遷移率
- 烘焙紙中殘留甲苯向食品模擬物中遷移分析
溫度越高，甲苯遷移率越大；遷移率隨遷移時間的延長而升高，但超過40 min后，甲苯向Tenax-TA中的遷移率出現(xiàn)明顯下降趨勢；紙張定量越大，遷移率越低；初始濃度對遷移率的影響不顯著；微波功率越高，遷移率越大。隨著微波時間的延長，遷移率呈先升高后降低的現(xiàn)象。掃描電鏡結果表明，經過高溫烘焙后，紙張纖維孔隙的尺寸及數(shù)量有所增加。烘焙紙中殘留甲苯在一定條件下向食品模擬物中發(fā)生遷移，紙張內部纖維結構的變化使甲苯分子更容易穿過孔隙進入食品中，加速了遷移的發(fā)生。烘焙紙
包裝工程 2023年19期2023-10-16
- AlN/β-Ga2O3 異質結電子輸運機制*
散射機制限制的遷移率,評估了不同散射機制的相對重要性.結果表明,2DEG 面密度隨AlN 厚度的增加而增加,當AlN 厚度為6 nm,2DEG 面密度可達1.0×1013 cm–2,室溫遷移率為368.6 cm2/(V·s).在T 184 K 的溫度區(qū)間,極性光學聲子散射是限制2DEG 遷移率的主導散射機制.1 引言早在20 世紀50 年代,科學家們已經就Ga2O3材料開展相關研究,在目前已知的Ga2O3五種同素異形體中,單斜晶系的β-Ga2O3是一種超寬
物理學報 2023年2期2023-02-18
- AlxGa1-xN 插入層對雙溝道n-Al0.3Ga0.7N/GaN/i-AlxGa1-xN/GaN HEMT 器件性能的影響*
序散射的減弱使遷移率增大,位錯散射增強致遷移率變小,總遷移率主要由合金無序散射決定.在第二溝道中,當AlxGa1—xN 的Al 組分和厚度提升時,二維電子氣密度隨之增大,由于較低的勢壘高度以及高滲透電子的作用,第二溝道中的合金無序散射影響更大,合金無序散射遷移率隨AlxGa1—xN 層的Al 組分和厚度的增加而減少且變化趨勢逐漸趨于平緩,位錯散射作用的減弱導致遷移率的提升.總體上,第一溝道勢阱中受到的位錯散射低于第二溝道勢阱.隨著背勢壘厚度的增加,第二溝道
物理學報 2022年16期2022-08-28
- 光固化涂料中光引發(fā)劑遷移行為及其細胞毒性的研究
涂膜中光引發(fā)劑遷移率測試將固化后的涂膜用粉碎設備裁剪成一定尺寸，稱量約20 mg 涂膜，精確至0.1 mg，放置于離心管中；按照每0.1 g 涂膜加入10 mL 乙腈在一定溫度條件下進行恒溫浸提，提取時間為12 h；提取完畢后用0.22 μm 的有機相濾膜過濾提取液，再用乙腈將濾液稀釋10 倍。隨后使用HPLC-DAD 對浸提液進行測試，根據(jù)光引發(fā)劑在液相色譜柱中的保留時間以及二極管陣列檢測器測到的紫外-可見吸收光譜對光引發(fā)劑進行定性定量測試，液相色譜與二
涂料工業(yè) 2022年5期2022-06-16
- ε-(AlxGa1-x)2O3/ε-Ga2O3異質結電子輸運性質研究
面2DEG溝道遷移率的增加，這是由于減少了電離雜質散射并且增強了2DEG溝道對聲子模式的屏蔽。要想獲得高密度的2DEG，需要對β-(AlxGa1-x)2O3阻擋層進行大量的摻雜以及插入極薄的隔離層，同時還需要嚴格控制生長參數(shù)和突變的異質界面以及尖銳的摻雜輪廓[3]。β-Ga2O3晶體結構具有對稱中心，但缺乏任何特殊性質，如壓電性、鐵電性等[4]；而Ga2O3的亞穩(wěn)相ε-Ga2O3，由于其超寬的帶隙和獨特的材料特性引起了人們的興趣。早在1952年，Roy等[
人工晶體學報 2022年3期2022-04-14
- 立方砷化硼有潛力成為比硅更優(yōu)的半導體材料
