產(chǎn)額
- BRISOL鉀同位素放射性核束的產(chǎn)生
要求放射性核束的產(chǎn)額不低于106pps。BRISOL裝置建立初期使用0.5 μA的質子束轟擊氧化鈣靶產(chǎn)生了37K+、38K+放射性核束，其中38K+的最高產(chǎn)額為1×106pps[2]。由于首次實驗使用的質子束流強很小，離子源參數(shù)未達到最優(yōu)化，導致放射性核束的產(chǎn)額較低。為了增加BRISOL產(chǎn)生的鉀放射性核束的產(chǎn)額，并開發(fā)更多的放射性核束種類以滿足物理實驗的需求，本工作開展鉀放射性核束產(chǎn)生的系統(tǒng)研究。1 鉀放射性核束的產(chǎn)生方法1.1 靶材選擇BRISOL裝置為
原子能科學技術 2022年10期2022-10-29
- 蘭州大學的中子發(fā)生器研制及應用展望
可實現(xiàn)較高的中子產(chǎn)額，有利于中子源的小型化。綜合幾十年的研究和發(fā)展歷程，可將中子發(fā)生器分為強流中子發(fā)生器、密封中子管和緊湊型中子發(fā)生器等類型。強流中子發(fā)生器一般采用高壓型加速器，將幾十mA的D束流加速到300～600 keV，轟擊大面積旋轉氚鈦(TiT)或氘鈦(TiD)靶發(fā)生聚變反應放出快中子。早在20世紀八九十年代，美國的RTNS-Ⅱ[1]和俄羅斯的SNEG-13中子發(fā)生器[2]的D-T中子產(chǎn)額已達到1013s-1水平，日本、德國的D-T中子發(fā)生器中子產(chǎn)
原子能科學技術 2022年9期2022-10-10
- 基于自生磁場約束效應的脈沖調制X射線源用轉換靶
間分辨率高及光子產(chǎn)額大等特點，是一種結構簡單及體積小的臺面式X射線光源。在前期研究中，借助日本大阪大學激光工程研究所的LFEX激光裝置開展了驗證性試驗[13]。在此基礎上，本文根據(jù)激光等離子相互作用時產(chǎn)生的聚焦電子束特性的測量結果，研究了聚焦電子束與X射線轉換靶作用產(chǎn)生X射線的過程，提出了高性能調制X射線源的設計方案，并對陽極轉換靶的材料和結構進行了優(yōu)化。1 基于自生磁場約束效應的調制X射線源設計基于自生磁場約束效應的調制X射線源主要分為激光源和結構靶2部
現(xiàn)代應用物理 2022年2期2022-08-11
- 對美國國家點火裝置2010 年以來實驗設計思路的分析*
NIF 實驗中子產(chǎn)額的預測.目前NIF 實驗數(shù)據(jù)庫還沒有對外公開，我國科研工作者從各類期刊、會議報告中獲取的僅為部分實驗數(shù)據(jù).由于不同實驗的實驗性質不同、診斷設備的升級階段不同而導致的測量維度不同、以及各論文陳述的側重點不同，這些發(fā)次所公布的參數(shù)并不一致，而且存在大量的數(shù)據(jù)缺失.因此深入了解已公布的NIF 實驗數(shù)據(jù)，設計有效算法進行缺失數(shù)據(jù)還原，并且分析NIF 團隊在不同階段調整實驗設計的出發(fā)點，不僅可以幫助深入理解LLNL在2020 年5 月20 日的報
物理學報 2022年13期2022-07-22
- 用于孔隙度測井的中子發(fā)生器產(chǎn)額影響研究
種參數(shù)測量。中子產(chǎn)額是指單位時間內產(chǎn)出中子的個數(shù),其穩(wěn)定性是評價中子發(fā)生器性能的一項重要指標。與使用預制靶中子管相比,采用自生靶中子管的中子發(fā)生器中子產(chǎn)額更穩(wěn)定,但與化學源的中子產(chǎn)額穩(wěn)定性仍有較大差距。本文對影響中子發(fā)生器中子產(chǎn)額的3種因素進行分析,總結了各因素對使用自生靶中子管的中子發(fā)生器中子產(chǎn)額的影響規(guī)律,剖析了目前較為成熟的兩種中子發(fā)生器中子產(chǎn)額穩(wěn)定措施的利弊,并提出一種用于可控源中子測井的孔隙度校正方法。1 中子發(fā)生器工作原理及中子管結構1.1 中
測井技術 2022年3期2022-07-16
- 基于抽樣方法的燃耗計算核素積存量不確定度分析
面、半衰期和裂變產(chǎn)額不確定度在燃耗計算中的傳遞，清華大學RMC程序實現(xiàn)了隨機抽樣方法的燃耗不確定度分析模塊[12]，但只能針對反應截面進行不確定度分析。本文采用隨機抽樣方法，以乏燃料同位素成分數(shù)據(jù)庫SFCOMPO-2.0[13]中Takahama-3壓水堆組件基準題的SF95-4樣品為對象，進行反應截面、衰變常量和裂變產(chǎn)額不確定度引起的核素積存量不確定度的量化分析。1 不確定度分析1.1 抽樣方法基本原理本文采用基于抽樣方法的不確定度分析方法。其基本原理就
原子能科學技術 2022年6期2022-06-25
- 裂變產(chǎn)額的Zp模型評價方法及燃耗不確定度分析
10049)裂變產(chǎn)額在核科學技術和核工程中有著重要的作用，可應用于燃耗計算、爆炸威力確定、衰變熱計算、裂變緩發(fā)光子譜計算等[1-3]。在基礎領域，用于裂變機制驗證，同時也是天體演化過程的基礎數(shù)據(jù)，用于元素核合成的計算[2]。產(chǎn)額數(shù)據(jù)庫的研制包括：1) 產(chǎn)額評價，通過實驗數(shù)據(jù)收集和分析，獲得可靠的產(chǎn)額和合理的誤差，利用模型計算獲得實驗缺失數(shù)據(jù)；2) 產(chǎn)額建庫，進行庫格式及物理檢驗并燃耗計算分析，確保產(chǎn)額數(shù)據(jù)的合理性和可靠性；3) 提供用戶使用，收集用戶反饋意
原子能科學技術 2022年5期2022-06-02
- 基于貝葉斯機器學習對中子誘發(fā)235U裂變的產(chǎn)額-能量關系的研究
