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      納米Al-CuO/氧化石墨烯含能點火橋膜的制備與電爆性能研究

      2018-05-03 02:27:17李婷婷李家寬葉迎華沈瑞琪
      火工品 2018年1期
      關(guān)鍵詞:電容納米能量

      李婷婷,李家寬,胡 艷,葉迎華,沈瑞琪

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      納米Al-CuO/氧化石墨烯含能點火橋膜的制備與電爆性能研究

      李婷婷,李家寬,胡 艷,葉迎華,沈瑞琪

      (南京理工大學(xué)化工學(xué)院,江蘇 南京,210094)

      首先通過靜電自組裝將Al和CuO納米粒子均勻負(fù)載在GO片層上,得到納米Al-CuO/GO復(fù)合含能材料最佳制備工藝;再利用電泳沉積法在硅基底的Cu橋膜上制備Al-CuO/GO含能點火橋膜;最后,以電容放電的激發(fā)方式,開展了納米Al-CuO/GO含能點火橋膜的電爆性能研究。結(jié)果表明:在相同能量激發(fā)下,納米Al-CuO/GO含能橋膜的電爆時間更短、能量利用率更高、釋放能量更高。

      復(fù)合含能材料;氧化石墨烯;靜電自組裝;原位負(fù)載;熱化學(xué)性能;電爆性能

      為了實現(xiàn)火工品高安全性和小型化,要求火工品的發(fā)火和傳遞單元不含有敏感的含能材料,微裝藥的輸出和傳遞能量足夠大、臨界尺寸足夠小,因此采用MEMS工藝制備的具有高能量密度和能量釋放速率的換能元是火工品技術(shù)研究的新方向。目前,納米Al/CuO含能體系的結(jié)構(gòu)設(shè)計及其點火性能研究是其中最活躍的研究領(lǐng)域[1]?;贛EMS制造工藝的納米Al/CuO含能體系[2-6]結(jié)構(gòu)設(shè)計的根本原則是:為了進(jìn)一步提高納米含能體系的反應(yīng)活性及能量釋放速率,必須盡可能提高氧化劑和燃料納米粒子的接觸界面面積,縮短兩者的擴(kuò)散距離,并使它們混合均勻。

      氧化石墨烯(GO)具有優(yōu)異的性能,其能被小分子插層后剝離為納米片層,比表面積大,柔韌性好,有良好的潤濕性能和表面活性。GO具有含能特性,吸收少量熱量(0.7~0.8kJ/g)可以使其很容易被還原,其熱脫氧過程會釋放出巨大的熱量(6~8kJ/g),作為納米粒子的負(fù)載基底具有廣闊的應(yīng)用前景。

      本文將Al、CuO納米粒子均勻負(fù)載在GO片層表面,以提高氧化劑和燃料接觸面積及分布均勻性。將均勻負(fù)載Al、CuO納米粒子的GO復(fù)合含能材料做成點火橋膜,對其形貌進(jìn)行表征,并開展點火橋膜的電爆性能測試研究。

      1 實驗

      1.1 藥品

      實驗中使用的藥品包括:GO,自制;醋酸銅(Cu(OAc)2·H2O),AR,上海新寶精細(xì)化工廠;異丙醇,AR,國藥集團(tuán)化學(xué)試劑有限公司;無水乙醇,AR,國藥集團(tuán)化學(xué)試劑有限公司;Al納米粉,平均粒徑為50nm,阿拉丁試劑公司;十二烷基硫酸鈉,AR,上海凌峰化學(xué)試劑有限公司;硝酸,AR,國藥集團(tuán)化學(xué)試劑有限公司。

      1.2 實驗方法

      將0.13gCu(OAc)2·H2O和0.05gGO分散于異丙醇中,超聲30min,再攪拌加熱至83℃,迅速加入5mL去離子水,繼續(xù)加熱;冷卻、離心,用無水乙醇洗滌,在70℃下干燥,得到CuO/GO復(fù)合材料。將Al納米粒子和分散劑十二烷基硫酸鈉加入到異丙醇中,超聲分散1h后待用;將CuO/GO復(fù)合材料加入到異丙醇中,超聲30min;將上述兩種分散液混合,超聲30min;離心,洗滌,在70℃下干燥,得到Al與CuO/GO質(zhì)量比為1:1條件下制備的Al-CuO/ GO復(fù)合材料。

