離子注入
- N離子不同注入能量對(duì)鎂合金表面鈦膜性能的影響
行化學(xué)轉(zhuǎn)化、離子注入等，可以提升其耐腐蝕和耐摩擦性能。肖澤輝等［2］對(duì)鎂合金表面進(jìn)行激光處理，改變了表面合金成分，細(xì)化了表面晶粒，從而提高了合金的耐腐蝕和耐摩擦性能。譚雪霏等［3］對(duì)AZ3l 鎂合金表面進(jìn)行鈦離子注入試驗(yàn)，結(jié)果表明，經(jīng)過鈦離子注入之后，鎂合金表面硬度有所提高，但是鎂合金改性層摩擦因數(shù)并沒有降低，耐摩擦性能有所提高。劉洪喜等［4］在AZ31 鎂合金基體的表面進(jìn)行N、Ti 離子注入試驗(yàn)，發(fā)現(xiàn)經(jīng)過處理后的鎂合金表層顯微硬度提高了近50%。Zhu
河南科技 2023年16期2023-10-10
- 氮離子注入對(duì)金蓮花種子發(fā)芽率及幼苗生理特性的影響
品種［9］。離子注入裝置的示意圖如圖1 所示。與傳統(tǒng)的X、γ 射線等輻射技術(shù)相比，離子束誘變具有作用效應(yīng)局部、可控［10］、損傷輕、存活率和突變率高等特點(diǎn)［11-12］，已越來越多地應(yīng)用于谷物［13］、經(jīng)濟(jì)作物［14］、花卉［15］等植物的誘變育種。圖1 離子注入裝置示意圖Fig.1 Schematic diagram of ion implantation machine前人研究表明，一定劑量的離子注入可刺激植物的生長發(fā)育。例如，張紅等［16］研究發(fā)現(xiàn)，
核農(nóng)學(xué)報(bào) 2023年10期2023-09-06
- 離子注入劑量對(duì)鎂合金表面鈦膜的性能影響
化、離子鍍、離子注入、激光表面處理等方法［2］。王成龍等［3］提出采用真空多弧離子鍍膜技術(shù)對(duì)鎂及鎂合金的表面進(jìn)行防護(hù)，結(jié)果顯示制備的多層膜擁有良好的摩擦耐蝕性能。林波等［4］采用單離子注入和雙離子注入的方法對(duì)AZ91鎂合金進(jìn)行試驗(yàn)，發(fā)現(xiàn)經(jīng)不同離子注入后試樣表面形成了AlN、Cr和CrN等新的物相，試樣的腐蝕電位較基體和試樣顯微硬度都有所提高。陶學(xué)偉等［5］通過注入Ti、N、Cr、Al離子發(fā)現(xiàn)，Ti、N單離子注入后鎂合金表面硬度提高最為明顯。任志華等［6］利
河南科技 2023年4期2023-03-13
- 180 nm 嵌入式閃存工藝中高壓NMOS器件工藝加固技術(shù)
STI）場區(qū)離子注入工藝對(duì)180 nm 嵌入式閃存工藝中的高壓NMOS 器件進(jìn)行加固,實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明該加固器件存在兩個(gè)主要問題: 1)淺槽刻蝕后進(jìn)行離子注入,后續(xù)熱工藝較多,存在顯著的雜質(zhì)再分布效應(yīng),導(dǎo)致STI 側(cè)壁離子濃度降低,經(jīng)過1×105 rad (1 rad=10–2 Gy)(Si)輻照后,器件因漏電流增大而無法關(guān)斷;2)加固離子注入降低了漏區(qū)PN 結(jié)擊穿電壓,不能滿足實(shí)際應(yīng)用需求.為解決上述問題,本文提出了一種新型部分溝道離子注入加固方案.該方案調(diào)
物理學(xué)報(bào) 2022年23期2022-12-14
- N離子注入改善2195鋁鋰合金的耐磨和腐蝕性能
耐腐蝕性能。離子注入技術(shù)使離子與材料表面發(fā)生相互作用，導(dǎo)致材料表面的成分、結(jié)構(gòu)和性能會(huì)發(fā)生變化，使得表面性能變得更好［10-12］。Savaloni等［13］發(fā)現(xiàn)氮離子注入鋁合金后可以通過降低腐蝕速率和增加疲勞循環(huán)次數(shù)來提高耐腐蝕性能。陳勇忠等［14］將氮離子注入鋁的表面，離子注入劑量增大到一定程度，鋁的表面會(huì)有AlN出現(xiàn)，這將加強(qiáng)鋁表面的耐腐蝕性。郭紅偉等［15］采用滲氮工藝提升了不銹鋼基體的耐磨性能。離子注入技術(shù)是提高合金表面性能的有效手段，本文對(duì)21
電鍍與精飾 2022年11期2022-11-15
- 碳離子注入金剛石制備氮空位色心的機(jī)理*
方法,低能碳離子注入具有要求金剛石純度低、不引入新的雜質(zhì)原子等優(yōu)點(diǎn),但其氮空位色心的形成機(jī)理尚不明確.本文采用低能碳離子注入和真空退火工藝在金剛石淺表層創(chuàng)建氮空位色心,并通過拉曼光譜、X 射線光電子能譜以及正電子湮沒分析,揭示了碳離子注入金剛石制備氮空位色心的機(jī)理.結(jié)果表明: 碳離子注入金剛石在950 ℃真空退火后呈現(xiàn)出顯著的氮空位色心發(fā)光.碳離子注入后金剛石淺表層表現(xiàn)出晶格畸變與非晶碳的損傷區(qū),并產(chǎn)生了碳-空位簇缺陷(包裹碳原子的空位簇).在真空退火過程
物理學(xué)報(bào) 2022年18期2022-09-30
- Eu3+離子注入β-Ga2O3單晶的應(yīng)力變化和發(fā)光性質(zhì)研究
大的挑戰(zhàn)性。離子注入不受離子固溶度的限制，而且可以根據(jù)需要進(jìn)行選區(qū)摻雜，從而受到了研究者的重視。目前，關(guān)于Eu3+離子注入β-Ga2O3單晶的研究還比較少，特別在離子注入后造成的結(jié)構(gòu)應(yīng)力變化，以及缺陷影響稀土離子發(fā)光性能方面仍相對(duì)比較欠缺，因此需要進(jìn)一步探究。本文采用離子注入法，將不同劑量的Eu3+離子注入到β-Ga2O3單晶中，然后在空氣中進(jìn)行退火處理。通過拉曼散射和X射線衍射研究了不同Eu3+離子注入劑量及退火前后對(duì)β-Ga2O3結(jié)構(gòu)的變化。最后，利用