子誘發(fā)錒系核裂變產(chǎn)額數(shù)據(jù)。當前實驗測量的裂變產(chǎn)額數(shù)據(jù)往往是不完整的?；趯嶒灁?shù)據(jù)和數(shù)據(jù)評價方法，國際上各核大國建立了自己的核數(shù)據(jù)中心和核數(shù)據(jù)評價庫，如中國的CENDL[7]、美國的ENDF/B-Ⅶ.1[8]、日本的JENDL-4.0[9]和歐洲的JEFF-3.1.1[10]等。但這些主要的核數(shù)據(jù)評價庫中只有熱中子、0.5 MeV和14 MeV 3個能量點的中子誘發(fā)裂變的完整產(chǎn)額分布。因此對連續(xù)能量的中子誘發(fā)裂變的產(chǎn)額進行可靠的評價是非常受關注的問題。目前裂
原子能科學技術 2022年5期2022-06-02
- 工業(yè)钚能譜的分析
，自發(fā)裂變的中子產(chǎn)額為3.7×10n/s·g，中子產(chǎn)額較高。由于Pu的含量非常低，因此該核素及其衰變子體對總劑量率的貢獻相對較小。1.2.2 Pu、PuPu和Pu有共同的衰變子體U。Pu 在物料中的初始含量約為3%。Pu的半衰期為86.4 a，衰變時會產(chǎn)生能量為0.7600 MeV和0.8750 MeV的γ射線，但產(chǎn)額較低。Pu先衰變成為U，接著U和Th構成短期平衡，再與Ra構成長期平衡，然后經(jīng)過一系列壽命非常短的子體產(chǎn)物衰變成為穩(wěn)定核素Pb。Pu自發(fā)裂變
中國新技術新產(chǎn)品 2022年3期2022-05-06
- 電鍍法制備富集112Cd靶
111In存在低產(chǎn)額或低放射性核純度的問題[5]，限制了111In在核醫(yī)學領域的進一步發(fā)展。111In一般可以通過以下幾種核反應產(chǎn)生[6-12]：(1)用α輻照天然銀，通過natAg(α，xn)111In核反應制備；(2)用質子輻照天然錫，通過natSn(p，x)111In獲得；(3)用質子或氘輻照天然或富集鎘通過natCd(p，xn)111In或112Cd(p，n)111In生產(chǎn)。與銀或錫作為靶材相比，鎘靶制備的111In產(chǎn)額普遍較高[5]。然而，由于天
同位素 2021年6期2021-12-28
- 低能高電荷態(tài)氮離子與Cu表面相互作用致K-X射線發(fā)射的研究
研究了K-X射線產(chǎn)額、K殼層電離截面值與入射離子動能及電荷態(tài)之間的依賴關系。這對離子與金屬表面相互作用中形成的上表面“空心原子”的退激過程、高電荷態(tài)離子在固體表面的中性化過程具有重要意義。1 實驗裝置及技術本工作在中國科學院近代物理研究所的電子回旋共振離子源（Electron Cyclotron Resonance Ion Source，ECRIS）上進行，圖1是實驗平臺示意圖。Nq+（q=3，5，6）離子束流由14.5 GHz的ECRIS提供。ECRIS
核技術 2021年12期2021-12-22
- 面向集裝箱安檢應用的Mg4Ta2O9閃爍晶體及其摻雜改性
dWO4晶體的光產(chǎn)額及能量分辨率，是一種面向集裝箱安檢應用的新型閃爍晶體。本文將介紹Mg4Ta2O9晶體的晶胞結構、制備方法、閃爍性能的研究進展及通過摻雜優(yōu)化Mg4Ta2O9晶體閃爍發(fā)光性能。1 Mg4Ta2O9的晶胞結構圖1 Mg4Ta2O9的晶胞結構Fig.1 Crystal structure of Mg4Ta2O92 Mg4Ta2O9晶體制備方法2.1 微下拉法微下拉法(micro-pulling-down method, μ-PD)是一種可實現(xiàn)高
人工晶體學報 2021年10期2021-11-26
- 靶表面粗糙度對低能電子致厚Ni靶特征X射線產(chǎn)額的影響研究
提高了特征X射線產(chǎn)額計數(shù)率。厚靶的特征X 射線產(chǎn)額是評估蒙特卡羅（Monte Carlo，MC）模擬中所用理論模型和數(shù)據(jù)庫準確性的重要依據(jù)，涉及到內殼層電離截面、原子弛豫參數(shù)、電子和光子在材料中的傳輸參數(shù)等［12］。然而，之前的厚靶實驗方法都是假定靶表面是光滑的［10?11］，事實上很多情況下所用的靶都有一定的粗糙度，Geil 和Yesil 等［13?14］已經(jīng)通過MC 模擬證實靶樣表面粗糙度對中能離子背散射能譜和彈性反沖探測分析的確有一定的影響。因此，本
核技術 2021年11期2021-11-22
- 超級質子-質子對撞機束屏內氣體密度演化規(guī)律研究*
光電子和二次電子產(chǎn)額, 是減少電子致解吸最為直接有效的方式.2.4 離子致解吸離子致解吸問題最早在1971年交叉碰撞儲存環(huán)(intersecting storage rings, ISR)引起學者們的關注[29].束屏內的高能質子引起殘余氣體分子電離, 產(chǎn)生的離子在束流空間電荷的加速作用下, 轟擊束屏壁面, 并導致壁面吸附的氣體分子發(fā)生解吸[30].2.5 分子裂解低溫真空束屏內的主要解吸氣體為: H2, CH4,CO2和CO, 其中CH4和CO2與同步輻
物理學報 2021年16期2021-09-03
- 低能Xe離子輻照在Al表面上的光輻射研究
子發(fā)射光譜，光子產(chǎn)額隨入射離子能量的變化與核阻止本領隨入射離子能量變化有相同的變化趨勢[3]，其隨入射離子能量的變化趨勢為：在低能時，濺射原子、離子發(fā)光產(chǎn)額隨離子能量的變化幾乎是線性上升增加，達到最大值后，便隨入射離子能量增加而下降，在此過程中入射離子主要通過靶原子核彈性碰撞損失其能量。在本實驗的能量范圍內發(fā)現(xiàn)隨入射離子能量的變化，輻射光譜光子產(chǎn)額不再與核阻止本領有相同的變化趨勢，其原因是核能損起主導作用減少，較高能量的入射離子存在與靶原子核外電子的非彈性
