3月15日消息，繼2016年12月起訴三星、高通和格羅方德侵害技術(shù)專利，要求支付專利許可費后，韓國高等科學(xué)技術(shù)研究院（KAIST）旗下專利管理公司KAIST IP近日再次在美國對三星電子和高通公司提起專利侵權(quán)訴訟，聲稱其侵犯了有關(guān)關(guān)鍵半導(dǎo)體技術(shù)的專利。2018年6月，美國德克薩斯州的一個聯(lián)邦陪審團認(rèn)定三星侵犯與FinFET技術(shù)有關(guān)的美國專利6，885，055，裁定三星支付4億美元賠償，高通和格羅方德也被認(rèn)定侵權(quán)但未被判令賠償。但據(jù)KAIST IP訴稱，被告并未停止侵犯KAIST的專利，并繼續(xù)利用FinFET技術(shù)開發(fā)和商業(yè)化新產(chǎn)品。訴狀是在2019年2月14日遞交給法院的，KAIST IP認(rèn)為三星在判決后繼續(xù)把其技術(shù)應(yīng)用在蓋樂世S8、S9、Note 8、Note 9等智能手機和Exynos Modem 5100芯片等產(chǎn)品，以及支持驅(qū)動程序的信息娛樂系統(tǒng)中，進一步違反專利法?！癋inFET”技術(shù)被認(rèn)為是目前高性能手機中重要的核心技術(shù)之一，且已經(jīng)被多家企業(yè)用在自家產(chǎn)品上。但三星對此認(rèn)為KAIST專利技術(shù)與三星的生產(chǎn)方法存在差異，二者并不相同。