人工晶體學(xué)報(bào) 2022年4期2022-05-17
- Ni-C離子注入316L不銹鋼表面硬度與耐蝕性能的研究
[16]采用離子注入手段，將碳元素注入到316L不銹鋼基體，其中，不銹鋼中鉻元素能夠提高其耐蝕性，C與Cr會(huì)由于強(qiáng)烈的化學(xué)親和力而反應(yīng)生成復(fù)雜的碳化物，所以碳元素的存在會(huì)降低不銹鋼材料固溶體中的鉻元素含量。不銹鋼的耐蝕性會(huì)隨著碳元素含量的增加而降低，因?yàn)樯鲜鼋Y(jié)論的前提條件時(shí)保持物相狀態(tài)的平衡，所以采用離子注入進(jìn)行表面改性在很大程度上解決了這一問題，前面曾提到可以在非平衡狀態(tài)下使碳元素富集于不銹鋼表面。石墨材料的導(dǎo)電性優(yōu)良而且化學(xué)惰性高，有研究表明，當(dāng)碳元素
現(xiàn)代交通與冶金材料 2022年2期2022-03-29
- 基于全球離子注入機(jī)行業(yè)現(xiàn)狀探析中國離子注入機(jī)突破之路
1）0 引言離子注入決定著半導(dǎo)體芯片內(nèi)部結(jié)構(gòu)器件的最基礎(chǔ)性能，是集成電路制造工藝中十分重要的環(huán)節(jié)。離子注入環(huán)節(jié)是僅次于光刻工藝的重要環(huán)節(jié)，離子注入效果決定了芯片內(nèi)部結(jié)構(gòu)中器件的最基本、最核心性能。離子注入機(jī)在晶圓制造工藝設(shè)備市場規(guī)模中占比3%左右，據(jù)賽迪顧問統(tǒng)計(jì)，2020年離子注入機(jī)市場規(guī)模達(dá)18億美元，未來將達(dá)到30億～40億美元。離子注入機(jī)的市場高度集中，全球離子注入機(jī)主要被美國、日本企業(yè)壟斷。1 離子注入機(jī)原理及其產(chǎn)業(yè)鏈1.1 工作原理在集成電路制造
電子元器件與信息技術(shù) 2022年1期2022-03-26
- 離子注入技術(shù)在n型太陽電池中的應(yīng)用研究
較多。本文將離子注入技術(shù)引入n-PERT電池制備過程中，離子注入技術(shù)較常規(guī)擴(kuò)散技術(shù)具有摻雜均勻性好，可實(shí)現(xiàn)低濃度摻雜，提高光電轉(zhuǎn)換效率等優(yōu)勢，同時(shí)將BBr3熱擴(kuò)散和磷離子注入后的熱退火相結(jié)合，一步高溫過程同時(shí)完成發(fā)射極和背場摻雜，簡化工藝步驟，降低制造成本。本文主要研究內(nèi)容有：第一，離子注入N-PERT的電池結(jié)構(gòu)及制備過程。第二，分析離子注入技術(shù)對(duì)n-PERT太陽電池背場摻雜均勻性和電池參數(shù)的影響。1 樣品制備N-PERT電池是一種典型的雙面電池，如圖1所
科學(xué)與信息化 2021年17期2021-06-28
- 高效率N型離子注入太陽電池技術(shù)的研究
英葉 陳志軍離子注入技術(shù)已經(jīng)成功的從IC(集成電路)制造中延伸到了太陽能池的制造過程中，并且成為N型單晶太陽能池的研究熱點(diǎn)。我們?cè)陔娮杪蕿?-3Ω.cm的N型硅片基底上，采用離子注入技術(shù)工業(yè)化生產(chǎn)的太陽能電池的最高效率達(dá)到12.2%，平均轉(zhuǎn)化效率為20.9%。我們還進(jìn)行了離子注入摻雜技術(shù)對(duì)方塊電阻的摻雜曲線、均勻性、及電池參數(shù)的影響研究。1 研究背景與內(nèi)容高效率低成本是太陽能電池技術(shù)的發(fā)展方向，電池效率的提升將依賴于新材料，新結(jié)構(gòu)，新工藝的建立。目前P型硅
電子世界 2021年6期2021-04-11
- 基于離子注入制備的InGaN橫向Micro-LED陣列
備手段當(dāng)中，離子注入是一種常用的隔離工藝，具有大尺寸、重復(fù)性高、均勻性好和易于控制等適用于大規(guī)模工業(yè)化生產(chǎn)的優(yōu)點(diǎn)，常用于氮化鎵基高遷移率晶體管[16]。也有研究人員將該方法用于垂直結(jié)構(gòu)Micro-LED陣列的制備[17]，但暫沒有采用離子注入的新穎方法進(jìn)行橫向結(jié)構(gòu)超小尺寸Micro-LED陣列的制備研究。因而我們選擇在LED外延片上通過引入特定區(qū)域的高阻態(tài)以隔離出所需要的器件工作區(qū)域，從而實(shí)現(xiàn)基于離子注入隔離的微型發(fā)光二極管的制備。同時(shí)，常規(guī)ICP干法蝕刻
發(fā)光學(xué)報(bào) 2021年2期2021-03-05
- 離子注入對(duì)聚四氟乙烯覆銅板黏結(jié)性能的影響
。楊峰等將鎳離子注入PTFE 表面，使其表面接觸角由104°下降至67°，浸潤性提高[10]。國內(nèi)對(duì)于特種環(huán)境用純PTFE 覆銅板的相關(guān)研究報(bào)道較少，基本沒有通過離子注入結(jié)合磁過濾等離子體沉積制備改性PTFE 覆銅板的報(bào)道。相比磁控濺射技術(shù)，磁過濾沉積技術(shù)所產(chǎn)生的等離子體具有更高的能量，有利于離子沉積，可以在基材表面沉積納米級(jí)的金屬薄膜[11]。與MEVVA離子注入技術(shù)相結(jié)合，可以使沉積膜的原子與基體原子混合，在界面上形成混合層，進(jìn)一步改善膜與基體間的黏結(jié)
航天器環(huán)境工程 2020年2期2020-10-31
- 離子注入對(duì)紅小豆農(nóng)藝性狀及產(chǎn)量的影響