和更高的雙極性遷移率，有潛力成為比硅更優(yōu)良的半導體材料。硅是目前應用最廣泛的半導體材料，然而硅作為半導體有兩項不足。第一，硅不太善于傳導熱量，導致芯片溫度總是過熱，散熱問題已經成為制約芯片性能的重要因素。第二，硅有較好的電子遷移率，但不具備足夠好的空穴遷移率，后者對半導體性能也很重要。材料中帶負電的電子離開后，留下帶正電的空位，被稱作“空穴”。電子遷移率和空穴遷移率統(tǒng)稱為雙極性遷移率?？茖W家認為，立方砷化硼在理論上同時具有比硅更好的導熱性，以及更高的雙極性
河南科技 2022年15期2022-03-25
- InGaN插入層對AlGaN/GaN界面電子散射的影響*
雙異質結高電子遷移率晶體管中極化電荷面密度、二維電子氣(2DEG)濃度的影響, 理論分析了不同In摩爾組分下, InGaN厚度與界面粗糙度散射、隨機偶極散射和極性光學聲子散射之間的關系.計算結果表明: 界面粗糙度散射和隨機偶極散射對雙異質結AlxGa1–xN/InyGa1–yN/GaN的電子輸運性質有重要影響, 極性光學聲子散射對其影響最弱; 2DEG濃度、界面粗糙度散射、隨機偶極散射和極性光學聲子散射的強弱由InGaN勢壘層厚度和In摩爾組分共同決定.1
物理學報 2021年17期2021-09-17
- 大氣離子遷移率對直流線路合成電場與離子流密度影響的研究
值被定義為離子遷移率，它是描述離子在電場中運動特性的重要物理量。同時，離子遷移率也是計算高壓直流輸電(HVDC)線路合成電場和離子流密度的重要參量[1-3]。當輸電線路表面的電場強度超過電暈放電起始電場強度時，導線周圍的空氣分子被電離成正負離子，或稱為空間電荷[4-5]。在輸電線路和地面之間的電場作用下，空間電荷發(fā)生定向運動，進而產生離子電流?？臻g電荷的電場與輸電線路和地面間原有的電場相互作用，形成離子流場，或稱為合成電場[6-8]。大氣離子遷移率會隨環(huán)境
東北電力技術 2021年7期2021-08-06
- 中國青年女性的初次遷移：趨勢與影響因素
死亡率相對等的遷移率指標，以此為基礎分析中國人口遷移的水平與趨勢。二、數(shù)據(jù)與方法目前中國關于人口遷移流動的數(shù)據(jù)主要來自國家統(tǒng)計局的人口普查和原國家衛(wèi)計委的流動人口監(jiān)測調查。人口普查或小普查有按照戶籍地和常住地區(qū)分的人口數(shù)據(jù)，按照外出時間劃分的流動人口數(shù)據(jù)以及與5年前或1年前的常住地相比發(fā)生變化的人口數(shù)據(jù)。人口普查或小普查提供的按照戶籍地和常住地區(qū)分的人口數(shù)據(jù)以及按照外出時間劃分的流動人口數(shù)據(jù)是流動人口規(guī)模數(shù)據(jù)，是流動人口存量數(shù)據(jù)，而按照5 年前或1 年前的
人口學刊 2021年3期2021-05-30
- 中國人口的遷移轉變
人口學意義上的遷移率指標的研究。文章利用2010—2015年歷次中國綜合社會調查的合并數(shù)據(jù)，通過人口學方法和泊松回歸模型，計算和分析了1950—2015年中國人口遷移率趨勢及社會經濟差異。中國的遷移轉變在宏觀趨勢上與中國的政治經濟變遷高度一致。與死亡和生育轉變相比，其波折性更強，說明更易受到經濟社會政策變化的沖擊。同時也觀察到逢“0”和逢“5”年份的申報偏好。另外，遷移的社會經濟差異明顯。男性遷移率高于女性，但是兩性差異在不斷縮小;鄉(xiāng)城遷移和未婚遷移大幅度
人口與經濟 2021年1期2021-04-09
- 量子點薄膜晶體管的研究
