掩模
- 結合光學掩模調(diào)制的鼠眼像差精確測量
合理設置一種光學掩模結構，直接遮攔視網(wǎng)膜非目標層的反射光線，只允許目標層的反射光線進入波前測量，以提升鼠眼波前像差的測量精度。結合仿真分析結果可以得到針對小鼠視網(wǎng)膜的光學掩模孔徑尺寸參數(shù)。對在體小鼠視網(wǎng)膜像差的測量實驗發(fā)現(xiàn)，該方法可以實現(xiàn)波前像差測量誤差的均方根（RMS）值下降74.9%，與理論仿真結果相近，說明本文所提方法有效提升了鼠眼波前像差的測量精度。2 原理與方法2.1 系統(tǒng)結構與掩模遮攔方案本實驗采用透射式光學元件的掃描型波前探測系統(tǒng)，采用SHW
中國光學 2023年5期2023-10-07
- 融合掩模和注意機制的CNN圖像分類算法
,提出了一種融合掩模和注意機制的CNN圖像分類算法:使用基于掩模的預訓練方法突出前景目標物體和去噪神經(jīng)網(wǎng)絡提取的去噪深度特征,降低了圖像背景噪聲和深度特征噪聲的干擾,從而促使網(wǎng)絡模型總框架更加穩(wěn)定。并使用三種不同注意類型的激活函數(shù)進行充分實驗,進一步提升了算法的性能。實驗結果表明:將其算法應用于Corel-1000圖像庫時,分類精確度有了較大提升。2 網(wǎng)絡模型為了更好地讀取圖像內(nèi)容信息和提高圖像分類精確度,構建了如圖1所示的深度CNN網(wǎng)絡模型總體框架。該框
計算機仿真 2023年4期2023-05-31
- 高階次Caputo 型分數(shù)階微分算子及其圖像增強應用
法中，分數(shù)階微分掩模算子的設計顯得尤為重要[22,26-28].然而，由于分數(shù)階微積分圖像處理的研究相對較晚，再加上分數(shù)階微積分目前還缺少一個統(tǒng)一的定義形式，而不同定義形式的分數(shù)階微分掩模算子研究進展不平衡且表現(xiàn)出一定的差異性，比如目前相對于G-L 型和R-L 型定義形式，基于Caputo型定義形式的微分掩模算子相對較少，而G-L 型和RL 型形式的分數(shù)階微分盡管對圖像紋理細節(jié)具有較好的增強效果，但對圖像對比度的提升較少[29].這樣對適應不同定義形式分數(shù)
計算機研究與發(fā)展 2023年2期2023-03-02
- 改進灰狼算法提高數(shù)字光刻圖像質(zhì)量的研究
]原理是通過改變掩模的結構，比如在原始掩模中添加襯線、散射條等方式提高光刻分辨率，該技術缺點是優(yōu)化自由度較低，精度不高。數(shù)字光刻技術[3]利用各類算法優(yōu)化光源和掩模的結構（SMO）來提高光刻成像質(zhì)量。SHEN[4]提出了一種距離水平集正則化的SMO重擬方法，該方法以更簡單、更有效的數(shù)值實現(xiàn)保證，提高了計算效率。DMD具有反射效率高、分辨率高、對比度高、穩(wěn)定性好，刷新速度快等優(yōu)點[5]。分析DMD的結構可知，數(shù)字掩模是通過操控DMD每個微鏡的開關來生成的。因
長春理工大學學報（自然科學版） 2022年6期2022-12-28
- 細粒度圖像分類的通道自適應判別性學習方法
和零件注釋發(fā)展到掩模Mask-CNN[10]和使用卷積層響應的無監(jiān)督方法MA-CNN[11]、SCDA[12]。此外，Mask-CNN[10]、WS-DAN[13]、TASN[14]通過增加判別區(qū)域的數(shù)量，以減少由于視角和姿態(tài)變化等問題導致的小目標對象的誤判。同時，一些致力于獲得高級編碼特征的方法BCNN[15]、CBP[16]、LRBP[17]、HBP[18]也取得了不錯的效果。還有，基于補充特征信息的WS-CPM[19]、CIN[20]也被用來從有限數(shù)
計算機與現(xiàn)代化 2022年10期2022-10-18
- 基于分群和幾何約束的器官外部組織快速剝離方法
實現(xiàn)器官組織三維掩模的快速構建，并提取相關器官組織。此外，本研究還探討了空間約束下分層次組織剝離的方法和技術。結果表明使用本研究設計的分割工具能在三維可視環(huán)境下進行疾病的輔助診斷。1 器官分割和剝離方法1.1 幾何約束的器官組織剝離方法本研究主要采用切割和剝離的方法實現(xiàn)器官組織內(nèi)部分布呈現(xiàn)。體數(shù)據(jù)器官組織的分割流程如圖1 所示，首先通過選擇三維幾何原型和繪制平行投影面的二維圖形來產(chǎn)生組合的幾何掩模；然后在這些更小的數(shù)據(jù)集中，通過種子填充和其他分類方法，將組
中國醫(yī)學物理學雜志 2022年5期2022-05-31
- 結合自適應軟掩模和混合特征的語音增強
噪語音特征和時頻掩模間的非線性關系，且對理想二值掩模(Ideal Binary Mask，IBM)、理想浮值掩模(Ideal Ratio Mask，IRM)、目標二值掩蔽等一系列基于時頻掩蔽的學習目標進行了對比。分析實驗結果可知，當選用IRM作為學習目標進行語音增強時，增強語音的質(zhì)量和可懂度最優(yōu)。但IRM沒有考慮與語音可懂度密切相關的相位信息，且在不同信噪比條件下，都根據(jù)語音能量在語音與噪聲能量和中的比重來確定的，無法根據(jù)信噪比的不同來自動調(diào)節(jié)，容易造成目
西安電子科技大學學報 2022年2期2022-05-28
- 無鏡頭相機結合神經(jīng)網(wǎng)絡，能否產(chǎn)生更清晰的圖像？