原子能科學技術 2021年8期2021-08-02
- 密封中子管氘-氘產(chǎn)額及二次電子抑制
相比，中子管中子產(chǎn)額高，能譜單色性好，γ射線本底低，體積小、質量輕，可以隨時控制中子產(chǎn)生，同時中子管可以產(chǎn)生脈沖中子。隨著中子管技術的發(fā)展，它已經(jīng)被廣泛應用到中子測井、物料分析、中子照相、爆炸物檢測、毒品檢測等各個領域[2-5]。圖1 中子管結構(a)及內部控制參數(shù)(b)中子管產(chǎn)額穩(wěn)定性是中子管面臨的一項難題。國內中子管產(chǎn)額穩(wěn)定性一般在5%左右。中子管產(chǎn)額不穩(wěn)定對中子管的應用具有一定的影響。秦愛玲等[6]表明采用閉環(huán)控制電路是中子管提高產(chǎn)額穩(wěn)定性的普遍手段
核化學與放射化學 2021年3期2021-06-24
- 一個可靠和準確的光電產(chǎn)額譜模型及應用*
14001)光電產(chǎn)額譜的實驗和理論研究對所有涉及光電的材料和器件都很重要, 其中能夠準確地從入射光子能量計算光電產(chǎn)額對最大限度地從光電產(chǎn)額譜獲取光電材料和器件的電性能的微觀信息至關重要.本文在建立起光電產(chǎn)額譜滿足的微分方程結合光電產(chǎn)額譜的特有實驗結果之后找到了這個滿足光電產(chǎn)額譜的特有實驗結果下微分方程的解.通過對實驗數(shù)據(jù)進行最小二乘法非線性擬合既驗證了這種方法獲得的光電產(chǎn)額譜模型的正確性, 也得到了每一條光電產(chǎn)額譜的具體數(shù)學表達.應用此模型不僅能盡可能精確
物理學報 2021年10期2021-06-01
- GEF模型對n+239Pu反應裂變碎片質量分布的研究
裂變過程，但有關產(chǎn)額與能量演化等問題卻沒有一個明確的結果.目前關于短壽命原子核裂變產(chǎn)額的研究數(shù)據(jù)較少.因此,采用理論模型來預測其產(chǎn)額數(shù)據(jù)顯得很有必要.钚是一種具有放射性元素，在原子能工業(yè)中是一種重要的原料，可作為核燃料和核武器的裂變劑.美國投在日本的原子彈，其內核部分就是以239Pu作為核裝藥的.钚作為核武器中重要的裂變成分，具有裂變速度快、臨界質量較小的特點，是核武器的重要核裝料.目前與钚相關的核數(shù)據(jù)相對較少，因此研究中子誘發(fā)钚裂變及裂變產(chǎn)額的分布對核裂
湖州師范學院學報 2021年2期2021-05-17
- 基于貝葉斯更新方法的235U熱中子獨立裂變產(chǎn)額協(xié)方差估計
00084)裂變產(chǎn)額描述了裂變產(chǎn)物在裂變系統(tǒng)發(fā)生裂變反應過程中產(chǎn)生的份額。根據(jù)裂變反應的進程不同，裂變產(chǎn)額可分為獨立裂變產(chǎn)額和累積裂變產(chǎn)額。獨立裂變產(chǎn)額描述了瞬發(fā)裂變中子釋放后，在裂變產(chǎn)物發(fā)生衰變前各個產(chǎn)物產(chǎn)生的份額；累積裂變產(chǎn)額則描述了裂變產(chǎn)物發(fā)生長時間衰變后裂變產(chǎn)物的份額[1]。由于裂變過程的時間尺度小、復雜性高，所以裂變產(chǎn)額的測量與模擬具有較大的不確定度。目前，ENDF/B-VII.1數(shù)據(jù)庫中的235U熱中子裂變產(chǎn)額數(shù)據(jù)來自于1994年England
現(xiàn)代應用物理 2021年1期2021-04-19
- 針對裂變產(chǎn)額和半衰期的燃耗計算靈敏度和不確定度分析方法
核數(shù)據(jù)庫中的裂變產(chǎn)額數(shù)據(jù)缺乏足夠的獨立產(chǎn)額測量數(shù)據(jù)和協(xié)方差數(shù)據(jù)[4]，通過靈敏度分析確定對目標參數(shù)計算精度影響較大的裂變產(chǎn)額數(shù)據(jù)，對核數(shù)據(jù)的改進有指導意義[5]。目前國內外基于抽樣方法及微擾方法對燃耗計算響應參數(shù)的靈敏度和不確定度開展了一定研究[6-7]，但多針對核反應截面開展，缺乏對裂變產(chǎn)額和半衰期等核數(shù)據(jù)的分析。2013年，國際核數(shù)據(jù)評價合作工作組(WPEC)把量化裂變產(chǎn)額對響應參數(shù)引入的不確定度作為未來工作目標之一。對于多輸入?yún)?shù)、少輸出參數(shù)的數(shù)值模
原子能科學技術 2020年12期2020-12-15
- 基于染色體畸變的細胞存活模型研究
鏈斷裂(DSB)產(chǎn)額作為模型的輸入?yún)?shù)，用于生物學參數(shù)α與β的計算，盡管一定程度上體現(xiàn)了輻射致細胞生物效應的機制，但用RMF模型計算的β參數(shù)隨傳能線密度(LET)是單調增加的，而根據(jù)細胞存活實驗得到的β參數(shù)隨LET有明顯的遞減趨勢。McMahon等在計算輻射所致DNA損傷時，不同粒子類型單位劑量的DSB產(chǎn)額采用與光子相同的值，合理性存在疑問。Ballarini等和McMahon等提出的基于染色體畸變建立的細胞存活模型，一方面對染色體畸變類型考慮的不全面，另
原子能科學技術 2020年11期2020-11-24
- 200 GeV能量下d-Au碰撞系統(tǒng)中輕強子和夸克化學勢的中心度依賴
以提取到反正粒子產(chǎn)額比等信息。在高能碰撞系統(tǒng)中，粒子的化學勢是一個很重要的物理量，因為它決定著物質傳遞的方向和限度，是判斷系統(tǒng)是否經(jīng)歷過相變、是否達到相平衡的重要依據(jù)。尤其是重子化學勢，結合化學凍結溫度，可以在化學凍結溫度-重子化學勢平面上研究強子物質到夸克物質的相變問題，進而分析QCD相圖[10-11]。不同尺寸的碰撞系統(tǒng)產(chǎn)生的粒子的化學勢是不同的。在之前的工作中[12]，我們已經(jīng)分析了金-金、鉛-鉛重離子碰撞系統(tǒng)和質子-質子輕離子碰撞系統(tǒng)中的粒子化學勢
