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      “物質(zhì)結(jié)構(gòu)與性質(zhì)”高考試題分析及復(fù)習(xí)策略

      2022-07-05 09:33:39陳興玲
      中學(xué)化學(xué) 2022年6期
      關(guān)鍵詞:物質(zhì)結(jié)構(gòu)與性質(zhì)核外電子電負(fù)性

      陳興玲

      一、“物質(zhì)結(jié)構(gòu)與性質(zhì)”試題分析

      1.考點分布統(tǒng)計

      “物質(zhì)結(jié)構(gòu)與性質(zhì)”是高考化學(xué)知識體系重要內(nèi)容,對深入認(rèn)識物質(zhì)、結(jié)構(gòu)與性質(zhì)的關(guān)系發(fā)揮重要作用,現(xiàn)將2018年—2021年四年全國卷考點分布統(tǒng)計結(jié)果列于表1。

      近四年高考真題考查角度有能層、能級、能量最低原理、泡利原理、洪特規(guī)則、狀態(tài)能量、第一電離能、第一電子親和能、鍵能、晶格能、電負(fù)性、晶胞密度計算、晶胞空間利用率、原子在空間的三維坐標(biāo)等。

      2.試題特點分析

      (1)試題以新結(jié)構(gòu)、新功能物質(zhì)為基礎(chǔ)命制試題,有利于開闊考生的科學(xué)視野,讓考生通過試題情境認(rèn)識化學(xué)學(xué)科價值。

      (2)試題突出了新課改的基礎(chǔ)性、應(yīng)用性、綜合性、時代性的特征。

      (3)難點為晶體結(jié)構(gòu)的分析與晶胞參數(shù)的計算。3.試題中涉及的化學(xué)學(xué)科思想和核心素養(yǎng)

      (1)宏觀辨識與微觀探析,從原子、分子水平上認(rèn)識物質(zhì),形成結(jié)構(gòu)決定性質(zhì)的觀念。

      (2)認(rèn)識物質(zhì)是由微粒組成的,微粒變化過程伴隨著能量變化,微粒之間存在著相互作用。

      (3)為了認(rèn)識微粒變化過程中體現(xiàn)出來的能量變化和性質(zhì)變化,建立概念、模型,形成模型認(rèn)知。

      二、“物質(zhì)結(jié)構(gòu)與性質(zhì)”知識總結(jié)

      2022年4月銀川市統(tǒng)考的情況,參加人數(shù)為6999人,選擇“物質(zhì)結(jié)構(gòu)與性質(zhì)”人數(shù)6745人,占比為96.37%,平均分為9.3分,錯誤率較高的有核外電子排布式、電離能、晶胞微粒數(shù)與晶胞密度計算。結(jié)合近4年來高考卷出現(xiàn)的高頻點及學(xué)生的迷惑點,辨析迷思概念,做到查漏補缺,提高復(fù)習(xí)策略。

      1.核外電子的空間狀態(tài)

      量子力學(xué)把原子核外單個電子的空間運動狀態(tài)稱為原子軌道。

      核外電子的運動狀態(tài):包括空間運動狀態(tài)和自旋運動狀態(tài),即有多少個電子就有多少種運動狀態(tài)。

      比如:C的核外電子運動狀態(tài)為6種,核外電子的空間狀態(tài)為4種,C核外電子能量有3種,等于能級數(shù)。C:1s22s22p2共有3個能級,同一能級的電子能量是相等的。

      小結(jié):核外電子的空間運動狀態(tài)看軌道數(shù),核外電子的運動狀態(tài)看電子數(shù),核外電子能量有幾種,看能級數(shù)。

      例1(2021山東題16)基態(tài)F原子核外電子運動狀態(tài)有種。

      點撥基態(tài)F有9個電子,因此,核外電子運動狀態(tài)有9種

      例2(2021河北題17)原子中運動的電子有兩種相反的自旋狀態(tài),若一種自旋狀態(tài)用+1/2表示,與之相反的用—1/2表示,稱為電子的自旋磁量子數(shù),對于基態(tài)的磷原子,其價電子自旋量子數(shù)的代數(shù)和為。