用于編碼信息的薄掩模（mask簡稱掩模，是光刻工藝不可缺少的部件。掩模上承載有設計圖形，光線透過它，把設計圖形透射在光刻膠上），在應用場景中，需要數(shù)字計算來產(chǎn)生詳細的圖像。通過了解光如何與圖像傳感器前面的薄掩模相互作用，算法可以解碼光信息并重建聚焦場景。然而，解碼過程極其復雜。除了需要大量時間之外，生成良好的圖像質(zhì)量還需要完美的機身物理設計。研究人員還開發(fā)了一種依賴于深度學習的重建方法，使用卷積神經(jīng)網(wǎng)絡 （CNN） 的現(xiàn)有深度學習方法。CNN 根據(jù)相鄰的“
電腦報 2022年19期2022-05-25
- 基于上下文門卷積的盲圖像修復
法均是基于輸入的掩模對圖像的退化區(qū)域進行修復?；诖耍岢隽擞?span id="j5i0abt0b" class="hl">掩模預測網(wǎng)絡和圖像修復網(wǎng)絡組成的2階段盲圖像修復網(wǎng)絡。整個修復過程無需輸入掩模，掩模預測網(wǎng)絡可以根據(jù)輸入圖像自動檢測圖像退化區(qū)域并生成掩模，圖像修復網(wǎng)絡根據(jù)預測掩模對輸入圖像的缺失部分進行修復。為了更好地利用全局上下文信息，基于上下文門卷積設計了一個上下文門殘差塊(CGRB)模塊來提取特征信息。另外，還提出了空間注意力殘差塊(SARB)對遠距離圖像像素的關系進行建模，過濾了一些無關的細節(jié)信息。在
圖學學報 2022年1期2022-03-21
- 一種改進反銳化掩模的自適應圖像增強算法
進行增強。反銳化掩模（Unsharp masking，UM）是常見的圖像增強方法之一，它可以有效增強圖像的邊緣和細節(jié)，使圖像的輪廓更清晰，它主要分為線性反銳化掩模（Linear unsharp masking，LUM）和非線性反銳化掩模（Nonlinear unsharp masking，NUM）兩大類。1 線性反銳化掩模算法LUM圖像增強算法流程如圖1所示，主要有四個步驟。首先，對原始圖像進行低通濾波（例如均值濾波），得到一個鈍化模糊的圖像；其次，用原始
電子世界 2021年19期2021-11-03
- 復雜城市環(huán)境多模RTK/SINS 緊組合定位性能分析
而GNSS 虛擬掩模技術使用不同模板對衛(wèi)星進行遮擋，對實際環(huán)境的衛(wèi)星觀測進行仿真，是對定位性能進行評估的有效手段[13-15]。因此，本文首先以開闊環(huán)境GNSS RTK/SINS 緊組合雙向平滑結果作為參考值，利用虛擬掩模仿真方法模擬城市各類典型遮擋環(huán)境及其組合，并通過加入隨機粗差等方式，仿真得到城市復雜環(huán)境下GNSS 觀測值的方法，系統(tǒng)分析多星座組合GNSS RTK/SINS 緊組合在復雜城市環(huán)境下的導航定位性能。1 GNSS RTK/SINS 緊組合算
導航定位學報 2021年5期2021-10-13
- 先進光刻中的聚焦控制預算(I)-光路部分
利用光化學原理將掩模版上的圖案轉(zhuǎn)移到襯底上。在這個過程中，會涉及到光源、掩模版、投影物鏡、晶圓、光刻膠、等部件或材料。光刻曝光時，需要將晶圓送至指定的高度范圍內(nèi)，在該高度范圍內(nèi)，晶圓曝光的質(zhì)量是可以保證的，這個高度范圍稱為聚焦深度(Depth Of Focus,DOF)。聚焦深度是衡量光刻工藝窗口質(zhì)量的參數(shù)之一。在制造納米級集成電路圖形時，工藝窗口極大地決定了光刻曝光的難易程度。當硅片上包含多種特征圖形時，光刻聚焦深度為所有特征圖形的公共DOF范圍，稱為可
中國光學 2021年5期2021-10-10
- 無縫光譜儀用紫外透射閃耀光柵的制作?
刻獲得光刻膠光柵掩模,離子束刻蝕進行圖形轉(zhuǎn)移,可直接在基底表面獲得浮雕光柵.基底材料選用熔融石英,其透過率好、穩(wěn)定性高;全息形成的圖形無鬼線,雜散光低.優(yōu)化計算表明,閃耀光柵結構可滿足要求,但是其透射衍射效率對槽形參數(shù)變化較為敏感.2016年,中國科學技術大學董圣為等[9]通過全息-離子束刻蝕技術制作了線密度為360 lines/mm、閃耀角為16.8°和線密度400 lines/mm、閃耀角分別為35°和43°的3種透射閃耀光柵,實測衍射效率可達理論值的
天文學報 2021年5期2021-10-09
- 脈沖態(tài)空化射流掩模電解加工試驗研究
加工中，常常采用掩模電解進行陣列加工微凹坑結構，但掩模電解加工存在電解產(chǎn)物排出困難、金屬陽極溶解不充分等問題，中外學者對此進行了大量研究。王陽等[9]基于有限元仿真和工藝試驗研究，建立了單個微凹坑掩模電解加工的多物理場模型，總結了加工電壓、脈沖頻率、掩模孔直徑等對微凹坑加工的工藝規(guī)律。Wang等[10]通過仿真分析和加工試驗發(fā)現(xiàn)帶錐形的掩模孔可改善加工區(qū)的流場，從而加速電解液的流動，提高電解產(chǎn)物的排出，但錐形的角度過大容易出現(xiàn)雜散腐蝕。Wu等[11]采用電
科學技術與工程 2021年21期2021-08-20
- 動態(tài)特征聯(lián)合新掩模優(yōu)化神經(jīng)網(wǎng)絡語音增強
CC)和理想比率掩模(Ideal Ratio Mask， IRM)優(yōu)化的算法；特征考慮了聽覺感知，掩模是軟判決，但很難處理清音，整體聽感不連續(xù)。文獻[5]提出一種Gammatone域耳蝸表示(Cochleagram)的語音特征。Gammatone是耳蝸濾波標準模型，但不能兼顧語音整體和瞬變信息。文獻[6]提出多分辨率耳蝸表示(Multi-Resolution CochleaGram，MRCG)，其連接4個不同分辨率的對數(shù)耳蝸，同時考慮語音局部和全局信息，但
西安電子科技大學學報 2021年3期2021-07-01
- 動態(tài)場景下基于圖像掩模技術的雙目SLAM 算法?
