蔡 茂,潘 碑,郁 健,馬建軍,溫艷兵
(南京電子器件研究所,南京 210016)
一種用于高度表測量系統(tǒng)的射頻前端收發(fā)組件
蔡茂,潘碑,郁健,馬建軍,溫艷兵
(南京電子器件研究所,南京 210016)
簡要介紹了高度表測量系統(tǒng)用射頻前端收發(fā)組件的設(shè)計方案。詳細闡述了主要功能單元電路和重要技術(shù)指標(biāo)的設(shè)計考慮。該射頻前端達到的指標(biāo)為:輸出發(fā)射功率大于16 W,輸出功率全溫穩(wěn)定性小于0.1 dB/10℃,收發(fā)隔離大于112 dBc,端口泄漏小于34 dBμV等。
高度表測量系統(tǒng);射頻前端收發(fā)組件;發(fā)射功率;輸出功率全溫穩(wěn)定性;收發(fā)隔離;端口泄露
近年來,國內(nèi)微波毫米波技術(shù)領(lǐng)域取得長足進步,為各型整機設(shè)備研發(fā)的微波組件迅速發(fā)展[1]。高度表測量系統(tǒng)是各型飛行設(shè)備的核心部件,可以實現(xiàn)飛行數(shù)據(jù)實時采集反饋,以迅速調(diào)整飛行姿態(tài),是空地系統(tǒng)信息傳輸?shù)闹匾较?,?yīng)用前景非常廣泛。高度表測量系統(tǒng)主要包括天線系統(tǒng)、射頻前端收發(fā)組件、大動態(tài)中頻AGC接收機和信號處理機等主要功能部件[2]。本文就其中的射頻前端收發(fā)組件整體設(shè)計方案進行簡要描述,針對射頻前端收發(fā)組件設(shè)計必須解決的頻率源抗干擾跳頻技術(shù)、信號全溫穩(wěn)定性技術(shù)以及收發(fā)信道高隔離技術(shù)等關(guān)鍵問題進行詳細分析,并對組件中的其他常規(guī)功能電路設(shè)計進行闡述。
射頻前端收發(fā)組件工作在C波段,是跳頻和脈沖工作方式,對發(fā)射功率穩(wěn)定性、收發(fā)隔離和端口泄漏等技術(shù)指標(biāo)均有較高要求。
射頻前端中的多點跳頻源同時產(chǎn)生兩個同一參考源的微波信號分別作為發(fā)射泵源和接收本振,發(fā)射泵源與外加的高中頻調(diào)制信號混頻產(chǎn)生所需的發(fā)射信號和無用的邊帶、雜散信號,這些信號通過濾波器、功率放大器、衰減器、控制開關(guān)等電路,最終產(chǎn)生滿足整機要求的脈沖發(fā)射信號;接收通道將接收到的脈沖信號放大混頻產(chǎn)生所需的中頻回波信號提供給整機使用;自檢支路在收到指令后進行組件的自檢工作。
射頻前端收發(fā)組件整體功能框圖如圖1所示。
圖1 射頻前端收發(fā)組件功能原理框圖
以下就射頻前端收發(fā)組件設(shè)計需要解決的關(guān)鍵技術(shù)及功能電路設(shè)計做詳細闡述。
2.1頻率源抗干擾跳頻技術(shù)
跳頻控制單元的核心是邏輯控制器件,目前鎖相源設(shè)計中采用的控制器件主要有單片機、CPLD和FPGA等。三者均能完成本設(shè)計中的控制功能要求,但卻各有優(yōu)劣。
單片機采用的是指令運行的方式,每一指令周期運行一條指令。而對于一般單片機(以PIC單片機為例)而言,每一指令周期由4個時鐘周期組成,因而將控制字寫入鑒相器時共需要96個指令周期,即384個時鐘周期,這在一定程度上增加了跳頻時間(以20MHz時鐘為例,完成96個指令周期需要19 μs)。另外,單片機在運行中存在程序跑飛的情況,這在一定程度上增加了環(huán)路失鎖的可能性。
