林天哲
(南京大學(xué) 物理學(xué)院,江蘇 南京 210033)
本文將以靜電場、靜磁場的4個(gè)基本方程作為切入點(diǎn),研究它們在做閉合曲面積分與閉合曲線積分時(shí)的特殊情況,也就是閉合曲面曲線邊界上存在電荷電流的情況.并在這之后以現(xiàn)有的普遍使用的電磁介質(zhì)的數(shù)學(xué)模型為基礎(chǔ),提出解決計(jì)算電磁介質(zhì)邊界上物理量的方法,并結(jié)合例題以說明.
在靜電場與靜磁場中有4個(gè)基本方程,其分別對(duì)電場和磁場做了閉合曲面積分與閉合曲線積分,在一般的問題當(dāng)中,我們所取的閉合曲面與閉合曲線上都是不含有電荷或者電流的,就算所取閉合曲面或曲線上含有電荷或電流,相對(duì)于電磁場的積分那些電荷與電流的作用也可以被忽略.以圖1為例,這是一個(gè)電荷面密度為σ的無限大帶電平面,對(duì)于其上加粗的圓環(huán),顯然上面分布有電荷,但是對(duì)于空間中任意一點(diǎn)場強(qiáng)的積分,去掉這一圈電荷將對(duì)積分的結(jié)果毫無影響.當(dāng)然讀者也可以類比在計(jì)算一元連續(xù)函數(shù)積分時(shí),當(dāng)函數(shù)曲線上存在一個(gè)一類可去間斷點(diǎn)時(shí)并不會(huì)對(duì)定義域內(nèi)積分結(jié)果產(chǎn)生影響.下面給出簡要證明.
為證明上述結(jié)論,可以證明圓環(huán)上的電荷總量為一無窮小量,也就是說,這些電荷去掉前后其余電荷總量與分布均無變化,故對(duì)于空間任意一點(diǎn)其電場強(qiáng)度也無變化.取平面上任意性狀點(diǎn)集,圓環(huán)上的點(diǎn)全部包含在點(diǎn)集內(nèi)部,用‖λ‖代表點(diǎn)集上任一點(diǎn)到圓環(huán)上點(diǎn)的最大距離,故有
(1)
圖1 電荷面密度為σ的無限大帶電平面與高斯面
事實(shí)上,這是一個(gè)基于幾何數(shù)學(xué)模型的基本結(jié)論,當(dāng)定義了高階的密度,比如質(zhì)量體密度時(shí),那么對(duì)于此體積中任意一個(gè)面的質(zhì)量在數(shù)學(xué)上收斂為0,只有在無窮個(gè)面累加時(shí)才能得到總質(zhì)量.而下面將著重討論一類特殊的閉合曲面與曲線.在這些面與線上,分布的電荷或電流不能視為無窮小量而忽略.為區(qū)分它們與傳統(tǒng)閉合高斯曲面曲線的不同,稱它們?yōu)榈诙惛咚归]合曲面與高斯閉合曲線.
我們將討論點(diǎn)電荷分布在閉合曲面與曲線上時(shí)的情況,如圖2(a)和2(b)所示.并分別計(jì)算其第二類曲面積分與第二類曲線積分.首先要強(qiáng)調(diào)一件事情,當(dāng)點(diǎn)電荷分布在高斯面與閉合曲線上時(shí),其積分均為廣義積分,在求解的同時(shí),也應(yīng)該注意此廣義積分能夠收斂的條件.
圖2 第二類高斯閉合曲面示意圖
對(duì)于2(a)中的情況,點(diǎn)電荷q對(duì)于整個(gè)閉合曲面的通量等于通過其在曲面上點(diǎn)的一個(gè)與那一點(diǎn)切平面相切的曲率小球的通量.這是一個(gè)對(duì)曲面有要求的條件,即曲面上那一點(diǎn)必須存在切平面,也就是說該點(diǎn)可微.