以實現(xiàn)實時計算。掩模[14]是指用選定的圖像、圖形或物體，對處理的圖像(全部或局部)進行遮擋，來控制圖像處理的區(qū)域或處理過程。 用于覆蓋的特定圖像或物體稱為掩模。 掩模可以用于提取感興趣區(qū)域、屏蔽某些區(qū)域或結構特征提出等用途?；谏鲜龇治?，本文提出動態(tài)場景下基于圖像掩模技術的雙目SLAM 算法，該算法可以保證實時性，其硬件成本低，便于攜帶，并方便搭載在其他設備上。 動態(tài)區(qū)域掩模分割算法不受視覺SLAM 定位結果影響。1 雙目SLAM 算法流程本文提出的改進
傳感技術學報 2021年12期2021-03-13
- 我國光掩模玻璃基板的發(fā)展現(xiàn)狀及趨勢
劉志海1 光掩模玻璃基板的定義及種類1.1 光學掩模板的定義及分類1.1.1 光學掩模板的定義光學掩模板，又稱光掩模板、掩模板、掩膜版、光掩膜、光刻掩膜版、光罩等，在薄膜、塑料或玻璃基體材料上制作各種功能圖形并精確定位，以便用于光致抗蝕劑涂層選擇性曝光的一種結構，是微電子制造中光刻工藝所使用的圖形母版。光掩模板應用十分廣泛，在涉及光刻工藝的領域都需要使用光掩模板，主要用于集成電路（IC）、平板顯示器（FPD）、印刷電路板（PCB）、微機電系統(tǒng)（MEMS）等
玻璃 2021年1期2021-02-06
- 單像素復振幅成像及實驗分析
像系統(tǒng)主要由光學掩模與光電探測器構成。物體的光場信息經(jīng)過光學掩模調(diào)制，通過透鏡匯聚于無分辨率的光電探測器中，每張掩模對應一個信號，光場信息經(jīng)過一系列信號調(diào)制后，可根據(jù)每張掩模與其對應信號的相關性求解得出。單像素成像系統(tǒng)可用于寬光譜成像，只要改變光電探測器的光譜范圍，就可以很容易地改變成像的光譜范圍。這一特性對于通常需要昂貴相機的光譜范圍內(nèi)的成像非常方便，特別是紅外成像[10?12]和太赫茲成像[13?14]。單像素探測器的靈敏度高于CCD陣列面，可適用于微
光學儀器 2020年5期2020-12-08
- U型槽刻蝕工藝對GaN垂直溝槽型金屬-氧化物-半導體場效應晶體管電學特性的影響*
的射頻功率和刻蝕掩模, 研究了GaN垂直溝槽型MOSFET電學特性的工藝依賴性.研究結果表明, 適當降低射頻功率, 在保證側(cè)壁陡直的前提下可以改善溝道電子遷移率,從35.7 cm2/(V·s)提高到48.1 cm2/(V·s), 并提高器件的工作電流.溝道處的界面態(tài)密度可以通過亞閾值擺幅提取, 射頻功率在 50 W 時界面態(tài)密度降低到 1.90 × 1012 cm–2·eV–1, 比 135 W 條件下降低了一半.采用 SiO2硬刻蝕掩模代替光刻膠掩模可以
物理學報 2020年9期2020-05-16
- 用于飛秒激光制備光纖光柵的相位掩模研制
全息曝光法、相位掩模法、逐點寫入法和在線寫入法等[5-6]。其中，相位掩模法不依賴于入射光波長，只與相位掩模的周期有關，適合批量生產(chǎn)，同時又較容易實現(xiàn)。傳統(tǒng)上，采用紫外準分子激光器作為光纖光柵的寫入光源，但是在紫外寫入光纖光柵過程中，光纖光柵的性能與光纖纖芯材料的光敏性有關。對于不含鍺的石英光纖，用紫外激光很難在其上刻寫光纖光柵，而且獲得的折射率調(diào)制量很小(10-4或10-3量級)[7]，并且工作溫度高于400 ℃時極易被擦除[8]。因此，紫外寫入的光纖光
光學精密工程 2020年4期2020-05-10
- 248 nm準分子激光旋轉(zhuǎn)加工錐形孔試驗
加工主要利用圓形掩模選擇性透過一部分光斑，再通過后續(xù)的光學系統(tǒng)投影到需要加工的聚甲基丙烯酸甲酯 （polymethyl methacrylate，PMMA）薄板上，加工過程中工件靜止不動，這種錐形微孔加工方式稱為沖孔法[10]。沖孔法有其獨特的優(yōu)點，但有時無法滿足更好的錐度同時達到更大的底邊直徑。而旋轉(zhuǎn)打孔的優(yōu)勢在于，由于掩模不是圓形而是三角形和正方形，在旋轉(zhuǎn)打孔時兩種形狀的內(nèi)切圓會獲得更多的能量，同時旋轉(zhuǎn)形成的外接圓獲得的能量較少，如此會比同樣大小的圓形
電加工與模具 2020年2期2020-04-29
- 基于雙樹復小波的移動陰影檢測和移除
.1 雙樹復小波掩模前景區(qū)域檢測方法，將當前幀I和背景參考幀B轉(zhuǎn)分別換到HSV 顏色空間，將轉(zhuǎn)換后的圖像做背景差分計算并取絕對值得到差分圖像D，將差分圖像的亮度分量進行n級小波分解，每級分解將產(chǎn)生1 個低頻子帶和3 個高頻子帶，計算每個子帶的二值掩模，公式如下：圖1 雙樹復小波變換原理其中i∈｛1，2，...，n｝表示分解級數(shù)，c∈｛LL，LH，HL，HH｝表示每級分解產(chǎn)生的近似、水平、垂直、對角四個子帶。Wic（·）表示第i層小波分解第c個子帶的小波系數(shù)
網(wǎng)絡安全技術與應用 2020年4期2020-04-13
- 基于直寫技術的微納掩模制作技術研究進展*