      通過光刻和磁控濺射法在生長有氮化硅絕緣層的硅基底上制備Cu橋膜,再采用電泳沉積將Al-CuO /GO復(fù)合含能材料沉積到Cu橋膜上形成Al-CuO/GO含能點火橋膜。橋區(qū)采用矩形結(jié)構(gòu)設(shè)計,長度為2mm,寬度為1mm。圖1為納米Al-CuO/GO含能點火橋膜制備的流程圖。

      采用電容放電方式對Cu橋膜和納米Al-CuO/GO復(fù)合含能橋膜的電爆性能進(jìn)行測試,通過改變充電電壓條件,獲得電爆特征量和橋模溫度隨充電電壓變化的規(guī)律。同時,利用高速攝影儀記錄不同充電電壓條件下的電爆現(xiàn)象,采用雙譜線法測定橋膜的電爆炸電子激發(fā)溫度。

      圖1 納米Al-CuO/GO含能點火橋膜制備的流程圖

      2 結(jié)果與討論

      2.1 Al-CuO/GO含能點火橋膜的表征

      2.1.1 SEM分析

      Al-CuO/GO含能點火橋膜表面SEM圖見圖2。

      圖2 Al-CuO/GO含能點火橋膜表面SEM圖

      從圖2中可以看到,薄膜表面是以GO片層為骨架堆積的多孔結(jié)構(gòu),GO片層上均勻負(fù)載了CuO納米顆粒,Al納米粒子被包裹在GO片層骨架中,因此在復(fù)合膜中分布均勻,沒有形成團(tuán)聚。圖3是Al-CuO/ GO 含能點火橋膜橫截面的SEM圖,進(jìn)一步表明橋膜是以GO片層為骨架堆積的多孔結(jié)構(gòu),由圖3(a)可估計橋膜的厚度約為6μm。

      圖3 Al-CuO/GO含能點火橋膜橫截面SEM圖

      2.1.2 元素分析(EDS)

      對Al-CuO/GO含能點火橋膜表面進(jìn)行了元素分析,如圖4所示,Al-CuO/GO含能點火橋膜中包含Al、Cu、O、C、Pt、Si、Cl和Pb元素。其中,Si元素來自基底信號,Pt元素是由噴金處理引入,Cl和Pb元素含量很低,可以視為雜質(zhì)。

      圖4 Al-CuO/GO含能點火橋膜表面EDS圖

      2.1.3 DSC分析

      對Al-CuO/GO含能點火橋膜進(jìn)行取樣,并對其進(jìn)行DSC分析,氣氛為Ar,升溫速率為15℃/min,結(jié)果如圖5所示。

      圖5 Al-CuO/GO含能點火橋膜材料DSC曲線

      由圖5可知,Al-CuO/GO含能點火橋膜材料從187℃開始到650℃左右存在一個明顯的放熱過程,該放熱過程是GO片層中含氧基團(tuán)的分解放熱進(jìn)一步引發(fā)復(fù)合橋膜中的Al和CuO納米粒子發(fā)生固-固相放熱反應(yīng)。放熱過程又可分為3個階段:第1階段的峰值溫度為213℃,放熱量為158J/g;第2階段的峰值溫度為450℃,放熱量為1 485J/g;第3階段的峰值溫度為631℃,放熱量為233J/g。因此,Al-CuO/GO含能點火橋膜材料的總放熱量為1 876J/g。

      2.2 納米Al-CuO/氧化石墨烯含能點火橋膜的電爆性能實驗

      2.2.1 電爆現(xiàn)象

      利用高速攝影儀拍攝了在2 200μF、80V電容放電能量激發(fā)下Cu橋膜和納米Al-CuO/氧化石墨烯復(fù)合含能橋膜的電爆過程,分別如圖6~7所示,拍攝頻率為20 000幀/s。由圖6~7可知,與Cu橋膜相比,在相同電容放電能量激發(fā)下,納米Al-CuO/氧化石墨烯復(fù)合含能橋膜的電爆現(xiàn)象更劇烈,電爆過程持續(xù)時間更長。