麗水學院學報 2020年5期2020-10-28
- keV能量電子致Al,Ti,Zr,W,Au元素厚靶特征X射線產(chǎn)額與截面的研究*
L殼層特征X射線產(chǎn)額的測量結果,并將所得實驗數(shù)據(jù)與基于扭曲波玻恩近似理論模型(DWBA)的蒙特卡羅模擬值進行了比較,兩者在小于或約為10%的范圍內符合.根據(jù)測得的特征X射線產(chǎn)額進一步得到了相應的內殼層電離截面或特征X射線產(chǎn)生截面.通過對比電子入射角度為45°和90°的兩種情況下解析模型與蒙特卡羅模擬的特征X射線產(chǎn)額,發(fā)現(xiàn)在入射角度為90°時兩者符合較好.同時,本文還給出了次級電子、軔致輻射光子對特征X射線產(chǎn)額的貢獻,該貢獻與入射電子能量關系較弱,表現(xiàn)出與原
物理學報 2020年13期2020-07-14
- AB-BNCT中子靶物理設計分析
獲得其產(chǎn)生中子的產(chǎn)額、能譜、靶體的能量沉積等多項計算結果。本研究模型跟蹤1×109個源粒子輸運徑跡統(tǒng)計，整個過程數(shù)據(jù)統(tǒng)計誤差基本在5%以內。2 計算結果及分析2.1 中子靶材分析1) 入射質子能量與中子產(chǎn)額圖2為3H、7Li、9Be、65Cu、184W 5種靶材的質子打靶產(chǎn)額，可確定低能質子入射情況下，輕核靶材產(chǎn)生的中子數(shù)大于重核靶材。因此，利用(p,n)反應的AB-BNCT質子加速器中子源，一般選用核子數(shù)較小的輕核靶材。圖2 質子打厚靶產(chǎn)額Fig.2 N
原子能科學技術 2020年5期2020-05-30
- ADS熔鹽散裂靶中子學性能研究
BE具有散裂中子產(chǎn)額較大、蒸汽壓低、沸點高、中子俘獲截面小等優(yōu)點，是目前ADS設計中使用最多的液態(tài)散裂靶材料，并在中子學性能方面有大量的研究基礎[4-6]。除傳統(tǒng)的液態(tài)金屬靶外，在加速器驅動次臨界熔鹽堆(AD-MSRs)中，還出現(xiàn)了直接使用熔融的燃料鹽作為散裂靶的設計。20世紀80年代，日本學者[7]提出了靶堆一體的基于氟化物熔鹽的單流型加速器驅動熔鹽增殖堆(AMSB)概念設計。此外，與氟化物熔鹽相比，氯化物熔鹽中錒系核素有更高的溶解度，可裝載更多的超鈾核
原子能科學技術 2020年5期2020-05-30
- 克量級鈾中微量銪和鋱的放化分離方法研究
413)裂變產(chǎn)物產(chǎn)額在反應堆元件燃耗計算、屏蔽設計等方面有非常重要的作用。在裂變質量分布曲線中，整個右翼都被稀土元素占據(jù)，而其中幾個質量數(shù)較大、產(chǎn)額較低的稀土裂變產(chǎn)物的產(chǎn)額數(shù)據(jù)決定了質量分布曲線右翼的走向，因而其裂變產(chǎn)額的測量尤為重要。156Eu(T1/2=15.19 d)和161Tb(T1/2=6.89 d)是其中非常關鍵的兩個核素，它們的裂變產(chǎn)額較低，熱中子誘發(fā)235U裂變的156Eu和161Tb產(chǎn)額分別為1.33×10-4和8.10×10-7，因此僅
原子能科學技術 2020年5期2020-05-30
- LuAG∶Ce和LuAG∶Ce,Mg晶體生長與閃爍性能
Ce晶體的理論光產(chǎn)額為60 000 photons/MeV[2]，而目前報道的LuAG∶Ce晶體最高光產(chǎn)額約為26 000 photons/MeV[3]，這是由于晶體中存在缺陷[4]，導致晶體光產(chǎn)額的實際與理論值相差較大。異價離子共摻是提高其光產(chǎn)額的方法之一。S. Blahuta等[5]在LYSO∶Ce單晶中摻入Ca2+(Mg2+)，研究發(fā)現(xiàn)，光產(chǎn)額提高了21%。S.P. Liu等[6]通過在LuAG∶Ce閃爍陶瓷中加入Mg2+，將閃爍體光產(chǎn)額增大至21
壓電與聲光 2019年5期2019-10-22
- D-T中子誘發(fā)貧化鈾球殼內裂變率分布實驗*
測量,再根據(jù)裂變產(chǎn)額數(shù)據(jù)和中子產(chǎn)額監(jiān)測數(shù)據(jù),獲得裂變反應率沿45°方向分布規(guī)律,為裂變放能與球殼厚度關系研究提供數(shù)據(jù)支持.2 方法與實驗2.1 測量原理絕對裂變反應率是指一個源中子誘發(fā)一個核材料原子核產(chǎn)生裂變的概率[20].通過測量裝置內被測位置的核裂變計數(shù),可得到該處的裂變反應率.裂變率計算公式為式中,Nf為裂變數(shù),?為中子產(chǎn)額,t1為輻照時間,m為活化探測器核子數(shù).本實驗選取裂變產(chǎn)額比較準確的裂變碎片143Ce作為測量對象,核裂變數(shù)Nf與143Ce核子
物理學報 2019年15期2019-09-04
- 摻鋰塑料閃爍體的制備與性能
明性變差，同時光產(chǎn)額也隨之降低[7]。鋰具有兩個穩(wěn)定同位素6Li和7Li，自然界中鋰的含量ω(6Li) =7.5%，ω(7Li) =92.5%。由于高濃縮6Li鹽為管控原料，故本文用制備原理與6Li鹽類似的天然鋰鹽作為原材料。首先采用酸堿中和方式制備出甲基丙烯酸鋰，隨后將其溶解到甲基丙烯酸中，并將甲基丙烯酸溶液轉移至溶有第一閃爍物質和移波劑的苯乙烯溶液中，最后通過熱聚合的方法制備出摻鋰塑料閃爍體，同時對其摻鋰量、熒光性能、光產(chǎn)額、衰減時間等性能進行研究。1
西南科技大學學報 2018年4期2018-12-26
- 利用氣泡探測器測量激光快中子?