)0 引 言微納掩模制作是進行刻蝕、沉積和改性等微納加工工藝之前的主要工藝，是微納米加工過程中的關鍵步驟和基礎[1,2]。同時，隨著產(chǎn)品快速研發(fā)和制造、個性化產(chǎn)品訂制等需求和要求的迅速增加，能夠高效、柔性、低成本地根據(jù)需求實現(xiàn)各類掩模的快速制作已成為微/納傳感器、微/納電子芯片等研制和生產(chǎn)的關鍵環(huán)節(jié)之一[3]。更為重要的是，由于掩模的作用是根據(jù)需要實現(xiàn)待加工基底的微納工藝的圖案化[4]，所以,掩模的質(zhì)量對后續(xù)的微納加工工藝有著重要的影響，甚至影響整個微納器
傳感器與微系統(tǒng) 2019年7期2019-06-25
- 菲涅耳非相干數(shù)字全息大視場研究*
加載在SLM上的掩模,從而調(diào)控成像系統(tǒng)光源的位置,最后獲得幾幅有一定重疊的子圖像,將子圖像拼接成為整幅大視場圖像,實現(xiàn)了FINCH系統(tǒng)的高分辨率大視場成像.2 FINCH大視場成像原理圖1所示為FINCH系統(tǒng)成像原理示意圖,系統(tǒng)主要由準直透鏡、SLM以及CCD組成,并采用非相干光照明.由物點發(fā)出的球面波經(jīng)準直透鏡后傳播至SLM上,SLM上加載雙透鏡模式,如圖2(d)所示掩模,透鏡光軸在SLM幅面的中心,透鏡焦距分別為fd1,fd2,將來自物點的光波分割成兩
物理學報 2019年10期2019-06-04
- 掩模臺水平向的二維衍射平面光柵測量模型驗證
位置測量模型，對掩模臺的位置進行精確定位。圖1 二維衍射平面光柵尺的掩模臺布局圖Fig.1 Plane layouts of planar grating of reticle stage一般運動臺的位置測量系統(tǒng)是以雙頻激光干涉儀為核心部件，建立運動臺的運動移動引起光程變化的關系模型，測量運動臺的位置。文獻[1]研究分析的激光干涉儀測量運動臺的不確定度可達25nm，行程為120mm。文獻[2]程吉水等建立運動臺的位置測量模型，控制精度達到10nm。但是激光
儀器儀表用戶 2019年6期2019-05-29
- 光刻機掩模臺djerk前饋控制算法研究
機主要由工件臺、掩模臺分系統(tǒng)，掩模傳輸分系統(tǒng)、硅片傳輸分系統(tǒng)、照明分系統(tǒng)、曝光分系統(tǒng)等幾大分系統(tǒng)組成[2]，掩模臺的功能是承載掩模版實現(xiàn)高速高加速步進掃描運動。因此，掩模臺系統(tǒng)在控制精度、速度、穩(wěn)定性方面面臨著巨大的挑戰(zhàn)。開展高速高精度掩模臺運動控制算法的研究具有重要意義和工程實踐應用價值。國內(nèi)外許多專家在光刻機運動臺控制算法方面做了大量的研究，現(xiàn)有的控制方法包括前饋控制、魯棒控制等，均可以獲得很好的動態(tài)性能[3]，2006年中南大學鄧習樹博士利用直線電機
儀器儀表用戶 2019年5期2019-05-05
- ROI編碼技術在JPEG2000中的應用?
2］。2 ROI掩模（mask）的生成實際中，人眼在觀察圖像時，并不是對所有的內(nèi)容都感興趣，而是往往集中在圖像的某個區(qū)域［2］。在一些圖像編碼應用的特殊場合中，比如醫(yī)學圖像壓縮，醫(yī)生經(jīng)常只對圖象中一些特殊區(qū)域（病灶）感興趣，甚至是要求無損壓縮［3］，而對其他區(qū)域只要達到視覺要求就可以了。這時我們可以僅對感興趣區(qū)域進行高質(zhì)量直至無損編碼，對其他區(qū)域可以進行大壓縮比的編碼，這樣即達到了提高壓縮效率，又滿足處理要求的目的［4］。圖1 JPEG2000壓縮碼流結構
計算機與數(shù)字工程 2019年1期2019-03-01
- 《數(shù)字圖像處理數(shù)學方法》案例教學探討
間平滑濾波是使用掩模對圖像進行二維卷積操作。用于減少噪聲的平滑濾波掩模系數(shù)一般都為正數(shù)。課前教師將線性空間平滑濾波的原理和掩模操作方式以PPT的方式給學生預習?？紤]到中心點對其濾波影響的程度和計算量的問題，代碼中掩模給定的是3×3大小的三個掩模。學生預習要求達到理解掩模的作用、熟悉二維卷積運算過程及思考圖像矩陣邊界怎么處理。2.1.2 掩模操作的過程創(chuàng)建掩膜，并將掩模中心與某像素重合，此時將掩模系數(shù)與模板下對應像素相乘結果相加，此時就得到該像素平滑濾波的結
浙江水利水電學院學報 2018年6期2019-01-17
- 一種提高掩模條寬（CD）性能方法的研究
胡 超（無錫中微掩模電子有限公司，江蘇無錫 214135）1 引言近年來，隨著半導體制造技術的快速發(fā)展，器件尺寸不斷縮小，器件集成度越來越高，根據(jù)摩爾定律，晶體管的數(shù)量每18個月就要翻一番[1]，這對光刻技術提出了更高的要求。而光刻技術的提高離不開掩模，器件尺寸的不斷縮小對應掩模上的芯片圖形關鍵尺寸首先要縮小。這對掩模條寬要求越來越嚴格，對掩模條寬控制精度的要求也越來越高，條寬偏差（CD MTT,mean to target）為評價掩模的關鍵指標之一。根據(jù)
電子與封裝 2018年9期2018-09-27
- 基于刪除方法構造碼長固定的多速率LDPC碼