      圖6 Cu橋膜的電爆過程

      圖7 納米Al-CuO/GO復(fù)合含能橋膜的電爆過程

      Cu橋膜和納米Al-CuO/GO復(fù)合含能橋膜在不同充電電壓條件下電爆后的顯微照片分別如圖8~9所示。

      圖8 Cu橋膜電爆后的顯微照片

      圖9 納米Al-CuO/氧化石墨烯復(fù)合含能橋膜電爆后的顯微照片

      由圖8(a)和圖9(a)可知,當(dāng)充電電壓為50V時,兩種橋膜的橋區(qū)部分都沒有發(fā)生電爆反應(yīng)。因為顯微探針端頭與Cu橋基的接觸電阻較大,所以在兩者接觸的位置發(fā)生了電爆反應(yīng)。當(dāng)充電電壓大于等于60V時,兩種橋膜的橋區(qū)均發(fā)生了電爆反應(yīng),并形成明顯的燒蝕氣化區(qū)。對比可以看出納米Al-CuO/GO復(fù)合含能橋膜的電爆反應(yīng)區(qū)比Cu橋膜的燒蝕氣化區(qū)面積更大。

      2.2.2 電爆特征曲線

      采用電容放電的方式對Cu橋膜和納米Al-CuO/ GO復(fù)合含能橋膜的電爆性能進(jìn)行測試。圖10是電容放電能量激發(fā)下Cu橋膜和納米Al-CuO/GO復(fù)合含能橋膜的典型電爆特征曲線,電爆條件為80V、2 200μF。由圖10電流、電壓變化曲線可知,在相同電容放電能量激發(fā)下,兩種橋膜具有不同的電爆特性。Cu橋膜只出現(xiàn)1個電壓峰,電流曲線從峰值快速下降至零;納米Al-CuO/GO復(fù)合含能橋膜出現(xiàn)了2個電壓峰,電流曲線在下降過程中出現(xiàn)劇烈震蕩,而且經(jīng)歷較長時間才降為零。

      圖10 電容放電能量激發(fā)下橋模的電爆特征曲線

      根據(jù)圖10(a)Cu橋膜電爆過程中的電壓與電流隨時間變化的特征曲線,可將Cu橋膜的電爆過程分為橋膜升溫、橋膜熔化、橋膜氣化和橋膜蒸氣離子化4個階段。Cu橋膜經(jīng)歷升溫過程后開始熔化,引起橋電阻減小,電流增大并達(dá)到第1峰值的最高點;橋膜發(fā)生氣化,引起橋電阻增大,電流減小,直到橋膜完全氣化;橋膜蒸氣發(fā)生熱電離,由于離子導(dǎo)電,電流上升,電壓開始迅速下降。隨著橋膜蒸氣向周圍擴(kuò)散,橋電阻迅速增大,電流下降直至中斷。

      根據(jù)圖10(b)納米Al-CuO/GO復(fù)合含能橋膜電爆過程中的電壓與電流隨時間變化的特征曲線,可將納米Al-CuO/GO復(fù)合含能橋膜的電爆過程分為Cu橋膜升溫、Cu橋膜熔化、Cu橋膜氣化及納米Al-CuO/GO復(fù)合含能橋膜發(fā)生化學(xué)反應(yīng)同時引發(fā)氣相產(chǎn)物發(fā)生熱電離4個階段。Cu橋膜升溫后首先開始熔化,引起橋電阻減小,電流增大;Cu橋膜發(fā)生氣化,引起橋電阻增大,電流減小;輸入電流的焦耳熱引發(fā)GO的分解放熱,并進(jìn)一步引發(fā)Al和CuO納米粒子的固-固相放熱反應(yīng)。一方面,放出的反應(yīng)熱引發(fā)氣相產(chǎn)物熱電離,由于離子導(dǎo)電,電流上升;另一方面,隨著氣相產(chǎn)物向周圍擴(kuò)散,橋電阻增大,電流下降。在這個階段,兩方面的現(xiàn)象同時存在,因此電流值發(fā)生劇烈波動。當(dāng)電爆反應(yīng)結(jié)束時,電流下降至零。電容容量(2 200μF)不變、不同充電電壓條件下Cu橋膜和納米Al-CuO/GO復(fù)合含能橋膜的電爆時間見表1和圖11。

      表1 電容容量(2 200μF)不變、不同充電電壓條件下的電爆時間(μs)

      Tab.1 Electrical explosion time under 2 200μF and different charging voltages

      圖11 電爆時間與充電電壓的關(guān)系

      由表1和圖11可知,兩種橋膜的電爆時間均隨著充電電壓的增大而減小。在相同充電電壓條件下,納米Al-CuO/GO復(fù)合含能橋膜的電爆時間比Cu橋膜更短。由DSC分析結(jié)果可知,復(fù)合橋膜從187℃即開始發(fā)生放熱反應(yīng),輸入較小的焦耳熱就能引發(fā)其電爆反應(yīng),因此復(fù)合橋膜的電爆時間相比Cu橋膜更短。

