談建峰，裴仁國(guó)

（中國(guó)電子科技集團(tuán)公司第五十八研究所，江蘇 無(wú)錫 214035）

一款內(nèi)置獨(dú)立LDO的馬達(dá)驅(qū)動(dòng)電路熔絲修調(diào)方法

談建峰，裴仁國(guó)

（中國(guó)電子科技集團(tuán)公司第五十八研究所，江蘇 無(wú)錫 214035）

作為新一代集成電路穩(wěn)壓器，LDO以其成本低、噪音低、靜態(tài)電流小、紋波抑制比高等特點(diǎn)被廣泛應(yīng)用于各種供電系統(tǒng)中。介紹了一款內(nèi)置獨(dú)立LDO的馬達(dá)驅(qū)動(dòng)電路，并通過(guò)LDO熔絲的修調(diào)介紹了幾種常用的熔絲修調(diào)方法和注意事項(xiàng)。

集成電路；LDO；熔絲；修調(diào)

1 引言

隨著科技的不斷發(fā)展，集成電路（IC）的應(yīng)用越來(lái)越廣泛。熔絲作為集成電路設(shè)計(jì)中使用的一項(xiàng)重要技術(shù)，在AC-DC、DC-DC、LDO等類型的集成電路中有著廣泛應(yīng)用。在CP階段，需要根據(jù)電路實(shí)際基準(zhǔn)值通過(guò)Trimming Table對(duì)熔絲進(jìn)行修調(diào)，使出廠電路的基準(zhǔn)值更加精確，一致性更好。然而由于熔絲修調(diào)的不可逆轉(zhuǎn)，一旦熔絲修調(diào)出現(xiàn)偏差，芯片就會(huì)報(bào)廢。因此，在測(cè)試過(guò)程中判斷熔絲扎針是否接觸良好、熔絲是否已經(jīng)修調(diào)好非常重要。

2 試驗(yàn)電路基本信息

1.18 V到4 V，支持多種應(yīng)用方式，同時(shí)還內(nèi)置欠壓檢測(cè)電路，可輸出欠壓報(bào)警信號(hào)，提供給單片機(jī)使用。這是一款適用于在CD-ROM以及DVD播放器中作為馬達(dá)和傳動(dòng)機(jī)構(gòu)的驅(qū)動(dòng)電路。

2.1 電路功能框圖

圖1是該電路的功能框圖。

2.2 功能描述

MUTE 為低時(shí)靜噪 LD、SL、TK、FC 4個(gè)通道，此時(shí)輸出為BIAS，BIAS和MUTE同時(shí)為低關(guān)閉LD、SL、TK、FC 4個(gè)通道，這4個(gè)通道為16 kΩ電阻下地，BIAS和MUTE不能控制進(jìn)出倉(cāng)和2個(gè)LDO，進(jìn)出倉(cāng)和2個(gè)LDO在上電后一直工作。電路進(jìn)出倉(cāng)驅(qū)動(dòng)功能如表1所示。

2.3 電路測(cè)試線路圖

電路測(cè)試線路圖如圖2所示。

試驗(yàn)電路內(nèi)置2個(gè)獨(dú)立的精密LDO，可調(diào)范圍從

圖1 電路功能框圖

表1 電路進(jìn)出倉(cāng)驅(qū)動(dòng)功能

3 熔絲修調(diào)

3.1 熔絲結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)介

熔絲是連接兩個(gè)PAD點(diǎn)之間的部分，熔絲修調(diào)是在PAD點(diǎn)之間通過(guò)一個(gè)較大的電流，使熔絲材料熔斷或者氣化，熔絲就會(huì)變成斷路。按照制造工藝的不同，熔絲一般可分為金屬和多晶硅兩種，圖3為金屬熔絲與多晶硅熔絲示意圖。由于熔絲材料的不同，熔絲自身阻值相差較大，金屬熔絲的阻值在10 Ω以下，而多晶硅熔絲的阻值較大，一般在50～200 Ω左右。

3.2 熔絲修調(diào)要求

電路按照?qǐng)D2連接外圍，通過(guò)修調(diào)LDO18I的基準(zhǔn)值，使1.8 VOUT的輸出電壓在1.18～1.28 V之間，3.3 VOUT的輸出電壓在3.2～3.4 V之間。