二元矩陣Z被稱為掩模矩陣，經(jīng)過掩模操作后得到的矩陣陣列Hmask的零空間即可定義一個LDPC碼。3 基于刪除方法構造MR-LDPC碼按照刪除的過程，首先構造一個具有系統(tǒng)形式的高碼率LDPC碼，為了在碼長固定的條件下降低碼率，需要在減少信息位的同時增加校驗位。其中的難點在于：如何在保持已有高碼率LDPC碼校驗矩陣結構的前提下，實現(xiàn)信息位的減少和校驗位的增加。針對以上難點，采用LDPC碼的疊加構造來整體設計所有碼的校驗矩陣。假設要構造的MR-LDPC碼的碼集合
無線電通信技術 2018年5期2018-08-23
- 改進高通濾波的圓柱滾子缺陷圖像非線性反銳化掩模
有效增強。反銳化掩模是圖像邊緣增強的常用方法，其通過加強圖像的高頻成分突出圖像的細節(jié)和邊緣，并將低頻分量從原始圖像中去除從而實現(xiàn)圖像增強。傳統(tǒng)的反銳化掩模采用了線性高通濾波器，由于圖像的細節(jié)和噪聲同時被增強，即使很小的噪聲，在圖像平坦區(qū)域內(nèi)也會非常明顯。調(diào)整疊加系數(shù)的反銳化算法[5]、立方反銳化掩模技術[6]、自適應反銳化掩模技術[7]等方法的處理效果相對于線性反銳化掩模技術有所提高，但仍然會在平滑區(qū)引入人為噪聲。文獻[8-9]在自適應反銳化掩模技術的基礎
軸承 2018年4期2018-07-23
- 一種基于干涉的新型圖像加密算法
種使用雙隨機相位掩模將原始圖像編碼為平穩(wěn)白噪聲［4］的加密方法。研究者將該方案中提出的隨機相位編碼（Random Phase Encoding，RPE）方法廣泛地應用到光學圖像加密系統(tǒng)當中［5-8］。實驗表明，僅用雙隨機相位編碼（Double Random Phase Encoding，DRPE）加密的方案在抵抗攻擊方面存在缺陷［9-10］。為了進一步提高圖像加密系統(tǒng)的安全性，研究人員在DRPE基礎上提出了一系列新的加密方法，如迭代相位檢索方法［11-13
四川輕化工大學學報(自然科學版) 2018年2期2018-05-22
- 淺談基于SLM的非相干全息系統(tǒng)掩模設計及成像處理
：空間光調(diào)制器，掩模，成像，圖像處理一、背景1.研究目的及應用基于空間光調(diào)制器（Spatial Light Modulator，SLM）的菲涅爾非相干相關數(shù)字全息系統(tǒng)，無需對物體在空間或時間上進行掃描，可以快速獲取真實三維物體的全息圖，在熒光生物樣品顯微成像、彩色全息顯示、以及自適應光學等領域展示了極大應用潛力。通過本項目的研究，為SLM更廣泛的應用提供實驗基礎。2.創(chuàng)新點利用SLM良好的相位調(diào)制特性，不需要更換硬件設施，只用合適的實現(xiàn)相應的照明圖像或濾波
科學與財富 2017年27期2017-10-17
- 基于RFID的數(shù)字化掩模制造
，胡超（無錫中微掩模電子有限公司，江蘇無錫214135）基于RFID的數(shù)字化掩模制造張鵬，丁晗，沈天翊，胡超（無錫中微掩模電子有限公司，江蘇無錫214135）介紹了中微掩模智能化生產(chǎn)系統(tǒng)，提出了利用RFID技術實現(xiàn)對掩模版制造流程的智能化管理。利用智能化生產(chǎn)系統(tǒng)提高了和客戶之間的交互性，利用智能貨柜系統(tǒng)實現(xiàn)了掩模版私有云制造。依托現(xiàn)有智能生產(chǎn)管理系統(tǒng)，提出了集成電路全產(chǎn)業(yè)鏈智能制造的概念。掩模數(shù)字化生產(chǎn)；全生命周期管理1 引言掩模制造在集成電路設計制造產(chǎn)業(yè)
電子與封裝 2017年8期2017-09-03
- 掩模圖像生成時閾值取值的合理性探討
810016)掩模圖像生成時閾值取值的合理性探討韓麗蓉1,2(1.青海大學地質(zhì)系，西寧 810016； 2.青藏高原北緣新生代資源環(huán)境重點實驗室，西寧 810016)閾值取值是否合理對生成符合某種條件的二值及多值掩模圖像是否正確至關重要，而這項技術是去除干擾信息及提取有用信息的關鍵步驟?；诓煌拈撝?，探討如何判斷在生成單一干擾因素的二值掩模圖像時閾值是否合理的方法； 并以青海省天峻地區(qū)TM數(shù)據(jù)為例，利用閾值合理的多值掩模圖像得到無干擾信息的遙感圖像，進
自然資源遙感 2017年2期2017-04-27
- 注塑模具型腔表面陣列微結構的蝕刻技術
設計了一種簡單的掩模，并通過控制蝕刻液的噴淋壓力進行了平滑陣列微結構研究。研究發(fā)現(xiàn)，蝕刻液噴淋壓力對微結構的加工形貌有顯著影響，蝕刻深度和側(cè)蝕量隨蝕刻液噴淋壓力增大而增大。研究整合了多次加工和控制噴淋壓力的工藝，得到了理想的無棱邊棱角、結構均勻的深度漸變型陣列微凸結構。最終在注塑模具表面上加工出寬度為200 μm、深度約60 μm的無棱邊棱角、過渡平滑的陣列微結構。化學蝕刻；表面微陣列結構；蝕刻深度；側(cè)蝕量；二次加工etching0 引言表面陣列微結構[1
中國機械工程 2016年17期2016-10-10
- 基于CIELAB顏色模型的數(shù)字照片背景色替換