）導致其載流子遷移率較低，同時量子點表面還有很多陰陽離子因為周圍配體的位阻未能結合配體而形成懸空鍵，懸空鍵作為中間帶隙可以捕獲載流子也就阻礙了電荷傳輸，因此，以量子點作為活性層材料的TFT，其載流子遷移率落后于硅基TFT，甚至落后于有機TFT。如果以合適的材料替換掉量子點表面的長鏈配體，量子點TFT的遷移率等性能會有質的飛躍。本文介紹了量子點的制備、量子點TFT器件的制備和量子點TFT的研究進展。1 量子點的制備量子點的制備通常分為油相法和水相法。水相制備
電子元器件與信息技術 2021年1期2021-03-12
- 氣相色譜-串聯(lián)質譜法考察茶湯中49種農藥的遷移規(guī)律
綠茶到茶湯中的遷移率,并得出溶解度會影響農藥遷移率的結論。文獻[7]研究了花茶中擬除蟲菊酯類農藥的遷移情況以及影響遷移情況的因素。由于農藥在泡茶過程中的遷移情況主要取決于農藥在水中溶解度和農藥的正辛醇-水分配系數(shù)(Log Kow)[8],本工作通過研究茶葉中的農藥在不同泡茶頻率時的遷移情況,考察多種農藥從茶葉到茶湯的遷移率同各農藥的物理性質(分配系數(shù)、溶解度)之間的關系。通過考察茶葉中農藥到茶湯的遷移率,可以為制定茶葉中MRL提供參考依據(jù),同時推薦茶葉種植
理化檢驗-化學分冊 2020年9期2020-10-22
- 基于相對遷移率的節(jié)節(jié)麥醇溶蛋白組成分析
-PAGE)中遷移率的不同，進一步將醇溶蛋白細分為α，β，γ和ω醇溶蛋白(遷移率大小為ω節(jié)節(jié)麥(Aegilopstauschii,DD,2n=2x=14)是普通小麥D染色體組的二倍體供體物種[10]，廣泛分布于西起中東各國，東至中國的廣闊地域，具有豐富的遺傳多樣性[11]，擁有大量現(xiàn)代普通小麥品種所不具備的有益基因[12-14]。節(jié)節(jié)麥中醇溶蛋白位點的結構和作用機制與普通小麥相似[15-16]，Gli-D1和Gli-D2位點具有多個等位基因的特征，這使得區(qū)
西北農業(yè)學報 2020年6期2020-08-17
- 一種IMS信號校正算法
的IMS信號的遷移率受環(huán)境因素影響比較大，提高IMS信號遷移率的探測精度，減少誤判一直是 IMS技術的研究熱點之一。IMS信號的遷移率隨周圍環(huán)境因素的變化而變化，遷移管的構造、電場強度、溫度、氣壓和濕度等一些因素都會對它產生影響。一般采用精確控制或測量遷移環(huán)境的做法來提高遷移率的探測精度，但有些是不易控制的，有些精確測量的成本比較高。利用修正技術，對 IMS信號的峰位置進行校正，減弱外界因素對 IMS技術中離子遷移率的影響，一方面保證物質的正確識別，另一方
裝備環(huán)境工程 2020年7期2020-08-07
- 基于蒽衍生高遷移率發(fā)光材料的研究進展
Ts)的載流子遷移率從10-5cm2·V-1·s-1提高到10 cm2·V-1·s-1以上, 基于p型材料的有機場效應晶體管的空穴遷移率高達40 cm2·V-1·s-1[6～10], 可以滿足電子紙、 有機傳感及驅動顯示等領域的應用需求. 將光轉變?yōu)殡姷挠袡C光伏器件(OPVs)的初始光電轉化效率不到1%, 目前已超過16%(單結電池最高效率達16.74%, 疊層電池的最高效率達17.3%)[11～16]. 在柔性顯示和照明方面具有重要應用前景的有機發(fā)光二極
高等學校化學學報 2020年6期2020-07-05
- 十六烷-水乳液界面電位極大值的理論計算