圖2 測(cè)試線路圖

圖3 金屬熔絲與多晶硅熔絲

3.3 熔絲修調(diào)方法

在LDO18I加線性掃描電壓（1.0～1.4 V），檢測(cè)LDO18O輸出翻轉(zhuǎn)時(shí)LDO18I輸入的電壓，在正負(fù)兩個(gè)方向進(jìn)行掃描，取平均值記為X。

如X值大于1.30 V或小于1.13 V，不進(jìn)行熔絲修調(diào)，基準(zhǔn)錯(cuò)誤。其余按照表2進(jìn)行修調(diào)。燒完熔絲后，再次測(cè)試X的電壓值，在1.21 V±10 mV范圍內(nèi)則基準(zhǔn)正確。

表2 熔絲修調(diào)表

熔絲修調(diào)一般有電容充放電修調(diào)（見(jiàn)圖4）和測(cè)試機(jī)直流電壓電流源修調(diào)（見(jiàn)圖5）。電容修調(diào)時(shí)電路的其他管腳特別是GND和C1是隔離的，修調(diào)對(duì)電路本身的影響較小。使用測(cè)試機(jī)電壓電流源修調(diào)時(shí)，可以精確地控制修調(diào)電壓和箝位電流，不易損壞電路。

圖4 電容充放電修調(diào)

圖5 測(cè)試機(jī)直流電壓源修調(diào)

本電路使用測(cè)試機(jī)直流電壓電流源修調(diào)。以修調(diào)前基準(zhǔn)值在1.215～1.225 V為例，在修調(diào)前先將芯片斷電，保證修調(diào)時(shí)不會(huì)損壞芯片的其他功能。先給修調(diào)電源端加電壓，然后依次切換需要修調(diào)熔絲繼電器的通斷，完成對(duì)熔絲的修調(diào)。具體程序如下：

由于熔絲修調(diào)的不可逆轉(zhuǎn)性，在修調(diào)前需要判斷熔絲扎針是否接觸良好。一般扎針接觸良好的熔絲阻值為幾十歐姆，測(cè)試前對(duì)熔絲PAD先灌一個(gè)微安級(jí)電流，測(cè)量熔絲PAD電壓，具體程序如下：

熔絲熔斷后阻值在兆歐級(jí)，通過(guò)上述程序還可以觀察熔絲實(shí)際熔斷數(shù)與修調(diào)表是否一致，快速找出問(wèn)題。

4 結(jié)束語(yǔ)

隨著集成電路的發(fā)展，熔絲在集成電路設(shè)計(jì)中的應(yīng)用越來(lái)越多，熔絲修調(diào)在測(cè)試環(huán)節(jié)中也越來(lái)越重要。測(cè)試人員在熔絲修調(diào)時(shí)選擇合適的修調(diào)方法，保證修調(diào)效率的同時(shí)盡可能確保修調(diào)的準(zhǔn)確性，減少誤測(cè)引起的芯片報(bào)廢；同時(shí)盡可能使修調(diào)程序通俗易懂，充分滿足客戶穩(wěn)定批量生產(chǎn)的要求。

[1]張鵬輝.多管芯并行測(cè)試的熔絲修調(diào)方法探索[J].電子與封裝，2014，14（1）.

[2]吳熙文.LDO類IC基準(zhǔn)項(xiàng)測(cè)試以及熔絲修調(diào)方法的探索[J].電子與封裝，2015，15（12）.

Test Method for a Motor Drive Circuit with an Independent LDO

TAN Jianfeng,PEI Renguo
（China Electronics Technology Group Corporation No.58 Research Institute,Wuxi 214035,China）

As a new generation integrated circuit regulator,LDO is widely used in various power supply systems because of its low cost,low noise,low static current and high ripple suppression ratio.This paper introduces a motor drive circuit with independent LDO,and introduces several common fuse modification methodsandnotesthroughthe modificationofthe LDOfuse.

integratedcircuit;LDO;fuse;trim

TN407

A

1681-1070（2017）12-0038-04

2017-07-05

談建峰（1988—），男，江蘇常熟人，2011年畢業(yè)于南京航空航天大學(xué)電子信息科學(xué)與技術(shù)專業(yè)，現(xiàn)在中國(guó)電子科技集團(tuán)公司第五十八研究所從事集成電路測(cè)試工作，主要研究方向?yàn)閿?shù)字和數(shù)?；旌霞呻娐返臏y(cè)試技術(shù)。