本試驗(yàn)擬通過離子注入誘變技術(shù)，加快旱地紅小豆新品種的選育，不斷優(yōu)化紅小豆品種以達(dá)到農(nóng)業(yè)生產(chǎn)中穩(wěn)產(chǎn)、高產(chǎn)的目的。國內(nèi)農(nóng)業(yè)科研人員對(duì)紅小豆品種的選育、施肥量、施肥方式、栽培方式、除草劑的使用等進(jìn)行了大量的研究[5-11]。關(guān)于離子注入對(duì)紅小豆產(chǎn)量因素的影響研究很少，離子注入處理種子技術(shù)是一項(xiàng)農(nóng)業(yè)物理新技術(shù)，它具有一定的重復(fù)性和方向性的特點(diǎn)[12]。離子注入已被廣泛應(yīng)用于作物品種的選育與改良[13-14]，紅小豆播種前用離子注入機(jī)對(duì)種子進(jìn)行處理，目的是改變植株農(nóng)
山西農(nóng)業(yè)科學(xué) 2020年10期2020-10-16
- 離子注入技術(shù)在材料表面改性中的應(yīng)用及研究進(jìn)展
濤摘? 要：離子注入技術(shù)是在固體中引入摻雜劑離子的一種材料改性方法，它能有效改善材料的表面性能。本文分析了離子注入技術(shù)在材料表面改性中的應(yīng)用及發(fā)展趨勢。關(guān)鍵詞：離子注入;表面改性;發(fā)展趨勢離子注入技術(shù)是通過加高電壓將工件（金屬、合金、陶瓷等）放入離子注入機(jī)的真空靶室中，將所需元素的離子注入工件表面的過程。離子注入后，在材料表層增加注入元素及輻照損傷，以使材料的物理化學(xué)性能發(fā)生顯著變化。一、離子注入技術(shù)的應(yīng)用1、離子注入金屬材料。帶MEVVA（金屬蒸汽真空弧
- 氮化鎵中鉻含量的二次離子質(zhì)譜分析方法研究
氮化鎵材料中離子注入Cr的濃度，使用相對(duì)靈敏度因子法對(duì)氮化鎵中Cr含量定量分析，為相關(guān)生產(chǎn)工藝和實(shí)驗(yàn)研究提供參考。關(guān)鍵詞：氮化鎵;二次離子質(zhì)譜;離子注入;相對(duì)靈敏度因子氮化鎵材料禁帶寬度較大，是寬禁帶半導(dǎo)體之一，被廣泛用作微波功率晶體管和藍(lán)色光發(fā)光器件的生產(chǎn)制造原材料。氮化鎵材料的探究與使用是目前全世界半導(dǎo)體領(lǐng)域的創(chuàng)新和重點(diǎn)，是制造微電子器件和光電子器件的新一代半導(dǎo)體材料，并與碳化硅等半導(dǎo)體材料一并被稱為是繼第一代硅、鍺半導(dǎo)體材料、第二代砷化鎵、磷化銦化合
科技風(fēng) 2020年10期2020-04-10
- 基于離子注入隔離的微縮化發(fā)光二極管陣列性能*
09)基于F離子注入隔離技術(shù)實(shí)現(xiàn)一種新型微縮化發(fā)光二極管(micromicro-LED)陣列器件,并系統(tǒng)研究注入能量及發(fā)光孔徑對(duì)micro-LED陣列器光電性能的影響.研究結(jié)果表明:相比于F離子50 keV單次注入器件,50/100 keV兩次注入器件具有更好的光電性能,器件反向漏電降低8.4倍,光輸出功率密度提升1.3倍.同時(shí),在不同的發(fā)光孔徑 (6,8,10 μm)條件下,器件反向漏電流均為 3.4×10–8 A,但正向工作電壓隨孔徑增大而減小,分別為
物理學(xué)報(bào) 2020年2期2020-02-18
- 低能N+離子注入誘變選育金耳多糖高產(chǎn)菌株的研究
的理想材料。離子注入微生物是通過離子注入誘變出發(fā)菌株，通過對(duì)目標(biāo)性狀的生物效應(yīng)分析，篩選獲得高產(chǎn)、高效的突變菌株[4]。此方法在金耳人工誘變育種中尚未見報(bào)道，筆者進(jìn)行了低能氮離子注入誘變選育金耳的試驗(yàn)，旨在為金耳選育提供參考。1 材料與方法1.1 供試材料供試金耳菌株:金耳酵母狀分生孢子菌株TA08，由江蘇省蘇微微生物研究有限公司分離得到，改良PDA培養(yǎng)基4℃保存。培養(yǎng)基:改良PDA培養(yǎng)基為馬鈴薯200 g煮汁，葡萄糖20 g，KH2PO41 g，MgSO
食用菌 2019年5期2019-10-08
- 離子注入紅蕓豆種子生物效應(yīng)分析
30031）離子注入已被廣泛應(yīng)用于作物品種的選育與改良[1-3]，它在植物育種和改良應(yīng)用中表現(xiàn)出損傷輕、正突變率高、突變譜廣、有一定的重復(fù)性和方向性等特點(diǎn)[4]。紅蕓豆是我國的一種主要雜糧作物，主要分布在北方和西南高寒冷涼地區(qū)，種植面積較廣[5]，其中，山西省是我國紅蕓豆主產(chǎn)地之一。紅蕓豆為食用豆中普通菜豆矮生直立型的一個(gè)品種，營養(yǎng)價(jià)值和經(jīng)濟(jì)價(jià)值較高，近年來種植面積逐步增加[5]。為提高紅蕓豆產(chǎn)量，國內(nèi)科研人員已在品種、生長環(huán)境、栽培方式及施肥技術(shù)等方面進(jìn)
山西農(nóng)業(yè)科學(xué) 2019年6期2019-06-19
- 鍺(Ge)材料中砷(As)離子注入摻雜和退火激活的實(shí)驗(yàn)研究*
中原位摻雜和離子注入是Ge材料常用的兩種摻雜手段．原位摻雜雖然引入的位錯(cuò)比離子注入的低，但是原位摻雜對(duì)生長的條件要求比較苛刻，不易獲得高摻雜濃度，且不易形成平整的表面；對(duì)于離子注入方法，如何在鍺中形成高的n型雜質(zhì)激活濃度及n型淺結(jié)，同時(shí)避免摻雜損耗仍是目前研究的重點(diǎn)及難點(diǎn)．近年來，實(shí)驗(yàn)上也通過采取不同的退火激活條件來改善摻雜原子的擴(kuò)散問題[4-6]．目前對(duì)于n型摻雜原子的激活，主要有兩種退火方式：快速熱退火及激光退火．由于激光退火的退火時(shí)間很短，只有幾個(gè)納
材料研究與應(yīng)用 2019年4期2019-02-27
- 低能離子注入介導(dǎo)的異常漢遜酵母菌基因組重復(fù)序列的突變研究?