過測量界面的電遷移率[22-26]、測量界面的電流或者電勢[9]從而得到其相應的Zeta電位值，從得到的Zeta電位值就可以轉化為界面的電荷信息. 理論上，Zeta電位值基于估衣-查普曼(Gouy-Chapman)理論的Graham方程表達如下[3, 27]：(1)界面電荷密度?；颚沂荶eta電位ζ和體系總離子強度濃度I的函數(shù)，e是基元電荷，εr是溶劑的相對介電常數(shù)，ε0是真空介電常數(shù)，kT是熱力學能量，z是離子價態(tài). 根據(jù)Graham方程可知，一般情況下
原子與分子物理學報 2020年4期2020-05-13
- 繞管式換熱器層間質量遷移特性的試驗研究
殼側工質的層間遷移率，得到質流密度、干度和入口條件對繞管換熱器殼側工質層間質量遷移特性的影響規(guī)律。1 試驗系統(tǒng)1.1 試驗方法層間遷移率的測量通過設置單通道的均布裝置實現(xiàn)，測試原理如圖1所示。圖1 層間遷移率測試原理在繞管換熱器樣件頂部，安裝設計成單層通道的均布器裝置，使所有入口的兩相流體噴淋到樣件的單層繞管上。在換熱器內部的流動過程中，一部分流體受到湍流和氣流沖擊的影響，會向鄰近層發(fā)生遷移，使其它層繞管外壁也存在液體流動。在換熱器底部，通過接液裝置將每一
流體機械 2020年3期2020-05-06
- 一種補償閾值電壓和遷移率變化的像素電路設計
且能補償驅動管遷移率的變化。仿真結果表明，驅動管的閾值電壓變化±0.5 V時，驅動電流變化約為9%，驅動管的遷移率變化±30%時，驅動電流變化約為6%，因此，本電路達到了穩(wěn)定驅動電流的效果。關鍵詞： 像素電路;多晶硅薄膜晶體管;閾值電壓;遷移率【Abstract】 A voltage-programming pixel circuit suitable for low-temperature polysilicon thin film transistor
智能計算機與應用 2019年5期2019-12-05
- 硅/鍺基場效應晶體管溝道中載流子散射機制研究進展*
層載流子的有效遷移率(effective mobility)[6].即使在短溝道,甚至彈道傳輸器件中,遷移率仍然可以很大程度上影響器件性能[7].應變技術和采用新溝道材料都是提高溝道載流子遷移率的有效手段.應變技術在90 nm以及更先進的集成電路技術中已被廣泛采用[8,9],關于應變對載流子遷移率影響的深入理解至關重要.其次,高遷移率新溝道材料器件技術也逐漸被提上日程,半導體材料Ge因同時具有較高的電子和空穴遷移率而備受青睞[10,11].目前,國際上對G
物理學報 2019年16期2019-08-29
- 主、側鏈修飾對異靛藍基共軛聚合物結構及電學性能的影響
有效提高載流子遷移率[4-6]，因此D-A共軛聚合物成為當今研究最廣泛的有機半導體材料之一。但是不同的分子結構以及主側鏈的變化會導致不同的分子堆積方式，從而導致載流子遷移率產生較大的變化[7-10]。為此，我們需要對D-A共軛聚合物分子結構與電學性能之間的關系有更深入的認識，才能夠設計出具有高遷移率的D-A共軛聚合物。關于改變D-A共軛聚合物主鏈結構對其性能影響的研究已經有很多了，然而，單方面對主鏈結構進行修飾改性常常不能同時滿足加工性能和電學性能的需求，
液晶與顯示 2019年7期2019-08-27
- 硒化鎘納米線在應力作用下的第一性原理研究
-4]，載流子遷移率約為800 cm2·V-1·s-1。通過摻雜CdSe可以形成n型半導體和p型半導體[5]。然而，目前對CdSe納米線載流子遷移率的研究還很少。為了提高納米線結構的光電性能，可通過施加應力調控其能帶結構，以實現(xiàn)增強載流子輸運性能。2011年，Peng等[6]發(fā)現(xiàn)可以通過施加應變力有效地調節(jié)Si/Ge納米線的能帶結構，Yang等[7]發(fā)現(xiàn)不同尺寸的納米線在受到應變作用時，其帶隙的變化情況是不同的。因此，為了提高CdSe納米線的電學性能，可以
