晶體生長(zhǎng)
- 晶升股份(688478) 申購(gòu)代碼787478 申購(gòu)日期4.11
項(xiàng)目、半導(dǎo)體晶體生長(zhǎng)設(shè)備總裝測(cè)試廠區(qū)建設(shè)項(xiàng)目?；久娼榻B：公司是一家半導(dǎo)體專用設(shè)備供應(yīng)商，主要從事晶體生長(zhǎng)設(shè)備的研發(fā)、生產(chǎn)和銷售。自成立以來(lái)，公司基于高溫高真空晶體生長(zhǎng)設(shè)備的技術(shù)同源性，結(jié)合“晶體生長(zhǎng)設(shè)備—工藝技術(shù)—晶體材料”產(chǎn)業(yè)鏈上下游技術(shù)協(xié)同優(yōu)化的能力，致力于新產(chǎn)品、新技術(shù)及新工藝的研究與開(kāi)發(fā)，并聚焦于半導(dǎo)體領(lǐng)域，向半導(dǎo)體材料廠商及其他材料客戶提供半導(dǎo)體級(jí)單晶硅爐、碳化硅單晶爐和藍(lán)寶石單晶爐等定制化的晶體生長(zhǎng)設(shè)備。核心競(jìng)爭(zhēng)力：公司基于在晶體生長(zhǎng)設(shè)備行業(yè)
證券市場(chǎng)紅周刊 2023年51期2023-04-22
- 三軸運(yùn)動(dòng)式KDP晶體生長(zhǎng)驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)設(shè)計(jì)
式溶液降溫法晶體生長(zhǎng)裝置[4]。圖1 轉(zhuǎn)晶式溶液降溫法晶體生長(zhǎng)裝置示意圖轉(zhuǎn)晶式溶液降溫法的晶體生長(zhǎng)實(shí)驗(yàn)，結(jié)果發(fā)現(xiàn)其生長(zhǎng)的晶體時(shí)常會(huì)出現(xiàn)各種不同程度的透明度差、裂紋等晶體缺陷[3]。1 三軸運(yùn)動(dòng)式晶體生長(zhǎng)驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)圖2 晶體運(yùn)動(dòng)示意圖文章研究用一伺服電機(jī)驅(qū)動(dòng)的運(yùn)動(dòng)軌跡、運(yùn)動(dòng)參數(shù)可變的三軸運(yùn)動(dòng)晶體生長(zhǎng)驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)取代步進(jìn)電機(jī)，帶動(dòng)掣晶桿做三軸直線運(yùn)動(dòng)。圖2所示為晶體運(yùn)動(dòng)示意圖，O為運(yùn)動(dòng)起始點(diǎn)，即籽晶的運(yùn)動(dòng)起始位置，這一位置可通過(guò)設(shè)計(jì)的控制軟件隨意更改和設(shè)置。晶體運(yùn)動(dòng)
現(xiàn)代機(jī)械 2022年6期2023-01-18
- 無(wú)定形藥物制劑物理穩(wěn)定性表界面影響機(jī)制的研究進(jìn)展
的成核，發(fā)現(xiàn)晶體生長(zhǎng)速率相似的條件下，結(jié)構(gòu)類似的多元醇類藥物成核速率有顯著差異。如圖2所示，其成核速率的溫度依賴性也符合經(jīng)典成核理論。Yao等[10]在此基礎(chǔ)上研究高分子材料聚維酮（PVP）的添加對(duì)多元醇類藥物成核的影響，研究表明 PVP 可有效抑制山梨醇和阿拉伯醇成核，且該抑制作用隨PVP含量增加及分子量增大而顯著增加。Zhang等[11]最新研究表明經(jīng)典的抗真菌藥物氟康唑的成核同樣可由經(jīng)典成核理論進(jìn)行解釋，且其不同晶型成核速率之間呈數(shù)量級(jí)的差異。該作者
食品與藥品 2022年6期2022-12-09
- 光浮區(qū)法生長(zhǎng)高光產(chǎn)額快衰減Ce:GGAG閃爍晶體
一[1]，在晶體生長(zhǎng)、透明陶瓷制備以及組分調(diào)控等方面已經(jīng)開(kāi)展了大量研究工作[2-4]。Ce:GGAG是Gd3Al5O12（GAG）和Gd3Ga5O12（GGG）的組分間化合物，屬于石榴石結(jié)構(gòu)立方晶系。Ce3+作為發(fā)光離子部分取代占據(jù)十二面體格位的Gd3+，Al3+和或Ga3+占據(jù)四面體和八面體格位。其晶體結(jié)構(gòu)易于陽(yáng)離子置換或替代，在組分摻雜改性上有很大的研究空間[5]；GAG密度較低（5.83 g/cm3），且如相圖（見(jiàn)圖1）所示是非一致熔融化合物[6]，
應(yīng)用技術(shù)學(xué)報(bào) 2022年3期2022-09-19
- 碲鋅鎘晶體Cd源控制生長(zhǎng)技術(shù)研究
料配方優(yōu)化、晶體生長(zhǎng)過(guò)程中Cd源氣氛控制以及生長(zhǎng)完成后對(duì)晶片氣氛熱處理這三種途徑。這三種途徑中,晶體生長(zhǎng)過(guò)程中Cd源氣氛控制相較于初始原料配方優(yōu)化,能夠更加有效地控制晶體生長(zhǎng)過(guò)程中的組分變化,使晶體達(dá)到近化學(xué)計(jì)量比生長(zhǎng),從而抑制二次相缺陷的產(chǎn)生；同時(shí),其相較于晶片的熱處理,不需要額外增加工藝工序,并且能夠避免二次相缺陷在晶體生長(zhǎng)及降溫過(guò)程中誘發(fā)其他缺陷。因此在許多報(bào)道中都提到應(yīng)用晶體生長(zhǎng)過(guò)程Cd源氣氛控制進(jìn)行碲鋅鎘晶體生長(zhǎng)。P.Rudolph詳細(xì)研究了垂直
激光與紅外 2022年5期2022-06-09
- 基于神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)和遺傳算法的鑄錠晶體硅質(zhì)量控制及工藝優(yōu)化
核心參數(shù)包括晶體生長(zhǎng)速度與生長(zhǎng)界面溫度梯度之比V/G、壁面熱流q、生長(zhǎng)界面高度差Δh和硅熔體內(nèi)部溫差ΔT等。以提高生產(chǎn)效率及晶體質(zhì)量為目標(biāo)研究晶體生長(zhǎng)的熱場(chǎng)特性，采用基于物理模型的數(shù)值方法模擬晶體生長(zhǎng)過(guò)程成為有效的途徑，一部分研究集中于通過(guò)二維或三維數(shù)值模擬優(yōu)化熱場(chǎng)[2-5]，如改變坩堝形狀、加熱器位置、隔熱籠分隔塊位置等。除了優(yōu)化熱場(chǎng)結(jié)構(gòu)，另外一部分研究針對(duì)晶體生長(zhǎng)過(guò)程的工藝控制參數(shù)進(jìn)行優(yōu)化[6-9]。然而使用傳統(tǒng)的數(shù)值模擬方法及實(shí)驗(yàn)會(huì)耗費(fèi)大量時(shí)間，如文
人工晶體學(xué)報(bào) 2022年3期2022-04-14
- 高溫溶液法生長(zhǎng)SiC單晶的研究進(jìn)展
藝等都會(huì)影響晶體生長(zhǎng)的速率和結(jié)晶質(zhì)量，是目前的研究重點(diǎn)。本文首先總結(jié)回顧了TSSG法生長(zhǎng)SiC單晶的發(fā)展歷程；接著簡(jiǎn)要介紹和分析了該方法生長(zhǎng)SiC單晶的基本原理和生長(zhǎng)過(guò)程；然后從晶體生長(zhǎng)熱力學(xué)和動(dòng)力學(xué)兩方面總結(jié)了該方法主要的研究進(jìn)展，并歸納了TSSG法生長(zhǎng)SiC單晶的優(yōu)勢(shì)；最后，提出了該技術(shù)在未來(lái)的研究重點(diǎn)和發(fā)展方向。1 TSSG法生長(zhǎng)SiC單晶的發(fā)展歷程與現(xiàn)狀HTSG法生長(zhǎng)SiC并不是一種新的嘗試，已有60多年的發(fā)展歷史。1961年，Halden等首次從