量得到的中子最高產(chǎn)額為1.5×106n/sr.2013年,Bang等[14]使用拍瓦激光裝置與氘團簇作用,其激光能量為120 J,脈寬為170 fs,通過控制激光的焦斑等參數(shù)來調節(jié)激光的聚焦功率密度,提高激光吸收效率.該實驗中獲得的最高中子產(chǎn)額為1.6×107/發(fā).2013年Roth等[15]在200 TW(1012W)TRIDENT激光裝置上進行了實驗,激光強度高達1021W/cm2.在高信噪比高強度的激光條件下,采用BOA加速機制(break-out
物理學報 2018年22期2018-12-18
- 高能電子轟擊金屬靶產(chǎn)生正電子的模擬研究
需要對影響正電子產(chǎn)額的因素進行細致的研究，諸如靶材料，電子能量，次級粒子的類型，以及正電子的能譜和角分布等.本文采用Geant4模擬產(chǎn)生正電子過程，給出了靶材和靶厚對正電子產(chǎn)額的影響，并且給出了正電子的角分布和能譜，擬合給出了不同的電子能量對正電子產(chǎn)額的影響.1 Geant4 物理模型的建立Geant 4模擬計算高能電子束與金屬靶作用的物理模型如圖1所示.圖1 高能電子與金屬靶作用Geant 4模型靶的形狀為圓柱體直徑Φ=1 cm，厚度可調.在靶前端為外半
西北師范大學學報（自然科學版） 2018年6期2018-12-03
- 8—9.5 keV正電子致Ti的K殼層電離截面的實驗研究?
厚靶的特征X射線產(chǎn)額通過微分求解方法得到的相應電離截面結果不可靠(因為采用微分求解方法會將各能量點產(chǎn)額的不確定度都計入到處理得到的截面結果,而Nagashima等由于采用離線法,導致得到的厚靶產(chǎn)額數(shù)據(jù)很可能不夠準確,再者他們尚未對實驗產(chǎn)額考慮入射正電子在厚靶中的散射效應、湮沒光子和軔致光子及次級電子等引起的修正,使得微分求解得到的截面結果更不準確).同樣Tian等[10]的實驗也是由于采用離線法獲取正電子束流強度,未對測量的10—20 keV正電子碰撞純厚
物理學報 2018年19期2018-11-03
- 質子對碲鋅鎘輻照損傷的SRIM模擬
CZT的表面濺射產(chǎn)額.2 結果與討論2.1 不同能量質子在CZT材料中的能量損失SRIM程序模擬離子在靶中運動時, 離子在靶中的作用主要分為兩類： 1) 與靶中原子的核外電子發(fā)生非彈性碰撞, 使電子激發(fā)或電離； 2) 與靶中原子核發(fā)生彈性碰撞, 使原子核脫離原位置產(chǎn)生空位. CZT靶阻止本領與質子入射能量的變化關系如圖1所示, 其中靶對質子的核阻止與電子阻止本領用質子在靶中與原子核及核外電子作用損失的能量關于射程的微分(dE/dx)表示. 由圖1可見: C
吉林大學學報（理學版） 2018年4期2018-07-19
- 用于醫(yī)用核素鉬-99的制備方法
。99Mo的裂變產(chǎn)額為6.06%，235U裂變還生成鉬的幾種穩(wěn)定同位素95Mo、97Mo、98Mo、100Mo，雖然裂變法生產(chǎn)的99Mo受到穩(wěn)定同位素的稀釋，但是由于總穩(wěn)定鉬的絕對量很少，99Mo的比活度約為370 TBq/g[12]。因此，可以從235U的裂變產(chǎn)物中大量提取高比活度99Mo。1.1.1熱中子反應堆生產(chǎn)99Mo1) HEU生產(chǎn)裂變99Mo(1) Cintichem流程利用HEU生產(chǎn)裂變99Mo的第一個化學分離流程是由布魯克海文實驗室(Bro
同位素 2018年3期2018-06-06
- 低速Xeq+(4 6 q 6 20)離子與Ni表面碰撞中的光輻射?
00 nA,光子產(chǎn)額定義為每入射一個離子發(fā)射的光子個數(shù)[15?18],公式如下:式中Yλ和Nλ分別表示波長λ數(shù)據(jù)點處的光子產(chǎn)額和光子個數(shù),It是波長λ數(shù)據(jù)點處的靶上束流強度,q是入射離子電荷數(shù),e是電子電量,系數(shù)分別表示相同條件下靶上束流強度的平均值和入射離子束流強度的平均值.圖1 高電荷態(tài)離子轟擊固體表面發(fā)射光譜的測量裝置示意圖Fig.1.Schematic diagram of measurement apparatus for light emiss
物理學報 2018年8期2018-05-08
- 材料二次電子產(chǎn)額對腔體雙邊二次電子倍增的影響?
,其材料二次電子產(chǎn)額系數(shù)較低(δmax0≈1.3,δmax0為材料正入射二次電子產(chǎn)額系數(shù));而同樣是基于雙邊二次電子倍增機理工作的微脈沖電子槍(如圖1所示)通常選用的材料是金屬表面氧化鎂鍍膜[17],其材料二次電子產(chǎn)額系數(shù)極高(δmax0≈16).Buyanova等[18]研究發(fā)現(xiàn):平行平板結構中若二次電子產(chǎn)額超過某個閾值,可能會出現(xiàn)兩個互不耦合的單邊二次電子倍增取代雙邊二次電子倍增的現(xiàn)象,但其形成機理尚不明確.不同材料二次電子產(chǎn)額系數(shù)對腔體雙邊二次電子倍
物理學報 2018年3期2018-03-26
- 壓水堆核電廠廢液放射性計算程序配套核數(shù)據(jù)庫的適用性評價
息，根據(jù)直接裂變產(chǎn)額、衰變信息以及保留的裂變產(chǎn)物核素得到更新的沿衰變鏈歸并的產(chǎn)額數(shù)據(jù)，通過中子學-燃耗耦合計算獲得了更新的中子微觀反應截面數(shù)據(jù)；并與現(xiàn)有的配套數(shù)據(jù)庫進行了對比分析；然后，通過計算一系列面向不同機型的算例進行了整體的對比驗證與分析。結果表明：現(xiàn)有的PWR-GALE配套核數(shù)據(jù)可以滿足先進壓水堆的計算和評審需求。核電廠廢液放射性計算；PWR-GALE；衰變數(shù)據(jù)；裂變產(chǎn)額數(shù)據(jù)；中子微觀反應截面數(shù)據(jù)壓水堆在運行過程中，燃料內包容的放射性物質可能會通過
核科學與工程 2017年6期2018-01-08
- ST 401塑料閃爍體的脈沖中子相對光產(chǎn)額評估方法?