下面來計(jì)算具體數(shù)值,對(duì)應(yīng)圖2(a)有
顯然,如果該點(diǎn)不存在切平面,則關(guān)于θ角的取值范圍并不會(huì)是由0到π/2,就算收斂,結(jié)果也不盡相同.而對(duì)于閉合回路積分,由電勢的概念知道盡管點(diǎn)電荷處電勢發(fā)散,但是空間中包含點(diǎn)電荷的閉合回路曲線的廣義積分仍然是零,即
整理有當(dāng)點(diǎn)電荷分布在閉合曲面上的閉合曲線上時(shí)的情況,有
(2)
(3)
先考慮高斯閉合曲面邊界點(diǎn)上存在電流的情況,如圖3(b)所示.在這里,同樣要求在曲面上存在電流元的點(diǎn)均可微,即存在切平面.在這種情況下,如3(c)中所示,對(duì)每一段電流元向曲面內(nèi)取一小圓柱面,此時(shí)電流元對(duì)于閉合曲面的通量為通過此小圓柱面的通量.此時(shí)有
同樣的,如果需要積分上下限從π/2 到-π/2,則需要曲面上該點(diǎn)存在切平面,這一點(diǎn)對(duì)于曲面的要求與電學(xué)上述討論的相同.
圖3 安培環(huán)路定理證明與第二類高斯閉合曲線示意圖
下面考慮圖3(a)中的情況,即閉合曲線積分邊界上含有電流的情況,此時(shí)用參考文獻(xiàn)[1]中的證明方法.導(dǎo)出電流圓環(huán)對(duì)于外磁場的影響,即
(4)
其中Ω是指該點(diǎn)對(duì)于電流環(huán)所成的立體角.將閉合環(huán)路積分成2段[圖3(a)中實(shí)線段l1與虛線段l2,且P1無限接近P2,l2趨近于0],則有
如圖4所示,并結(jié)合文獻(xiàn)[1].當(dāng)P+與P-趨近于面內(nèi)一點(diǎn)時(shí),有
Ω+-Ω-=|Ω+|+|Ω-|=4π
(5)
趨近于面外一點(diǎn)時(shí),有
Ω+-Ω-=|Ω+|+|Ω-|=2π
(6)
而當(dāng)P+與P-趨近于面邊界上一點(diǎn)時(shí),有
Ω+-Ω-=|Ω+|+|Ω-|=0
(7)
圖4 電流環(huán)所成的立體角
故又有
整理有電流分布在閉合曲面上和閉合曲線上時(shí)的情況,如
(8)
(9)
式(2)、式(3)、式(8)、式(9)就是第二類高斯曲線和曲面滿足的方程,結(jié)合已知的高斯曲面和高斯曲線方程,假設(shè)所取的曲面和曲線全部為簡單閉合的曲面和曲線,且曲面在存在電荷與電流元處均存在切平面時(shí),便有
以上括號(hào)中的4個(gè)方程都可以自然地推廣到連續(xù)分布的情況.對(duì)于電學(xué),有線面體電荷之分;而對(duì)于磁學(xué),也要規(guī)范其數(shù)學(xué)模型.并且在這一部分中,我們將從電磁介質(zhì)的數(shù)學(xué)模型出發(fā),討論一系列的數(shù)學(xué)模型.
一個(gè)點(diǎn)電荷對(duì)于空間一點(diǎn)的電場強(qiáng)度可表示為式(10).而對(duì)于連續(xù)的線面體電荷我們自然地引入δ、σ、ρ作為線密度,面密度與體密度.則其微元對(duì)于空間一點(diǎn)的電場強(qiáng)度顯然可改為括號(hào)內(nèi)內(nèi)容,即
(10)
而對(duì)于電流,本身的電流元對(duì)于空間一點(diǎn)的場強(qiáng)可表示為
(11)
為了更詳細(xì)地描述電流在空間中每一點(diǎn)的情況,引入了電流密度.但事實(shí)上,電流也分為面電流與體電流(一般電流就為線電流),而二者在電流密度的定義上并不相同,如
(12)
(13)
其中en是帶正電載流子運(yùn)動(dòng)的方向或負(fù)電載流子運(yùn)動(dòng)的反方向.故可通過電流密度改寫Idl,結(jié)果如下:
電磁介質(zhì)中激發(fā)空間產(chǎn)生電場與磁場的均是一些及其理想的電偶極子與磁偶極子,下面來介紹這二者的數(shù)學(xué)模型.以電偶極子為例,定義電偶極矩p=ql,而所謂的理想偶極子是指在l→0時(shí)p仍收斂于一定值的情況.對(duì)于磁偶極矩m=IS也同理.文獻(xiàn)[2]中已經(jīng)推導(dǎo)并給出了一個(gè)電偶極子與磁偶極子對(duì)外場的電場強(qiáng)度,即
(14)
(15)
二者高度相似.