，然后計算灰度值掩模，之后與純白色進行混合得到替換結果。最后進行縮放、填補、裁切，從而完成整個處理過程。實驗表明，該方法具有很高的實用性,并且實現(xiàn)簡單?，F(xiàn)階段該方法僅使用了像素點的顏色信息，今后將改進加入像素點的空間位置信息，以提高處理成功率。關鍵詞照片背景色替換k-means算法灰度值掩模CIELAB顏色空間0引言紙質(zhì)申請表的右上方固定矩形區(qū)域內(nèi)粘貼有彩色照片，經(jīng)掃描儀掃描得到整張申請表的數(shù)字圖片。利用數(shù)字圖像處理技術對掃描得到的申請表數(shù)字圖片進行處理，
計算機應用與軟件 2016年7期2016-08-05
- 接近式光刻中基于條紋相位解析的掩模硅片面內(nèi)傾斜校正研究*
于條紋相位解析的掩模硅片面內(nèi)傾斜校正研究*佟軍民①②徐 鋒③胡 松②(①許昌職業(yè)技術學院，河南 許昌461000；②中國科學院光電技術研究所，四川 成都 610209；③西南科技大學信息工程學院，四川 綿陽 621010)針對接近式光刻中掩模硅片面內(nèi)傾斜提出一種條紋相位解析方法。該方法通過2D傅里葉變換結合2D漢寧窗對于掩模硅片在面內(nèi)發(fā)生的傾斜而形成的傾斜條紋進行處理，獲得掩模硅片在面內(nèi)的傾斜角度，進而進行傾斜校正。數(shù)值模擬與實驗驗證了該方法的可行性與有效
制造技術與機床 2016年9期2016-03-21
- 應用材料公司的創(chuàng)新硬掩模材料技術解決銅互連圖形生成的挑戰(zhàn)
統(tǒng)，采用突破性硬掩模技術，可支持10 nm 及更小的銅互連圖形生成。芯片尺寸的不斷縮小需要更先進的硬掩模技術，從而保證緊湊、微型互連結構的完整性。隨著這一全新技術的推出，應用材料公司成功延續(xù)氮化鈦（TiN*，半導體行業(yè)的首選硬掩膜材料）金屬硬掩模，滿足未來先進微芯片銅互連圖形生成的需求。應用材料公司金屬沉積產(chǎn)品業(yè)務部副總裁兼總經(jīng)理Sundar Ramamurthy 博士表示：“解決先進互連圖形生成的挑戰(zhàn)是金屬硬掩模精密工程領域的關鍵。應用材料公司過去數(shù)十年
電子工業(yè)專用設備 2015年6期2015-07-04
- 硅中階梯光柵的濕法刻蝕技術
工藝過程中光刻膠掩模制備、氧化層掩膜制備以及單晶硅濕法刻蝕等環(huán)節(jié)進行研究，介紹了一種新型中階梯光柵的制作方法。1 基片準備基于光譜儀對光柵參數(shù)要求（光柵閃耀角θ＝63.4°），向 硅 片 提 供 商 訂 購 了 電 阻 率≥2 000Ω·cm，直 徑 等 于76.4mm，厚 度 等 于1mm的單晶硅基底，其中相對于（100）晶面的切偏角精度為8.6°±0.2°，粗糙度小于1nm。通過原子力顯微鏡對硅片80μm×63.7μm范圍內(nèi)表面粗糙度進行測量可知：在所
長春工業(yè)大學學報 2015年4期2015-06-12
- 基于接近式光刻機的掩模移動曝光對準系統(tǒng)設計*＊
610209)掩模移動曝光技術既可以制作柱狀陣列微光學元件，也可以制作旋轉(zhuǎn)陣列微光學元件［1-3］，在平行均勻曝光光線的作用下，如果具有周期圖形開口函數(shù)的掩模版相對于涂有光刻膠的基片沿一個方向勻速移動，那么曝光顯影后，光刻膠上將得到柱狀陣列微光學元件。如果掩模版先沿一個方向移動曝光，然后將掩模版準確旋轉(zhuǎn)90°后再沿與之垂直的另一方向移動曝光，顯影后將得到旋轉(zhuǎn)陣列微光學元件。為了實現(xiàn)曝光顯影后精確的三維圖形光學元件，需要掩模版相對于基片的對準誤差足夠小。掩
制造技術與機床 2015年8期2015-04-23
- ICP 深硅刻蝕工藝掩模的研究*
，分別討論了金屬掩模材料和光刻膠掩模材料對深硅刻蝕表面形貌、刻蝕選擇比和刻蝕速率的影響。1 ICP 刻蝕原理硅刻蝕是體加工中重要的一步，在硅表面光刻圖形后，通過刻蝕工藝將圖形轉(zhuǎn)移到光刻膠下邊的層上。通常硅刻蝕分為濕法刻蝕和干法刻蝕，ICP 屬于干法刻蝕，其刻蝕系統(tǒng)如圖1 所示。圖1 ICP 刻蝕系統(tǒng)示意圖Fig 1 Diagram of ICP etching system硅的干法刻蝕一般有幾種方式，因為SiF4，SiCl4，SiBr4都是易氣化的物質(zhì)，所
傳感器與微系統(tǒng) 2015年8期2015-03-30
- 基于雙掩模圖像差影的工業(yè)產(chǎn)品表面缺陷檢測*
形態(tài)學處理后得到掩模圖像，再與有輪廓偽影圖像的差分圖像進行比對，除去輪廓偽影。但單掩模方法只能檢測紋理增加型缺陷，而無法檢測紋理減少型缺陷。為此，本文提出一種基于雙掩模的圖像差影缺陷檢測方法，能有效消除輪廓偽影，檢測多種類型缺陷，而且執(zhí)行簡單，滿足在線檢測的實時性要求。1 單掩模差影法及其分析1.1 差影法產(chǎn)品表面缺陷表現(xiàn)在圖像上，即為待檢測圖像缺陷處的灰度值與標準圖的差異，將待檢測圖像的灰度值同標準圖像進行差分(像素值相減)，判斷其差值(2 幅圖灰度值的
傳感器與微系統(tǒng) 2015年5期2015-03-27
- PCB內(nèi)埋入空氣腔體制作工藝研究