CPLD(復(fù)雜可編程邏輯門陣列)不存在指令周期的限制,編程后就是一個能完成預(yù)定功能的組合邏輯電路,對本設(shè)計而言其串行輸出的時鐘周期就等于CPLD輸入的時鐘周期,這將大大縮短將控制字寫入鑒相器的時間。相對于FPGA而言,CPLD具有保密性好、可靠性高等優(yōu)勢。
FPGA(現(xiàn)場可編程邏輯器件)其功能與CPLD基本一致,但其規(guī)模和邏輯復(fù)雜度更高。
綜上,從性能、工程成本等方面考慮,將CPLD作為控制單元的邏輯控制器件。
圖2 鎖相頻率源原理框圖
頻率源的發(fā)射本振和接收本振均采用鎖相振蕩源直接分頻鎖相產(chǎn)生。CPLD作為控制單元核心器件,完成對外部跳頻控制信號譯碼并向鑒相器寫入控制字,實現(xiàn)跳頻及輸出鎖相環(huán)失鎖指示的功能。VCO輸出經(jīng)過定向耦合器后分為兩路,其直通支路輸出給外部組件,而耦合支路信號進入鑒相器ADF4107中與晶振信號進行鑒相,經(jīng)過環(huán)路低通濾波后加到VCO的電壓調(diào)諧端,形成閉環(huán)鎖相。
相位噪聲是頻率源的核心指標(biāo),與鑒相器、晶振、VCO、環(huán)路直接相關(guān)。鑒相器ADF4107在10 MHz鑒相的相噪基底約為-149 dBc/Hz,輸出的發(fā)射本振頻率相噪惡化約52.9~53.2 dB,即輸出信號相噪為-96.1~-95.8 dBc/Hz@1 kHz。晶振惡化約46.8~47.2 dB,即相噪為-88.2~-87.8 dBc/Hz@1 kHz。則VCO輸出頻率在1 kHz處相噪為-87.5~-87.2 dBc/Hz@1 kHz。
使用ADIsimPLL軟件對鎖相環(huán)路進行仿真,所得結(jié)果見圖3。
圖3 本振信號相位噪聲仿真圖
仿真結(jié)果顯示輸出頻率 f0的相噪為-87.3 dBc/Hz@1 kHz,與理論計算值保持一致。
跳頻速度直接影響頻率源抗干擾頻點切換,跳頻所需的頻率建立時間主要由環(huán)路帶寬決定。
圖4 本振信號頻率建立時間仿真曲線
從圖4可以看出,在200 MHz帶寬內(nèi)頻率穩(wěn)定到1 MHz以內(nèi)不到15 μs,穩(wěn)定到1 kHz以內(nèi)不到30 μs,穩(wěn)定到10Hz是39μs,可以達到快速跳頻的時間要求。
2.2輸出信號全溫功率穩(wěn)定性設(shè)計
受到微電子器件自身物理特性的影響,微波功率管飽和功率及放大增益在高低溫時會有一定幅度的變化。為實現(xiàn)輸出功率全溫穩(wěn)定性,需要對功率放大器放大鏈路電平進行合理分配,使末前級功率管處于淺飽和狀態(tài),末級功率管處于1 dB壓縮狀態(tài),這樣可保證功率放大器在全頻帶、全溫范圍內(nèi)均能有穩(wěn)定的功率輸出。
考慮到輸出電平的要求,發(fā)射模塊采用4級推動方式實現(xiàn)功放鏈路指標(biāo)。發(fā)射鏈路電平分配如圖5所示。
圖5 功放鏈路分配圖
功率放大器在工作過程中易產(chǎn)生低頻串?dāng)_和高頻自激,為了防止這一現(xiàn)象,功率管柵、漏級饋電均采用合適的去耦電容,配合饋電電路中加入的防振蕩網(wǎng)絡(luò),以保證功率放大器可靠、穩(wěn)定地工作。
2.3收發(fā)通道高隔離設(shè)計技術(shù)
測高系統(tǒng)射頻前端工作模式多采用接收連續(xù)、發(fā)射分時復(fù)用模式。為保證測高狀態(tài)地表回波接收靈敏度,對微波組件信道收發(fā)隔離提出較高要求,要求在微波組件內(nèi)部信號泄露極低,當(dāng)組件發(fā)射端口端接微波負載時,中頻信號輸出端口頻譜監(jiān)測無泄漏信號。
