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      交流調(diào)速控制器MOSFET 功率管選型與發(fā)熱分析

      2014-12-25 03:17:30王愛榮康少華張學(xué)玲
      軍事交通學(xué)院學(xué)報 2014年11期
      關(guān)鍵詞:功率管發(fā)熱量導(dǎo)通

      王愛榮,康少華,張學(xué)玲

      (軍事交通學(xué)院 軍事物流系,天津300161)

      在交流調(diào)速控制器中,MOSFET 功率管既是主要的控制器件,也是主要的發(fā)熱器件,是一種電壓控制型電子開關(guān)器件,能以較小的控制功率獲取較大的驅(qū)動功率,且其開關(guān)速度也較快。因此,在設(shè)計控制器時,MOSFET 功率管型號的選擇對控制器電路設(shè)計和結(jié)構(gòu)設(shè)計具有重要意義。

      1 MOSFET 功率管選型

      1.1 MOSFET 功率管基本型號的確定

      根據(jù)控制器的2 個重要參數(shù)—電壓80 V 和電流400 A,選擇耐壓值時,考慮控制器的回饋充電電壓,為了避免MOSFET 功率管擊穿,其耐壓值應(yīng)選取工作電壓的2 倍以上,查閱MOSFET 功率管的使用手冊,可選擇耐壓值為150 V 的MOSFET功率管。根據(jù)耐壓值,選定IRF 公司的IRFS4321型和INFINEON(英飛凌)公司的IPB065N15N3 型MOSFET 功率管進(jìn)行對比分析(見表1)。

      表1 2 種MOSFET 功率管基本參數(shù)

      1.2 MOSFET 功率管并聯(lián)數(shù)量的確定

      單只MOSFET 功率管的過流能力有限,為了得到大的驅(qū)動功率,必須提高過流能力,一般采用多只MOSFET 功率管并聯(lián)來增加驅(qū)動功率。

      并聯(lián)MOSFET 功率管時,必須解決好多只MOSFET 功率管并聯(lián)驅(qū)動、均流和多只MOSFET 功率管并聯(lián)導(dǎo)通的一致性問題[1]。并聯(lián)的數(shù)量越多,解決問題的難度越大。因此,合理選擇單只MOSFET 功率管的過流能力,是設(shè)計控制器的關(guān)鍵。一般安全系數(shù)大于2,所以選定MOSFET 功率管的總電流在900 A 以上。

      并聯(lián)MOSFET 功率管電流分配不均是由于并聯(lián)功率管的導(dǎo)通電阻Rds不相等引起的,Rds較低的功率管分擔(dān)了比平均值更大的電流。功率管的Rds具有正溫度系數(shù),可以抑制功率管的發(fā)熱。如果并聯(lián)功率管部分承擔(dān)了更多的電流,則局部的發(fā)熱量就比較大,內(nèi)阻增加,就會把電流承擔(dān)區(qū)域轉(zhuǎn)移到相鄰區(qū)域來平衡電流密度。僅僅依靠MOSFET 功率管自身的平衡機(jī)制不足以降低器件的工作溫度。因此,解決并聯(lián)均流和導(dǎo)通的一致性問題,可以采取以下方法:

      (1)嚴(yán)格匹配并聯(lián)MOSFET 功率管的導(dǎo)通電阻。

      (2)減少驅(qū)動線長度,功率管和驅(qū)動線電路設(shè)計采取對稱布局。

      (3)柵極串聯(lián)一個較小的均流電阻。

      (4)將并聯(lián)功率管置于同一散熱片上,盡量靠近,保持溫度接近。

      IRF 公司的IRFS4321 單只過流能力是83 A(25 ℃),綜合多只MOSFET 功率管的均流因素和調(diào)速控制器的參數(shù),選擇12 只功率管并聯(lián);INFINEON 公司的IPB065N15N3,單只過流能力130 A(25 ℃),則選擇7 只功率管并聯(lián)。

      2 MOSFET 功率管發(fā)熱分析

      2.1 MOSFET 功率管布局分析

      功率管型號和并聯(lián)數(shù)量決定了調(diào)速控制器的布局和整體結(jié)構(gòu)。MOSFET 功率管工作過程中會承受大電流,即使功率管導(dǎo)通電阻足夠小,但是整體的溫升也很快。溫升會影響調(diào)速控制器的過流能力和導(dǎo)通電阻,過高的溫度會超過功率管的承受極限,導(dǎo)致?lián)舸┖蜔龤А6嘀还β使懿⒙?lián)時,容易出現(xiàn)某只承載電流不均、溫升過快等問題,也導(dǎo)致功率管燒毀。因此,采用金屬鋁基板材,提高散熱能力,解決溫升過高和過快問題,還可以解決熱脹冷縮問題。其技術(shù)是將MOSFET 功率管均布于板材上,通過板材和導(dǎo)熱硅脂將熱量傳送至散熱底座[2]。

