欒曉飛

摘 要：技術(shù)引進(jìn)、消化吸收和自主創(chuàng)新的路徑難以全面解釋后發(fā)企業(yè)自主創(chuàng)新能力構(gòu)建的演化過程?；谥R轉(zhuǎn)移的視角，構(gòu)建了后發(fā)企業(yè)可以采取的四種技術(shù)能力構(gòu)建戰(zhàn)略，分別為全面引進(jìn)消化戰(zhàn)略、引進(jìn)消化和模仿戰(zhàn)略、模仿戰(zhàn)略、全面創(chuàng)新戰(zhàn)略，不同戰(zhàn)略選擇所形成的自主創(chuàng)新程度是不一樣的。

關(guān)鍵詞：技術(shù)能力；自主創(chuàng)新；知識轉(zhuǎn)移

中圖分類號：F27 文獻(xiàn)標(biāo)識碼：A doi：10.19311/j.cnki.1672-3198.2016.33.061

1 引言

企業(yè)的自主創(chuàng)新與企業(yè)研發(fā)能力的構(gòu)建和演化有著密切的關(guān)系，對企業(yè)自主創(chuàng)新能力的研究也一直受到國內(nèi)外學(xué)者的關(guān)注。Nonaka& Takeuchi、Kim對日本、韓國企業(yè)創(chuàng)新的研究均極為關(guān)注企業(yè)的研發(fā)活動。但是，Nonaka& Takeuchi所提出的知識螺旋模型源自于已具有世界級創(chuàng)新能力的日本企業(yè)，該模型專注于企業(yè)內(nèi)知識創(chuàng)造的過程。而Kim提出的“引進(jìn)、消化吸收、自主創(chuàng)新”的框架需要進(jìn)一步的細(xì)化和精煉，才能夠為后發(fā)企業(yè)構(gòu)建自主創(chuàng)新能力提供更為明確的指導(dǎo)。

本文的目的在于進(jìn)一步探討后發(fā)經(jīng)濟(jì)體中企業(yè)自主創(chuàng)新能力演化的過程，并以三星在VLSI（超大規(guī)模集成電路）上的自主技術(shù)創(chuàng)新過程和不同階段的技術(shù)能力構(gòu)建戰(zhàn)略為例，探討了后發(fā)企業(yè)技術(shù)能力構(gòu)建的四種戰(zhàn)略選擇。

2 企業(yè)技術(shù)能力演化階段

Kim對韓國三星通過技術(shù)學(xué)習(xí)成為世界領(lǐng)先的半導(dǎo)體企業(yè)的過程進(jìn)行了詳細(xì)研究。在三星技術(shù)學(xué)習(xí)的過程中，研發(fā)團(tuán)隊通過一個個復(fù)雜研發(fā)任務(wù)的實(shí)施和完成而獲得和提升了技術(shù)能力，在其學(xué)習(xí)過程中，通過技術(shù)引進(jìn)、消化吸收外部的技術(shù)知識然后逐步形成和提升了三星的自主創(chuàng)新能力。

Kim將三星技術(shù)能力構(gòu)建的過程概括為技術(shù)引進(jìn)、消化吸收和創(chuàng)新三個階段。為了更為詳細(xì)的描述和分析該過程，本文對三星在VLSI上的技術(shù)能力構(gòu)建從知識轉(zhuǎn)移和創(chuàng)造的視角加以細(xì)化。如圖1所示，三星在VLSI上的技術(shù)能力的構(gòu)建過程可以視為不同技術(shù)能力等級的跨越，這些層級可以按照DRAM的不同性能（沿著64K、256K、1M、4M、64M、256M的技術(shù)等級）劃分。