的脈沖中子相對光產(chǎn)額評估方法?姚志明?段寶軍 宋顧周 嚴維鵬 馬繼明 韓長材 宋巖(西北核技術研究所,強脈沖輻射環(huán)境模擬與效應國家重點實驗室,西安 710024)(2016年10月24日收到;2016年11月22日收到修改稿)介紹了脈沖中子在ST401塑料閃爍體上的相對光產(chǎn)額評估方法.采用Geant4蒙特卡羅軟件模擬X射線和中子在閃爍體中的輸運行為,記錄產(chǎn)生的全部帶電粒子類型和能量,由公式計算得到相對光產(chǎn)額.給出了不同能量的單個中子和單個X射線入射到1 m
物理學報 2017年6期2017-08-03
- 14.8 MeV中子誘發(fā)238U裂變產(chǎn)物產(chǎn)額測量
238U裂變產(chǎn)物產(chǎn)額測量孫 琦 羅小兵 李宛瓊 汪 超 李子越（四川大學 原子核科學技術研究所 輻射物理及技術教育部重點實驗室 成都 610064）裂變產(chǎn)物產(chǎn)額作為裂變過程的一個重要參數(shù)，其準確測量對有關裂變的很多方面都有重要意義。為了準確測量中子誘發(fā)238U裂變產(chǎn)物產(chǎn)額，利用中國工程物理研究院PD-300加速器上的T(d, n)4He反應，產(chǎn)生14.8MeV的中子，誘發(fā)238U裂變。輻照過程中，通過金硅面壘半導體探測器監(jiān)測中子通量的變化。使用Al片作為監(jiān)
核技術 2017年7期2017-07-17
- 90o伴隨粒子法D-D中子產(chǎn)額測量修正因子計算
粒子法D-D中子產(chǎn)額測量修正因子計算李建一1王俊潤1,2張 宇1,2黃智武1盧小龍1,2徐大鵬1,2張 杰1韋 崢1,2馬占文1姚澤恩1,21（蘭州大學 核科學與技術學院 蘭州 730000）2（蘭州大學 教育部中子應用技術工程研究中心 蘭州 730000）開展了90o伴隨粒子法D-D中子產(chǎn)額測量中的修正因子理論計算方法研究，基于MATLAB軟件平臺，開發(fā)了用于修正因子計算的計算機程序。計算給出了厚靶條件下，入射氘能量在20-700 keV范圍，90o伴隨
核技術 2017年1期2017-02-09
- 哈里伯頓公司新一代油藏監(jiān)測儀RMT-3DTM
提供俘獲和非彈性產(chǎn)額及能譜伽馬等數(shù)據(jù)。非彈和俘獲產(chǎn)額包括碳、氧、硅、鈣、氫、鐵、氯、硫、鉀及其他元素產(chǎn)額。RMT-3DTM提供的資料:油、氣、水飽和度評價;水驅、蒸汽驅或二氧化碳驅/提高采收率監(jiān)測;天然氣、二氧化碳、蒸汽、氮氣和空氣;鈾、釷、鉀能譜伽馬;用于礦物學分析的元素產(chǎn)額;套管井孔隙度;礫石充填評價;水流速度和方向。RMT-3DTM特別適用于老油田的二次開發(fā),通過儲層監(jiān)測,提高油氣產(chǎn)量和采收率,找出漏失產(chǎn)層。RMT-3DTM在復雜或未知地層水礦化度條
測井技術 2016年3期2016-03-27
- 裂變產(chǎn)物活度計算通用程序開發(fā)
了裂變產(chǎn)物的獨立產(chǎn)額、衰變路徑和衰變信息數(shù)據(jù)庫，開發(fā)了一用于計算裂變產(chǎn)物活度的通用程序。利用該程序計算了8種氣體裂變產(chǎn)物的原子核數(shù)隨時間的變化，結果與文獻數(shù)據(jù)基本一致。本程序為與核裂變相關的裂變產(chǎn)物預先評估提供了一個便利的工具。關鍵詞：裂變產(chǎn)物；產(chǎn)額；活度；程序中圖分類號：O571.32 文獻標志碼：A收稿日期：2014-06-17;修回日期：2014-09-18doi：10.7538/yzk.2015.49.11.2083Universal Progra
原子能科學技術 2015年11期2016-01-11
- MeV離子轟擊碳樣品引起的碳氫團簇產(chǎn)額
量定標及二次離子產(chǎn)額分析采用含鈉、鉀、銫等不同原子質量元素化合物混合的辦法制備標準樣品。實驗中使用同樣的束流和幾何條件獲得了待研究樣品和標準質量樣品的二次離子飛行時間譜。圖2所示為束流轟擊碳納米管后二次正離子和標準樣品原始譜的對比，圖中明確標出了氫、鈉、鉀、銫對應的4個峰，這樣就可在1～200的質量數(shù)范圍內實現(xiàn)對二次離子質量的定標。根據(jù)質量定標的結果，二次離子飛行時間譜可轉化為二次離子質量譜進行進一步分析。圖2 束流轟擊后碳納米管和標準樣品的二次離子譜對比
原子能科學技術 2014年5期2014-08-07
- 用于中子測井的自成靶密封中子管性能評價
子源相比，其中子產(chǎn)額高，能譜單色性好，無γ本底，可產(chǎn)生脈沖中子，不用時可關斷，防護容易，儲存管理和運輸方便；與反應堆或加速器中子源相比，其體積小，重量輕，消耗功率小，無須真空系統(tǒng)和冷卻設備，不必更換氚靶，操作容易，維護管理簡單，便于攜帶和移動，適于流動輻照或現(xiàn)場輻照。隨著中子管技術的發(fā)展，中子管已廣泛應用于中子測井、煤質分析、中子照相、爆炸物及毒品檢測等領域[1-2]。測井中子管與地面應用相比有其特殊的難度，主要表現(xiàn)為：(1) 受井孔尺寸限制，井下儀器的直
同位素 2014年4期2014-06-13
- X射線熒光粉的研究進展
，特別是它們的光產(chǎn)額相對較高，例如CsI:Tl+、NaI:Tl+和LaCl3:Ce3+的光產(chǎn)額分別達到66000、62000和49000 ph/MeV.在鹵化物熒光粉中，摻雜Ce3+的鹵化物熒光粉研究得比較多，特別是稀土鹵化物如LaCl3:Ce3+、LaBr3:Ce3+、LaI3:Ce3+和LuI3:Ce3+等.這些稀土鹵化物熒光粉基本上都具有高的光產(chǎn)額、好的分辨率和短的熒光壽命等特點，其中LuI3:Ce3+的光產(chǎn)額最高，達到95000 ph/MeV，而L