0 引言低能離子注入到生物細(xì)胞內(nèi)，可參與細(xì)胞的生理、生化反應(yīng)，并影響生物的進(jìn)化，其相互作用是一個(gè)極為復(fù)雜的物理學(xué)、化學(xué)和生物學(xué)過程[1,2]．低能離子注入生命體的方法和技術(shù)已廣泛應(yīng)用于植物和微生物的品種改良、生命起源與進(jìn)化、環(huán)境輻射與防護(hù)以及人類健康等領(lǐng)域[3?8]．重復(fù)序列是真核生物基因組中的重要組成部分，主要分為串聯(lián)重復(fù)序列和散在重復(fù)序列兩類[9]．基因組中的串聯(lián)重復(fù)序列包括衛(wèi)星DNA[10]、小衛(wèi)星DNA[11]和微衛(wèi)星DNA[12]．其中，微衛(wèi)星D
- 等離子體基低能氮離子注入金屬鈦的耐點(diǎn)蝕性能
光表面處理、離子注入等表面改性技術(shù)相繼用以提高其耐磨性能[1- 5].作為一種新型的低溫、低壓表面改性方法，等離子體基低能氮離子注入技術(shù)可在金屬表面形成高氮面心相或化合物，從而使其具有耐磨損腐蝕復(fù)合性能[6- 8]，對(duì)鈦及其鈦合金進(jìn)行氮離子注入表面改性可以顯著提高它的耐磨性[9]，但是關(guān)于表面改性層的耐點(diǎn)蝕性能的研究較少.本文采用等離子體基低能氮離子注入技術(shù)對(duì)純Ti試樣在700℃進(jìn)行表面滲氮處理，時(shí)間為4 h，同時(shí)采用電化學(xué)交流阻抗(EIS)測試技術(shù)和Zs
大連交通大學(xué)學(xué)報(bào) 2018年5期2018-10-31
- 低能離子注入對(duì)叢枝菌根真菌及其與蒺藜苜蓿共生的影響
組首先將低能離子注入技術(shù)應(yīng)用于農(nóng)作物的誘變育種，發(fā)現(xiàn)低能離子注入作為一種新的生物誘變?cè)淳哂袚p傷輕、突變率高、突變譜廣的特點(diǎn)。該技術(shù)關(guān)聯(lián)度高、影響面廣，用于農(nóng)作物和微生物育種取得一系列成果，是一種行之有效的誘變方法[1-4]。與此同時(shí)，低能離子注入的當(dāng)代刺激效應(yīng)也能夠促進(jìn)微生物和植物生長，這些作用對(duì)于物種的改良都十分重要。然而，關(guān)于低能離子注入對(duì)植物根部微生物影響的研究很少，限制它的應(yīng)用。叢枝菌根真菌(ArbuscularMycorrhizalfungi，A
安徽農(nóng)業(yè)科學(xué) 2018年26期2018-09-19
- 采用離子注入法對(duì)鐵和鋁合金表面改性專利技術(shù)發(fā)展趨勢
文分析了采用離子注入法對(duì)金屬表面改性的國內(nèi)外專利申請(qǐng)文獻(xiàn)，梳理了該領(lǐng)域的技術(shù)發(fā)展路線，歸納出國內(nèi)外核心專利特點(diǎn)以及研發(fā)熱點(diǎn)，同時(shí)對(duì)該領(lǐng)域未來發(fā)展趨勢進(jìn)行了預(yù)測。關(guān)鍵詞：離子注入；表面改性；核心專利中圖分類號(hào)：TG174.445 文獻(xiàn)標(biāo)識(shí)碼：A 文章編號(hào)：1003-5168（2018）21-0055-03Patent Overview of Metal Surface Modification by Ion ImplantationYU Huize ZHAO
河南科技 2018年21期2018-09-10
- 采用離子注入法對(duì)金屬表面改性專利技術(shù)綜述
于慧澤摘要：離子注入技術(shù)屬原子級(jí)表面加工技術(shù)，其具備改性效果明顯、效率高、可控性和可操作性強(qiáng)、無污染等優(yōu)點(diǎn)，在金屬材料、半導(dǎo)體器件、醫(yī)用抗菌等眾多領(lǐng)域應(yīng)用廣泛。本文分析了采用離子注入法對(duì)金屬表面改性的國內(nèi)外專利申請(qǐng)文獻(xiàn)，分析了該領(lǐng)域的專利申請(qǐng)量，歸納出申請(qǐng)人國別和應(yīng)用領(lǐng)域分布，同時(shí)對(duì)該領(lǐng)域未來發(fā)展趨勢進(jìn)行了預(yù)測。關(guān)鍵詞：離子注入；金屬；表面改性；核心專利中圖分類號(hào)：TG174.44 文獻(xiàn)標(biāo)識(shí)碼：A 文章編號(hào)：1003-5168（2018）24-0052-0
河南科技 2018年24期2018-09-10
- Eu摻雜GaN薄膜的陰極熒光特性
進(jìn)一步研究。離子注入是一種可精確控制摻雜濃度的方法，在本工作中，我們采用離子注入方法在GaN基質(zhì)中進(jìn)行了Eu離子的摻雜，退火后，Eu離子得到了活化。我們采用陰極熒光對(duì)Eu摻雜GaN的發(fā)光特性進(jìn)行了表征，對(duì)其中的能量傳遞機(jī)制進(jìn)行了深入分析。2 實(shí) 驗(yàn)采用MOCVD方法生長的氮化鎵[0001]方向的薄膜作為Eu離子注入的基質(zhì)，離子注入的能量為200 keV，注入方向與表面成10°夾角，注入劑量為1×1015atom/cm2。注入后，對(duì)樣品在常壓流動(dòng)氨氣下進(jìn)行了
發(fā)光學(xué)報(bào) 2018年9期2018-09-10
- 離子注入對(duì)杉木幼苗光合生理的影響
種選育周期。離子注入的生物效應(yīng)最早發(fā)現(xiàn)于20世紀(jì)80年代，近年來隨著離子注入技術(shù)的提高，在生物材料領(lǐng)域特別是農(nóng)業(yè)和林業(yè)領(lǐng)域取得了大量的成果[12]，研究發(fā)現(xiàn)離子注入種子、芽等材料后，不僅能提高作物的產(chǎn)量、品質(zhì)，而且結(jié)果具有高突變率和廣突變譜的特點(diǎn)，是比太空輻射和放射性同位素輻射更為安全經(jīng)濟(jì)的誘變新途徑。由于氮元素也是生物材料的重要組成元素，且氮離子容易獲得，因此氮離子注入是多年來主要采用的離子源；同時(shí)研究發(fā)現(xiàn)，同氮離子相比，鈦離子的誘變效果更佳[13-14
- 半導(dǎo)體與多種異質(zhì)結(jié)構(gòu)的磁性與調(diào)控
磁性調(diào)控 離子注入1 材料的鐵磁性半導(dǎo)體材料中，要遵守兩個(gè)原則，才能選出最佳的自旋性質(zhì)的材料。（1）鐵磁性因?yàn)?00k的居里溫度，也就是室溫下依然具有磁性。（2）因?yàn)椴牧系谋姸鄳?yīng)用廣泛性所以可以作為自旋電子材料的最佳選擇，比如激光器領(lǐng)域，都曾使用砷化銦、砷化鎵以及砷化錳，而且比如砷化鎵也都廣泛使用在數(shù)字電子領(lǐng)域，紅外發(fā)光的二極管等，可見之前的研究都集中于此。兩大體系（In，Mn）As（居里溫度等于35k）和（Ga，Mn）As（居里溫度等于110），就是重
電子技術(shù)與軟件工程 2018年9期2018-02-25
- MEVVA源離子注入機(jī)控制系統(tǒng)的實(shí)現(xiàn)