空氣腔體；流膠；掩模材料1 背景21世紀進入了高度信息化的社會，IT產(chǎn)業(yè)成為了21世紀中具有典型代表性的產(chǎn)業(yè),發(fā)展IT 產(chǎn)業(yè)的重要技術基礎是高速、高頻、大容量的信號傳輸，電子產(chǎn)品與通信產(chǎn)品在高速化方面的迅速發(fā)展是顯而易見的。在發(fā)展高速化PCB產(chǎn)業(yè)中，從它的產(chǎn)品設計，到選擇基板材料、產(chǎn)品制作、產(chǎn)品檢驗處處都包含著新技術、新水平，它的應用領域也提升到一個新的高檔次。因此，可以認為高速化PCB產(chǎn)業(yè)，是帶有高附加值的、具有“知識經(jīng)濟”產(chǎn)業(yè)。發(fā)展高速化PCB產(chǎn)品，將
印制電路信息 2015年3期2015-02-05
- Pyrex 7740玻璃深刻蝕掩模研究
普遍研究和應用。掩模與刻蝕劑的選擇是玻璃濕法腐蝕的關鍵，采用不同的刻蝕劑配比和掩模材料對刻蝕效果均有一定影響［5］。玻璃濕法腐蝕普遍采用含有HF的溶液，因而，掩模保護層很容易出現(xiàn)塌陷、鉆蝕甚至是脫落。常用的抗腐蝕掩模有光刻膠、硅材料、Cr/Au金屬層等，但這些掩模多少都存在一些問題:1）光刻膠，其對于飽和氫氟酸的抗蝕能力很弱。林雁飛等人采用光刻膠做掩模，最大刻蝕深度僅2 μm［6］。目前報道過的最佳刻蝕深度不超過33 μm，而增加粘附力所需優(yōu)化的工藝非常復
傳感器與微系統(tǒng) 2014年6期2014-12-31
- 用于光刻系統(tǒng)仿真的多邊形處理算法*
產(chǎn)生嚴重下降，與掩模圖形存在較大誤差，比如出現(xiàn)拐角圓化、線端縮短等現(xiàn)象，將其稱為光學鄰近效應(optical proximity effect,OPE)。最終導致的后果是使芯片性能得不到保證，并影響產(chǎn)品的成品率。為此，業(yè)內(nèi)提出了若干改進分辨率的方法，即所謂的分辨率增強技術[1](resolution enhancement technique,RET)，比如應用掩模補償技術，其中一種為相移掩模[2,3](phase-shift mask,PSM)，即在原有
傳感器與微系統(tǒng) 2014年9期2014-09-25
- 面曝光快速成形系統(tǒng)中掩模圖形的生成方法
光快速成形系統(tǒng)中掩模圖形的生成方法王亞寧，胥光申，巨孔亮，羅生(西安工程大學機電工程學院，陜西西安710048)針對STL模型生成掩模圖形的問題，從現(xiàn)有的STL模型切層軟件中獲取輪廓數(shù)據(jù)，使用VC++6.0實現(xiàn)輪廓環(huán)內(nèi)外輪廓屬性的判斷、輪廓環(huán)填充次序的確定和輪廓環(huán)的填充，得到適用于面曝光快速成形系統(tǒng)的掩模圖形.驗證結果表明，該掩模生成方法可對多層嵌套的輪廓環(huán)進行合理填充，生成正確的掩模圖形.面曝光;掩模圖形;快速成形;輪廓環(huán)填充0 引言面曝光快速成形技術是
西安工程大學學報 2014年1期2014-06-23
- 三角形網(wǎng)格規(guī)則點的多進制細分算法
制細分在規(guī)則點的掩模表達式,但未給出嚴格證明.圖1為初始網(wǎng)格與應用三進制Loop細分算法2次的結果及在規(guī)則點的三進制細分掩模.上述方法均未給出規(guī)則點的多進制細分掩模的顯式表達式,也未嚴格說明掩模用到點的范圍.事實上,二進制細分算法存在局限性,如當初始網(wǎng)格確定后,對每次細分生成的點不能進行人為控制,經(jīng)常會遇到前一步細分生成的點數(shù)不滿足實際需求,而再細分一次生成的點有大量冗余的情況.不僅需要大量的內(nèi)存和硬盤空間,增加了計算量,提高了對運算和顯示設備的性能要求,
吉林大學學報（理學版） 2013年5期2013-12-03
- 基于小波變換的反銳化掩模圖像增強研究
使用圖像.反銳化掩模技術［1］是應用于攝影技術中的一種方法，通過此方法可以有效地增強圖像的邊緣和細節(jié)信息.其在光學上的操作方法是將聚焦后的正片和散焦后的負片在底片上進行疊加，結果是增強了正片高頻成分，從而增強了輪廓，散焦的負片相當于“模糊”模板(掩模模型)，它與銳化的作用正好相反，因此，將該方法稱為反銳化掩模法，是在攝影技術中最常用的邊緣細節(jié)增強方法之一.小波變換［2］是近年來新出現(xiàn)的時頻分析工具，由于它具有多分辨率分析能力和時頻局部化的能力，故在圖像處理
渭南師范學院學報 2013年6期2013-06-25
- 一種先進運動估計算法的硬件實現(xiàn)
1所示。RW支持掩模：即在有掩模的區(qū)域不作運算。在最大的模式（64×64 →128×128）下，運算時間不超過5ms（工作頻率為33MHz）。輸出全部的運算結果及其最小的三個值和相應的坐標。設計定義如下：PW：Peak Window（頂點窗，頂點區(qū)域）；RW：Reference Window（參考窗）；SW：Search Window（搜索窗）；PE：Processor Element（處理單元）。SW及RW中坐標的定義如圖1。表1 工作模式圖1 RW和S