懷化學院學報 2014年11期2014-04-09
- 含反射中子的快脈沖堆中子動力學方程研究
不對稱、脈沖裂變產(chǎn)額顯著增加［1-2］。當堆體外布置較多輻照物時，反射中子有可能對脈沖堆的安全運行造成不利影響。因此研究反射中子對快脈沖堆的影響很有必要。Wimett等［2］曾在快脈沖堆中子動力學方程中增加兩組虛構的緩發(fā)中子，模擬反射中子的作用，解釋了脈沖波形后沿變寬的實驗結果。但這一方法存在如下不足：1）采用虛構的緩發(fā)中子模擬反射中子值得商榷；2）只能解釋實驗現(xiàn)象，不能預測堆外反射體對脈沖波形和裂變產(chǎn)額的影響，對脈沖堆的安全運行無實際意義。Spriggs
原子能科學技術 2014年1期2014-03-20
- 裂變產(chǎn)額差異法測量235U豐度
02413）裂變產(chǎn)額差異法測量235U豐度喬亞華1陳海英1張 敏1楊 毅2劉世龍2吳繼宗21（環(huán)境保護部核與輻射安全中心 北京 100082）2（中國原子能科學研究院 北京 102413）利用裂變產(chǎn)額差異法，從裂變產(chǎn)額質量分布曲線，選取位于雙駝峰曲線兩翼的裂變產(chǎn)物的產(chǎn)額隨可裂變核素的不同有很大變化的核素88Rb、104Tc和92Sr作為測量對象，選擇平均裂變產(chǎn)額比為監(jiān)測對象，研究了平均產(chǎn)額比與鈾豐度之間的關系曲線，獲得了平均產(chǎn)額比Yi/Yj隨豐度H0變化的
核技術 2014年3期2014-01-19
- 利用同質異位素產(chǎn)額比方法研究重離子核反應中等質量余核的化學勢
）利用同質異位素產(chǎn)額比方法研究重離子核反應中等質量余核的化學勢王閃閃1,2馬春旺1曹喜光2張艷麗1喬春源1魏慧玲1趙藝龍1張會平1余悅超3白曉曼11（河南師范大學 物理與電子工程學院 新鄉(xiāng) 453007）2（中國科學院上海應用物理研究所 嘉定園區(qū) 上海 201800）3（河南師范大學 新聯(lián)學院 新鄉(xiāng) 453007）在巨正則模型下，利用兩相似反應系統(tǒng)的同質異位素產(chǎn)額比之差(Isobaric yield ratio difference, IBD)，研究中等質
核技術 2014年10期2014-01-19
- 靶膜對中子管中子產(chǎn)額的影響分析
影響到中子管中子產(chǎn)額的高低。多年來圍繞靶膜的相關問題進行了較為深入的研究和分析，并在實際應用中加以驗證。本文從靶膜材料的選擇、靶膜鍍制的工藝和靶膜厚度的確定等3個方面技術問題進行分析論述。1 靶結構及靶材料選用中子管靶結構是由靶基和靶膜2部分組成（見圖1）。靶基結構是圓柱形，靶面可以設計為平面型，也可以為圓錐凹面型，如采用圓錐凹面型靶結構，則其表面積比平面靶擴大近1倍左右，承受離子束的轟擊面積也將擴大1倍，有利于提高中子產(chǎn)額。靶基體材料應選擇熔點高、在氫氣
測井技術 2013年1期2013-12-03
- LuI3閃爍晶體的第一性原理研究*
測.由于具備高光產(chǎn)額、快衰減等特性,摻雜Ce3+離子的镥基閃爍體備受關注[1,2],有些晶體已經(jīng)較為成熟,例如Lu2SiO5:Ce[3,4].近年來一種新的镥基閃爍體LuI3:Ce3+也逐漸進入人們的視野,該材料密度為5.6 g/cm3,具有很高的光產(chǎn)額(最高的報道可達76000 ph/MeV),是Lu2SiO5:Ce的兩倍,在γ射線激發(fā)下產(chǎn)生峰值位于474 nm的發(fā)射,具有23—31 ns的快衰減,662 keVγ射線激發(fā)下的能量分辨率為11%[5,6]
物理學報 2013年6期2013-08-31
- 用于補償中子孔隙度測井的可控中子源技術
源的缺點是其中子產(chǎn)額較低，只能達到1×106n／s。這主要是因為D－D源使用強度不夠高的Penning離子源。Penning離子源的單原子離子產(chǎn)量較低（＜10%），因此美國Sandia國家實驗室（Sandia National Laboratoires）開發(fā)了一種單原子氘離子產(chǎn)量大于90%的離子源。這種離子源也利用了D－D中子的方向性和脈沖模式的工作方式，使離子源在相同的輸入功率下達到所要求的中子產(chǎn)額?，F(xiàn)正在研發(fā)一種現(xiàn)場發(fā)射型離子源，使中子發(fā)生器的體積更小
測井技術 2013年1期2013-08-15
- 核測井探測器技術創(chuàng)新：LaBr3閃爍體響應函數(shù)開發(fā)
爍體具有較高的光產(chǎn)額（63光子／keV）和光電子產(chǎn)額（NaI的165%）、較快的初始衰減時間（16ns）和較好的伽馬探測能量分辨率，且在－65～140℃溫度范圍內的光產(chǎn)額變化小于5%，這些特點使其適用于電纜和隨鉆核測井能譜儀器。探測器響應函數(shù)對脈沖中子地球化學和自然伽馬能譜等測井儀器至關重要，油氣測井專家研究了一種準確的LaBr3探測器響應函數(shù)，通過高效降方差技術獲得脈沖幅度譜。基于蒙特卡羅模型的伽馬響應函數(shù)程序（GAMDRF）可實現(xiàn)：①瑞利散射；②康普頓
測井技術 2013年1期2013-08-15
- 基于加速器7Li(p,n)反應的硼中子俘獲治療中子源的優(yōu)化設計
,n)反應以中子產(chǎn)額大、反應閾能低等優(yōu)點成為硼中子俘獲治療加速器驅動中子源所用中子反應的候選類型之一。本文重點研究了該中子產(chǎn)生反應作為加速器驅動中子源的中子產(chǎn)額及其能譜特性，并對產(chǎn)生的高能中子束流進行慢化，使其滿足BNCT治療要求。首先采用蒙特卡羅程序MCNPX2.5.0模擬加速器7Li(p,n)反應過程，得到1.9?3.0 MeV能量入射質子的中子產(chǎn)額及其能譜，并詳細研究了質子入射能量為2.5 MeV的最佳條件下產(chǎn)生的中子束流特性；進而提出中子束流的慢化