人工晶體學(xué)報(bào) 2022年1期2022-02-21
- Ce∶LuAG閃爍晶體的生長(zhǎng)研究
晶十分困難，晶體生長(zhǎng)需要苛刻的溫場(chǎng)環(huán)境，其高熔點(diǎn)(2 010 ℃)容易使保溫系統(tǒng)變形或損壞保溫層，導(dǎo)致溫場(chǎng)的不穩(wěn)定。而且，在高溫條件下更難把控晶體生長(zhǎng)的軸向和徑向溫度梯度，溫度梯度過(guò)大容易導(dǎo)致晶體開(kāi)裂，梯度過(guò)小則晶體容易滋生各種缺陷[12]。不僅如此，還需要調(diào)控適當(dāng)?shù)奶崂途w旋轉(zhuǎn)速度。因此，高質(zhì)量Ce∶LuAG晶體的生長(zhǎng)工作仍然具有挑戰(zhàn)性。目前對(duì)Ce∶LuAG晶體研究主要集中在提拉(Cz)法、Bridgman和微拉法晶體生長(zhǎng)，以及晶體的閃爍性能方面，而對(duì)
人工晶體學(xué)報(bào) 2022年12期2022-02-01
- 碲鋅鎘晶體生長(zhǎng)爐自主設(shè)計(jì)與控溫性能實(shí)驗(yàn)
聰,4碲鋅鎘晶體生長(zhǎng)爐自主設(shè)計(jì)與控溫性能實(shí)驗(yàn)羅亞南1,3，陳亦忻2，郭關(guān)柱1,3，李照存3，許 聰3,4（1. 云南農(nóng)業(yè)大學(xué) 機(jī)電工程學(xué)院，云南 昆明 650201；2. 昆明物理研究所，云南 昆明 650223；3. 昆明沃特爾機(jī)電設(shè)備有限公司，云南 昆明 650204；4. 云南沅豐祥機(jī)電設(shè)備有限責(zé)任公司，云南 昆明 650224）)針對(duì)直徑4英寸碲鋅鎘單晶材料生長(zhǎng)的需求，在研究國(guó)外碲鋅鎘晶體材料生長(zhǎng)取得的成果基礎(chǔ)上，自主設(shè)計(jì)了一種基于移動(dòng)爐體技術(shù)的碲
紅外技術(shù) 2022年1期2022-01-25
- 硅晶體生長(zhǎng)溫度梯度及生長(zhǎng)速度的數(shù)值模型建立與分析
。因此，對(duì)硅晶體生長(zhǎng)過(guò)程的生長(zhǎng)參數(shù)進(jìn)行建模輸出，是提高晶體質(zhì)量的方式之一[3]。在硅晶體生長(zhǎng)參數(shù)的研究中，前人主要從溫度以及生長(zhǎng)速度兩個(gè)參數(shù)進(jìn)行優(yōu)化。這是因?yàn)闇囟鹊姆植紩?huì)影響晶體中點(diǎn)缺陷和原子氧的形成、擴(kuò)散和聚集，同時(shí)會(huì)影響晶體冷卻過(guò)程中產(chǎn)生的殘余應(yīng)力[4-5]。而均勻的晶體生長(zhǎng)速度能讓結(jié)晶過(guò)程穩(wěn)定進(jìn)行并提高晶體質(zhì)量。因此,Natsume等[6]研究了硅晶體生長(zhǎng)速率與溫度梯度的關(guān)系，建立了晶體生長(zhǎng)過(guò)程的體積輻射傳熱模型，采用體輻射算法對(duì)參與的不規(guī)則殼體進(jìn)行
青海大學(xué)學(xué)報(bào) 2021年6期2021-12-07
- 《晶體生長(zhǎng)微觀機(jī)理及晶體生長(zhǎng)邊界層模型》書評(píng)
唐先生所著《晶體生長(zhǎng)微觀機(jī)理和晶體生長(zhǎng)邊界層理論模型》一書由科學(xué)出版社在年前出版了，盡管早已讀過(guò)這本書的初稿，出版后重學(xué)此書，還是收獲和感慨良多。功能晶體是現(xiàn)代高技術(shù)發(fā)展和許多重大工程所不可或缺的重要基礎(chǔ)材料。我國(guó)的光電功能晶體研究和發(fā)展自20世紀(jì)50年代中期起步，20世紀(jì)70年代后走上獨(dú)立自主發(fā)展的道路，陰離子基團(tuán)理論的提出，偏硼酸鋇(BBO)、三硼酸鋰(LBO)和氟硼鈹酸鉀(KBBF)等“中國(guó)牌”晶體被發(fā)明，在國(guó)際首創(chuàng)的“介電體超晶格”理論和實(shí)際成果稱
人工晶體學(xué)報(bào) 2021年6期2021-07-12
- 基于耦合機(jī)制的AlN 晶體生長(zhǎng)速率模型
程。AlN 晶體生長(zhǎng)動(dòng)力學(xué)過(guò)程比較抽象,建立一個(gè)生長(zhǎng)模型可以加深對(duì)生長(zhǎng)動(dòng)力學(xué)過(guò)程的理解。由于生長(zhǎng)速率是晶體生長(zhǎng)動(dòng)力學(xué)的一個(gè)外在體現(xiàn),晶體生長(zhǎng)速率模型的建立可以指導(dǎo)晶體生長(zhǎng)實(shí)驗(yàn)。Dryburgh 等[9]最先提出了升華法生長(zhǎng)AlN 晶體的模型,他們預(yù)測(cè)了當(dāng)氣相組成符合化學(xué)計(jì)量比時(shí)AlN晶體的最大生長(zhǎng)速率。Liu 和Edgar 等[10]發(fā)展了AlN晶體生長(zhǎng)速率的預(yù)測(cè)模型,認(rèn)為在多晶源和籽晶界面上不存在吸附或成核壁壘的現(xiàn)象。Segal 和Karpov等[11]
電子元件與材料 2021年6期2021-07-05
- CR,TM,HO:YAG激光晶體的生長(zhǎng)與元件加工性能研究
o：YAG;晶體生長(zhǎng);加工;檢測(cè)0引言Cr，Tm，Ho：YAG激光晶體是實(shí)現(xiàn)2.1μm波段激光的優(yōu)異晶體材料，是醫(yī)學(xué)、光通信、激光雷達(dá)、軍事等方面應(yīng)用的理想光源[1-4]。目前國(guó)內(nèi)外對(duì)Cr，Tm，Ho：YAG激光器的研制作了大量的工作，也取得了較好的成果?；诟咂骄β?，高重復(fù)頻率，短脈沖的目標(biāo)，高質(zhì)量的Cr，Tm，Ho：YAG激光增益介質(zhì)和高精度晶體加工是首要解決的關(guān)鍵問(wèn)題。1、晶體生長(zhǎng)本文采用提拉法進(jìn)行Cr，Tm，Ho：YAG激光晶體生長(zhǎng)，生長(zhǎng)方向?yàn)榉?/div>
錦繡·中旬刊 2021年1期2021-06-11
- 一“晶”一世界
培育，這就是晶體生長(zhǎng)。不同晶體的生長(zhǎng)技術(shù)和工藝基本都是獨(dú)一無(wú)二的，因此每種晶體成熟的生長(zhǎng)工藝都要經(jīng)過(guò)長(zhǎng)期的實(shí)驗(yàn)探索，故行業(yè)中流傳著“十年磨一晶”之說(shuō)，反映了晶體生長(zhǎng)研究工作者的堅(jiān)忍不拔和辛勞。殷紹唐研究員是國(guó)內(nèi)晶體生長(zhǎng)界著名專家，在高質(zhì)量晶體生長(zhǎng)和晶體生長(zhǎng)機(jī)理的研究中都取得了卓越的成果，他生長(zhǎng)研制的多個(gè)功能晶體獲得中國(guó)科學(xué)院科技進(jìn)步獎(jiǎng)一、二等獎(jiǎng)和國(guó)家科技進(jìn)步獎(jiǎng)二等獎(jiǎng)；他在晶體生長(zhǎng)微觀機(jī)理研究中創(chuàng)建了“晶體邊界層生長(zhǎng)理論模型”，揭示出晶體生長(zhǎng)的實(shí)驗(yàn)規(guī)律和經(jīng)驗(yàn)科學(xué)中國(guó)人·上半月 2021年2期2021-04-18