收發(fā)通道信號串?dāng)_的途徑主要包括空間和電路兩個方面。本電路設(shè)計中通過設(shè)置衰減器、隔離器、選通濾波器等措施,盡量消除特性阻抗突變的環(huán)節(jié),消除可能出現(xiàn)的無謂的電磁輻射;各單元電路間的直流、脈沖信號饋線均通過穿芯電容或饋通濾波器實現(xiàn);組件腔體結(jié)構(gòu)設(shè)計上采用分腔設(shè)計、內(nèi)嵌蓋板、窄槽設(shè)計等方式,確保微波信號的空間隔離。
通過以上3個方面的設(shè)計,有效保障了微波組件收發(fā)信道隔離度。當(dāng)發(fā)射通道正常工作時(信號功率大于42dBm),實測中頻輸出端口信號幅值小于-75dBm,收發(fā)隔離達到117 dBc以上。
2.4上變頻模塊設(shè)計
上變頻模塊用于發(fā)射本振與輸入調(diào)制信號混頻,得到需要的發(fā)射頻率,并采用濾波器對組件上變頻后的載波和邊帶信號進行抑制。由于輸入信號為調(diào)制信號,需要考慮適當(dāng)拓寬濾波器帶寬,包納主要副瓣,以滿足中頻調(diào)制信號的信號帶寬要求。上變頻模塊設(shè)計框圖如圖6所示。
圖6 上變頻模塊原理框圖
2.5控制模塊設(shè)計
控制模塊主要包括3部分:二態(tài)衰減器、耦合器以及一個單刀單擲開關(guān)。
衰減部分采用兩態(tài)衰減器控制,可以穩(wěn)定、可靠地實現(xiàn)輸出功率電平大小的切換。
耦合器采用λg/4耦合線設(shè)計,可以較好地實現(xiàn)信號主路與耦合路之間的相互隔離。
具體微波電路結(jié)構(gòu)圖見圖7。
圖7 控制模塊微波原理框圖
2.6自檢模塊設(shè)計
自檢模塊包括定向耦合器、自檢微波開關(guān)和衰減器,見圖8。
衰減器用于控制系統(tǒng)自檢時系統(tǒng)接收部分通過定向耦合器接收的輸入信號電平。設(shè)計衰減量約20dB,采用三級衰減器以方便調(diào)整。
自檢微波開關(guān)用于控制自檢狀態(tài)下輸入到接收支路的信號,需要實現(xiàn)較高的隔離度,才能盡量減弱發(fā)射工作狀態(tài)下泄漏信號對接收支路的影響。設(shè)計采用PIN開關(guān)電路5級管芯全并聯(lián)的結(jié)構(gòu)設(shè)計,滿足設(shè)計要求,并且可以實現(xiàn)工作與自檢狀態(tài)的快速切換。
定向耦合器采用標(biāo)準λg/4電長度設(shè)計,以盡量減弱耦合支路對主路信號的影響[3]。設(shè)計耦合度20 dB、插損0.1 dB。
圖8 自檢模塊功能框圖
2.7接收模塊設(shè)計
接收模塊包括限幅器、低噪聲放大器、鏡像抑制混頻器和中頻放大器4部分功能電路,見圖9。
限幅器采用兩級限幅管芯設(shè)計,既能滿足功率要求,又可減少插損,提高接收靈敏度。
低噪聲放大器要求主要是適當(dāng)高的增益和盡可能低的噪聲系數(shù),適當(dāng)?shù)脑鲆婕瓤梢詽M足接收支路增益要求、又可以降低后級電路的噪聲貢獻。設(shè)計增益24 dB、噪聲系數(shù)1.0 dB、1 dB壓縮功率大于-20 dBm,可以滿足整個通道的噪聲系數(shù)、動態(tài)范圍的要求。綜合考慮組件布局,加入2 dB溫補衰減器以補償全溫狀態(tài)系統(tǒng)增益變化。
混頻電路主要實現(xiàn)下變頻和放大中頻信號幅度至系統(tǒng)要求的電平。該處混頻器的鏡像抑制度在25dB左右,可以有效消除鏡頻噪聲對接收通道的影響,滿足組件的鏡像抑制度要求。中放與π型衰減器配合使用,以保證接收支路的總增益。
圖9 接收模塊功能框圖