在偶極子模型的基礎(chǔ)上,文獻(xiàn)[2]已推導(dǎo)出了單個(gè)偶極子對(duì)空間激發(fā)的電勢與磁矢勢的表達(dá)式:
(16)
(17)
現(xiàn)在在這個(gè)基礎(chǔ)上推導(dǎo)電磁介質(zhì)在空間產(chǎn)生的電勢與磁矢勢,并進(jìn)一步討論模型.在此基礎(chǔ)上文獻(xiàn)[2]給出了電磁介質(zhì)對(duì)于空間中一點(diǎn)激發(fā)的電勢與磁矢:
(18)
(19)
(20)
(21)
這是十分關(guān)鍵的轉(zhuǎn)化,也就是說不用再研究偶極子那個(gè)十分復(fù)雜的電磁場表達(dá)形式,而可以用熟悉的電磁模型(電荷與電流)代替計(jì)算其在空間產(chǎn)生的電場強(qiáng)度.但是上述推導(dǎo)卻存在一個(gè)限制條件.我們大量運(yùn)用了矢量分析中的結(jié)論,也就是說已經(jīng)假設(shè)P矢與M矢在介質(zhì)邊界與內(nèi)部是連續(xù)且有限的.就算發(fā)散,也是在介質(zhì)內(nèi)部類似點(diǎn)電荷電場發(fā)散的可用δ函數(shù)描述的形式.這是在研究一般連續(xù)體介質(zhì)時(shí)潛在使用的條件,這也會(huì)成為后面討論邊界矢時(shí)采用的基本條件.
現(xiàn)將在上述模型的基礎(chǔ)上對(duì)于電磁介質(zhì)的邊界問題更進(jìn)一步討論.當(dāng)然,此時(shí)認(rèn)為的電磁介質(zhì)也需要滿足上述連續(xù)條件,所取的曲面和曲線全部為簡單閉合的曲面和曲線,且曲面在存在電荷與電流元處均光滑.
在這一部分,將提出一個(gè)全新的的物理量:邊界矢.考慮到電磁介質(zhì)問題高度的相似性,將以電介質(zhì)作為切入,磁介質(zhì)則以類比與給出結(jié)論為主,省略部分嚴(yán)格推導(dǎo)過程.
考慮一個(gè)電介質(zhì)體的問題,如圖5所示,現(xiàn)在其上做如圖S的閉合曲面,并計(jì)算P矢對(duì)于這個(gè)閉合曲面的積分:
圖5 電介質(zhì)與其邊界示意圖
再考慮對(duì)這個(gè)閉合曲面做E矢的積分并假設(shè)此時(shí)空間中沒有自由電荷,結(jié)合式(1), 有
此時(shí)ε0E與P相加是無法消除極化電荷的.也就是說,如果在邊界處使用這種計(jì)算方法,會(huì)與傳統(tǒng)的電磁學(xué)結(jié)論產(chǎn)生矛盾.下面引入邊界矢,在不破壞電磁介質(zhì)原有理論的基礎(chǔ)上解決這一問題.為了使論證更加易懂,現(xiàn)標(biāo)準(zhǔn)化我們的模型.如圖6(a)所示,陰影部分介電常量為ε1,而右邊白色部分的介電常量則為ε2,對(duì)于真空介電常量為1而金屬導(dǎo)體則不考慮介電常量問題.我們還定義了分別相對(duì)于陰影空白部分的面法向en1與en2,左邊一切物理量用角標(biāo)1表示,右邊用2. 當(dāng)然如圖6(b)所示,磁學(xué)情況下也類似處理,其具體推導(dǎo)可以結(jié)合電學(xué)過程自行完成.
