徐江濤,楊曉軍,張?zhí)?,韓昆燁
(1.微光夜視技術(shù)重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室,陜西 西安 710065;2.北方夜視科技集團(tuán)有限公司,云南 昆明 650223;3.西安應(yīng)用光學(xué)研究所,陜西 西安 710065)
在紫外成像器件的研究中,為了實(shí)現(xiàn)光電陰極與管體在真空中傳遞封接,保證封接氣密性,必須要先在管體陰極封接盤中熔化一層低熔點(diǎn)焊料,這層焊料的質(zhì)量好壞直接影響著封接氣密性。另外,紫外光電陰極靈敏度和電子發(fā)射穩(wěn)定性與傳遞溫度有著重要關(guān)系,因此要求陰極封接焊料熔點(diǎn)不能太高。從制管總體工藝考慮,我們選用低熔點(diǎn)InSn合金為熱銦封焊料,因其具有熔點(diǎn)低、塑性和流散性好、蒸氣壓低等特點(diǎn)[1-3],特別適用于熱膨脹系數(shù)不同的材料非匹配封接[4-6]。在對(duì)管體InSn焊料熔化過程中,常出現(xiàn)有焊料流散不均、堆積不連續(xù)、體內(nèi)氣孔等情況,使封接層常出現(xiàn)漏氣現(xiàn)象,嚴(yán)重影響了器件研制進(jìn)度和制管成品率,特別是由焊料層缺陷引起的慢漏氣,大大縮短了器件的使用壽命。為確保陰極與管體封接氣密性和器件壽命,開展了管體化銦專題研究。
紫外成像器件管體化銦是在沈科儀廠生產(chǎn)的HVGRL-500型超高真空設(shè)備中完成的,主抽泵抽速為350 0 L/s的磁懸浮分子泵,極限真空度2×10-6Pa,前級(jí)真空泵為無油機(jī)械泵,系統(tǒng)加熱采用LIP溫控器進(jìn)行自動(dòng)控制,設(shè)備配有試驗(yàn)過程曲線。
管體化銦過程是:把清洗干凈的InSn焊料環(huán)裝入經(jīng)過500 ℃氫氣處理的管體陰極盤中,連同定位夾具一起放入真空爐,對(duì)腔室抽真空,待真空度達(dá)到4×10-4Pa時(shí),開始以9 ℃/min的升溫速率對(duì)爐膛加溫1 h,在540 ℃中保溫1.5 h后,再以5 ℃/min的速率對(duì)爐膛降溫,1 h后關(guān)閉加熱電源,等爐膛溫度降到室溫后關(guān)閉真空系統(tǒng),然后對(duì)真空室充N2,取出化銦管體。對(duì)管體化銦層進(jìn)行質(zhì)檢,合格的供給裝管,不合格的視為廢品。
對(duì)管體InSn合金熔化過程中出現(xiàn)的流散不均勻問題,用晶相理論[7-8]分析可知,焊料升降溫過程中,由于爐內(nèi)溫度梯度的存在,液態(tài)焊料表面存在有不平衡結(jié)晶過程,從而導(dǎo)致原子結(jié)晶梯度不同,偏離平衡成份固熔線,使固熔體平均成份與原合金成份不同而產(chǎn)生不均勻,形成焊料面高低不平。用這種焊料封接陰極,焊料面不能與陰極封接面形成均勻一致的封接層,液面低的與陰極封接面接觸小,當(dāng)焊料溫度降低到熔點(diǎn)以下形成固體后,焊料收縮,使得低面焊料與陰極面脫開產(chǎn)生縫隙,從而致使封接面漏氣。措施:增大爐內(nèi)恒溫區(qū),合理延長(zhǎng)保溫時(shí)間,緩慢降低溫度下降速率,解決了熔層不均勻問題。
關(guān)于焊料層斷裂現(xiàn)象產(chǎn)生的原因,通過分析認(rèn)為,主要是由于焊料低溫時(shí)與基底金屬面的浸潤(rùn)性較差,而且與基金屬面互不熔解。另外,基體金屬表面存在局部氧化,氧化物會(huì)阻止基體金屬原子與液體焊料原子間的直接接觸,削弱兩者之間的附著力,使附著力遠(yuǎn)小于液態(tài)焊料內(nèi)聚力,使焊料不能很好地流散開,冷卻后,就會(huì)形成斷裂狀態(tài),這種缺陷是不能用于裝管的。只有當(dāng)基體無氧化,焊料和基體金屬相互作用,使液體向基體金屬形成擴(kuò)散,被基體金屬飽和的液體焊料在冷卻時(shí)根據(jù)平衡圖能析出固熔體,就會(huì)使焊料組份向基體金屬晶粒內(nèi)部擴(kuò)散,也即相互熔解,就可保證焊料的流散連續(xù)。解決焊料斷裂的措施是對(duì)已處理干凈的焊料和基底面盡量縮短暴露大氣時(shí)間防止氧化,及時(shí)裝入真空爐,采用無油真空設(shè)備化銦,可消除設(shè)備運(yùn)作時(shí)油蒸汽對(duì)焊料表面的污染,減少真空殘氣對(duì)焊料質(zhì)量的影響。