核技術 2013年9期2013-02-24
- 離子源及厚靶參數(shù)對氘氚反應中子源中子產(chǎn)額的影響
-T中子源的中子產(chǎn)額及使用壽命，取決于離子源品質和厚靶狀態(tài)，因此中子源物理設計須綜合考慮這些參數(shù)對其性能指標的影響。本文給出厚靶D-T反應中子產(chǎn)額的模擬計算方法，并分析了離子源產(chǎn)生的束流品質及靶膜材料的選擇對中子產(chǎn)額造成的影響。提出了中子源的優(yōu)化設計思路，并分析其可行性。1 厚靶氘氚反應中子產(chǎn)額的模擬計算對于D-T中子源，其厚靶的積分中子產(chǎn)額由式(1)給出：其中，Y(E)為積分中子產(chǎn)額，E0為入射氘束能量，I0為入射氘束強度，NT為靶中氚的原子密度，σ(E
核技術 2012年8期2012-06-30
- 239Pu(nth,f)短壽命裂變產(chǎn)物產(chǎn)額測量
發(fā)239Pu裂變產(chǎn)額數(shù)據(jù)是非常重要的核參數(shù)，我國還未開展過相關實驗測量工作。目前國際上短壽命核素產(chǎn)額測量方法有2種。一種是用徑跡探測器記錄裂變數(shù)[1]、直接γ能譜測量的絕對測量方法，這種方法的缺點是徑跡探測器記錄裂變數(shù)引入的不確定度比較大，約5%，使最后測量數(shù)據(jù)的不確定度偏大。另一種方法是利用同位素在線分離器設備(ISOL)做產(chǎn)額測量[2]，可以測量半衰期為0.1 s產(chǎn)物核的產(chǎn)額數(shù)據(jù)，但是由于實驗設備復雜，引入誤差的環(huán)節(jié)較多，使得測量結果的不確定度也比較大
核化學與放射化學 2012年2期2012-01-04
- 超短超強激光輻照靶物質產(chǎn)生K-alpha源
K-alpha線產(chǎn)額的影響；K-alpha光輻射的角分布；K-alpha光的脈沖寬度；K-alpha光的空間尺度；K-alpha線產(chǎn)額、激光K-alpha光轉化效率；預脈沖對K-alpha線產(chǎn)額的影響；靶材結構及靶表面粗糙度對K-alpha產(chǎn)額的影響；各種條件下K-alpha線輻射的優(yōu)化以及K-alpha線的應用等等。3.1 激光偏振狀態(tài)對K-alpha線的影響[4]：由于P-偏振光與物質相互作用產(chǎn)生的超熱電子的能量和產(chǎn)額遠遠高于S-偏振光與物質相互作用產(chǎn)
巢湖學院學報 2011年3期2011-11-13
- 影響中子管產(chǎn)額因素的分析
西安)影響中子管產(chǎn)額因素的分析劉 炯 駱慶鋒 魯 寧 麻惠生 閆水浪 魏阿勃(中國石油測井集團有限公司隨鉆測井中心 陜西西安)通過中子管計算產(chǎn)額與實際產(chǎn)額的對比,從理論和試制經(jīng)驗分析了導致中子產(chǎn)額下降的幾個因素,為中子管設計改進和工藝優(yōu)化提供了參考。中子管;產(chǎn)額;影響因素0 引 言對一定型號中子管產(chǎn)品,其中子產(chǎn)額的潛力有多大?有怎樣的期待值可挖掘或者評判中子管工作在什么樣的狀態(tài)?對確定的工作參數(shù)下,我們應該有一個可信的基準作為參考來比較實際工作中的中子管,
石油管材與儀器 2010年6期2010-11-04
- 一種新型的小直徑150℃中子發(fā)生器
命長,但是在相同產(chǎn)額情況下負載重、產(chǎn)額低,這樣的特點對密封高壓提出了更高的要求。密封高壓在耐受溫度更高、使用壽命更長的苛刻條件下還需要提高負載能力,從設計上出現(xiàn)了瓶頸,沒能解決強負載能力的密封高壓,而中子管的靶流也沒有得到有效的降低。由于這個原因,一直以來沒有形成150℃中子發(fā)生器的完整技術,也就沒有形成150℃的測井儀器。這極大的影響了儀器從135℃向150℃提升的進程。本項目的開展正是針對這個問題,2009年底最終研制出了長壽命耐高溫的自成靶中子管和負
石油管材與儀器 2010年4期2010-02-06
- 0.57、1.0和1.5 MeV中子誘發(fā)235U裂變時95Zr、140Ba和147Nd產(chǎn)額的絕對測量
裂變時的裂變產(chǎn)物產(chǎn)額已有一些測量結果發(fā)表[1-4]。但入射中子能量從熱能到2 MeV能區(qū)僅有美國阿貢實驗室[2]和英國AERE的Harwell實驗室[3]測量的部分核素的產(chǎn)額。文獻[2]給出了0.17～8.1 MeV能區(qū)內共9個能量點的裂變產(chǎn)物產(chǎn)額，并給出了較寬能量范圍內多個核素的裂變產(chǎn)額隨入射中子能量的變化曲線，但這項測量工作的目的是研究質量分布曲線隨中子入射能量的變化規(guī)律，在一些實驗細節(jié)方面做了簡化，因此產(chǎn)額數(shù)據(jù)的精度不高。Harwell實驗室[3]利
核化學與放射化學 2010年6期2010-01-26
- D-T中子源的反沖質子望遠鏡模擬研究
于監(jiān)測D-T中子產(chǎn)額的反沖質子望遠鏡系統(tǒng)，采用MCNP程序模擬了14 MeV中子在不同厚度的聚乙烯膜上產(chǎn)生的反沖質子的產(chǎn)額、能譜及角分布，通過對反沖質子的產(chǎn)額、能譜和角分布數(shù)據(jù)的分析，給出了用于D-T中子產(chǎn)額監(jiān)測的反沖質子望遠鏡系統(tǒng)的聚乙烯膜最佳厚度和探測器放置位置。建立了D-T中子源模型，模擬設計了反沖質子望遠鏡系統(tǒng)，并給出了系統(tǒng)的探測效率。D-T中子發(fā)生器，聚乙烯膜，反沖質子望遠鏡，MCNP利用 T(d,n)4He反應的加速器中子源應用于核數(shù)據(jù)測量、聚
核技術 2010年1期2010-01-16