人工晶體學報 2019年7期2019-08-22
- 喜鵲雌雄個體血清蛋白比較分析
體共分離出電泳遷移率0.852～0.031的20條譜帶，雌、雄性個體分離出的譜帶數(shù)分別是18條和17條，其中有15條譜帶為雌雄個體的共有譜帶。在遷移率0.316、0.063、0.054處的譜帶為雌性個體特有的譜帶，在遷移率0.406、0.391處的譜帶為雄性個體特有的譜帶。喜鵲雌雄個體血清蛋白的譜帶分布和活性強弱存在明顯差異。關鍵詞：喜鵲（Pica pica）;血清蛋白;聚丙烯酰胺凝膠電泳;遷移率;譜帶中圖分類號：Q959.7+39? ? ? ? ?文獻標
湖北農業(yè)科學 2019年11期2019-07-22
- 寧夏地區(qū)信用卡債務風險分析
狀，并通過計算遷移率獲知壞賬高發(fā)期，對銀行卡風險管理提出了建議。[關鍵詞]信用卡;風險;遷移率一、引言信用卡除了能為各銀行帶來利息收入、年費收入、商戶回傭收入、取現(xiàn)費和懲罰性費用等顯性收益外，還能為銀行鎖定賬戶和資金、協(xié)同推進其他業(yè)務。近年來，寧夏地區(qū)信用卡數(shù)量和業(yè)務量保持快速增長，銀行在從信用卡中獲取利益的同時，也產生了一些風險。二、寧夏地區(qū)信用卡債務分析（一）信用卡債務情況2018年末，寧夏地區(qū)信用卡在用發(fā)卡數(shù)量約360萬張，同比增長36%，授信總額約
商情 2019年26期2019-06-25
- 一維準周期晶格中玻色子對的遷移率邊*
中的玻色子對的遷移率邊.通過微擾方法,解析推導出強相互作用極限下準周期晶格中玻色子對遷移率邊的解析表達式,通過數(shù)值證明在系統(tǒng)參數(shù)b較小時,遷移率邊的解析結果符合得較好,而當b→1時,解析結果將發(fā)生偏離.1 引言60多年前,安德森在一篇標志性的文章中預測了無序系統(tǒng)中的單粒子波函數(shù)具有局域的特性,這一現(xiàn)象被稱為安德森局域化[1],在凝聚態(tài)物理的各個重要分支被廣泛關注.安德森模型中最為重要的概念之一是存在擴展態(tài)與局域態(tài)的遷移率邊[2-7],即費米面從位于擴展態(tài)區(qū)
物理學報 2019年8期2019-05-29
- AlGaN插入層對InAlN/AlGaN/GaN異質結散射機制的影響?
無序散射是限制遷移率的主要散射機制,該組分范圍之外,子帶能級波動散射是限制遷移率的主要散射機制;當Al摩爾百分含量超過0.52,三種散射機制共同限制的遷移率超過無插入層結構的遷移率,AlGaN層顯示出對遷移率的提升作用.1 引 言GaN材料具有禁帶寬度大、擊穿電場高、飽和電子漂移速度大和化學性質穩(wěn)定等諸多優(yōu)點,并能和禁帶寬度更大的氮化物材料結合形成異質結,以高電子遷移率晶體管(high electron mobility transistors,HEMTs
物理學報 2019年1期2019-01-25
- 微專題教學設計 試探性構建分析
——以人口數(shù)量的變化為例
然增長率和人口遷移率之和。1.人口自然增長率與人口數(shù)量的增長(1)人口自然增長率是由出生率和死亡率決定的。(2)人口數(shù)量的增長與人口基數(shù)大小、人口自然增長率有關。①在不同地區(qū)或國家人口自然增長率相等的情況下，人口基數(shù)越大，人口增長的數(shù)量越多。年凈增人口數(shù)(凈增人口數(shù)，即用出生人數(shù)減去死亡人數(shù)所得的結果，而凈增人口率則是用出生率減去死亡率，也叫做自然增長率)=人口基數(shù)×自然增長率=出生人口數(shù)-死亡人口數(shù)。②人口自然增長率與人口數(shù)量增長的關系。人口增長中的“增