InSn合金焊料熔化實(shí)驗(yàn)中,發(fā)現(xiàn)焊料層中存在有3種不同類型的氣孔,如圖1所示。
圖1 焊料層內(nèi)氣孔示意圖Fig.1 Schematic diagram of solder layer gas hole
第1種是深孔,即焊料面到基體金屬面的直通孔; 第2種是焊料層體內(nèi)的氣孔; 第3種是焊料表面上的凹型孔。
深孔的形成,用表面張力理論來分析,是由于基體金屬表面和合金焊料表面存在有氧化物或油污染物,當(dāng)焊料加熱熔化后,由于分子熱運(yùn)動(dòng)它們相聚到一起時(shí),使焊料表面張力增大,阻止了液態(tài)焊料流動(dòng),焊料降溫氣體動(dòng)能減小,體內(nèi)氣體釋放不到體外,這可能是管體和材料工藝處理過程受污染形成的。這種污染物只能靠提高真空度并將溫度提高到600 ℃, 直到焊料微蒸發(fā)才能消除,但這樣會(huì)造成真空爐膛污染,降低設(shè)備利用率。
試驗(yàn)中,我們觀察到,當(dāng)爐膛升溫使InSn合金達(dá)到熔點(diǎn)溫度后,由于表面張力較大,焊料收縮,先形成球形,隨著加熱溫度的升高,表面張力變小,液體開始浸潤(rùn)固體表面,這時(shí)液體內(nèi)部分子的吸引力小于固體分子的附著力。只有當(dāng)固-氣表面張力大于固-液張力與液-氣表面張力之和時(shí),液體就展布成薄層,促使焊料體內(nèi)氣體向外釋放,即液體完全浸潤(rùn)固體。實(shí)際上,無論是在焊料體內(nèi),還是焊料表層產(chǎn)生的氣孔,都是焊料體內(nèi)各種雜質(zhì)和氣體通過熱擴(kuò)散向外釋放的先后時(shí)間不同而異,體內(nèi)氣孔可能是重分子氣孔,擴(kuò)散速度慢,釋放到體外需要時(shí)間長(zhǎng),表面凹型孔是輕分子氣孔,擴(kuò)散快,在到達(dá)表面后,只需較短的時(shí)間就釋放出表面,并停留在焊料表層內(nèi)。一般來講,只要?dú)饪字睆捷^小,不使焊料面形成斷層,采用二次處理,就可以消除表面凹形孔,焊層體內(nèi)氣孔較少,加上制管時(shí)對(duì)管體再進(jìn)行380 ℃、10 h以上烘烤排氣,可以消除焊料體內(nèi)的氣孔,又由于陰極與管體封接焊料處于液態(tài),陰極與焊料接觸時(shí),靠陰極壓力作用將表面的氣孔擠出,所以焊料氣孔對(duì)封接漏氣的影響不是很大,但是在對(duì)焊料表面處理時(shí),仍不允許刮開的焊料表面有氣孔存在。
InSn合金焊料熔化實(shí)驗(yàn)證明,把InSn合金焊料直接放入管體儲(chǔ)銦槽內(nèi),無論是采用高頻化銦或真空加熱化銦,都會(huì)使焊料層產(chǎn)生氣孔。由于存銦槽焊料的存在,阻止了焊料基底表面溫度變化,焊料熔化后,使焊料和基底金屬表面的氣體不能快速釋放出來,存留到焊料內(nèi)部,分子的動(dòng)能小于液-氣表面張力時(shí),很難釋放到液體外,盡管氣體由于熱運(yùn)動(dòng)向液體外擴(kuò)散,但由于液體重力的作用,阻止了氣體向液體外擴(kuò)散速度,只有那些氣體動(dòng)能大于液-氣表面張力的氣體,才會(huì)較快釋放出體內(nèi),而動(dòng)能小的會(huì)留在焊料體內(nèi)產(chǎn)生氣孔。所以消除焊料體內(nèi)氣孔,關(guān)鍵是要保證基底材料表面和焊料體內(nèi)無氣體、無雜質(zhì),InSn合金焊料在基底表面有良好的浸潤(rùn)性。在管體陰極盤化銦槽表面蒸鍍一層與InSn合金侵潤(rùn)性良好的金屬膜,把焊料與管體分開真空烘烤除氣,然后高溫對(duì)管體進(jìn)行澆鑄化銦,保證管體化銦質(zhì)量。