- 大尺寸YVO4晶體的自動(dòng)控徑提拉法生長(zhǎng)
多種常用光學(xué)晶體生長(zhǎng)方面得到推廣應(yīng)用，該生長(zhǎng)工藝應(yīng)用于生長(zhǎng)YAG、GGG、TGG、LT和LN等光學(xué)晶體[3-6]，在改善晶體產(chǎn)品均一性以及節(jié)約生長(zhǎng)成本等方面顯示出良好效果。然而，長(zhǎng)期以來(lái)釩酸釔晶體大多采用人工調(diào)控提拉法生長(zhǎng)，尚未見(jiàn)采用自動(dòng)控制直徑條件下生長(zhǎng)釩酸釔晶體的研究報(bào)道。光纖通信產(chǎn)業(yè)已多年普遍應(yīng)用釩酸釔雙折射晶體，下游客戶對(duì)晶體光學(xué)質(zhì)量的技術(shù)要求越來(lái)越高，而連年上漲的人工成本使得產(chǎn)品利潤(rùn)越來(lái)越低，近年來(lái)高溫晶體生長(zhǎng)專用銥金坩堝器材價(jià)格大幅上漲，這些技人工晶體學(xué)報(bào) 2021年2期2021-03-24
- 一“晶”一世界 ——記中國(guó)科學(xué)院合肥物質(zhì)科學(xué)研究院安徽光學(xué)精密機(jī)械研究所資深研究員殷紹唐
培育，這就是晶體生長(zhǎng)。不同晶體的生長(zhǎng)技術(shù)和工藝基本都是獨(dú)一無(wú)二的，因此每種晶體成熟的生長(zhǎng)工藝都要經(jīng)過(guò)長(zhǎng)期的實(shí)驗(yàn)探索，故行業(yè)中流傳著“十年磨一晶”之說(shuō)，反映了晶體生長(zhǎng)研究工作者的堅(jiān)忍不拔和辛勞。殷紹唐研究員是國(guó)內(nèi)晶體生長(zhǎng)界著名專家，在高質(zhì)量晶體生長(zhǎng)和晶體生長(zhǎng)機(jī)理的研究中都取得了卓越的成果，他生長(zhǎng)研制的多個(gè)功能晶體獲得中國(guó)科學(xué)院科技進(jìn)步獎(jiǎng)一、二等獎(jiǎng)和國(guó)家科技進(jìn)步獎(jiǎng)二等獎(jiǎng)；他在晶體生長(zhǎng)微觀機(jī)理研究中創(chuàng)建了“晶體邊界層生長(zhǎng)理論模型”，揭示出晶體生長(zhǎng)的實(shí)驗(yàn)規(guī)律和經(jīng)驗(yàn)科學(xué)中國(guó)人 2021年3期2021-02-26
- 聚合物輔料對(duì)阿司匹林結(jié)晶動(dòng)力學(xué)影響機(jī)制的非平衡熱力學(xué)建模及預(yù)測(cè)
象對(duì)非洛地平晶體生長(zhǎng)的影響，發(fā)現(xiàn)中等疏水性的聚合物抑制結(jié)晶的效果好于非常親水或非常疏水的聚合物，且聚合物的表面覆蓋率和聚合物的有效性呈線性相關(guān)。Ishizuka等[19]利用FTIR 和NMR 研究了卡馬西平和醋酸羥丙基甲基纖維素琥珀酸酯(HPMC-AS)的特定分子間相互作用力，以探究聚合物抑制藥物重結(jié)晶的機(jī)理，發(fā)現(xiàn)LF 型HPMC-AS 抑制卡馬西平重結(jié)晶的效果好于HF型HPMC-AS，其主要原因是LF型含有更多琥珀酸酯取代基，能和卡馬西平形成更強(qiáng)的分子化工學(xué)報(bào) 2021年1期2021-01-30
- CR,TM,HO:YAG激光晶體的生長(zhǎng)與元件加工性能研究
o：YAG;晶體生長(zhǎng);加工;檢測(cè)0引言Cr，Tm，Ho：YAG激光晶體是實(shí)現(xiàn)2.1μm波段激光的優(yōu)異晶體材料，是醫(yī)學(xué)、光通信、激光雷達(dá)、軍事等方面應(yīng)用的理想光源[1-4]。目前國(guó)內(nèi)外對(duì)Cr，Tm，Ho：YAG激光器的研制作了大量的工作，也取得了較好的成果。基于高平均功率，高重復(fù)頻率，短脈沖的目標(biāo)，高質(zhì)量的Cr，Tm，Ho：YAG激光增益介質(zhì)和高精度晶體加工是首要解決的關(guān)鍵問(wèn)題。1、晶體生長(zhǎng)本文采用提拉法進(jìn)行Cr，Tm，Ho：YAG激光晶體生長(zhǎng)，生長(zhǎng)方向?yàn)榉?/div>錦繡·中旬刊 2021年2期2021-01-28
- 鄭州方銘高溫陶瓷新材料有限公司研制出可用于超高溫晶體生長(zhǎng)爐溫場(chǎng)的高純釔鋯固溶體陶瓷
可用于超高溫晶體生長(zhǎng)爐的高純釔鋯固溶體陶瓷，該材料的使用溫度達(dá)到2 650 ℃，比金屬鉬材料的使用溫度更高，特別適用于泡生法藍(lán)寶石晶體生長(zhǎng)爐，能夠有效解決泡生法制備過(guò)程中的溫場(chǎng)溫度不穩(wěn)定和電能損耗問(wèn)題。該材料反復(fù)升降溫周期使用壽命達(dá)到3年，較金屬溫場(chǎng)提升6倍，以120 kg級(jí)藍(lán)寶石晶體使用陶瓷溫場(chǎng)為例，較金屬溫場(chǎng)縮短生長(zhǎng)周期25%，節(jié)省能耗40%以上，同時(shí)還可避免金屬材料高溫時(shí)出現(xiàn)的過(guò)收縮、破裂等問(wèn)題，顯著延長(zhǎng)了人工晶體生長(zhǎng)爐溫場(chǎng)的壽命，突破了大尺寸晶體生人工晶體學(xué)報(bào) 2020年9期2020-10-21
- KDP類晶體快速生長(zhǎng)技術(shù)研究
備，需要堅(jiān)持晶體生長(zhǎng)的“確定性控制”及裝備與工藝“雙輪驅(qū)動(dòng)發(fā)展”的理念，穩(wěn)步提升晶體生長(zhǎng)可控性和晶體的性能；對(duì)于點(diǎn)籽晶快速生長(zhǎng)工藝生長(zhǎng)晶體中存在的柱錐交界面問(wèn)題，需要在原來(lái)傳統(tǒng)慢速生長(zhǎng)及點(diǎn)籽晶快速生長(zhǎng)工藝基礎(chǔ)上創(chuàng)新發(fā)展新的晶體生長(zhǎng)技術(shù)，滿足國(guó)內(nèi)外高功率激光裝置建設(shè)對(duì)KDP類晶體元件愈來(lái)愈高的尺寸、性能及批量化供貨的要求。1 晶體生長(zhǎng)系統(tǒng)集成化KDP類晶體快速生長(zhǎng)工藝涉及到原材料配制、配料槽及生長(zhǎng)槽溶液轉(zhuǎn)移、點(diǎn)晶、晶體生長(zhǎng)過(guò)程溫度及轉(zhuǎn)動(dòng)控制、晶體生長(zhǎng)液位檢測(cè)人工晶體學(xué)報(bào) 2020年6期2020-07-18
- B2O3質(zhì)量對(duì)VGF晶體生長(zhǎng)工藝成晶率的影響
是目前熔體法晶體生長(zhǎng)工藝中普遍使用的液封劑。在VGF晶體生長(zhǎng)工藝中，使用B2O3覆蓋劑有以下優(yōu)點(diǎn)：①防止熔體組分的揮發(fā)。由于 B2O3的密度比 GaAs熔體的密度小，因此它會(huì)漂浮在 GaAs熔體上形成一液封層并包裹整個(gè)熔體，可防止 GaAs熔體中 As的揮發(fā)，起到保證熔體化學(xué)計(jì)量比的作用。②使晶體生長(zhǎng)具有可重復(fù)性。GaAs熔體只能部分浸潤(rùn) pBN坩堝，因此極容易異相成核導(dǎo)致多晶。B2O3能在熔體與坩堝壁之間形成一隔離層，避免了熔體與 pBN坩堝壁的直接接觸天津科技 2020年2期2020-03-03