      點撥寫出15P的價電子排布圖:

      由圖,可得出答案為+3/2或—3/2

      例3(2021全國乙卷題35)判斷正誤:4s電子能量較高,總是在比3s電子離核更遠(yuǎn)的地方運動()。

      點撥(1)根據(jù)電子能量差異和主要運動區(qū)域的不同,認(rèn)為原子核外電子處于不同的電子層上。(2)原子軌道與宏觀物體的運動軌跡不同,也不同于玻爾提出的原子軌道,它是指量子力學(xué)描述電子在原子核外空間運動的主要區(qū)域,因此,本題說法錯誤。

      2.基態(tài)原子核外電子排布的四種方法(以26Fe為例)

      電子排布式:2Fe:1s22s22p3s23p3d°4s 簡化表示式:Fe:[Ar]3d°4s 價電子排布式:3d°4s2

      價電子排布圖(或軌道表示式):

      Fe3+價電子排布式:3d

      Fe2+價電子排布式:3d

      例4(2021廣東題20)基態(tài)硫原子價電子排布式:3s23p4

      例5(2021河北題17)在KH2PO4的四種組成元素各自所能形成的簡單離子中,核外電子排布相同的是填(離子符號)。

      點撥 K+:1s22s22p3s3p P3-:1s22s22p3s23p6 O2-:1s22s22p 答案:K+和P3- 3.第一電離能

      第一電離能為氣態(tài)電中性基態(tài)原子失去1個電子轉(zhuǎn)化為氣態(tài)基態(tài)正離子所需要吸收的最低能量。

      He第一電離能(11)最大。

      同主族元素:從上到下,1減小;同周期元素:從左到右,1,增大。

      H的1,在I1(C)與11(0)之間。

      特例:價電子數(shù)為2與3,5與6的元素其1大小順序發(fā)生變化。比如I1(N)>11(O)。

      p/d軌道全滿/半滿/全空的元素1,偏大。

      例6(2021重慶題18)元素Mg、0和C的第一電離能由小到大排序為.

      點撥 L(Be)>I1(Mg),根據(jù)周期表中位置可知:L1(Mg)例7(2018新課標(biāo)II)黃銅是人類最早使用的合金之一,主要由Zn和Cu組成。第一電離能L(Zn)_L1(Cu)(填“大于”或“小于”)。原因是。

      點撥 Zn電子排布式為[Ar]3d104s2,Zn為4s2全滿而4p全空,能量較低,較難失去電子;Zn的1,較大;Cu為[Ar]3d104s',Cu容易失去最外層4s'電子,第一電離能較小。

      例8(2020高考新課標(biāo)卷I)Goodenough 等人因在鋰離子電池及鈷酸鋰、磷酸鐵鋰等正極材料研究方面的卓越貢獻(xiàn)而獲得2019年諾貝爾化學(xué)獎。回答下列問題:

      (1)Li及其周期表中相鄰元素的第一電離能(11)如表所示(表略)。L1(Li)>I1(Na),原因是。L1(Be)>I1(B)>I1(Li),原因是。

      點撥 Na與Li同主族,Na的電子層數(shù)更多,原子半徑更大,故第一電離能更小。Li,Be和B為同周期元素,同周期元素從左至右,第一電離能呈現(xiàn)增大的趨勢,但由于基態(tài)Be原子的s能級軌道處于全充滿狀態(tài),能量更低更穩(wěn)定,故其第一電離能大于B的第一電離能。