圖1 三星VLSI技術(shù)能力構(gòu)建過程

備注：圖中虛線為日本企業(yè)在DRAM技術(shù)上發(fā)展曲線，實(shí)線為

韓國三星集團(tuán)在DRAM技術(shù)上的發(fā)展曲線，節(jié)點(diǎn)為某種具體

的DRAM技術(shù)研發(fā)完成時間。三星在VLSI上的技術(shù)能力構(gòu)建過程可細(xì)分為五個階段。三星在64K和256K DRAM上的技術(shù)能力是通過技術(shù)引進(jìn)和消化吸收的過程構(gòu)建的，盡管此時三星研發(fā)團(tuán)隊的知識基礎(chǔ)較低，但其努力的強(qiáng)度很高，而且知識轉(zhuǎn)移發(fā)起方的意愿也很高，因此三星的研發(fā)團(tuán)隊能夠完成64K DRAM技術(shù)的轉(zhuǎn)移。三星在美國硅谷和韓國本土構(gòu)建了兩個平行的研發(fā)團(tuán)隊，在256K DRAM的開發(fā)過程中，三星在美國硅谷的研發(fā)團(tuán)隊主動放棄了從合作伙伴處轉(zhuǎn)移知識，而是通過逆向工程、研究文獻(xiàn)、拜訪大學(xué)和研究機(jī)構(gòu)專家等方式獲取新的知識。同時，在韓國的團(tuán)隊仍采用引進(jìn)合作伙伴的技術(shù)知識進(jìn)行研發(fā)。這個過程中，美國硅谷團(tuán)隊主要通過模仿競爭者的產(chǎn)品和技術(shù)進(jìn)行知識轉(zhuǎn)移和創(chuàng)造。當(dāng)然，三星為了開發(fā)VLSI而組建的兩個研發(fā)團(tuán)隊之間的知識轉(zhuǎn)移是非常頻繁，而且效率很高。在1M DRAM技術(shù)上的研發(fā)，兩個團(tuán)隊均是通過模仿的方式進(jìn)行外部新知識的獲取，因為外部已經(jīng)沒有競爭者愿意向其進(jìn)行知識轉(zhuǎn)移，而兩個團(tuán)隊間的知識轉(zhuǎn)移程度和努力程度仍然很高。在4M DRAM技術(shù)上的開發(fā)中，因為技術(shù)封鎖，外部模仿的對象已經(jīng)沒有了，三星開始完全自主研發(fā)，此時處于創(chuàng)新階段，并在產(chǎn)品開發(fā)成功時，大大縮短了和競爭對手的差距，與競爭對手具備了同樣的技術(shù)能力。在64M、256M DRAM的開發(fā)中，三星憑借前期積累的技術(shù)能力和努力，終于超越對手，成為VLSI領(lǐng)域世界領(lǐng)先的企業(yè)。

3 企業(yè)技術(shù)能力構(gòu)建戰(zhàn)略

基于Kim對三星在VLSI上技術(shù)能力構(gòu)建的過程的研究，本文總結(jié)了三星VLSI研發(fā)團(tuán)隊在技術(shù)學(xué)習(xí)過程中的多種技術(shù)能力構(gòu)建戰(zhàn)略，包括完全引進(jìn)消化、引進(jìn)消化和模仿、模仿、全面創(chuàng)新四種戰(zhàn)略。采取不同戰(zhàn)略的條件，是與知識轉(zhuǎn)移有關(guān)的，主要由知識轉(zhuǎn)移發(fā)起方的意愿和接受方的知識基礎(chǔ)與努力強(qiáng)度來衡量。

3.1 完全引進(jìn)消化戰(zhàn)略

后發(fā)企業(yè)在追趕過程中的初期階段，因企業(yè)技術(shù)能力處于極低水平，與競爭對手的差距很大，可采取完全引進(jìn)消化戰(zhàn)略。該戰(zhàn)略主要指與行業(yè)的領(lǐng)先者或擁有某種專有技術(shù)的企業(yè)進(jìn)行合作或聯(lián)盟，通過購買獲得技術(shù)許可，進(jìn)行技術(shù)轉(zhuǎn)移，獲得技術(shù)能力。在此戰(zhàn)略下，通過契約的形式使擁有某種技術(shù)的合作伙伴轉(zhuǎn)移知識的意愿保持較高水平，盡管接受方先前的知識基礎(chǔ)很低，但可以通過提高努力的強(qiáng)度使吸收能力處于較高水平，仍可以實(shí)現(xiàn)知識的轉(zhuǎn)移。

3.2 引進(jìn)消化和模仿戰(zhàn)略

當(dāng)后發(fā)企業(yè)具備初級的技術(shù)能力，但仍有合作伙伴愿意轉(zhuǎn)移知識時，可以采用引進(jìn)消化和模仿相結(jié)合的戰(zhàn)略。該戰(zhàn)略模式源自于三星在256K DRAM上的技術(shù)能力構(gòu)建過程。三星在美國硅谷的團(tuán)隊實(shí)施模仿戰(zhàn)略，同時，在韓國的團(tuán)隊仍通過購買合作伙伴的技術(shù)通過完全消化吸收戰(zhàn)略獲得技術(shù)能力。由于三星兩個研發(fā)團(tuán)隊之間保持著緊密地、高強(qiáng)度地交流，兩者能夠?qū)@得的知識快速轉(zhuǎn)移，提高了各自的技術(shù)能力。同時，在引進(jìn)消化和模仿戰(zhàn)略的實(shí)施中，企業(yè)也會實(shí)現(xiàn)部分技術(shù)自主創(chuàng)新，表現(xiàn)為在某些技術(shù)上申請和獲得專利。

3.3 模仿戰(zhàn)略

當(dāng)行業(yè)中已沒有企業(yè)愿意向本企業(yè)轉(zhuǎn)移技術(shù)時，并且后發(fā)企業(yè)與行業(yè)領(lǐng)先者的差距仍較大時，后發(fā)企業(yè)只能選擇模仿戰(zhàn)略，通過逆向工程、文獻(xiàn)學(xué)習(xí)等方式模仿競爭者的技術(shù)或產(chǎn)品。采取此戰(zhàn)略對模仿者的知識基礎(chǔ)與努力強(qiáng)度要求較高，三星通過在64K和256KDRAM技術(shù)上的積累使其獲得了相應(yīng)的知識基礎(chǔ)，并且其努力的強(qiáng)度始終保持在很高的水平，因此，三星能夠成功的實(shí)施模仿戰(zhàn)略，完成1M DRAM技術(shù)的開發(fā)任務(wù)，并同時實(shí)現(xiàn)一定程度的自主創(chuàng)新。