改性技術(shù)通過離子注入方法改變金屬材料表面層的物理結(jié)構(gòu)和化學(xué)成分，改善其耐磨性和耐腐蝕性，增加表層接觸疲勞壽命。離子注入技術(shù)具有不改變零件尺寸、注入層不會(huì)剝落以及可控性好等優(yōu)點(diǎn)，廣泛應(yīng)用于各類精密零件加工。我們?cè)兄屏穗p元素離子注入機(jī)，使工件的摩擦系數(shù)、硬度、耐腐蝕性均有顯著提高，額定壽命提高到了5.83倍[1]。為了提高注入質(zhì)量和工作效率，我們又研發(fā)了更大電流的多工位雙元素離子注入機(jī)，并使用可編程控制器和上位組態(tài)軟件來實(shí)現(xiàn)自動(dòng)化控制、實(shí)時(shí)監(jiān)控和數(shù)據(jù)存儲(chǔ)。雙
制造業(yè)自動(dòng)化 2017年9期2018-01-18
- 離子注入對(duì)杉木種子發(fā)芽質(zhì)量及保護(hù)酶活性的影響
間［47］。離子注入作為一種新的育種手段，跟航天育種相比具有成本低、效率高的優(yōu)點(diǎn)，近年來得到了廣泛的應(yīng)用，并在農(nóng)作物及林木育種上取得了一定的成功［811］。將離子注入杉木的研究表明，離子注入對(duì)杉木苗木生長具有明顯的促進(jìn)作用，但對(duì)于杉木種子發(fā)芽及發(fā)芽生理的研究未見報(bào)道，以杉木種子為試材，探索不同離子注入處理對(duì)種子發(fā)芽率及種子萌發(fā)過程中生理酶活性的影響，其結(jié)果為杉木良種選育及遺傳改良提供了新的途徑。1 材料與方法1.1 實(shí)驗(yàn)材料杉木種子采自湖南攸縣2代杉木種子
種子 2017年9期2018-01-17
- 埋氧離子注入對(duì)P型部分耗盡SOI電學(xué)與低頻噪聲的影響
640）埋氧離子注入對(duì)P型部分耗盡SOI電學(xué)與低頻噪聲的影響陳海波1，劉 遠(yuǎn)2,3，吳建偉1，恩云飛2（1.中國電子科技集團(tuán)公司第五十八研究所，江蘇無錫214072；2.工業(yè)和信息化部電子第五研究所電子元器件可靠性物理及其應(yīng)用技術(shù)國家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室，廣州510610；3.華南理工大學(xué)微電子學(xué)院，廣州510640）針對(duì)抗輻照SOIPMOS器件的直流特性與低頻噪聲特性展開試驗(yàn)與理論研究，分析離子注入工藝對(duì)PMOS器件電學(xué)性能的影響，并預(yù)測其穩(wěn)定性的變化。首先，對(duì)離
電子與封裝 2017年10期2017-10-24
- 離子注入不動(dòng)桿菌的降解特性
行誘變，測量離子注入前后不動(dòng)桿菌對(duì)石油烴的降解率，并研究其降解能力和降解機(jī)理。[結(jié)果]當(dāng)N+的注入能量和注入劑量分別為15 keV和8.0×1015 ions/cm2時(shí)，不動(dòng)桿菌的降解率可提高至95.03%；利用該注入?yún)?shù)對(duì)出發(fā)菌種a8進(jìn)行3次連續(xù)誘變后，獲得1株能有效降解59種烷烴的突變菌株AQ-15；結(jié)合分子生物學(xué)技術(shù)，對(duì)AQ-15降解長鏈?zhǔn)屯闊N的酶AlmA基因進(jìn)行分析，發(fā)現(xiàn)酶結(jié)合位點(diǎn)之一的47th氨基酸由原來的天冬氨酸（Asp，D）變?yōu)楦拾彼幔℅l
安徽農(nóng)業(yè)科學(xué) 2017年7期2017-08-13
- 鐘表行業(yè)先進(jìn)離子鍍膜技術(shù)發(fā)展趨勢
離子鍍技術(shù)、離子注入化學(xué)沉積技術(shù)、離子注入與磁過濾復(fù)合技術(shù)和高功率磁控濺射技術(shù)四大新興先進(jìn)離子鍍膜技術(shù)的技術(shù)工藝特點(diǎn)及其在鐘表行業(yè)和表面處理改性行業(yè)內(nèi)的應(yīng)用前景。關(guān)鍵詞：鐘表；離子鍍；磁過濾；離子注入；鍍膜1 概述現(xiàn)代鐘表產(chǎn)品愈加青睞新材質(zhì)的應(yīng)用與設(shè)計(jì)，這也是現(xiàn)代鐘表產(chǎn)品順應(yīng)市場需求和客戶體驗(yàn)的直觀表現(xiàn)。不銹鋼表面納米薄膜涂層具有低摩擦、高耐磨、高耐蝕和高生物相容性等技術(shù)特點(diǎn)，因此在國外中高端手表產(chǎn)品已廣泛應(yīng)用。然而，當(dāng)前鐘表行業(yè)廣泛采用的離子鍍膜材料所面
科技創(chuàng)新與應(yīng)用 2017年8期2017-04-26
- Gd離子注入對(duì)固溶態(tài)Mg-Nd-Sr-Zr合金生物腐蝕行為的影響
董強(qiáng)勝?Gd離子注入對(duì)固溶態(tài)Mg-Nd-Sr-Zr合金生物腐蝕行為的影響陶學(xué)偉1, 2，王章忠1, 2，章曉波1, 2，巴志新1, 2，董強(qiáng)勝1, 2(1. 南京工程學(xué)院材料工程學(xué)院，南京211167；2. 南京工程學(xué)院江蘇省先進(jìn)結(jié)構(gòu)材料與應(yīng)用技術(shù)重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室，南京211167)對(duì)固溶態(tài)Mg-Nd-Sr-Zr合金進(jìn)行了釓(Gd)離子注入改性處理；采用SRIM 2008軟件對(duì)Gd離子注入過程進(jìn)行了模擬分析；采用光學(xué)顯微鏡(OM)觀察了鎂合金的顯微組織，并利用X
中國有色金屬學(xué)報(bào) 2016年11期2016-12-13
- 氮離子注入表面改性PBO薄膜及其性能
0237）氮離子注入表面改性PBO薄膜及其性能涂先兵， 徐雨強(qiáng)， 林家豪， 季已捷， 莊啟昕 （華東理工大學(xué)材料科學(xué)與工程學(xué)院，特種功能高分子材料及相關(guān)技術(shù)教育部重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室，上海200237）利用70 ke V能量的氮離子對(duì)聚苯并二噁唑（PBO）薄膜進(jìn)行常溫下離子注入表面改性，注入劑量（每平方厘米注入的氮離子數(shù)）從1×1015N+/cm2到5×1016N+/cm2。采用紅外（FTIR）、拉曼（Raman）、光電子能譜（XPS）及原子力顯微鏡（AFM）對(duì)其表
功能高分子學(xué)報(bào) 2016年2期2016-10-26
- 離子注入技術(shù)在n型電池p-n結(jié)制備中的應(yīng)用
張治 郭靈山離子注入技術(shù)在n型電池p-n結(jié)制備中的應(yīng)用黃河水電光伏產(chǎn)業(yè)技術(shù)有限公司■ 鄭璐*何鳳琴 盧剛 張治 郭靈山介紹了離子注入制備n型電池p-n結(jié)的工藝原理及工藝特點(diǎn)，通過對(duì)n型硅片和p+發(fā)射極主要參數(shù)進(jìn)行模擬分析，得到高效n型電池性能參數(shù)的范圍及趨勢；并對(duì)比不同離子注入劑量對(duì)n型電池p-n結(jié)方阻、implied Voc及J0e的影響，確定了制備高質(zhì)量n型電池p-n結(jié)的離子注入劑量。離子注入；n型硅片；n型電池；p-n結(jié)0 引言隨著全球能源消費(fèi)的不斷