首先考慮P矢的問題,在圖6(a)中,使得面S1與面S2無限接近,則在P矢連續(xù)有限的假設(shè)下,其側(cè)面的通量定為0,于是有
P1n·en2+P2n·en1=-(σ′1+σ′2)
我們希望在面S0上存在一個(gè)矢量P使得其滿足下述關(guān)系用于和電場關(guān)系對(duì)應(yīng):
圖6 模型示意圖
解得
(22)
這是一個(gè)普遍性的結(jié)論,這意味著在邊界那一點(diǎn)上的P矢不連續(xù),且應(yīng)該折算成左右P矢逼近邊界處極限的1/2.也意味著邊界上的電荷面密度為σ′1+σ′2,其由兩側(cè)P矢共同決定.對(duì)于磁介質(zhì)的M矢也有同樣的問題,參考圖6(b)與上述求解,可直接給出結(jié)論,即
(23)
當(dāng)然,以上僅僅導(dǎo)出了邊界上P矢與M矢某一方向分量與兩側(cè)矢量的關(guān)系.現(xiàn)先來考慮空間的電場.再考慮電磁介質(zhì)在空間產(chǎn)生的電磁場時(shí),以電場為例.一方面需要考慮極化電荷產(chǎn)生的電場與自由電荷產(chǎn)生電場的疊加;另一方面電場此時(shí)就是空間中所有電荷真實(shí)產(chǎn)生的,也就是說此時(shí)的電場應(yīng)該也嚴(yán)格滿足1.1節(jié)提到的第二類高斯曲面與第二類高斯曲線的問題.在這一基礎(chǔ)上討論邊界面上電場與其兩側(cè)的電場極限的關(guān)系.
首先由邊界條件E1t=E2t與式(3)可知,在邊界上定有
Et=E1t=E2t
(24)
磁學(xué)上同理有
Bn=B1n=B2n
(25)
下面再來考慮En的問題,再次類比對(duì)Pn的求解方法.但此時(shí)應(yīng)該指出,由于E矢在空間中每一點(diǎn)均嚴(yán)格求解,也不一定在介質(zhì)內(nèi)部到邊界上連續(xù)有限,我們此時(shí)僅討論邊界上E矢為有限值且從介質(zhì)內(nèi)部到邊界上連續(xù)時(shí)的情況.設(shè)q0為分布在S0面上的自由電荷,并仍考慮面S1與面S2無限接近的情況.當(dāng)然,當(dāng)E矢在介質(zhì)內(nèi)部到邊界上不連續(xù)有限時(shí),我們可以直接采用P矢計(jì)算電荷分布,然后再計(jì)算電場.
考慮到q0不一定是面電荷,用通量求解,再使得S0S1S2→0
解得
由于已經(jīng)假設(shè)邊界上E矢為有限值且從介質(zhì)內(nèi)部到邊界上連續(xù),故左右極限收斂,即
(26)
再結(jié)合式(24)得
(27)
當(dāng)然上式中的P1、P2、E1、E2均為P矢和E矢趨近邊界時(shí)的極限.也就是說,這是極限存在情況下的結(jié)論!
結(jié)合圖6(b)上述推導(dǎo)與式(23)和式(25),在磁學(xué)中也有類似關(guān)系如下:
于是,在P1、P2、E1、E2、M1、M2、B1、B2極限均存在的情況下推導(dǎo)出的在介質(zhì)邊界上滿足第二類高斯曲線與曲面的矢量P、E、M、B稱為邊界矢.
應(yīng)該指出P與M是人為定義的,而E與B則是可以根據(jù)空間中電荷分布與電流分布真實(shí)情況計(jì)算而得出的.二者結(jié)合可有電位移矢量與磁場強(qiáng)度的邊界矢如下:
如果能求出含電磁介質(zhì)空間中每一點(diǎn)的P、E、M、B,那么這個(gè)電磁介質(zhì)空間將嚴(yán)格滿足第二類高斯曲面與高斯曲線對(duì)以上矢量的積分.也就是說,在處理問題時(shí)選取的高斯曲面與高斯曲線可以具有更大的靈活性!對(duì)于電磁介質(zhì)的數(shù)學(xué)模型也有更加深刻的理解.