根據(jù)上述設(shè)計思路,完成了接收機樣品的研制,實物產(chǎn)品如圖10所示。經(jīng)過測試,產(chǎn)品主要技術(shù)指標(biāo)測試結(jié)果如表1所示。
圖10 接收機樣品實物圖
表1 主要指標(biāo)測試內(nèi)容及結(jié)果
本文介紹了一種高度表測量系統(tǒng)用射頻前端組件的設(shè)計方案和細節(jié)。射頻前端組件較好地實現(xiàn)射頻信號產(chǎn)生、發(fā)射輸出、接收放大和信號變頻等功能,重點解決了收發(fā)隔離高、發(fā)射功率穩(wěn)定性、雜波抑制等技術(shù)問題。目前,該產(chǎn)品已成功應(yīng)用于某高度表測量系統(tǒng)中,可以作為同類型產(chǎn)品的設(shè)計參考。
[1]顧其諍,項家楨,袁孝康.微波集成電路設(shè)計[M].北京:人民郵電出版社,1978.
[2]弋穩(wěn).雷達接收機技術(shù)[M].北京:電子工業(yè)出版社,2014.
[3]清華大學(xué)《微帶電路》編寫組.微帶電路[M].北京:人民郵電出版社,1975:171.
A Design of RF Front-end TR Module for Altimeter Measuring System
CAI Mao,PAN Bei,YU Jian,MA Jianjun,WEN Yanbing
(Nanjing Electronic Devices Institute,Nanjing 210016,China)
The paper briefly introduces a design of the RF front-end TR module for altimeter measuring system.The design of main functional circuit along with the technological indicators is discussed in details. The RF front-end achieves an output transmit power of 16W and higher;the whole temperature stability for output power is less than 0.1 dB/10℃;the transmit-receive isolation is greater than 112 dBc and the port leakage is below 34 dBμV.
altimeter measuring system;RF front-end TR module;transmit power;whole temperature stability for output power;transmit-receive isolation;port leakage
TN402
A
1681-1070(2016)11-0027-04
2016-5-20
蔡茂(1981—),男,四川簡陽人,中國電子科技集團公司第55研究所工程師,從事微波電路設(shè)計與研究;
潘碑(1981—),男,四川瀘州人,中國電子科技集團公司第55研究所高級工程師,從事微波電路設(shè)計與研究;
郁 ?。?972—),男,江蘇啟東人,中國電子科技集團公司第55研究所高級工程師,從事微波電路設(shè)計與研究;
馬建軍(1965—),男,江西南昌人,中國電子科技集團公司第55研究所研究員級高級工程師,從事微波電路設(shè)計與研究;
溫艷兵(1980—),男,山西太谷人,中國電子科技集團公司第55研究所高級工程師,從事微波電路設(shè)計與研究。