前期管體化銦真空爐極限真空度低、排氣慢、爐體加熱采用鉭帶通電升溫,放氣量大,真空系統(tǒng)為半無油,真空殘氣對(duì)焊料表面影響較大,管體化銦成品率低。為此,首先對(duì)設(shè)備進(jìn)行了改進(jìn),制造了專用管體化銦設(shè)備,采用全無油分子泵加無油機(jī)械泵結(jié)構(gòu),排除了油污染,改鉭帶加熱為碘鎢燈光輻射加熱,放氣量少,極限真空度由4×10-5Pa提高到4×10-6Pa,特別是一次可化9只管體,只需要5 h,比改進(jìn)前管體化銦效率提高了40%,合格率提高了35%。
為了徹底消除管體儲(chǔ)料槽表面氧化,采取化銦前先對(duì)管體進(jìn)行600 ℃、1 h燒氫凈化處理,以保證焊料在基底面的快速流散性,凈化過的管體要及時(shí)送入化銦臺(tái),防止焊料基底表面氧化。
為了有效去除焊料體內(nèi)的雜質(zhì)和有害殘氣,保證焊料熔層體內(nèi)無氣孔,采用對(duì)焊料單獨(dú)進(jìn)行真空度10-5Pa、高溫500 ℃、保溫2 h的預(yù)除氣。實(shí)驗(yàn)證明,對(duì)焊料除氣后,注入到管體儲(chǔ)料槽內(nèi),焊料體內(nèi)無氣泡、流散均勻,提高了管體化銦成品率。
在分析了管體焊料熔層氣孔產(chǎn)生的原因后,采取把焊料與管體相分離,同時(shí)在真空度10-5Pa條件下,進(jìn)行高溫540 ℃、保溫3 h除氣,然后真空度保持在10-5Pa、500 ℃下對(duì)管體焊料進(jìn)行澆注熔化,徹底解決了焊料熔層存在的質(zhì)量問題。
管體注料工藝過程是:把清洗干凈的InSn合金焊料和管體同時(shí)在潔凈環(huán)境中裝入專用化銦夾具中,立即送入專用全無油真空化銦臺(tái)抽真空,待真空度達(dá)到4×10-5Pa時(shí),采用碘鎢燈內(nèi)加熱對(duì)夾具和管體進(jìn)行540 ℃烘烤除氣,經(jīng)過3 h保溫后,總壓達(dá)到穩(wěn)定狀態(tài),高溫下打開注料閘門,使InSn合金焊料依靠重力作用流入管體陰極盤儲(chǔ)銦槽。由于焊料和基底儲(chǔ)銦槽表面經(jīng)過預(yù)先高溫除氣,體內(nèi)和表面氣體已完全釋放,最重要的是儲(chǔ)銦槽表面處于高溫狀態(tài),有很大的表面張力,當(dāng)焊料流入儲(chǔ)銦槽后,會(huì)立即在儲(chǔ)銦槽表面流散開,并迅速均勻填滿管體注料槽內(nèi),成功實(shí)現(xiàn)管體鑄銦。通過三維測(cè)量?jī)x對(duì)管體澆注InSn合金層體內(nèi)質(zhì)量檢測(cè),焊料體內(nèi)氣泡徹底消失,管體化銦成品率提高35%,陰極與管體封接氣密性成品率達(dá)到了98%,促進(jìn)了紫外成像器件研究工作的進(jìn)展。管體注料工藝除了用于紫外成像器件,還可應(yīng)用于雙通道板光電倍增管和二代近貼微光管[9-10]。圖2為管體注料裝置示意圖。
圖2 管體注料裝置結(jié)構(gòu)圖Fig.2 Structure of tube solder pouring
通過對(duì)InSn合金熔層體內(nèi)產(chǎn)生氣孔機(jī)理分析,并經(jīng)實(shí)踐證明,InSn合金熔層內(nèi)氣孔主要是由焊料和基材體內(nèi)氣體及雜質(zhì)產(chǎn)生的,采用管體注料工藝,對(duì)焊料和基底材料進(jìn)行隔離除氣,真空度穩(wěn)定在4×10-5Pa、高溫500℃下對(duì)管體注料,管體注料合格率達(dá)到100%,陰極與管體封接氣密性成品率達(dá)98%,加速了器件研究進(jìn)度,促進(jìn)了器件發(fā)展,并成功地研制出了紫外成像器件、雙通道光電倍增管和二代近貼微光管。
[1] Xu Jiangtao. Thermal indium seal techniques for photocathode transfer in second generation proximity low-light-level tube[J]. Journal of Applied Optics,1996,17(3):10-12.
