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      基于多功能芯片的多通道微波收發(fā)組件設(shè)計

      2022-01-18 02:34:04許明洪凱倫曾新陽吳思煒
      科學技術(shù)創(chuàng)新 2021年36期
      關(guān)鍵詞:帶線噪聲系數(shù)波導(dǎo)

      許明 洪凱倫 曾新陽 吳思煒

      (廣州中雷電科科技有限公司,廣東 廣州 510000)

      隨著武器裝備信息化的發(fā)展,微波收發(fā)組件在雷達、通信、導(dǎo)航等軍用電子領(lǐng)域中得到廣泛應(yīng)用[1]。不同的應(yīng)用場景對微波收發(fā)組件提出了不同的要求。在相控陣應(yīng)用場景中,微波組件接收和發(fā)射的各個通道都需要具備幅度和相位調(diào)制功能,才能與天線陣面配合,實現(xiàn)波束的賦形及波束掃描[2-4]。目前收發(fā)通道的實現(xiàn)方式主要是基于離散射頻芯片搭建而成,如發(fā)射通道一般包含功率放大器、驅(qū)動放大器、數(shù)控衰減器等芯片,接收通道一般包含低噪聲放大器、數(shù)控衰減器、移相器等芯片,再加上收發(fā)切換開關(guān)等,一組收發(fā)通道上往往包含十余顆芯片,因此采用分離芯片集成多通道微波收發(fā)組件,芯片數(shù)量多,設(shè)備體積大,散熱和可靠性難以得到保障,限制了其在大規(guī)模陣列場景中的應(yīng)用。

      近年來,隨著射頻集成電路工藝的發(fā)展,特征頻率的提高,硅工藝在射頻/微波集成領(lǐng)域得到了越來越多的應(yīng)用。利用硅工藝,可將微波收發(fā)通道中的諸多有源/無源器件集成在一起,可用一顆芯片實現(xiàn)之前多顆芯片才能實現(xiàn)的功能,即所謂的射頻多功能芯片[5-6]。

      本文設(shè)計了一種基于射頻多功能芯片的多通道微波收發(fā)組件,工作于X 波段,單個組件內(nèi)集成了四路發(fā)射通道和四路接收通道,每一路通道均具備幅度/相位調(diào)制功能。組件內(nèi)部包括控制模塊和射頻模塊,射頻模塊位于上層,控制模塊位于下層,兩層之間通過板間連接器進行通信。組件整體尺寸緊湊,性能優(yōu)異,多個組件可以級聯(lián)使用,適用于大規(guī)模陣列場景。

      1 理論和設(shè)計

      本文設(shè)計的多通道微波收發(fā)組件核心為射頻多功能芯片ARW9644。該芯片是一款工作在X 波段的單片全集成四通道TR 芯片,該芯片集成了射頻開關(guān)、平衡式功率放大器、限幅低噪聲放大器、6 位數(shù)控移相器、6 位數(shù)控衰減器、驅(qū)動放大器等功能模塊。芯片接收通道增益為30dB,噪聲系數(shù)2.7dB;發(fā)射通道增益大于25dB,輸出功率27dBm,二次諧波抑制優(yōu)于40dBc。該芯片的原理框圖和單通道原理框圖如圖1 所示。

      圖1

      該芯片輸入輸出射頻端口內(nèi)部進行了陰抗匹配,因此在外部設(shè)計了50 歐姆匹配帶線用于將芯片的射頻端口引出到組件腔體上的SMA 連接器。本次設(shè)計中PCB 采用RO4350+FR4 的混壓工藝,表層介質(zhì)為RO4350,厚度為0.25mm, 底層介質(zhì)為FR4,其中射頻電路布在表層,底層為陰容等外圍器件。射頻電路走線采用共面波導(dǎo),共面波導(dǎo)的特征陰抗由帶線寬度W、帶線到地的距離S、基材厚度H 決定[7],其陰抗計算模型如圖2 所示。

      圖2 共面波導(dǎo)陰抗計算模型

      根據(jù)共面波導(dǎo)的特征陰抗公式可知當板材厚度0.25mm,帶線寬度20mil,帶線到地距離13mil 時,共面波導(dǎo)的陰抗為50 歐姆。共面波導(dǎo)長度約2cm,插入損耗約為0.2dB,根據(jù)噪聲系數(shù)級聯(lián)公式:

      在上式中,F(xiàn) 為整個接收鏈路的噪聲系數(shù),F(xiàn)1 為前端共面波導(dǎo)的插入損耗0.2dB,F(xiàn)2 為射頻芯片ARW9644 的噪聲系數(shù)2.7dB,G1 為共面波導(dǎo)增益,此處小于1,由此可知接收鏈路的整體噪聲系數(shù)為2.9dB。

      對于射頻收發(fā)鏈路來說,電源的質(zhì)量對于射頻信號的質(zhì)量影響較大。尤其是對于集成度較高的射頻芯片,當電源中帶有較大的雜散或者紋波時,這些干擾信號往往會耦合到芯片內(nèi)部的射頻收發(fā)通道并被放大到射頻輸入輸出端,造成信號質(zhì)量的下降,進而影響整機系統(tǒng)指標[7]。在本設(shè)計中,射頻芯片所需要的各個電源都從控制模塊穿板輸出到射頻模塊,因此在射頻模塊PCB 的背面,射頻芯片下方的位置放置濾波電容對電源進行濾波,濾波后的電源通過內(nèi)部通孔引到射頻模塊PCB 的正面給射頻芯片供電,可有效消除電源紋波和雜散對射頻信號質(zhì)量的影響。

      射頻模塊的正反面電路圖如圖3 所示。

      圖3

      控制模塊位于電源模塊下方,兩者之間通過穿板連接器對扣實現(xiàn)通信??刂颇K的核心為APM32F103C8T6,該芯片為國產(chǎn)32-Bit MCU,最大主頻72MHz,含3 路SPI 接口。在本設(shè)計中,MCU 通過SPI 接口和射頻芯片ARW9644 通信,控制射頻芯片實現(xiàn)信號的發(fā)射/接收切換和幅度/相位加權(quán)??刂颇K的正反面電路圖如圖4 所示。

      圖4

      2 測試和結(jié)果

      將控制模塊和射頻模塊組裝到自行設(shè)計的金屬腔體中,形成多通道收發(fā)組件。組件表面留有SMA 連接器作為射頻信號的輸入輸出接口,J30J 接口為供電和控制接口,組件整體尺寸非常緊湊,僅為70mm*50mm*22mm。在測試過程中,通過上位機控制組件在發(fā)射態(tài)和接收態(tài)之間做切換,并通過信號源、頻譜儀、矢量網(wǎng)絡(luò)分析儀測試組件的發(fā)射指標,通過信號源、頻譜儀、矢量網(wǎng)絡(luò)分析儀和噪聲系數(shù)測試儀測量組件的接收關(guān)鍵指標,測試現(xiàn)場如圖5 所示,關(guān)鍵指標測試結(jié)果如表1。

      圖5 組件功能測試

      表1 組件關(guān)鍵指標測試結(jié)果

      3 結(jié)論

      從表的測試結(jié)果可知,本文設(shè)計的多通道微波收發(fā)組件集成度高,關(guān)鍵指標性能優(yōu)異,發(fā)射通道可實現(xiàn)26dBm 的輸出功率,接收通道可實現(xiàn)25dB 增益和3.5dB 以下的噪聲系數(shù)。各通道之間的相位和幅度差異較小,可有效支持相控陣方面的系統(tǒng)級應(yīng)用。

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