      4.電負(fù)性

      電負(fù)性為描述原子對鍵合電子吸引力大小。(1)電負(fù)性大小比較

      ①同一周期從左到右,主族元素電負(fù)性逐漸增大;同一主族從上到下,元素電負(fù)性逐漸減小。②非金屬元素的電負(fù)性大于金屬元素的電負(fù)性。③顯負(fù)化合價的元素電負(fù)性大于顯正化合價的元素電負(fù)性。

      例9(2021湖南題18)H、C、O的電負(fù)性由小到大的順序為。

      答案為H(2)電負(fù)性與化學(xué)鍵形成

      ①元素原子電負(fù)性越大,對鍵合電子吸引力越強,該元素顯負(fù)價。②形成配位鍵時,電負(fù)性越小,越容易向中心離子提供孤電子對。

      例10(2021重慶題18)Ni與CO在60℃—80℃時反應(yīng)生成Ni(CO)。氣體,在Ni(CO),分子中與Ni形成配位鍵的原子是。

      點撥電負(fù)性:C<0,因此,與Ni形成配位鍵的原子是C。

      (3)電負(fù)性與鍵角大小

      當(dāng)中心原子種類不同(同主族)但雜化類型相同,且配位原子相同時,中心原子的電負(fù)性越大,成鍵電子對更靠近中心原子,成鍵電子對間斥力更大,鍵角更大。

      例11(2020年山東題17)NH3、PH3、AsH3 的沸點由高到低的順序為(填化學(xué)式,下同),還原性由強到弱的順序為,鍵角由大到小的順序為。

      解析結(jié)構(gòu)相似的分子,相對分子質(zhì)量越大物質(zhì)的熔沸點越高,另外分子間能形成氫鍵的物質(zhì),熔沸點則較高,鍵角的大小取決于中心原子的雜化類型、孤電子對數(shù)、成鍵電子對與成鍵電子對之間的斥力大小。答案為:NH3、AsH3、PH3;AsH3、PH3、NH3;NH3、PH3、AsH3。

      5.鍵能與晶格能

      鍵能指氣態(tài)分子中1mol化學(xué)鍵解離成氣態(tài)原子所吸收的能量。

      晶格能為氣態(tài)離子形成1摩爾離子晶體釋放的能量。

      例12(2018新課標(biāo)卷)(4)Li20是離子晶體,其晶格能可通過圖1的Born—Haber循環(huán)計算得到。

      可知,Li原子的第一電離能為kJ·mol-,0=0鍵鍵能為_kJ·mol-',Li20晶格能為_kJ·mol-。

      點撥第一電離能是氣態(tài)電中性基態(tài)原子失去一個電子轉(zhuǎn)化為氣態(tài)基態(tài)正離子所需要的最低能量,根據(jù)示意圖可知Li原子的第一電離能是1040 kJ/mol÷2=520 kJ/mol;0.5mol氧氣轉(zhuǎn)化為氧原子時吸熱是249kJ,所以0=0 鍵能是249 kJ/molx2=498 kJ/mol;晶格能是氣態(tài)離子形成1摩爾離子晶體釋放的能量,根據(jù)示意圖可知Li2O的晶格能是2908 kJ/mol。

      6.鍵角

      例13(2021全國乙卷)H2O鍵角小于NH3鍵角的原因是:。

      點撥 H2O和NH3均為sp3雜化,H2O有兩個孤電子對,NH3有1個孤電子對,孤電子對多,斥力大,鍵角小。

      鍵角問題解題模型:

      雜化方式:sp>sp2>sp3

      孤電子對多少:孤電子對多,斥力大,鍵角小。

      元素電負(fù)性差異:中心原子電負(fù)性大,鍵角大,端原子電負(fù)性大,鍵角小。

      7.軌道雜化與空間構(gòu)型

      例14(2021全國甲卷)(1)太陽能電池板主要材料為單晶硅或多晶硅。Si的價電子層的電子排布式為;單晶硅的晶體類型為。SiCl,是生產(chǎn)高純硅的前驅(qū)體,其中Si采取的雜化類型為。SiCl,可發(fā)生水解反應(yīng),機理如下:

      含s、p、d軌道的雜化類型有:①dsp2、②sp3d、③sp3d2,中間體SiCl4(H2O)中Si采取的雜化類型為(填標(biāo)號)。

      點撥(1)基態(tài)Si原子的核外電子排布式為1s22s2p3s23p2,因此Si的價電子層的電子排式為3s23p2;晶體硅中Si原子與Si原子之間通過共價鍵相互結(jié)合,整塊晶體是一個三維的共價鍵網(wǎng)狀結(jié)構(gòu),因此晶體硅為原子晶體;SiCl,中Si原子價層電子對數(shù)為4,因此Si原子采取sp3雜化;由圖可知,SiCl(H2O)中Si原子的8鍵數(shù)為5,說明Si原子的雜化軌道數(shù)為5,由此可知Si原子的雜化類型為sp3d,故答案為:3s23p2;原子晶體(共價晶體);sp3;②;

      例15(2021河北題17)與PO—電子總數(shù)相同的等電子體的分子式為:。

      點撥PO4-等電子體:SO24-、CIO、CCl4、 CF、SiCl4、SiF

      8.配位鍵 [Cu(NH3)4]SO4

      例16(2018年江蘇題21)[Fe(H2O)。]2+與NO反應(yīng)生成的[Fe(NO)(H2O),]2+中,NO以 N原子與Fe2+形成配位鍵。請在[Fe(NO)(H2O)3]2+結(jié)構(gòu)示意圖的相應(yīng)位置補填缺少的配體。

      易錯提醒(1)原子在化學(xué)變化中先失去最外層的電子;(2)注意配位鍵中的電子對由配位原子提供,故在配合物的結(jié)構(gòu)示意圖中,一定要注意配位原子與中心原子直接相連。

      9.物質(zhì)熔沸點比較問題

      例17(2021全國甲卷)甲醇的沸點為(64.7℃)介于水(100℃)和甲硫醇(CH,SH,7.6℃)之間,其原因是。

      點撥甲硫醇不能形成分子間氫鍵,而水和甲醇可形成分子間氫鍵,且水比甲醇的氫鍵多。

      例18(2021山東卷)OF2的沸點(填“高于”或“低于”)Cl2O,原因是。

      點撥 OF2的沸點低于Cl2O,原因是:二者同屬于分子晶體,Cl2O相對分子質(zhì)量更大,范德華力大,熔沸點更高。

      例19(2020年新課標(biāo)卷II)鈣鈦礦(CaT—iO3)型化合物是一類可用于生產(chǎn)太陽能電池、傳感器、固體電阻器等的功能材料,回答下列問題:

      (2)Ti的四鹵化物熔點如表2所示,TiF熔點高于其他三種鹵化物,自TiCl,至TiI,熔點依次升高,原因是。

      (3)CaTiO3組成元素的電負(fù)性大小順序是;金屬離子與氧離子間的作用力為。

      點撥一般不同類型晶體的熔沸點順序是原子晶體>離子晶體>分子晶體,TiF,是離子晶體,其余三種則為分子晶體,故TiF4的熔點高于其余三種物質(zhì);TiCl、TiBr4、TiI,均為分子晶體,對于結(jié)構(gòu)相似的分子晶體,則其相對分子質(zhì)量越大,分子間作用力依次越大,熔點越高。

      CaTiO3晶體中含有Ca、Ti、O三種元素,Ca、Ti是同為第四周期的金屬元素,Ca在Ti的左邊,根據(jù)同一周期元素的電負(fù)性從左往右依次增大,故Ti>Ca,O為非金屬,故其電負(fù)性最強,故三者電負(fù)性由大到小的順序是:O>Ti>Ca。

      熔沸點比較問題解題模型:狀態(tài):氣態(tài)>液態(tài)>固態(tài)