- 《晶體生長(zhǎng)的物理基礎(chǔ)》再版發(fā)行 序
先生的專著《晶體生長(zhǎng)的物理基礎(chǔ)》再次出版了。該書首次出版是在1982年，由上?？萍汲霭嫔绯霭?，并于次年獲全國(guó)科技圖書一等獎(jiǎng)。這次重新出版保持了原版的體系和特色，又補(bǔ)充了先生生前百忙之中對(duì)原書親自做的仔細(xì)校訂與補(bǔ)充，使得讀者在使用該書時(shí)更方便。這次再版既滿足了晶體界與材料界對(duì)一本高水平晶體生長(zhǎng)教科書和參考書的期待，也了卻先生生前為了呼應(yīng)同行們的需求，將其修訂出版的心愿。閔先生一生追求科學(xué)，興趣廣泛，對(duì)諸多領(lǐng)域都有涉獵，但最成系統(tǒng)，最有影響的貢獻(xiàn)涉及二個(gè)方面，人工晶體學(xué)報(bào) 2019年9期2019-12-22
- 重新刊發(fā)閔乃本院士《實(shí)際晶體的生長(zhǎng)機(jī)制》一文序
本先生在實(shí)際晶體生長(zhǎng)理論機(jī)制方面也做出了有重大國(guó)際影響的成果。功能晶體是一類在當(dāng)代科技、經(jīng)濟(jì)民生和國(guó)家安全等方面不可或缺的基礎(chǔ)高技術(shù)材料。從二十世紀(jì)初開(kāi)始，人們一直期盼著有普適的晶體生長(zhǎng)機(jī)制來(lái)解釋神奇的晶體生長(zhǎng)過(guò)程。盡管有不少機(jī)制企圖說(shuō)明當(dāng)時(shí)晶體生長(zhǎng)動(dòng)力學(xué)成核理論預(yù)言和實(shí)際晶體生長(zhǎng)過(guò)程之間的巨大差距，均未成功。直到1949年，才由F.C.Frank提出螺型位錯(cuò)(簡(jiǎn)稱螺位錯(cuò))作為永不消失的臺(tái)階從而成功地解釋了實(shí)際晶體的生長(zhǎng)；1951年發(fā)展為著名的BCF(Bu人工晶體學(xué)報(bào) 2019年9期2019-12-22
- 吳以成院士在《晶體生長(zhǎng)的物理基礎(chǔ)》再版發(fā)行儀式上的發(fā)言
本先生專著《晶體生長(zhǎng)的物理基礎(chǔ)》再版發(fā)行儀式。該書再版既是對(duì)為我國(guó)人工晶體事業(yè)發(fā)展做出重大貢獻(xiàn)的閔乃本先生的紀(jì)念與追思，也是對(duì)閔先生學(xué)術(shù)思想與學(xué)術(shù)體系的宣傳, 這對(duì)推動(dòng)人工晶體從基礎(chǔ)研究到產(chǎn)業(yè)高質(zhì)量發(fā)展,解決國(guó)家重大需求具有深遠(yuǎn)意義。閔院士是國(guó)際著名晶體物理學(xué)家，材料學(xué)家。他為我國(guó)晶體學(xué)、凝聚態(tài)物理學(xué)和材料科學(xué)的學(xué)科發(fā)展、人才培養(yǎng)作出了杰出貢獻(xiàn)。早在上世紀(jì)七十年代，工業(yè)性的晶體生長(zhǎng)已經(jīng)初具規(guī)模，但是缺乏系統(tǒng)的科學(xué)理論指導(dǎo)，閔先生在極其困難條件下,通過(guò)總結(jié)大人工晶體學(xué)報(bào) 2019年9期2019-12-22
- 中科院固體所發(fā)現(xiàn)新的晶體生長(zhǎng)模式
現(xiàn)了一種新的晶體生長(zhǎng)模式。相關(guān)結(jié)果在線發(fā)表在細(xì)胞出版社旗下的《物質(zhì)》(Matter)雜志。研究人員在穩(wěn)定的碳酸釔納米顆粒懸浮液中加入電解質(zhì)，在適當(dāng)溫度經(jīng)過(guò)反應(yīng)之后，形成微米級(jí)的片狀單晶體。X射線衍射的數(shù)據(jù)分析表明，得到的產(chǎn)物為復(fù)鹽。他們進(jìn)一步采用一系列先進(jìn)的實(shí)驗(yàn)手段對(duì)反應(yīng)前后的產(chǎn)物的顆粒微觀形貌以及局域原子結(jié)構(gòu)進(jìn)行表征，并結(jié)合第一性原理計(jì)算，令人信服地證明了這是一種新的取向聚集模式。由于伴隨顆粒取向聚集過(guò)程發(fā)生化學(xué)反應(yīng)，故這一晶體生長(zhǎng)模式被稱之為化學(xué)反應(yīng)導(dǎo)人工晶體學(xué)報(bào) 2019年6期2019-12-22
- 晶體要發(fā)展 設(shè)備是關(guān)鍵 ——記陳創(chuàng)天院士對(duì)人工晶體生長(zhǎng)設(shè)備的關(guān)心與重視
對(duì)于我國(guó)人工晶體生長(zhǎng)設(shè)備產(chǎn)業(yè)發(fā)展的鮮明觀點(diǎn)和實(shí)質(zhì)重視。陳創(chuàng)天院士是國(guó)際著名晶體材料學(xué)家，是我國(guó)非線性光學(xué)晶體研究領(lǐng)域的奠基人，在晶體生長(zhǎng)理論和實(shí)踐中做出了突出的貢獻(xiàn)。同時(shí)，陳老師對(duì)我國(guó)人工晶體生長(zhǎng)設(shè)備產(chǎn)業(yè)的發(fā)展高度重視，對(duì)晶體生長(zhǎng)設(shè)備提出了能夠更好地滿足工藝要求的創(chuàng)新要求，很多原創(chuàng)性的晶體材料都是陳老師團(tuán)隊(duì)在定制的國(guó)產(chǎn)設(shè)備上完成的，以實(shí)際行動(dòng)支持和推動(dòng)我國(guó)人工晶體生長(zhǎng)設(shè)備和工藝技術(shù)的發(fā)展。工欲善其事，必先利其器。要想生長(zhǎng)出滿足設(shè)計(jì)需求的晶體材料，必須要有先人工晶體學(xué)報(bào) 2019年10期2019-11-25
- 中國(guó)獲得第21屆國(guó)際晶體生長(zhǎng)和外延大會(huì)(ICCGE-21)舉辦權(quán)
第19屆國(guó)際晶體生長(zhǎng)和外延大會(huì)(ICCGE-19)于2019年7月28日到8月2日在美國(guó)科羅拉多州基斯通舉行。來(lái)自世界各地的近千名專家學(xué)者報(bào)道了國(guó)際晶體生長(zhǎng)與外延技術(shù)研究的最新成果以及發(fā)展趨勢(shì)，同期還舉辦了晶體生長(zhǎng)暑期夏令營(yíng)。此外，在本會(huì)議期間，西北工業(yè)大學(xué)介萬(wàn)奇教授和山東大學(xué)王繼揚(yáng)教授代表中國(guó)硅酸鹽學(xué)會(huì)晶體生長(zhǎng)與材料分會(huì)，向國(guó)際晶體生長(zhǎng)學(xué)會(huì)執(zhí)委匯報(bào)了中國(guó)計(jì)劃舉辦第21屆國(guó)際晶體生長(zhǎng)和外延大會(huì)(ICCGE-21)的情況。最終35位執(zhí)委中24位投票(印度晶體人工晶體學(xué)報(bào) 2019年8期2019-09-18
- 張克從先生與人工晶體