徐江濤. 二代近貼微光管光電陰極轉(zhuǎn)移熱銦封技術(shù)[J]. 應(yīng)用光學(xué),1996,17(3):10-12.
[2] Cheng Yaojin,Xu Jiangtao,Xu Ke, et al. The research of photoelectric cathode transferred and sealed technology of proximity focused and imaged devices[J]. Vacuum Electronics,2009(6):60-62.
程耀進(jìn),徐江濤,徐珂,等. 近貼聚焦成像器件光電陰極傳遞封接工藝研究[J]. 真空電子技術(shù),2009(6):60-62.
[3] Liu Xiuxi.Semiconductor device manufacturing process commonly used data manual[M]. Beijing:Electronic Industry Press,1992.
劉秀喜. 半導(dǎo)體器件制造工藝常用數(shù)據(jù)手冊(cè)[M]. 北京:電子工業(yè)出版社,1992.
[4] Dong Yaqiang,Lyu Zhongcheng. Process of double indium seal technology[J]. Optoelectronic Technology,1994,14(3):223.
董亞強(qiáng),呂忠誠(chéng). 雙銦封技術(shù)的工藝研究[J]. 光電子技術(shù),1994,14(3):223.
[5] Rosebury F. Handbook of electron tube and vacuum techniques[M]. USA:American Institute of Physics, 1992.
[6] Yan Guang,Duan Weili,Zhou Deming. Hot melt indium sealing technology for vacuum electronic devices[J]. Infrared Technology,1989,11(5):21-23.
嚴(yán)光,段維麗,周德明. 電真空器件的熱熔銦封技術(shù)[J]. 紅外技術(shù),1989,11(5):21-23.
[7] Mo Chunchang, Chen Guoping. Electric vacuum technology[M]. Beijing:National Defense Industry Press,1980.
莫純昌,陳國(guó)平. 電真空工藝[M]. 北京:國(guó)防工業(yè)出版社,1980.
[8] Chen Keqiang. Materials science base and electric vacuum materials[M]. Beijing:Tsinghua University Press,1988.
陳克強(qiáng). 材料科學(xué)基礎(chǔ)與電真空材料[M]. 北京:清華大學(xué)出版社,1988.
[9] Xu Jiangtao. Research of double micro channel plate photomultiplier tube[J]. Vacuum Science and Technology,2000,20(5):358-360.
徐江濤. 雙微通道板光電倍增管的研究[J]. 真空科學(xué)與技術(shù),2000,20(5):358-360.
[10] Xu Jiangtao. Research of second generation proximity focus image intensifier nano second response[J]. Vacuum Science and Technology,2005,25(1):47-49.
徐江濤. 二代近貼像增強(qiáng)器納秒響應(yīng)技術(shù)研究[J]. 真空科學(xué)與技術(shù),2005,25(1):47-49.