教學考試(高考地理) 2018年1期2018-07-20
- 重癥監(jiān)護病房患者呼吸機相關性肺炎影響因素及高遷移率族蛋白1表達對預后的影響
的炎性反應，高遷移率族蛋白1是一種炎性蛋白，據(jù)研究報道對膿毒癥患者具有較強的預測價值，但目前對使用機械通氣的ICU患者的報道較少[1]?，F(xiàn)探討ICU患者呼吸機相關性肺炎的危險因素及高遷移率族蛋白1對臨床預后的影響。1 資料與方法1.1一般資料 2016年1月至2017年1月連續(xù)性收集該院收治的機械通氣ICU患者143例。納入標準：(1)該院ICU患者。(2)使用機械通氣且持續(xù)時間大于或等于3 d。(3)知情并同意參與本研究。(4)年齡大于或等于18歲。排除
檢驗醫(yī)學與臨床 2018年10期2018-05-29
- 酞菁銅I睼特性研究
酞菁銅內載流子遷移率的大小。本文詳細介紹了酞菁銅薄膜熱蒸發(fā)工藝，制作了ITO/CuPc/金屬結構，測試了其電流-電壓特性，并分析了在不同薄膜面積下其導電能力的變化。關鍵詞：酞菁銅；薄膜；載流子；遷移率；熱蒸發(fā)1 概述酞菁銅是一種常見的化學染料，其結構與血紅素、葉綠素等生物的基本結構具有相似之處，在顏料、染料和油墨等工業(yè)中占有重要地位。由于酞菁銅分子具有大的共軛體系使其不僅具有優(yōu)異的化學穩(wěn)定性、熱穩(wěn)定性、難燃性以及耐光、耐輻射性能，而且還具有導電性、光電導性
科技風 2018年9期2018-05-14
- 小尺寸單軸應變Si PMOS溝道晶面/晶向選擇實驗新發(fā)現(xiàn)?
發(fā)生變化,空穴遷移率獲得增強.單軸應變Si應用于小尺寸溝道p型金屬氧化物半導體(PMOS)時,器件性能顯著提升,是延續(xù)摩爾定律的重要技術手段[1?10].小尺寸單軸應變Si PMOS溝道反型層遷移率與晶面/晶向密切相關,優(yōu)化設計器件時應選擇合理的晶面/晶向[11?14].目前,有關單軸應變PMOS溝道反型層遷移率晶面/晶向排序結論已有相關文獻[15]報道(見圖1).圖1(a)—(c)為弛豫情況下Si PMOS反型層載流子遷移率隨晶面/晶向變化圖,當未施加應
物理學報 2018年6期2018-03-26
- 結晶性和粒子尺寸對C60薄膜晶體管遷移率的影響
李 誼 韓 笑 孫志鵬 馬延文（南京郵電大學材料科學與工程學院，南京 210023）0 IntroductionIn recent decades,organic thin film transistors（OTFTs）have received considerable attention owing to their low cost,low temperature process,compatibility with plastic substrat
無機化學學報 2018年3期2018-03-14
- Se摻雜制備電致發(fā)光器件的研究
下器件載流子的遷移率由2.03×10-7cm2/V·s提高到8.31×10-6cm2/V·s，增大了40倍。在外加電壓3V時，器件載流子遷移率由2.77×10-5cm2/V·s提高到1.99×10-4cm2/V·s，因此Se的摻雜能夠提高OLED載流子的遷移率。然而在器件亮度方面，在摻雜Se后，發(fā)現(xiàn)在同一電壓下器件的發(fā)光亮度明顯降低，經測試發(fā)現(xiàn)這是因為Se的顏色較深導致?lián)诫s層顏色較深，導致發(fā)射層發(fā)射出的光子有部分由摻雜層吸收，因而器件發(fā)射出來的光子減少?！?/div>