學(xué)、晶體學(xué)、晶體生長(zhǎng)與材料等學(xué)科的教學(xué)與科研一線工作46年。上世紀(jì)五十年代，張先生畢業(yè)留山東大學(xué)任教后不久，到廈門大學(xué)化學(xué)系進(jìn)修，師從盧嘉錫先生?；匦：笤诨瘜W(xué)系組建了晶體生長(zhǎng)專門化小組(山東大學(xué)晶體材料研究所前身)。五十年代中后期到六十年代，張先生帶領(lǐng)研究組進(jìn)行大尺寸磷酸二氫銨(ADP)晶體的溶液法生長(zhǎng)研究，研究成果得到成仿吾校長(zhǎng)的高度贊賞。上世紀(jì)六十年代末，張先生和中科院物理所張樂(lè)潓先生牽頭組織全國(guó)的晶體生長(zhǎng)骨干研究人員編寫了我國(guó)第一部晶體生長(zhǎng)理論與技術(shù)人工晶體學(xué)報(bào) 2019年8期2019-09-18
- 基于改進(jìn)BP神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)算法的激光晶體生長(zhǎng)控制研究
求。隨著激光晶體生長(zhǎng)長(zhǎng)度的增加，固熔生長(zhǎng)界面的散熱效果越來(lái)越差，晶體爐的特性具有參數(shù)時(shí)變性，應(yīng)用傳統(tǒng)PID控制算法難以較好的克服被控對(duì)象的時(shí)變性和非線性[4]。不少學(xué)者投入大量精力致力于激光晶體生長(zhǎng)控制算法的研究，在傳統(tǒng)PID控制算法中引入專家控制、模糊智能控制等，取得了一定程度上的進(jìn)步[5-6]。采用傳統(tǒng)BP神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)算法收斂緩慢、容易陷入局部最小化，筆者將自適應(yīng)學(xué)習(xí)率優(yōu)化算法應(yīng)用于改進(jìn)BP神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)，改進(jìn)后的BP神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)算法既保留了傳統(tǒng)BP算法強(qiáng)大的非線性人工晶體學(xué)報(bào) 2019年8期2019-09-18
- 提拉法生長(zhǎng)直徑8 inch Yb∶YAG激光晶體
∶YAG激光晶體生長(zhǎng)技術(shù)。本文報(bào)道了采用提拉法生長(zhǎng)的高質(zhì)量大尺寸Yb∶YAG晶體，晶體坯直徑達(dá)到8 inch。Yb∶YAG晶體的熔點(diǎn)達(dá)1970 ℃，為一致熔融化合物，通常采用感應(yīng)加熱熔體提拉法生長(zhǎng)。生長(zhǎng)大尺寸晶體，需要采用大尺寸的坩堝，晶體尺寸越大，坩堝堝壁溫度就會(huì)越高，維持熱場(chǎng)系統(tǒng)及整個(gè)晶體生長(zhǎng)系統(tǒng)的熱穩(wěn)定性越困難。本文采用Φ360 mm×360 mm銥坩堝，構(gòu)建了積木式模塊化大尺寸Yb∶YAG晶體生長(zhǎng)熱場(chǎng)，利用小塊耐火材料之間的縫隙，有效解決傳統(tǒng)一體式人工晶體學(xué)報(bào) 2019年7期2019-08-22
- 晶體生長(zhǎng)數(shù)值模擬領(lǐng)域的若干研究進(jìn)展
)1 前 言晶體生長(zhǎng)數(shù)值模擬技術(shù)基于對(duì)晶體生長(zhǎng)過(guò)程各種物理和化學(xué)現(xiàn)象的精確數(shù)學(xué)描述，借助現(xiàn)代計(jì)算機(jī)技術(shù)和計(jì)算技術(shù)，以計(jì)算機(jī)模擬為手段，研究晶體生長(zhǎng)過(guò)程中的基礎(chǔ)共性問(wèn)題和關(guān)鍵技術(shù)，揭示晶體生長(zhǎng)過(guò)程中各種復(fù)雜非線性現(xiàn)象的產(chǎn)生機(jī)理和相互作用機(jī)制，從而實(shí)現(xiàn)晶體生長(zhǎng)過(guò)程工藝的持續(xù)優(yōu)化和相關(guān)設(shè)備的不斷改進(jìn)，促進(jìn)晶體生長(zhǎng)技術(shù)的迅速發(fā)展。計(jì)算機(jī)數(shù)值模擬技術(shù)自20世紀(jì)80年代開(kāi)始在晶體生長(zhǎng)領(lǐng)域得到應(yīng)用以來(lái)，經(jīng)過(guò)三十多年的發(fā)展，已經(jīng)應(yīng)用于直拉法、定向凝固法、浮區(qū)法、導(dǎo)模法、布中國(guó)材料進(jìn)展 2019年5期2019-07-20
- 不同合成方法對(duì)納米 La2(Zr0.7Ce0.3)2O7晶體生長(zhǎng)活化能的影響
因此對(duì)材料的晶體生長(zhǎng)行為進(jìn)行研究是非常有必要的。本文通過(guò)水熱合成法和溶膠凝膠法分別制備了La2(Zr0.7Ce0.3)2O7納米粉體,討論了不同合成方法對(duì) La2(Zr0.7Ce0.3)2O7納米材料物化性能的影響,同時(shí)對(duì)引起晶體生長(zhǎng)活化能差異的機(jī)制進(jìn)行了探索。1 實(shí)驗(yàn)樣品制備分別以La2O3(廣東澄?；瘜W(xué)試劑公司,99.9%)、 ZrOCl·6H2O、 Ce(NO3)3·6H2O(上?；瘜W(xué)試劑公司,99.9%)和檸檬酸作為原材料。水熱合成法:首先將La2電子元件與材料 2018年11期2019-01-04
- 上稱重自控徑晶體生長(zhǎng)直徑突變的研究
同時(shí)也帶動(dòng)了晶體生長(zhǎng)設(shè)備的發(fā)展[1-3]。傳統(tǒng)的人工控制晶體生長(zhǎng)已完全不能滿足大尺寸晶體的發(fā)展要求。目前，國(guó)內(nèi)外關(guān)于大尺寸Nd:YAG晶體的生長(zhǎng)已基本實(shí)現(xiàn)自動(dòng)化控徑，完全擺脫人為因素的干擾[4]。雖然上稱重自控徑技術(shù)能給大尺寸激光晶體生長(zhǎng)帶來(lái)了便利，但在實(shí)際晶體生長(zhǎng)過(guò)程中也存在著一些問(wèn)題，如：電子秤受干擾引起控制直徑的波動(dòng)；溫場(chǎng)環(huán)境不合適造成晶體的缺陷；外界干擾給控制體系帶來(lái)的影響。本文將討論在上稱重自控徑大直徑Nd:YAG晶體生長(zhǎng)等徑過(guò)程中，直徑突變產(chǎn)生山東化工 2018年15期2018-09-20
- “美國(guó)化學(xué)周”三十周年：“珍珠婚”中的化學(xué)
國(guó)化學(xué)周； 晶體生長(zhǎng)； 生活化學(xué)習(xí)； 學(xué)科綜合； 非正式學(xué)習(xí)文章編號(hào)： 1005-6629（2018）6-0092-05 中圖分類號(hào)： G633.8 文獻(xiàn)標(biāo)識(shí)碼： B1 美國(guó)化學(xué)周發(fā)展歷程美國(guó)化學(xué)周是由美國(guó)化學(xué)學(xué)會(huì)（American Chemistry Society， ACS）前任主席Pimentel博士發(fā)起，于每年10月份舉辦的一項(xiàng)科技普及活動(dòng)。每年的美國(guó)化學(xué)周都會(huì)推出一個(gè)全新主題，據(jù)此展開(kāi)系列活動(dòng)。該活動(dòng)面向全體公民，活動(dòng)主題不僅涉及化學(xué)的各個(gè)方面，化學(xué)教學(xué) 2018年6期2018-09-17