電子與封裝 2012年6期2012-09-19
- 掩模傳輸交換版機械手的設計分析
201203)掩模傳輸模塊是光刻設備關鍵組件之一，其性能和功能指標直接影響光刻機的效率和產(chǎn)能以及產(chǎn)品的質(zhì)量，因此提高掩模傳輸效能和可靠性對光刻機的整體性能指標非常關鍵。而掩模傳輸交換版機械手的結構形狀則決定掩模版?zhèn)鬏數(shù)男屎途?，也決定掩模臺吸版面的結構形狀和同軸對準的時間，所以掩模傳輸交換版機械手運動性能和空間結構的組成對掩模傳輸甚至整個光刻機來說，就顯得尤為重要。本文主要從掩模傳輸交換版機械手的需求、性能、結構和可靠性及可維修性等方面做一些探討。1
電子工業(yè)專用設備 2012年12期2012-09-16
- 相移掩模清洗結晶控制
陳 卓(無錫中微掩模電子有限公司，無錫214035)在集成電路設計與圓片制造之間起到橋梁的作用掩模按其類型可分為二元掩模和相移掩模。二元掩模主要用于低階集成電路生產(chǎn)制作，相移掩模主要用于高階集成電路制作。通常，線寬在0.18 μm 以下的集成電路生產(chǎn)主要采用相移掩模。相移掩模的生產(chǎn)制作流程主要有曝光—顯影—金屬Cr 刻蝕—量測—去膠—相移層蝕刻—量測—涂膠—二次曝光—檢驗—修補—清洗—貼膜等。在相移掩模實際生產(chǎn)過程中，掩模制作完成之后會因為種種原因出現(xiàn)結晶
電子工業(yè)專用設備 2012年5期2012-07-04
- 孤立接觸孔掩模顯影工藝優(yōu)化
陳 卓(無錫中微掩模電子有限公司，無錫214035)掩模（Mask），又稱光刻板，是大規(guī)模集成電路芯片生產(chǎn)最重要的元件之一。在掩模的生產(chǎn)制作過程中，主要有曝光—顯影—量測—刻蝕—量測—去膠—量測—檢驗—修補—清洗—貼膜等工序。其中，顯影、刻蝕和去膠后的量測是為了監(jiān)測掩模圖案指定區(qū)域的線條寬度（CD）值與設計值之間的差別，從而達到實時監(jiān)控掩模的制造工藝，保證掩模生產(chǎn)質(zhì)量。在實際生產(chǎn)過程中，掩模孤立區(qū)域的接觸孔經(jīng)過顯影之后量測值（ADI）往往會比設計值偏大。針
電子工業(yè)專用設備 2012年5期2012-07-04
- 半監(jiān)督系數(shù)選擇法的人臉識別
系數(shù);3)通過預掩模選擇圖像的DCT系數(shù)，選取中頻有效信息;4)根據(jù)有標記的訓練樣本種子集，計算初始聚類中心，采用半監(jiān)督約束聚類對圖像進行聚類;5)根據(jù)獲得的分類，計算判別系數(shù)，得到判別系數(shù)(DC)陣;6)對DC陣的列向量按照降序排列，分別選取前n(n為想要的特征數(shù))個最大值，并標記它們相應的位置;7)選取每個列向量前n個最大值對應的DCT系數(shù)，得到n×P的最優(yōu)DCT系數(shù)陣，其中n?K;8)對測試集用分類器計算識別率，文中采用的是最小歐式測度分類器.2 離
哈爾濱工程大學學報 2012年7期2012-03-23
- 基于光束掃描寬化技術的激光掩模微加工系統(tǒng)
掃描法、點陣法和掩模投影法［5-6］。掃描法從最初的機械掃描發(fā)展到后來的轉(zhuǎn)鏡掃描和目前的振鏡掃描，它一直是最有效和應用最廣的激光打標技術;點陣法具有控制靈活的特點，特別適合于生產(chǎn)線上的產(chǎn)品在線打標;而掩模投影法可利用激光一次性打出整個標記圖案，打標速度快，適合于批量產(chǎn)品的打標，但此種方法的缺點是打標靈活性差，能量利用率低，對激光器輸出能量和掩模能承受的激光能量要求較高，掩模的制作比較困難。本文介紹了一種基于掃描式激光寬化技術和掩模聚焦成像原理的掩模投影法微
中國光學 2011年6期2011-11-06
- 光刻機主從滑模同步控制系統(tǒng)設計
中，要求光刻機的掩模臺和工件臺在對應方向的運動保持同步。同步性能主要從兩個方面考察，分別是同步偏差的移動平均差和移動標準差。當同步偏差增加時，焦深(DOF)和能量裕度(EL)會顯著下降，將會嚴重影響硅片的曝光效果［1－2］。同步控制在機械傳動、機床加工和機器人等很多領域已經(jīng)有了深入的研究，目前比較流行的同步控制方法是交叉耦合和主從控制方法。由于掩模臺的掃描速度是工件臺的4倍，而質(zhì)量卻是工件臺的幾分之一，故采用以掩模臺為從動系統(tǒng)、工件臺為主動系統(tǒng)的主從控制結
電光與控制 2011年11期2011-06-07
- 先進相移掩模（PSM）工藝技術
035）先進相移掩模（PSM）工藝技術彭 力，陳友篷，尤 春，周家萬（中國電子科技集團公司第58研究所，江蘇 無錫 214035）先進相移掩模（PSM）制造是極大規(guī)模集成電路生產(chǎn)中的關鍵工藝之一，當設計尺寸（CD）為0.18 μm時，就必須在掩模關鍵層采用OPC（光學鄰近校正）和PSM（相移技術），一般二元掩模由于圖形邊緣散射會降低整體的對比度，無法得到所需要的圖形。通過相位移掩模（PSM）技術可以顯著改善圖形的對比度，提高圖形分辨率。相移掩模是在一般二元
電子與封裝 2010年9期2010-09-05