3-bit-per-cell NAND閃存

美光科技公司 （Micron Technology Inc.）和英特爾公司 （Intel Corporation）聯(lián)合推出25 nm制程的3-bit-per-cell（3 bpc）NAND閃存，該NAND設(shè)備擁有業(yè)界最大的容量和最小的尺寸。兩家公司已將初始產(chǎn)品樣品送到部分客戶手中。美光與英特爾預(yù)計(jì)在今年年底時(shí)量產(chǎn)該產(chǎn)品。

與競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手 USB、SD（Secure Digital）閃存卡和消費(fèi)電子產(chǎn)品相比，新推出的 25 nm 64 Gb 3 bpc存儲(chǔ)設(shè)備的性價(jià)比更高且存儲(chǔ)量更大。閃存主要用于存儲(chǔ)數(shù)據(jù)、照片或其它多媒體，如計(jì)算機(jī)應(yīng)用和數(shù)碼設(shè)備（數(shù)碼相機(jī)、便攜式媒體播放器、便攜式數(shù)碼攝像機(jī)和各類個(gè)人電腦）之間的數(shù)據(jù)捕捉和傳輸。這些市場(chǎng)一直處在以更低成本提供更高存儲(chǔ)容量產(chǎn)品的壓力之下。由雙方合資組建的 NAND閃存公司IM Flash Technologies（簡(jiǎn)稱 IMFT）所開發(fā)的這項(xiàng) 64 Gb（或8 GB）25 nm光刻技術(shù)，可提供每單位3比特的信息容量，而傳統(tǒng)技術(shù)只能提供1比特（單層存儲(chǔ)單元）或2比特（多層存儲(chǔ)單元）。業(yè)內(nèi)也將3bpc稱為三層存儲(chǔ)單元（triple-level cell，簡(jiǎn)稱 TLC）。

該設(shè)備的尺寸與美光和英特爾容量相同的 25 nm MLC（多層存儲(chǔ)單元）相比，體積要小20%以上，是目前市場(chǎng)上最小的單個(gè)8 GB設(shè)備。從產(chǎn)品固有的緊湊型設(shè)計(jì)上看，小尺寸閃存對(duì)消費(fèi)終端產(chǎn)品閃存卡顯得尤為重要。芯片面積為131 mm2，符合行業(yè)標(biāo)準(zhǔn) TSOP（薄型小尺寸封裝）封裝。