- 金剛石的人工合成與應(yīng)用
氣相沉積 晶體生長(zhǎng)中圖分類號(hào)：TQ050 文獻(xiàn)標(biāo)識(shí)碼：A1金剛石化學(xué)結(jié)構(gòu)及特性在晶體學(xué)中，金剛石的晶體結(jié)構(gòu)十分常見(jiàn)，是一類晶體的典型和代表。金剛石晶體中，每個(gè)碳原子的4個(gè)價(jià)電子以sp3雜化的方式，形成4個(gè)完全等同的原子軌道，與最相鄰的4個(gè)碳原子形成共價(jià)鍵。這4個(gè)共價(jià)鍵之間的角度都相等，約為109.5度，這樣形成由5個(gè)碳原子構(gòu)成的正四面體結(jié)構(gòu)單元，其中4個(gè)碳原子位于正四面體的頂點(diǎn)，1個(gè)碳原子位于正四面體的中心，金剛石結(jié)構(gòu)的空間堆積率約為0.34。雖然金剛石科教導(dǎo)刊·電子版 2018年3期2018-06-06
- 多晶爐大尺寸高效率熱場(chǎng)的設(shè)計(jì)與研究
分布，從而對(duì)晶體生長(zhǎng)過(guò)程中的形核質(zhì)量、固液界面形狀、流體流動(dòng)模式以及雜質(zhì)輸運(yùn)過(guò)程等都有直接影響。對(duì)熱場(chǎng)結(jié)構(gòu)的合理設(shè)計(jì)及不斷優(yōu)化是提高多晶硅晶體品質(zhì)的重要手段之一。本項(xiàng)目通過(guò)對(duì)熱場(chǎng)的優(yōu)化，改善了熔體流動(dòng)模式，有利于雜質(zhì)向硅錠邊部及外部輸運(yùn)，減少了雜質(zhì)對(duì)多晶硅晶體品質(zhì)的負(fù)面影響?！娟P(guān)鍵詞】固液界面 雜質(zhì)輸運(yùn) 晶體生長(zhǎng)1 目前熱場(chǎng)缺陷熱場(chǎng)作為鑄錠的硬件部分，起到的作用不言而喻，整個(gè)鑄錠工藝必須圍繞熱場(chǎng)的結(jié)構(gòu)和原理進(jìn)行調(diào)整。因此有一套好的熱場(chǎng)，工藝人員調(diào)整工藝也會(huì)電子技術(shù)與軟件工程 2017年15期2018-01-30
- 高均勻性摻鎂鈮酸鋰晶體的生長(zhǎng)及光學(xué)性能研究
鋰；高摻鎂；晶體生長(zhǎng)；均勻性；吸收譜中圖分類號(hào)：G642.0 文獻(xiàn)標(biāo)志碼：A 文章編號(hào)：1674-9324（2017）35-0059-03一、引言前人已經(jīng)對(duì)摻鎂鈮酸鋰做了大量的深入研究，南開(kāi)大學(xué)付博[1]等人研究了紫外光輻照下，吸收邊與Mg摻雜濃度的閾值變化關(guān)系。比較了300—400nm波長(zhǎng)范圍內(nèi)的吸收光譜，得到摻Mg會(huì)讓晶體的吸收邊發(fā)生紫移的結(jié)論，摻Mg的濃度越高，吸收邊移動(dòng)越大。相比于同成分摻鎂鈮酸鋰，近化學(xué)計(jì)量比LiNbO3：Mg晶體還擁有更高的抗光教育教學(xué)論壇 2017年35期2017-08-29
- 坩堝下降法晶體生長(zhǎng)自動(dòng)化控制
發(fā)展，而人工晶體生長(zhǎng)工藝繁瑣、設(shè)備復(fù)雜，想實(shí)現(xiàn)機(jī)器人替代人工需要一些時(shí)間。經(jīng)過(guò)不斷探索與試驗(yàn)，在坩堝下降法晶體生長(zhǎng)過(guò)程中初步實(shí)現(xiàn)自動(dòng)化控制。利用組態(tài)監(jiān)控軟件，構(gòu)建出晶體生長(zhǎng)過(guò)程的人機(jī)互換界面，通過(guò)組態(tài)與簡(jiǎn)單的程序編寫實(shí)現(xiàn)人工晶體生長(zhǎng)的自動(dòng)化控制。本文通過(guò)使用MCGS組態(tài)軟件與PMC、溫控儀進(jìn)行通訊、數(shù)據(jù)采集與發(fā)送指令，實(shí)現(xiàn)自動(dòng)控制?？商岣呱a(chǎn)效率，降低人工成本，為企業(yè)創(chuàng)造更多利潤(rùn)。關(guān)鍵詞：自動(dòng)化；晶體生長(zhǎng)中圖分類號(hào)：TB476 文獻(xiàn)標(biāo)識(shí)碼：A文章編碼：16工業(yè)設(shè)計(jì) 2017年7期2017-05-30
- 稀土氧化物閃爍晶體提拉法自動(dòng)控制系統(tǒng)設(shè)計(jì)
；專家控制；晶體生長(zhǎng)DOIDOI：10.11907/rjdk.162724中圖分類號(hào)：TP319文獻(xiàn)標(biāo)識(shí)碼：A文章編號(hào)：1672-7800（2016）012-0042-040 引言稀土閃爍晶體能夠?qū)⒏吣苌渚€或粒子轉(zhuǎn)換為紫外或可見(jiàn)熒光脈沖， 是核輻射探測(cè)的關(guān)鍵材料。在醫(yī)學(xué)領(lǐng)域，閃爍晶體作為輻射探測(cè)材料主要應(yīng)用于X射線計(jì)算機(jī)斷層掃描成像（X-CT）、正電子發(fā)射斷層成像（PET）等設(shè)備中，這類閃爍晶體具有高密度、高光輸出、大的有效原子序數(shù)等優(yōu)點(diǎn)。PET是目前核醫(yī)軟件導(dǎo)刊 2016年12期2017-01-21
- 虎杖苯亞甲基丙酮合酶PcPKS2的表達(dá)純化和晶體生長(zhǎng)
的表達(dá)純化和晶體生長(zhǎng)馬文瑞1，柳春梅2，楊明峰2，薛飛燕2，陳青2，馬蘭青2，呂鶴書2 1 北京農(nóng)學(xué)院 植物科學(xué)技術(shù)學(xué)院，北京 102206 2 北京農(nóng)學(xué)院農(nóng)業(yè)部都市農(nóng)業(yè) (北方) 重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室，北京102206馬文瑞, 柳春梅, 楊明峰, 等. 虎杖苯亞甲基丙酮合酶PcPKS2的表達(dá)純化和晶體生長(zhǎng). 生物工程學(xué)報(bào), 2016, 32(2): 250–258.Ma WR, Liu CM, Yang MF, et al. Preparation and cry生物工程學(xué)報(bào) 2016年2期2016-06-22
- 硒酸對(duì)ZTS晶體生長(zhǎng)的影響研究*
硒酸對(duì)ZTS晶體生長(zhǎng)的影響研究*禹化健1a，常新安1a，陳學(xué)安1a，肖衛(wèi)強(qiáng)1b，涂衡2（1.北京工業(yè)大學(xué)a.材料科學(xué)與工程學(xué)院；b.北京工業(yè)大學(xué)固體微結(jié)構(gòu)與性能研究所，北京100124；2.中國(guó)科學(xué)院理化技術(shù)研究所，北京100190）摘要：以H2SeO4為添加劑，通過(guò)亞穩(wěn)區(qū)寬度和誘導(dǎo)期的測(cè)定考察了不同添加濃度下ZTS溶液的穩(wěn)定性，采用水溶液降溫法進(jìn)行了在同樣添加條件下ZTS的晶體生長(zhǎng)實(shí)驗(yàn)。結(jié)果表明，在實(shí)驗(yàn)濃度范圍內(nèi)，隨著H2SeO4濃度的增大，ZTS溶液穩(wěn)化學(xué)工程師 2016年3期2016-04-21
- 一維鈷納米材料的簡(jiǎn)單制備及其磁性和電磁性能研究