電子技術與軟件工程 2018年20期2018-02-28
- 卷煙主流煙氣重金屬遷移率與煙葉中重金屬不同形態(tài)之間的關系研究
主流煙氣重金屬遷移率與煙葉中重金屬不同形態(tài)之間的關系研究周茂忠1,3，張悠金1，姚鶴鳴2，劉百戰(zhàn)2，陸怡峰2，胡建軍4，李永霞5，張琿姿5，董建江6，洪深求6，孫高軍61 中國科學技術大學，化學系，煙草與健康研究中心，合肥市金寨路96號 230026;2 上海煙草集團有限責任公司，技術中心，上海市長陽路717號 200082;3 紅云紅河集團昆明卷煙廠，昆明市紅錦路366號 650202;4 中國煙草總公司職工進修學院，鄭州市鑫苑路7號 450008;5中國煙草學報 2017年2期2017-11-16
- AlN間隔層厚度對AlGaN/GaNHEMT器件電學特性的仿真研究
/GaN高電子遷移率晶體管（HEMT）性能。為了提高器件的2DEG密度、遷移率和漏電流，本文采用AlGaN和GaN之間引入一層薄的AlN間隔層的方法。使用Silvaco仿真工具模擬了不同AlN間隔層厚度對載流子濃度、遷移率和量子阱深度的影響。器件仿真結果表明：在HEMT器件中插入薄AlN間隔層可以增加載流子濃度和遷移率，并加大了導帶不連續(xù)性。另外，器件的電子遷移率在AlN厚度為0.2nm時取得最大值，而載流子濃度和漏電流隨AlN層厚度增加而持續(xù)上升。關鍵詞科技風 2017年8期2017-10-21
- 丁香酚在主流煙氣中的遷移率研究
在主流煙氣中的遷移率，指導煙用香精的配制和添加用量。[方法] 通過考察捕集方式、色譜條件對丁香酚的影響，建立了通過內標法定量的方法，測定主流煙氣中丁香酚占煙絲中噴灑的丁香酚的質量百分比，從而測定丁香酚精油在主流煙氣中的遷移率。[結果]跟空白樣品對照發(fā)現(xiàn)，丁香酚能通過濾棒隨主流煙氣溢出，其在主流煙氣中的遷移率為8.23%。目標物在1～400 μg/mL的范圍內呈線性關系，相關系數(shù)R2=0.999 8。以卷煙樣品為分析對象，進行精密度試驗，計算6次平行結果的相安徽農業(yè)科學 2017年12期2017-05-30
- 甾醇在油炸過程中遷移規(guī)律的研究
醇和β-谷甾醇遷移率變化為指標，對甾醇在油脂和食品體系中的熱遷移規(guī)律進行研究。研究發(fā)現(xiàn)，煎炸薯條更有利于甾醇的遷移。煎炸薯條時，油脂基質對豆甾醇和菜油甾醇遷移率影響順序為菜籽油＞茶籽油＞葵花籽油＞棕櫚油，油脂基質對β-谷甾醇遷移率影響順序為菜籽油＜茶籽油＜葵花籽油＜棕櫚油。整體而言，甾醇結構對甾醇遷移率影響順序為豆甾醇＜菜油甾醇＜β-谷甾醇；煎炸雞腿肉時，油脂基質對甾醇遷移率影響順序為菜籽油＞葵花籽油＞棕櫚油＞茶籽油，甾醇結構對甾醇遷移率影響順序均為β-谷農產品加工 2017年6期2017-05-09
- 膠質瘤相關性癲癇組織高遷移率族蛋白B1的表達
關性癲癇組織高遷移率族蛋白B1的表達林 嵐 楊 淑 沈云松1蓋雪松2梅 茸 唐 浩(云南省第一人民醫(yī)院神經內科，云南 昆明 650032)目的 探討膠質瘤相關性癲癇致癇組織中蛋白B1的表達。方法 選取72例膠質瘤相關性癲癇患者的膠質瘤標本作膠質瘤并癲癇組，同期行手術治療的70例未伴發(fā)癲癇的膠質瘤患者的膠質瘤標本作膠質瘤無癲癇組，同期70例藥物難治性癲癇患者致癇病灶標本作非腫瘤癲癇組，20例接受顱內減壓術治療的患者的腦組織標本作對照組。分析膠質瘤并癲癇組患者中國老年學雜志 2016年23期2016-12-23
- 食品塑料包裝中抗氧化劑遷移研究*