3.4 全面創(chuàng)新戰(zhàn)略

隨著后發(fā)企業(yè)與行業(yè)領(lǐng)先者在技術(shù)能力上的差距進(jìn)一步縮小，由于競爭者的技術(shù)封鎖和保密措施等，支持模仿戰(zhàn)略的條件可能也不存在了，企業(yè)將不得不采用以完全自主研發(fā)為主的戰(zhàn)略，即全面創(chuàng)新戰(zhàn)略。三星在獲得4M DRAM技術(shù)能力的過程中，遭到了競爭對手的全面封鎖，只能采用全面創(chuàng)新戰(zhàn)略，其已經(jīng)獲得的技術(shù)能力支持其實(shí)現(xiàn)了4M DRAM的全面創(chuàng)新，并使其技術(shù)能力趕上了競爭對手。

當(dāng)與競爭對手的技術(shù)能力相當(dāng)時，為了獲得更高級別的技術(shù)能力，企業(yè)也同樣只能夠采取全面創(chuàng)新戰(zhàn)略。在64M和256M DRAM技術(shù)上，三星憑借已經(jīng)獲得的技術(shù)能力，率先完成了技術(shù)創(chuàng)新和超越，成為在VLSI技術(shù)上世界領(lǐng)先的企業(yè)。

4 結(jié)論

本文提出的四種技術(shù)能力構(gòu)建戰(zhàn)略是對“技術(shù)引進(jìn)、消化吸收、自主創(chuàng)新”路徑模型的有力補(bǔ)充。不同的技術(shù)能力構(gòu)建戰(zhàn)略，所導(dǎo)致的自主創(chuàng)新程度是不同的。值得注意的是，盡管全面創(chuàng)新戰(zhàn)略能夠?qū)崿F(xiàn)更高程度的自主創(chuàng)新，采用其他三種技術(shù)能力構(gòu)建戰(zhàn)略也能夠?qū)崿F(xiàn)一定程度的自主創(chuàng)新。

需要強(qiáng)調(diào)的是，后發(fā)企業(yè)構(gòu)建技術(shù)能力的戰(zhàn)略選擇未必遵循特定的路徑，而是根據(jù)企業(yè)所處的特定條件實(shí)施不同的戰(zhàn)略。在其技術(shù)能力很低時，可以采取完全引進(jìn)消化的戰(zhàn)略，從外部轉(zhuǎn)移知識。當(dāng)其技術(shù)能力達(dá)到一定的水平時，可以考慮采用模仿戰(zhàn)略，或者像三星一樣采用引進(jìn)消化和模仿相結(jié)合的戰(zhàn)略，快速獲得某種技術(shù)能力。而在模仿戰(zhàn)略的條件不具備而自身技術(shù)能力較強(qiáng)時，企業(yè)必須采用全面創(chuàng)新戰(zhàn)略。

參考文獻(xiàn)

[1]于開樂，王鐵民.基于并購的開放式創(chuàng)新對企業(yè)自主創(chuàng)新的影響——南汽并購羅孚經(jīng)驗及一般啟示[J].北京：管理世界，2008，（4）.

[2]毛蘊(yùn)詩，汪建成.基于產(chǎn)品創(chuàng)新的自主創(chuàng)新路徑研究[J].北京：管理世界，2006，（5）.

[3]汪建成，毛蘊(yùn)詩，邱楠.由OEM到ODM再到OBM的自主創(chuàng)新與國際化路徑——格蘭仕技術(shù)能力構(gòu)建與企業(yè)升級案例研究[J].北京：管理世界，2008，（6）.

[4]吳曉波，馬如飛，毛茜敏.基于二次創(chuàng)新動態(tài)過程的組織學(xué)習(xí)模式演進(jìn)——杭氧1996～2008縱向案例研究[J].北京：管理世界，2009，（2）.

[5]Kim， L.Imitation to Innovation：the Dynamics of Koreas Technological Learning[M].Boston：Harvard Business School Press，1997.

[6]Nonaka， I.& H.Takeuchi.The Knowledge-Creating Company[M].New York：Oxford University Press，1995.

[7]Takeuchi，H. & I.Nonaka.The New New Product Development Game[J].Harvard Business Review，1986，（1）.

[8]Nonaka I.A Dynamic Theory of Organizational Knowledge Creation[J].Organizational Science，1994，（5）.

[9]Cohen .M.W.&Levinthal A. D. Absorptive Capacity：A New Perspective on Learning and Innovation[J].Administrative Science Quarterly，1990，（35）.