      2.1.1 12 只IRFS4321 并聯(lián)

      調(diào)速控制器功率模塊采用三相橋壁電路,每一相上下橋壁采用12 只IRFS4321 并聯(lián)。12 只并聯(lián)MOSFET 功率管均流難度大,因此,驅(qū)動線采用中間對稱布局方式。中間對稱布局能夠減小驅(qū)動信號的損耗、布線電阻和布線電感,保證每一只MOSFET 功率管驅(qū)動信號一致和充分導(dǎo)通,確保每只功率管發(fā)熱量均勻。IRF 公司單只IRFS4321 導(dǎo)通電阻為15 mΩ,單位時間內(nèi)流經(jīng)大電流時的發(fā)熱量很大,大電流在走線電路上的發(fā)熱量也很大,因此,調(diào)速控制器的三相輸出采用中間出線的方式,使單位鋁基板銅箔面積通過電流減小,調(diào)速控制器的內(nèi)部發(fā)熱量減小。圖1 所示為12 只IRFS4321 的整體布局。

      2.1.2 7 只IPB065N15N3 并聯(lián)

      英飛凌公司單只IPB065N15N3 導(dǎo)通電阻為6.5 mΩ,比IRF 公司IRFS4321 減小了一半多,并聯(lián)功率管的數(shù)量為7 只,流經(jīng)同樣電流發(fā)熱量比IRFS4321 小很多。因此,驅(qū)動線采取單邊驅(qū)動方式,三相輸出采取單邊輸出方式,這樣可以簡化調(diào)速控制器整體布局。外圍大電流接線柱位于調(diào)速控制器外殼邊緣,方便調(diào)速控制器外圍接線。圖2所示為7 只IPB065N15N3 整體布局。

      圖1 12 只IRFS4321 整體布局

      圖2 7 只IPB065N15N3 整體布局

      2.2 MOSFET 功率管熱仿真分析

      調(diào)速控制器輸出最大電流(400 A)時間指標(biāo)為2 min,輸出額定電流(200 A)時間指標(biāo)為1 h。為滿足指標(biāo),環(huán)境溫度25 ℃時,利用ANSYS 對2種情況MOSFET 功率管發(fā)熱進(jìn)行分析[4]。

      2.2.1 MOSFET 功率管發(fā)熱量計算

      MOSFET 功率管的功率損耗主要包括阻性損耗和開關(guān)損耗,不同工作狀態(tài)下,其阻性損耗和開關(guān)損耗所占比例是不同的。MOSFET 功率管工作在最大占空比時,輸入電壓達(dá)到最大,單位時間內(nèi)的阻性損耗最大。根據(jù)MOSFET 功率管的導(dǎo)通電阻RDS(ON)HOT和工作占空比,通過歐姆定律,近似計算它的阻性功率損耗[3]:

      式中:PDRESISTIVE為MOSFET 功率管的阻性損耗;ILOAD為MOSFET 功率管漏源極電流;RDS(ON)HOT為MOSFET 功率管最高溫度時導(dǎo)通漏源極電阻;UOUT為輸出電壓;UIN為輸入電壓。

      MOSFET 功率管的開關(guān)損耗計算比較困難,因它依賴于許多難以量化且通常沒有規(guī)律的因素,這些因素同時影響打開和關(guān)斷過程??捎孟率浇乒懒磕持籑OSFET 功率管開關(guān)損耗[3]:

      式中:PDSWITCHING為MOSFET 功率管開關(guān)損耗;CRSS為MOSFET 功率管反向傳輸電容(數(shù)據(jù)資料中一個參數(shù));fSW為開關(guān)頻率;IGATE為MOSFET 功率管柵極驅(qū)動器在MOSFET 功率管處于臨界導(dǎo)通(UGS位于柵極充電曲線的平坦區(qū)域)時的吸收電流。

      計算2 種方案在輸出最大電流和額定電流時發(fā)熱功率,其結(jié)果見表2。

      表2 2 種方案發(fā)熱功率 W

      表2 數(shù)據(jù)表明,最大輸出和額定輸出狀態(tài)的發(fā)熱功率相差比較大。內(nèi)阻大、并聯(lián)數(shù)量多的功率管,單只流經(jīng)電流反而小,則發(fā)熱功率也小。