但是當(dāng)突變面兩側(cè)存在多種介質(zhì)時(shí)(超過兩種),問題會(huì)變得十分復(fù)雜.事實(shí)上從幾何的角度上看:在電學(xué)方面上,一般不會(huì)存在三種介質(zhì)相交還產(chǎn)生一個(gè)面的情況,也就是說,真正相交的不過是三維空間中的一條線,面積分時(shí)仍然可以當(dāng)做小量而忽略,這并不妨礙P矢做面積分;在磁學(xué)方面,三種介質(zhì)相交時(shí),依然根據(jù)幾何關(guān)系,相交處該點(diǎn)的面法向量一般情況無法確定(無切平面),故在2.3中討論的磁介質(zhì)模型無法使用,此點(diǎn)處極化電流的定義超出了已有數(shù)學(xué)模型的討論范圍.正如同教材[1-3]中的邊界條件,我們還是著眼于兩種介質(zhì)相交的情況.
我們觀察到邊界上左右極限取1/2是一個(gè)普遍的現(xiàn)象.考慮到本文的讀者中可能存在大學(xué)初步學(xué)習(xí)電磁學(xué)的學(xué)生,借助例題對(duì)邊界矢這一物理量進(jìn)行進(jìn)一步的說明.
1) 如圖7(a)所示,無限大平面上帶有自由電荷,面密度為σ0,兩側(cè)電介質(zhì)呈線性且介電系數(shù)已給出,求兩側(cè)的電場強(qiáng)度之比.
解答:借助邊界矢的觀點(diǎn),此時(shí)空間電場強(qiáng)度由自由電荷與極化電荷真實(shí)激發(fā),而由對(duì)稱性知道極化電荷也只均勻分布在平面上.平面均勻分布電荷對(duì)面上一點(diǎn)產(chǎn)生的電場強(qiáng)度為0.故E= 0,便有E1=-E2,二者之比便為1.
2) 如圖7(b)與7(c)所示,圖7(b)為一無限長半徑為R的薄圓柱,通過面電流I,現(xiàn)求邊界上單位面積受力大??;圖7(c)是一導(dǎo)體,上分布有面電荷σ,現(xiàn)求面上單位面積的受力大小.
(28)
(29)
可能有讀者會(huì)疑惑,我們要求的是其余電流和其余電荷對(duì)該電流和該點(diǎn)的磁場與電場,為什么使用的結(jié)論所要求的磁場和電場是空間中所有電流與電荷產(chǎn)生的呢?這就與式(1)所說明的情況類似.圖7(b) 中是在面電流上取走一條線電流;圖7(c)則是在面電荷上取走一點(diǎn)電荷,它們對(duì)總電場強(qiáng)度的作用都收斂于無窮小,故算上與去掉對(duì)于外場的求解在數(shù)學(xué)結(jié)果上毫無影響!
3) 圖7(d)為一條無限長的均勻磁化棒,M已知,空間中點(diǎn)2與點(diǎn)1無限逼近邊界,求這兩處的磁感應(yīng)強(qiáng)度.
圖7 例題用圖
本文通過對(duì)于邊界矢這一概念的推導(dǎo),啟發(fā)學(xué)生對(duì)于電磁介質(zhì)突變面的數(shù)學(xué)模型有更深刻的認(rèn)識(shí),并探索出一種不規(guī)避邊界上點(diǎn)依然可以解決問題的方案.事實(shí)上,格里菲斯在其書《電動(dòng)力學(xué)導(dǎo)論》中對(duì)于邊界問題有過評(píng)價(jià),即:如果將突變邊界描繪成快速變化的薄層,將會(huì)更加合理.誠然,這是一種偏向現(xiàn)實(shí)也實(shí)際的處理方法,但是在高等教育電磁學(xué)廣大的習(xí)題中,并沒有大量運(yùn)用均勻變化夾層這一概念,而是將其作為突變處理,故通過數(shù)學(xué)推導(dǎo),提出了有關(guān)于處理此類突變面問題的見解, 希望對(duì)大家了解習(xí)題與教材中的電磁介質(zhì)模型有所幫助.