      晶體類型:一般為原子晶體>離子晶體>分子晶體

      影響因素:電荷及半徑、鍵長、相對分子質(zhì)量及分子極性、價電子多少。

      10.晶體和晶胞

      (1)長方體中均攤法

      微粒處于頂點:1個晶胞平均占用1/8個微粒微粒處于棱上:1個晶胞平均占用1/4個微粒微粒處于面上:1個晶胞平均占用1/2個微粒微粒處于體心:1個晶胞平均占用1個微粒(2)非長方體晶胞中粒子視具體情況而定①三棱柱:微粒處于頂點:1個晶胞平均占用1/12個微粒

      微粒處于側(cè)棱:1個晶胞平均占用1/6個微粒微粒處于側(cè)面:1個晶胞平均占用1/2個微粒微粒處于底面:1個晶胞平均占用1/2個微粒微粒處于底邊:1個晶胞平均占用1/4個微粒微粒處于體心:1個晶胞平均占用1個微粒②六棱柱:微粒處于頂點,1個晶胞平均占用1/6個微粒

      微粒處于側(cè)棱:1個晶胞平均占用1/3個微粒微粒處于側(cè)面:1個晶胞平均占用1/2個微粒

      微粒處于底邊:1個晶胞平均占用1/4個微粒

      微粒處于底面:1個晶胞平均占用1/2個微粒

      微粒處于體心:1個晶胞平均占用1個微粒晶胞中微粒配位數(shù)的思維模板:

      金屬晶體中金屬原子的配位數(shù):一個金屬原子周圍最鄰近的金屬原子數(shù)目

      離子晶體中離子配位數(shù):一個離子周圍最鄰近的異電性離子數(shù)目

      例20(2021全國甲卷)我國科學(xué)家發(fā)明了高選擇性的二氧化碳加氫合成甲醇的催化劑,其組成為ZnO/ZrO2固溶體。四方ZrO2晶胞如圖2所示。Zr+離子在晶胞中的配位數(shù)是,晶胞參數(shù)為a pm、a pm、cpm,該晶體密度為

      g·cm—3(寫出表達(dá)式)。在ZrO2中摻雜少量ZnO后形成的催化劑,化學(xué)式可表示為Zn,Zr1,O,,則y=(用x表達(dá))。

      點撥以晶胞中右側(cè)面心的Zr4+為例,同一晶胞中與Zr4+連接最近且等距的0—數(shù)為4,同理可知右側(cè)晶胞中有4個02—與Zr+相連,因此Zr4+離子在晶胞中的配位數(shù)是4+4=8;1個晶胞中含有4個ZrO2微粒,1個晶胞的質(zhì)量,1個晶胞的 N體積為,因此該晶體密度;在 ZrO2中摻雜少量ZnO后形成的催化劑,化學(xué)式可表示為Zn,Zr1,O,,其中Zn元素為+2價,Zr元素為+4價,0元素為—2價,根據(jù)化合物化合價代數(shù)和為0可知:2x+4x(1—x)=2y,解得y=2-x。

      三、復(fù)習(xí)教學(xué)策略

      認(rèn)真研究化學(xué)課程標(biāo)準(zhǔn)和高考評價體系,對教學(xué)重點進(jìn)行細(xì)致分析,對簡單內(nèi)容以導(dǎo)學(xué)案方式或小組合作方式引導(dǎo)學(xué)生自主學(xué)習(xí),對難點進(jìn)行師生互動探討和學(xué)習(xí)。

      充分利用多媒體和教學(xué)模型提高教學(xué)效果,增強趣味性,調(diào)動學(xué)生學(xué)習(xí)積極性,也可以利用化學(xué)實驗配合課堂教學(xué),利用思維導(dǎo)圖幫助學(xué)生進(jìn)行歸納、整理和復(fù)習(xí)構(gòu)建知識體系。

      (收稿日期:2022—04—20)BE1DC667-ABB2-4CF6-804A-C48F57AF9BBA

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