太陽能 2016年7期2016-09-23
- Mo離子注入對(duì)純銅表面納米層穩(wěn)定性的影響
44)?Mo離子注入對(duì)純銅表面納米層穩(wěn)定性的影響郗旸1，張淇萱1，李才巨1，譚軍1，朱心昆1，王剛2，易健宏1(1 昆明理工大學(xué) 材料科學(xué)與工程學(xué)院，昆明 650093；2 上海大學(xué) 微觀結(jié)構(gòu)實(shí)驗(yàn)室，上海 200444)采用表面機(jī)械研磨處理(SMAT)對(duì)純銅進(jìn)行表面改性，通過金屬蒸汽真空弧離子注入技術(shù)在納米表層注入Mo離子。利用光學(xué)顯微鏡(OM)、X射線衍射分析儀(XRD)和掃描電鏡(SEM)觀察SMAT處理效果，表面存在納米層和變形層，通過原子力顯微鏡(
材料工程 2016年8期2016-09-02
- 平行束磁透鏡的研究
11）摘要：離子注入機(jī)單純的靜電掃描造成注入角度的不一，已經(jīng)不能滿足器件性能的一致性要求，所以產(chǎn)生平行的離子束就很重要，為此介紹一種均勻磁場下的平行束磁透鏡，可以產(chǎn)生近似平行的離子束；獲得離子束的平行度小于0.43°，滿足大規(guī)模集成電路制造生產(chǎn)線的使用要求。關(guān)鍵詞：磁透鏡；平行束；離子注入離子注入是現(xiàn)代集成電路制造中的一種非常重要的技術(shù)。離子注入的工藝要求主要包括：均勻性、可重復(fù)性、能量純度、注入角度準(zhǔn)確性、雜質(zhì)污染等。注入角度準(zhǔn)確性是衡量注入工藝質(zhì)量的一
電子工業(yè)專用設(shè)備 2016年7期2016-08-05
- Ti離子注入SiO2合成TiO2納米顆粒及其光學(xué)性質(zhì)
75）?Ti離子注入SiO2合成TiO2納米顆粒及其光學(xué)性質(zhì)劉曉雨1穆曉宇1賈光一1劉昌龍1,2,31（天津大學(xué)理學(xué)院 天津 300072） 2（天津市低維功能材料物理與制備技術(shù)重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室 天津 300072） 3（北京師范大學(xué)射線束與材料改性教育部重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室 北京 100875）摘要將105 keV的Ti離子注入到SiO2玻璃至1′1017、2′1017cm?2，并在氧氣氣氛下進(jìn)行熱處理，借助紫外可見分光光度計(jì)、掠入射X射線衍射光譜儀、透射電子顯微鏡、原
輻射研究與輻射工藝學(xué)報(bào) 2016年2期2016-05-13
- 離子注入機(jī)的輻射防護(hù)措施在環(huán)評(píng)與驗(yàn)收階段的可行性分析
可新1 概述離子注入機(jī)是通過控制不同離子的注入來實(shí)現(xiàn)不同離子與物質(zhì)的作用從而改變材料成份的儀器。某大學(xué)能源學(xué)院由于科研需要，擬在學(xué)院二樓的靜電實(shí)驗(yàn)室新建一座離子注入機(jī)，由學(xué)校自籌資金從美國國家靜電公司（NEC）定制一臺(tái)高能、中束流型離子注入機(jī)，用于輻照環(huán)境下材料的輻照損傷模擬實(shí)驗(yàn)。離子注入機(jī)的使用在國內(nèi)尚未大范圍普及，而此臺(tái)離子注入機(jī)還是定制的。因此，該機(jī)構(gòu)在離子注入機(jī)安裝前進(jìn)行了環(huán)境影響評(píng)價(jià)預(yù)測，安裝試運(yùn)行后進(jìn)行驗(yàn)收監(jiān)測。設(shè)備在試運(yùn)行的驗(yàn)收階段，根據(jù)實(shí)際
海峽科學(xué) 2016年6期2016-02-08
- 離子注入技術(shù)與設(shè)備常見故障分析
50051)離子注入技術(shù)與設(shè)備常見故障分析曹健(中國電子科技集團(tuán)公司第十三研究所，河北石家莊050051)介紹了離子注入技術(shù)的特點(diǎn)及其原理，在分析介紹其設(shè)備種類的基礎(chǔ)上，簡要概述了離子注入設(shè)備的基本結(jié)構(gòu)，詳細(xì)分析了影響注入工藝的各種因素，根據(jù)多年的設(shè)備維護(hù)經(jīng)驗(yàn)，總結(jié)歸納了離子注入機(jī)的常見故障，并提出了各種故障的處理措施。離子注入；離子束；束流；聚焦與掃描離子注入是現(xiàn)代集成電路制造中的一種非常重要的摻雜技術(shù)，它以離子加速的方式將摻雜元素注入到半導(dǎo)體晶片內(nèi)部，
電子工業(yè)專用設(shè)備 2015年5期2015-07-18
- 硬質(zhì)合金表面改性研究現(xiàn)狀與展望
面涂層技術(shù)、離子注入技術(shù)、載能束輻照技術(shù)等表面改性技術(shù)在硬質(zhì)合金表面強(qiáng)化方面的研究現(xiàn)狀，并展望了硬質(zhì)合金表面改性技術(shù)的發(fā)展趨勢。[關(guān)鍵詞]硬質(zhì)合金；表面改性；表面涂層；離子注入；載能束輻照技術(shù)[文章編號(hào)]1673-2944(2015)03-0008-06[中圖分類號(hào)]TG142收稿日期：2014-12-12基金項(xiàng)目：陜西省教育廳科學(xué)研究計(jì)劃項(xiàng)目(14JK1149)；陜西理工學(xué)院科研基金資助項(xiàng)目(SLGQD14-12)作者簡介：張鋒剛(1982—)，男，陜西
- 平面PN結(jié)InSb紅外焦平面探測器的研究
究了基于Be離子注入技術(shù)的平面型和Cd擴(kuò)散技術(shù)的臺(tái)面型銻化銦紅外焦平面陣列(IRFPA)探測器芯片工藝流程。并進(jìn)行了芯片I-V、成像結(jié)果等對(duì)比測試,Be離子注入平面型器件和擴(kuò)散臺(tái)面型芯片的性能水平相當(dāng),具備一定的工程應(yīng)用水平。銻化銦,離子注入,紅外焦平面陣列探測器,平面結(jié)1 引 言InSb焦平面紅外探測器技術(shù)在近20年以來取得了飛速發(fā)展,已經(jīng)進(jìn)入了成熟應(yīng)用期,目前正向著高分辨率、小尺寸、數(shù)字化等方向發(fā)展[1-4]。在器件結(jié)構(gòu)上通常采用臺(tái)面型和平面型兩種方式
激光與紅外 2015年7期2015-04-06
- 上海微系統(tǒng)所在層數(shù)可控石墨烯薄膜制備方面獲進(jìn)展