      能量利用效率是橋膜電爆轉(zhuǎn)換的能量(即消耗到橋膜電爆反應(yīng)上的能量)相對電容儲能能量的利用率。在電容容量(2 200μF)不變、不同充電電壓條件下,Cu橋膜和納米Al-CuO/GO復(fù)合含能橋膜的能量利用率見表2和圖12。

      表2 電容容量(2 200μF)不變、不同充電電壓條件下 的能量利用率 (% )

      Tab.2 Energy efficiency under 2 200μF and different charging voltages

      由表2和圖12可知,兩種橋膜的能量利用率均隨著充電電壓的增大而減小。當(dāng)充電電壓大于等于70V時,納米Al-CuO/GO復(fù)合含能橋膜的能量利用率高于Cu橋膜。

      圖12 能量利用率與充電電壓的關(guān)系

      2.2.3 納米Al-CuO/GO復(fù)合含能橋膜電爆過程的溫度變化

      采用雙譜線測溫法,利用自主研發(fā)的六通道光譜測溫儀測試了Cu橋膜和納米Al-CuO/氧化石墨烯復(fù)合含能橋膜電爆過程的溫度變化,測試條件為80V、2 200μF,結(jié)果如圖13所示。由圖13可知,Cu橋膜的電爆溫度只存在一個升溫過程,納米Al-CuO/GO復(fù)合含能橋膜的電爆溫度波動劇烈,且電爆峰值溫度明顯高于Cu橋膜。

      圖13 橋膜電爆過程的溫度變化曲線

      3 結(jié)論

      (1)通過靜電自組裝的方法將Al和CuO納米粒子均勻負(fù)載在GO片層上,并獲得了納米Al- CuO/GO復(fù)合含能材料的最佳制備工藝。利用電泳沉積法制備了納米Al-CuO/GO復(fù)合含能橋膜。通過SEM和EDS對制備的復(fù)合橋膜材料進(jìn)行了微觀結(jié)構(gòu)和元素組成表征,并利用DSC對其熱化學(xué)性能進(jìn)行了分析。

      (2)通過電容放電的激發(fā)方式,獲得了納米Al-CuO/GO復(fù)合含能橋膜的電爆特性,發(fā)現(xiàn)其電爆過程可分為Cu橋膜升溫、Cu橋膜熔化、Cu橋膜氣化及納米Al-CuO/GO復(fù)合含能橋膜發(fā)生化學(xué)反應(yīng)同時引發(fā)氣相產(chǎn)物發(fā)生熱電離4個階段。在相同能量激發(fā)下,納米Al-CuO/GO復(fù)合含能橋膜的電爆時間更短、能量利用率更高、釋放的能量更高。

      [1] Rossi C, Zhang K, Estève D, et al. Nanoenergetic materials for MEMS: a review [J]. Journal of Microelectromechanical Systems, 2007, 16(4): 919-931.

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      [4] Sullivan K T, Zhu C, Tanaka D J, et al. Electrophoretic deposition of thermites onto micro-engineered electrodes prepared by direct-ink writing [J]. The Journal of Physical Chemistry B , 2013(117): 1 686-1 693.

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      Study on Preparation and Electric Exploding Performance of Al-CuO/Graphene Oxide Energetic Igniting Bridge Film

      LI Ting-ting , LI Jia-kuan, HU Yan, YE Ying-hua, SHEN Rui-qi

      (School of Chemical Engineering, Nanjing University of Science and Techology, Nanjing, 210094)

      In this paper, Al-CuO/GO composite energetic materials were prepared by electrostatic self-assembly method and the best preparation conditions were obtained. Then, Al-CuO/GO energetic igniting bridge film was prepared on Cu substrates by electrophoretic deposition. Finally, electrical explosion performances of Al-CuO/GO energetic igniting bridge film was studied by capacitor discharge. The result shows that under the same energy excitation, the detonation time of Al-CuO/GO energetic igniting bridge film is shorter, the energy utilization rate is higher, and the energy that released is higher.

      Composite energetic materials;Graphene oxide; Electrostatic self-assembly;In-situ load method;Thermochemical properties;Electrical explosion properties

      TQ560.7

      A

      10.3969/j.issn.1003-1480.2018.01.004

      2017-12-20

      李婷婷(1991 -),女,在讀碩士研究生,主要從事新型火工品換能元研究。

      1003-1480(2018)01-0015-05

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