;磁性材料；晶體生長(zhǎng)；外加磁場(chǎng)； 電磁性能Received date：2015-04-30.Foundation item：The Natural Science Foundation of China (50902045).Biography：MENG Hongjie (1990-), female, postgraduate, majoring in nano-composite absorbing materials.*Corresponding a化學(xué)研究 2015年6期2016-01-31
- 光學(xué)質(zhì)量大尺寸藍(lán)寶石單晶工藝研究
了影響藍(lán)寶石晶體生長(zhǎng)的9大因素:①溫場(chǎng)的軸向和徑向溫度梯度大小對(duì)晶體生長(zhǎng)的影響;②氧化鋯層對(duì)晶體質(zhì)量的影響;③原料對(duì)晶體生長(zhǎng)的影響;④籽晶的質(zhì)量和晶向?qū)?span id="j5i0abt0b" class="hl">晶體生長(zhǎng)的影響;⑤引晶對(duì)晶體中殘余應(yīng)力、位錯(cuò)和晶界的影響;⑥放肩角度對(duì)晶體的影響;⑦等徑生長(zhǎng)速度對(duì)晶體的影響;⑧收尾拉脫與否對(duì)晶體質(zhì)量的影響;⑨退火時(shí)間長(zhǎng)短對(duì)晶體的影響．通過(guò)分析各影響因素，改進(jìn)生長(zhǎng)工藝，成功生長(zhǎng)出70 kg藍(lán)寶石單晶．對(duì)其進(jìn)行表征發(fā)現(xiàn)，在晶體氣泡、晶體方向和應(yīng)力等方面均達(dá)到發(fā)光二極管芯片襯深圳大學(xué)學(xué)報(bào)（理工版） 2015年4期2015-12-24
- PVT法生長(zhǎng)大尺寸CdS單晶
。基于氣相法晶體生長(zhǎng)的熱力學(xué)和動(dòng)力學(xué)理論對(duì)晶體生長(zhǎng)速率進(jìn)行了分析，并對(duì)CdS晶體材料的電學(xué)、光學(xué)等性能進(jìn)行了表征。1 實(shí)驗(yàn)1.1 CdS晶體材料制備PVT法屬于一種氣相的晶體生長(zhǎng)方法，多用于高熔點(diǎn)、高蒸氣壓材料的單晶生長(zhǎng)，特別是生長(zhǎng)CdS、ZnSe等II-VI族半導(dǎo)體材料。PVT法晶體生長(zhǎng)過(guò)程包括氣源形成、氣相傳輸和晶體生長(zhǎng)三個(gè)主要環(huán)節(jié)，在生長(zhǎng)表面附近氣相的溫度、成分和生長(zhǎng)壓力決定了晶體生長(zhǎng)能否實(shí)現(xiàn)，并直接影響著晶體生長(zhǎng)速率、晶體成分和結(jié)晶質(zhì)量。圖1是本文河南科技 2015年7期2015-08-28
- CdSe單晶生長(zhǎng)技術(shù)研究
［2］。1 晶體生長(zhǎng)理論基礎(chǔ)從熱力學(xué)的角度分析，晶體生長(zhǎng)是一個(gè)從非平衡態(tài)向平衡態(tài)過(guò)渡的過(guò)程。當(dāng)體系達(dá)到兩相熱力學(xué)平衡時(shí)，并不能產(chǎn)生新相，只有在舊相處于過(guò)飽和或過(guò)冷狀態(tài)時(shí)，才會(huì)出現(xiàn)新相。圖1 是單組分物質(zhì)p-T 狀態(tài)圖，圖中分為氣相、液相和固相三個(gè)相區(qū)，陰影區(qū)稱為亞穩(wěn)區(qū)［3］。當(dāng)熱力學(xué)條件處于亞穩(wěn)區(qū)才能有新相形成，并不斷使相界面向舊相推移，隨之完成成核與晶體長(zhǎng)大的過(guò)程。圖1 單組分物質(zhì)p-T狀態(tài)圖以氣相法晶體生長(zhǎng)為例進(jìn)行說(shuō)明。圖2（a）中A點(diǎn)處于亞穩(wěn)區(qū)內(nèi)，在河南科技 2015年8期2015-08-09
- FEMAG亮相2015國(guó)際半導(dǎo)體技術(shù)大會(huì)
著名的半導(dǎo)體晶體生長(zhǎng)模擬商業(yè)軟件，軟件耦合了晶體生長(zhǎng)過(guò)程中所有重要物理現(xiàn)象，包括輻射傳熱、導(dǎo)熱傳熱及對(duì)流傳熱，并耦合了各種電磁場(chǎng)對(duì)晶體生長(zhǎng)過(guò)程傳熱、對(duì)流的影響。中仿科技此次在中國(guó)國(guó)際半導(dǎo)體技術(shù)大會(huì)上展出的晶體生長(zhǎng)模擬仿真軟件 FEMAG依托于中仿中國(guó)研發(fā)中心的創(chuàng)新性研發(fā)，融合了比利時(shí) FEMAG SA.公司全球領(lǐng)先的技術(shù)。中仿科技公司對(duì)于FEMAG軟件完全擁有中國(guó)自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)和技術(shù)專利。endprint智能制造 2015年4期2015-05-12
- VGF法生長(zhǎng)半導(dǎo)體晶體的研究進(jìn)展
是，在VB法晶體生長(zhǎng)過(guò)程中，生長(zhǎng)爐的溫度是固定不變的，利用機(jī)械的作用使坩堝或是爐體產(chǎn)生移動(dòng)，當(dāng)固－液界面經(jīng)過(guò)溫度梯度區(qū)結(jié)晶成核，實(shí)現(xiàn)晶體生長(zhǎng);而在VGF法晶體生長(zhǎng)過(guò)程中，坩堝和爐體位置均是固定不動(dòng)的，改變的是溫度，晶體生長(zhǎng)時(shí)進(jìn)行緩慢降溫，晶體形核。VGF法可實(shí)現(xiàn)晶體生長(zhǎng)過(guò)程中溫場(chǎng)的人為設(shè)定，實(shí)現(xiàn)預(yù)先設(shè)計(jì)的溫度梯度和降溫速度，使固液界面以一定的速度由下而上移動(dòng)，完成晶體的自下而上生長(zhǎng)。相對(duì)于VB法，VGF法具有如下優(yōu)點(diǎn):無(wú)機(jī)械誤差和機(jī)械振動(dòng);爐體內(nèi)溫度分布可激光與紅外 2015年5期2015-03-29
- 垂直布里奇曼法生長(zhǎng)碲鋅鎘晶體的工藝條件優(yōu)化
，因此在影響晶體生長(zhǎng)質(zhì)量的諸因素中，坩堝的性能與質(zhì)量占有重要地位。坩堝的性能包括強(qiáng)度、熱導(dǎo)率(徑向、軸向)、熱膨脹系數(shù)、與熔體的浸潤(rùn)角、表面光潔度、純度、高溫化學(xué)穩(wěn)定性、與熔體是否反應(yīng)、與晶體是否粘連等。為了提高單晶體的質(zhì)量，研究人員不斷地改進(jìn)晶體生長(zhǎng)中與坩堝相關(guān)的工藝，如旋轉(zhuǎn)坩堝，改進(jìn)坩堝材質(zhì)和形狀等。生長(zhǎng)CdZnTe單晶體的坩堝主要有內(nèi)壁熏碳的石英坩堝、石墨坩堝和熱解氮化硼坩堝(PBN坩堝)［1－3］。實(shí)際工藝中一般采用熏碳的石英坩堝，其合成與生長(zhǎng)均在激光與紅外 2015年8期2015-03-23
- 淺析磁場(chǎng)在晶體生長(zhǎng)中的應(yīng)用研究進(jìn)展