體系，并利用離子注入技術(shù)引入碳源，通過精確控制注入碳的劑量，成功實(shí)現(xiàn)了對(duì)石墨烯層數(shù)的調(diào)控。研究人員圍繞石墨烯層數(shù)的控制問題，結(jié)合Ni和Cu在化學(xué)氣相沉積（CVD）法中制備石墨烯的特點(diǎn)，利用2種材料對(duì)碳溶解能力的不同，設(shè)計(jì)了Ni/Cu體系（即在25μm厚的Cu箔上電子束蒸發(fā)1層 300nm的Ni），并利用半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)中成熟的離子注入技術(shù)將碳離子注入到Ni/Cu體系中的Ni層中，通過控制注入碳離子的劑量（即4×1015個(gè)原子/cm2劑量對(duì)應(yīng)單層石墨烯，8×101
軍民兩用技術(shù)與產(chǎn)品 2015年15期2015-03-09
- 離子注入表面改性
離子注入屬于物理氣相沉積范圍，是將所需物質(zhì)的離子在電場中加速后高速轟擊工件表面，并使之注入工件表面一定深度的真空處理工藝。離子注入將引起材料表層成分和結(jié)構(gòu)發(fā)生變化，以及原子環(huán)境和電子組態(tài)等微觀狀態(tài)的擾動(dòng)，因而導(dǎo)致了材料的各種物理、化學(xué)和力學(xué)性能的變化。離子注入表面改性特征如下:1)采用離子注入法可能獲得不同于平衡結(jié)構(gòu)的特殊物質(zhì)，是開發(fā)新型材料的非常獨(dú)特的方法。2)離子注入溫度和注入后的溫度可以任意控制，且在真空中進(jìn)行，不發(fā)生氧化，不變形，不產(chǎn)生退火軟化現(xiàn)象
制造技術(shù)與機(jī)床 2015年3期2015-01-27
- 離子注入技術(shù)在高效晶硅太陽電池中的應(yīng)用
情況等方面對(duì)離子注入技術(shù)進(jìn)行分析。圖2 晶硅太陽電池的效率損失機(jī)理圖1 離子注入工藝原理當(dāng)真空中有一束離子束射向一塊固體材料時(shí)，受到固體材料的抵抗而速度慢慢減低，并最終停留在固體材料中，這一現(xiàn)象稱為離子注入[4]。在硅片中注入相應(yīng)的雜質(zhì)原子(如硼、磷、砷等)，可改變其表面電導(dǎo)率或形成p-n結(jié)。常規(guī)晶硅電池通過高溫?cái)U(kuò)散的方式制備p-n結(jié)。高溫?cái)U(kuò)散是熱化學(xué)反應(yīng)和熱擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)的結(jié)合，p-n結(jié)質(zhì)量受化學(xué)結(jié)合力、擴(kuò)散系數(shù)和材料固溶度等因素的限制，且長時(shí)間的高溫過程會(huì)對(duì)
太陽能 2014年5期2014-05-12
- 批處理離子注入機(jī)臺(tái)錐角效應(yīng)及注入角度對(duì)產(chǎn)品的影響
03）批處理離子注入機(jī)臺(tái)錐角效應(yīng)及注入角度對(duì)產(chǎn)品的影響朱紅波1，周祖源2，何永根2，秦宏志1（1. 中芯國際集成電路制造（北京）有限公司，北京 100176；2. 中芯國際集成電路制造（上海）有限公司，上海 201203）研究主要聚焦在批處理離子注入機(jī)臺(tái)的溝道效應(yīng)和錐角效應(yīng)，以及闡述由于這些效應(yīng)導(dǎo)致的晶圓片上的均勻性問題和產(chǎn)品上的良率損失。對(duì)于高能量離子注入，如果離子注入角度設(shè)定為0°會(huì)導(dǎo)致嚴(yán)重的溝道效應(yīng)，但是大角度設(shè)定又會(huì)導(dǎo)致光刻膠的陰影效應(yīng)，所以對(duì)于注
電子與封裝 2014年12期2014-03-22
- 離子注入對(duì)傘樹種子發(fā)芽的影響
和Ti 2種離子注入的不同處理，測定其發(fā)芽率的變化，從而探索離子注入與傘樹種子發(fā)芽率之間的關(guān)系，為栽培實(shí)踐提供參考。1 材料與方法1.1 材 料傘樹種子(采自埃塞俄比亞)、細(xì)河沙、珍珠巖、紅土。1.2 儀 器LZD-1000型離子注入機(jī)(成都同創(chuàng)材料表面新技術(shù)工程中心)、恒溫培養(yǎng)箱、培養(yǎng)皿等。1.3 方 法1.3.1 離子注入離子注入試驗(yàn)在中南林業(yè)科技大學(xué)離子注入實(shí)驗(yàn)室進(jìn)行。選取大小一致、顆粒飽滿的傘樹種子，用LZD-1000型離子注入機(jī)進(jìn)行處理。注入能量
經(jīng)濟(jì)林研究 2014年2期2014-01-22
- 離子注入對(duì)傘樹幼苗葉綠素含量的影響
測定N和Ti離子注入的不同處理中傘樹幼苗葉綠素含量的變化，研究離子注入與傘樹葉綠素含量之間的變化關(guān)系，旨在為生產(chǎn)實(shí)踐提供參考。1 材料與方法1.1 試驗(yàn)材料傘樹種子(采自埃塞俄比亞)、80％丙酮、石英砂、碳酸鈣粉。1.2 試驗(yàn)儀器LZD-1000型離子注入機(jī)(成都同創(chuàng)材料表面新技)、755型紫外可見光光度計(jì)、電子天平(感量0.01g)、研缽、棕色容量瓶、小漏斗、定量濾紙、吸水紙、擦鏡紙、滴管等。1.3 試驗(yàn)方法1.3.1 試驗(yàn)材料的處理離子注入處理在中南林
經(jīng)濟(jì)林研究 2014年1期2014-01-19
- 高能氧離子注入LN晶體光波導(dǎo)的色心形成
薄膜沉積以及離子注入等。離子注入法對(duì)襯底材料結(jié)構(gòu)的選擇性較低，可在光學(xué)晶體、玻璃等光學(xué)材料上形成了光波導(dǎo)，成為制備光波導(dǎo)的有效手段。由于材料的吸收、散射，在波導(dǎo)內(nèi)傳播的光的強(qiáng)度會(huì)逐漸減弱，即波導(dǎo)材料的吸收損耗。這主要由導(dǎo)波層、包層和襯底對(duì)于導(dǎo)模的吸收引起，是材料中雜質(zhì)離子的吸收、色心以及材料的本征吸收。吸收損耗與波導(dǎo)的各層材料的缺陷有關(guān)，包括體材料缺陷與波導(dǎo)制備過程中引入的缺陷，這些缺陷會(huì)導(dǎo)致光在波導(dǎo)傳播過程中的散射引起的損失[1]。注入離子與材料中的電子
核技術(shù) 2012年5期2012-10-16
- Ta離子注入Ti6Al4V合金的抗腐蝕性能
是膜基結(jié)合。離子注入對(duì)解決這一問題有獨(dú)特優(yōu)勢，注入元素與基體溶為一體，不形成新界面，不存在膜脫落問題。能在原子級(jí)范圍內(nèi)調(diào)整材料表面的成分和結(jié)構(gòu)，從而精確控制材料表面和界面特性。Steve等[10–13]用 Y、Rh、Hf、Pt、Pd、Ir、Au離子注入改善 Ti6A14V的耐腐蝕性，但仍存在非完全生物相容性的問題。鉭有很好的生物相容性，尤其是優(yōu)良的血液相容性，具有優(yōu)異的化學(xué)穩(wěn)定性與抗生理腐蝕性，成為制作外科植入物的理想材料[14,15]。但價(jià)格昂貴，廣泛應(yīng)
核技術(shù) 2012年2期2012-10-16
- N+離子注入對(duì)辣椒生長特性的影響