      2.2.2 調(diào)速控制器最大輸出狀態(tài)

      圖3 為2 種方案調(diào)速控制器最大輸出時的溫度分布輪廓。其中,方案1 的熱平衡最高溫度為64.4 ℃(如圖3(a)所示),方案2 的熱平衡最高溫度為54.6 ℃(如圖3(b)所示),功率管內(nèi)阻大、并聯(lián)數(shù)量多的方案2 達(dá)到熱平衡溫度更低,因此,方案2 發(fā)熱量低。

      2 種方案最高溫度區(qū)域很小,溫度降低,板上區(qū)域增大,說明板與外界的熱傳導(dǎo)比較均勻,設(shè)計都是比較合理的。從溫度區(qū)域看,同一溫度輪廓區(qū)域方案2 大,說明板面積影響板散熱。

      圖4 為最大輸出時熱流率分布。可以看出方案1 的最大熱流率為295 255,方案2 的最大熱流率為189 646??梢姡迕娣e增大,最大的熱流率反而減小。另外,最高溫度區(qū)域方案2 比方案1大,方案2 比方案1 的熱流率分布更有規(guī)律,所以,熱量的分布更均勻,傳導(dǎo)更好。

      圖5 為最大輸出時溫度分布梯度??梢钥闯觯桨? 比方案1 的板面積大,相應(yīng)的溫度梯度線外廓要大,同一溫度范圍所占面積大,而且方案2 溫度梯度比方案1 要小1 個等級。所以,其溫度分布更為均勻,散熱更為良好。

      圖4 最大輸出時熱流率分布

      圖6 最大輸出時熱變形云圖

      圖6 為最大輸出時熱變形云圖。可以看出,方案1 的最大熱變形量為0.15 ×10-5m(如圖6(a)所示),方案2 的最大熱變形量為0.128 ×10-5m(如圖6(b)所示),2 種方案的熱變形量極小,基本可以忽略不計。另外,2 種方案熱變形分布區(qū)域均勻,區(qū)域之間的變形量相差很小。因此,2 種方案布局的熱變形都能滿足要求。

      2.2.3 調(diào)速控制器額定輸出狀態(tài)

      圖7 為額定輸出時溫度分布輪郭。可以看出,調(diào)速控制器額定輸出時,方案1 熱平衡最高溫度31 ℃(如圖7(a)所示),方案2 熱平衡最高溫度29 ℃(如圖7(b)所示)。達(dá)到熱平衡的溫度和溫度分布說明2 種設(shè)計都是合理的。

      圖7 額定輸出時溫度分布輪廓

      額定輸出的溫度分布梯度線(如圖8 所示)直觀地說明了溫度的分布區(qū)域。2 種方案溫度梯度線變化均勻,反映調(diào)速控制器額定工作時散熱良好。

      3 結(jié) 論

      圖8 額定輸出時溫度分布梯度線

      (1)2 種方案表明,減小大電流調(diào)速控制器的發(fā)熱量,既可選擇少量內(nèi)阻小的MOSFET 功率管并聯(lián),也可選擇多只內(nèi)阻大的MOSFET 功率管并聯(lián),后者的總體發(fā)熱量要小一些。多只功率管并聯(lián)時,散熱板面積大,有利于散熱。

      (2)論文設(shè)計的2 種方案發(fā)熱量都在允許范圍內(nèi),前者發(fā)熱量大,但可優(yōu)化控制器結(jié)構(gòu),后者發(fā)熱量小,但其結(jié)構(gòu)稍微復(fù)雜。

      [1] 曲學(xué)基,曲敬鎧,于曉明.逆變技術(shù)基礎(chǔ)與應(yīng)用[M]. 北京:電子工業(yè)出版社,2008.

      [2] 黃智偉.印制電路板(PCB)設(shè)計技術(shù)與實踐[M]. 北京:電子工業(yè)出版社,2009.

      [3] 百度文庫.電源工程師指南:大功率電源中MOSFET 功耗的計算[BD/OL]. [2014-08-02]. http://wenku. baidu.com/link?url=QrPZeiqt1Bhg5mkk CifhzUZk9Jkwg4LjS9shLk FNfJNPqbtgTyrD0wCugesnlQ-652xer7-daC-l 6IvigyQd09m xXB7ggsBq1jbFSjVEm.

      [4] 辛文彤,李志尊,胡仁喜,等. ANSYS13.0 熱力學(xué)有限元分析從入門到精通[M].北京:機(jī)械工業(yè)出版社,2011.

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