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      Vishay發(fā)布新款具有“R”失效率的QPL鉭氮化物薄膜片式電阻

      2013-03-26 04:41:34
      電子設(shè)計工程 2013年14期
      關(guān)鍵詞:氮化物膜技術(shù)失效率

      Vishay Intertechnology,Inc.宣布,推出通過MIL-PRF-55342認(rèn)證的新系列QPL表面貼裝片式電阻——E/H(Ta2N),該電阻具有公認(rèn)的高可靠性,失效率達(dá)到每1 000 h0.01%的“R”級。新款E/H(Ta2N)電阻采用耐潮的鉭氮化物電阻膜技術(shù)制造,為軍工和航天應(yīng)用提供了更好的規(guī)格指標(biāo),包括0.1%的公差和25 ppm/℃的TCR。

      E/H(Ta2N)薄膜電阻具有小于25 dB的超低噪聲,以及低至0.5 ppm/V的電壓系數(shù)。電阻的卷繞端接采用牢固的粘附層,覆蓋一層電鍍鎳柵層,使器件可在+150℃溫度下工作,而粘附層產(chǎn)生的電阻還不到0.010 Ω。

      器件有 M55342/01~M55342/12共12種外形尺寸,功率等級為50~1 000 mW,工作電壓為 30~200 V,根據(jù)公差,阻值范圍49.9 Ω~3.3 MΩ。E/H(Ta2N)薄膜電阻現(xiàn)已量產(chǎn),供貨周期為八周到十周。

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