032）N+離子注入對(duì)辣椒生長特性的影響蔡長龍，梁海鋒，馬睿，嚴(yán)一心（西安工業(yè)大學(xué)離子束生物工程與生物多樣性研究中心，710032）采用生物改性離子注入設(shè)備對(duì)辣椒干種子進(jìn)行了N+離子注入，研究了N+離子注入工藝參數(shù)及其對(duì)辣椒種子出苗時(shí)間、生長特性的影響。試驗(yàn)結(jié)果表明，離子注入能量和注入劑量是影響辣椒種子出苗時(shí)間的重要工藝參數(shù)，并且對(duì)辣椒后期的生長特性如莖高、葉片大小及外形有重要影響，另外，研究獲得了使辣椒產(chǎn)生變異的基本工藝參數(shù)及其變化規(guī)律。N+離子注入；辣
長江蔬菜 2012年20期2012-03-29
- Co離子注入對(duì)ZnO納米棒物理性質(zhì)的影響
011)Co離子注入對(duì)ZnO納米棒物理性質(zhì)的影響呂 健，許 磊(華北水利水電學(xué)院 數(shù)學(xué)與信息科學(xué)學(xué)院 河南 鄭州 450011)采用離子注入方法對(duì)ZnO納米棒陣列進(jìn)行Co離子摻雜，對(duì)比分析未摻雜的和Co離子注入后的微觀結(jié)構(gòu)的變化．通過室溫光致發(fā)光測試比較發(fā)現(xiàn)兩類樣品具有顯著不同的結(jié)果，分析得出與離子注入后氧空位缺陷的增加有關(guān)．同時(shí)磁學(xué)性能的測試結(jié)果表明富含氧空位缺陷的摻雜后的樣品有利于實(shí)現(xiàn)鐵磁性．氧化鋅； 光致發(fā)光； 鐵磁性0 引言Ⅱ-Ⅵ族重要的氧化物半導(dǎo)
鄭州大學(xué)學(xué)報(bào)（理學(xué)版） 2011年3期2011-12-02
- 子蓮種子離子注入誘變效應(yīng)的初步觀察
所）子蓮種子離子注入誘變效應(yīng)的初步觀察唐記平1，楊良波2，鄒東旺1，劉凰1，徐金星2，歐陽冬梅1，劉春華2，謝克強(qiáng)1（1.江西廣昌縣白蓮產(chǎn)業(yè)發(fā)展局，344900；2.廣昌縣白蓮科學(xué)研究所）自2000年以來，江西省廣昌白蓮科研所多次開展子蓮離子注入誘變育種試驗(yàn)，以第3次離子注入試驗(yàn)為背景，以京廣1號(hào)、風(fēng)卷紅旗、太空蓮36號(hào)3個(gè)品種的313粒種子為誘變對(duì)象，對(duì)用離子束誘變育種中出現(xiàn)的變異和生物效應(yīng)進(jìn)行了初步觀察。試驗(yàn)結(jié)果表明，離子注入對(duì)子蓮種子萌發(fā)、胚芽生長和
長江蔬菜 2011年16期2011-03-22
- 第十一屆等離子基離子注入與沉積國際會(huì)議征稿通知
一屆等離子基離子注入與沉積國際會(huì)議(The 11th International Workshop on Plasma-based Ion Implantation & Deposition, PBII&D 2011)將于2011年9月8～12日在黑龍江省哈爾濱市舉行，同時(shí)舉行產(chǎn)品展覽。歡迎大家積極投稿，同時(shí)歡迎各參展單位聯(lián)系展覽。會(huì)議組織單位為哈爾濱工業(yè)大學(xué)和先進(jìn)焊接與連接國家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室等。會(huì)議的主要內(nèi)容包括：等離子基離子注入與沉積（PBII&D）；高功
中國有色金屬學(xué)報(bào) 2011年3期2011-02-14
- 氦離子注入對(duì)Ti6Al4V合金組織和力學(xué)性能的影響
4109)氦離子注入對(duì)Ti6Al4V合金組織和力學(xué)性能的影響陳善華1,吳 勇2,G.Schumacher3(1成都理工大學(xué)材料與化學(xué)化工學(xué)院,成都610059;2成都理工大學(xué)地質(zhì)災(zāi)害防治與地質(zhì)環(huán)境保護(hù)國家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室,成都610059; 3亥姆霍茲材料與能源研究中心,德國柏林14109)在室溫和400～700℃條件下,采用1×1017ions/cm2注入劑量和200keV加速電壓對(duì)Ti6Al4V合金進(jìn)行了氦離子注入。分別采用納米硬度儀和X射線衍射方法對(duì)Ti6
材料工程 2010年5期2010-09-04
- 離子注入結(jié)合航天搭載對(duì)蓮的誘變效應(yīng)
合作，開展了離子注入結(jié)合航天搭載誘變育種試驗(yàn)，并獲得一些有益變異，試驗(yàn)結(jié)果如下。1 材料與方法1.1 試驗(yàn)材料搭載材料有完全成熟的蓮種子（包括子蓮、花蓮品種及育種單株種子）或進(jìn)行離子束注射預(yù)處理種子，共計(jì)20個(gè)樣品材料，314粒種子，其中有16個(gè)處理的168粒種子，在2004年春由北師大核物理所進(jìn)行離子注入預(yù)處理，處理品種及劑量見表1。1.2 試驗(yàn)方法2004年9月27日將上述種子搭載我國第20顆返回式衛(wèi)星，在軌道運(yùn)行18 d，種子回收后常溫保存。2005
長江蔬菜 2010年14期2010-06-19
- 國產(chǎn)65nm大角度離子注入機(jī)進(jìn)入晶圓生產(chǎn)線
5nm大角度離子注入機(jī)進(jìn)入中芯國際 (北京)集成電路制造有限公司，開始接受國際主流生產(chǎn)線的技術(shù)測試與器件工藝檢驗(yàn)，為這一國產(chǎn)集成電路制造裝備實(shí)現(xiàn)重大技術(shù)跨越作最后的沖刺。據(jù)了解，這是國產(chǎn)高端離子注入機(jī)首次進(jìn)入300mm主流生產(chǎn)線，表明國內(nèi)的離子注入機(jī)研制已經(jīng)逐步達(dá)到世界主流技術(shù)水平。北京中科信公司研制的65 nm大角度離子注入機(jī)以滿足大規(guī)模生產(chǎn)線65nm制程工藝需求為目標(biāo)，以提升產(chǎn)品工藝性能、整機(jī)可靠性及降低成本消耗為設(shè)計(jì)理念。在不到兩年的時(shí)間里，北京中科
電子工業(yè)專用設(shè)備 2010年11期2010-04-04
- 離子注入技術(shù)及其在籽蓮育種上的應(yīng)用研究
物理研究所）離子注入技術(shù)及其在籽蓮育種上的應(yīng)用研究劉凰 鄒東旺 唐記平 劉春華 張香蓮 楊良波 徐金星 謝克強(qiáng) 蘇穎 張濤（1.廣昌縣白蓮科學(xué)研究所，江西廣昌，344900；2.北京師范大學(xué)低能核物理研究所）簡要介紹了離子注入的方法、作用機(jī)理及特點(diǎn)，并利用離子注入籽蓮種子為誘變?cè)矗治隽擞秒x子束誘變育種中出現(xiàn)的變異和生物效應(yīng)，初步探討了籽蓮?fù)ㄟ^離子誘變處理獲得改良新品種（系）的方法，并對(duì)選育的籽蓮品種進(jìn)行了簡述。離子注入 籽蓮 生物學(xué)效應(yīng) 品種改良離子注入
長江蔬菜 2009年16期2009-04-06