ⅴ及Ⅱ-Ⅵ族化合物這些直接帶隙材料上，將其作為一種重要的光電子材料和器件，研究它們與Si芯片的兼容性問題.雖然已經(jīng)獲得某些進(jìn)展，但是由于化合物材料的極性晶面
物理學(xué)報 2010年7期2010-09-08
- 氮鐵共摻銳鈦礦相TiO2電子結(jié)構(gòu)和光學(xué)性質(zhì)的第一性原理研究*
Fe共摻雜同時在導(dǎo)帶底和價帶頂形成了雜質(zhì)能級，使TiO2的禁帶寬度變窄，光吸收帶邊紅移到可見光區(qū)，這些雜質(zhì)能級可以降低光生載流子的復(fù)合概率，提高TiO2的光催化效率;與Fe摻雜TiO2的態(tài)密度相比，共摻雜位于價帶頂?shù)碾s質(zhì)能級的態(tài)密度峰明顯增大，導(dǎo)致電子從雜質(zhì)能級躍遷到導(dǎo)帶的概率增加，使其對太陽能的利用率提高;在不考慮雜質(zhì)能級的情況下，與純TiO2相比，N，F(xiàn)e共摻雜TiO2的帶邊位置只有微小變化，因此N，F(xiàn)e共摻雜TiO2的強氧化還原能力得以保持.第一性原
物理學(xué)報 2010年7期2010-09-08
- LTCC基板上薄膜多層布線工藝技術(shù)
破其工藝難題，如導(dǎo)帶與通孔柱形成技術(shù)、通孔的接觸電阻及斷臺和介質(zhì)層質(zhì)量等問題，才能真正掌握LTCC上薄膜多層布線技術(shù)。2 LTCC上薄膜多層布線技術(shù)薄膜多層布線技術(shù)主要有LTCC基板－薄膜界面加工和互連技術(shù)、導(dǎo)帶及通孔形成技術(shù)、介質(zhì)膜加工技術(shù)等。2.1 LTCC基板－薄膜界面加工和互連技術(shù)為了在LTCC 基板上制作多層薄膜布線，共燒后的多層LTCC基板必須進(jìn)行表面平整化、致密化、潔凈化處理，并使其能兼容薄膜工藝，與淀積薄膜（金屬膜、介質(zhì)膜）有較高的結(jié)合強度
電子與封裝 2010年4期2010-02-26