介紹了磁場(chǎng)對(duì)晶體生長(zhǎng)影響的兩種機(jī)制和磁場(chǎng)的類型，然后分析了磁場(chǎng)在蛋白質(zhì)晶體生長(zhǎng)中的應(yīng)用和磁場(chǎng)在氧化物晶體生長(zhǎng)中的應(yīng)用，最后探討了磁場(chǎng)在半導(dǎo)體晶體生長(zhǎng)中的應(yīng)用。關(guān)鍵詞：磁場(chǎng)；晶體生長(zhǎng)；應(yīng)用中圖分類號(hào)： P144 文獻(xiàn)標(biāo)識(shí)碼： A從熔體中生長(zhǎng)晶體，由于對(duì)流，尤其是湍流的存在而產(chǎn)生宏觀及微觀的生長(zhǎng)條紋，影響到晶體的物理及化學(xué)性質(zhì)的均勻性?？朔?duì)流的方法主要有微重力環(huán)境和磁場(chǎng)，而前者的實(shí)驗(yàn)費(fèi)用昂貴，實(shí)驗(yàn)次數(shù)少，可用于基礎(chǔ)性的研究，大規(guī)模的商業(yè)應(yīng)用在目前來(lái)說(shuō)是不現(xiàn)實(shí)城市建設(shè)理論研究 2014年25期2014-09-24
- 空間材料加熱實(shí)驗(yàn)的遙操作技術(shù)研究
文中通過(guò)研究晶體生長(zhǎng)加熱爐試驗(yàn)的遙操作系統(tǒng)及其關(guān)鍵技術(shù)，進(jìn)行基于遙操作的晶體生長(zhǎng)加熱爐試驗(yàn)來(lái)對(duì)空間材料加熱實(shí)驗(yàn)的遙操作技術(shù)進(jìn)行研究。圖1 晶體生長(zhǎng)加熱爐試驗(yàn)遙操作方案圖Fig.1 The scheme of crystal growth furnace experiment of teleoperation2 遙操作系統(tǒng)及關(guān)鍵技術(shù)2.1 晶體生長(zhǎng)加熱爐試驗(yàn)系統(tǒng)根據(jù)空間站長(zhǎng)期在軌自主飛行、無(wú)航天員時(shí)艙內(nèi)空間材料加熱實(shí)驗(yàn)情形以及晶體生長(zhǎng)加熱爐試驗(yàn)對(duì)遙操作的需求載人航天 2013年5期2013-09-19
- 晶體生長(zhǎng)可作為火山地震預(yù)測(cè)的新信號(hào)
山巖漿房?jī)?nèi)的晶體生長(zhǎng)有關(guān)?；鹕綆r漿房?jī)?nèi)晶體的生長(zhǎng)如樹木年輪一樣自中心向外擴(kuò)展，與此同時(shí)保存了有關(guān)火山噴發(fā)的關(guān)鍵信息。其個(gè)別區(qū)域細(xì)微的化學(xué)成分的變化反應(yīng)出巖漿房?jī)?nèi)物理?xiàng)l件（如溫度）的改變，從而指示了火山噴發(fā)過(guò)程及其噴發(fā)周期。研究人員分析了美國(guó)圣海倫火山巖漿房晶體的化學(xué)組成并將其與1980年圣海倫火山的噴發(fā)過(guò)程相結(jié)合。分析結(jié)果顯示，晶體的生長(zhǎng)高峰同火山噴發(fā)之前的數(shù)月中地震頻率及氣體噴發(fā)量的增加直接相關(guān)。因此，可以將晶體的生長(zhǎng)作為巖漿涌入不斷擴(kuò)展的巖漿房的證據(jù)，地震科學(xué)進(jìn)展 2012年7期2012-04-01
- 泡生法藍(lán)寶石晶體生長(zhǎng)工藝的探討
泡生法藍(lán)寶石晶體生長(zhǎng)設(shè)備及工藝的研究，并通過(guò)在晶體生長(zhǎng)過(guò)程中終止生長(zhǎng)取出晶體觀察生長(zhǎng)前沿形態(tài)的方法進(jìn)行實(shí)驗(yàn)驗(yàn)證，得出了與模擬設(shè)計(jì)幾乎完全吻合的結(jié)果，對(duì)研究泡生法藍(lán)寶石晶體生長(zhǎng)設(shè)備與工藝提供了科學(xué)的思維方法和依據(jù).而烏克蘭Pryroda工程有限公司(Pryroda Engineering Ltd)則無(wú)疑是商業(yè)化量產(chǎn)泡生法晶體生長(zhǎng)設(shè)備的先驅(qū).在工藝方面，美國(guó)的盧比肯公司早在2009年就已經(jīng)掌握泡生法生長(zhǎng)200 kg巨型藍(lán)寶石單晶的技術(shù)［3］.相比之下，我國(guó)在該哈爾濱工業(yè)大學(xué)學(xué)報(bào) 2011年3期2011-03-12
- KTa1－xNbxO3晶體生長(zhǎng)固/液邊界層結(jié)構(gòu)的微區(qū)研究*
xNbxO3晶體生長(zhǎng)固/液邊界層結(jié)構(gòu)的微區(qū)研究*周文平1)萬(wàn)松明1)張慶禮1)殷紹唐1)?尤靜林2)王媛媛2)1)(中國(guó)科學(xué)院安徽光學(xué)精密機(jī)械研究所，合肥230031)2)(上海大學(xué)上海市鋼鐵冶金新技術(shù)開(kāi)發(fā)應(yīng)用重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室，上海200072)(2009年9月8日收到;2009年11月23日收到修改稿)測(cè)量了KTa1－xNbxO3(KTN)晶體在常溫和高溫下的Raman光譜;實(shí)時(shí)測(cè)量了晶體生長(zhǎng)過(guò)程中，固/液邊界層內(nèi)以及邊界層兩側(cè)的晶體和熔體的高溫顯微Raman物理學(xué)報(bào) 2010年7期2010-09-08
- 水熱法人工晶體生長(zhǎng)的原理及應(yīng)用
）水熱法人工晶體生長(zhǎng)的原理及應(yīng)用劉菊（天津渤海職業(yè)技術(shù)學(xué)院，天津300402）人工合成晶體的方法有很多，本文著重論述了利用水熱法合成人工晶體的基本原理以及影響因素，同時(shí)還介紹了水熱法合成人工晶體的應(yīng)用。水熱法；人工晶體；合成當(dāng)今，在高新技術(shù)材料領(lǐng)域中，人工晶體作為一種特種功能材料，在材料學(xué)、光學(xué)、光電子、醫(yī)療生物領(lǐng)域有著廣泛的作用。用于人工晶體生長(zhǎng)的方法有多種，如：物理氣相沉淀、水熱法、低溫溶液生長(zhǎng)、籽晶提拉、坩堝下降等。其中水熱法晶體生長(zhǎng)可以使晶體在非受天津化工 2010年5期2010-03-22
- 晶體生長(zhǎng)實(shí)驗(yàn)室寓教于樂(lè)
本期推薦的晶體生長(zhǎng)實(shí)驗(yàn)室系列產(chǎn)品是由煙臺(tái)螞蟻工坊生態(tài)科技公司推出的生態(tài)系列玩具。10月14日，晶體生長(zhǎng)實(shí)驗(yàn)室獲得了中國(guó)玩具協(xié)會(huì)“創(chuàng)星大賽”教育類產(chǎn)品金獎(jiǎng)。晶體生長(zhǎng)實(shí)驗(yàn)室系列產(chǎn)品是基于晶體生長(zhǎng)科學(xué)原理創(chuàng)新而成的一系列供廣大青少年自己動(dòng)手來(lái)制作晶體的科學(xué)玩具產(chǎn)品，讓他們從中學(xué)習(xí)晶體生長(zhǎng)的科學(xué)知識(shí)，感受科學(xué)的神奇魅力，提高科學(xué)研究能力和動(dòng)手能力，更重要的是給他們探索、實(shí)踐、創(chuàng)造和解決問(wèn)題的機(jī)會(huì)，在樂(lè)趣中掌握科學(xué)原理，更加體現(xiàn)寓教于樂(lè)。水晶工坊這是一款可以充分鍛煉玩具 2009年11期2009-11-30
- 一“晶”一世界