化劑向食物中的遷移率增加不再明顯。兩種抗氧化劑向不同食物中的遷移率也不一樣，向豬肉中的遷移率最高，米飯次之，向果蔬類食品中的遷移率最小。高密度聚乙烯包裝；抗氧化劑1076；抗氧化劑168；微波條件；遷移食品安全問題是關系民生的重大問題之一，收到了社會和消費者極大的重視。目前食品包裝主要以塑料包裝為主，而為了提高塑料產品的力學性能、化學穩(wěn)定性及使用壽命等應用性能，往往會在材料基體中添加一些著色劑、增塑劑、抗氧化劑、光穩(wěn)定劑、熱穩(wěn)定劑等小分子物質。這些小分子添工程塑料應用 2016年9期2016-10-18
- 有源層厚度對氧化銦鎵鋅薄膜晶體管性能的影響
閾值擺幅和飽和遷移率則會隨有源層厚度的增大而增大。此外，還研究了有源層厚度對器件偏壓穩(wěn)定性的影響。有源層厚度越大的器件，其閾值電壓漂移也會越大。這主要與半導體層中所增加的缺陷態(tài)密度有關。關鍵詞:氧化銦鎵鋅；薄膜晶體管；有源層厚度；遷移率；氧空位；穩(wěn)定性吳捷（1991－），男，浙江溫州人，研究生，研究方向為IGZO-TFT的工藝與制備，E-mail:wujiecn@foxmail.com 。網絡出版時間：2016-05-31 11:09:35 網絡出版地址：電子元件與材料 2016年6期2016-07-23
- 離子遷移率和復合率取值對特高壓直流輸電線路離子流場的影響研究
0007)離子遷移率和復合率取值對特高壓直流輸電線路離子流場的影響研究鄒妍暉1，岳一石1，呂玉宏2，歐陽玲1，曾惠芳1，呂建紅1(1.國網湖南省電力公司電力科學研究院，湖南長沙410007；2.國網湖南省電力公司，湖南長沙410007)采用上流有限元法定量分析了離子遷移率和離子復合率對±800 kV特高壓直流輸電線路地面合成場強和離子流密度的影響。結果表明，離子遷移率對地面合成場強影響不大，而地面離子流密度隨著遷移率的增大呈線性變化；兩者均隨離子復合率的增湖南電力 2016年4期2016-03-29
- 紙質包裝材料中甲醛、乙醛向食品模擬物改性聚苯醚的遷移行為
致相同，均呈現(xiàn)遷移率隨遷移時間延長先迅速增大，后又減小達到一個常數(shù)；甲醛和乙醛遷移率受溫度的影響不同，達到平衡后，甲醛在30℃下遷移率最高，乙醛在70℃和50℃下遷移率高；甲醛和乙醛向Tenax中的遷移率差異較大，達到平衡后，乙醛的遷移率遠高于甲醛。endprint分析化學 2015年7期2015-07-30
- 大尺寸金屬氧化物TFT面板設計分析
示尺寸與TFT遷移率、金屬方塊電阻、刷新頻率以及器件結構的關系。在大尺寸高分辨率AMOLED面板設計中，信號線RC延遲是主要限制因素。TFT遷移率的提高在一定范圍內對大尺寸顯示面板設計有利，降低RC延遲是實現(xiàn)大尺寸、高分辨率、高刷新頻率顯示的關鍵技術。開發(fā)銅布線技術和低寄生電容TFT器件結構是未來大尺寸AMOLED顯示的關鍵技術。AMOLED； 大尺寸； 高分辨率； RC延遲1 引 言大尺寸化、超清化以及3D顯示是未來電視發(fā)展的重要方向。4K2K大尺寸電視發(fā)光學報 2015年5期2015-05-05
- 冠心病患者血清高遷移率族蛋白1 與冠狀動脈側支循環(huán)相關性分析
12200）高遷移率族蛋白1 是反應病變的一個因子，血清高遷移率族蛋白1 濃度的變化反應了不同疾病的病變情況。風濕關節(jié)炎患者血清高遷移率族蛋白1 的表達變化反應了類風濕關節(jié)炎的發(fā)病情況［1］。高遷移率族蛋白1 和心血管疾病也有明顯的相關性［2-3］。血清高遷移率族蛋白1 在多種疾病中均有不同程度的表達。冠狀動脈側支循環(huán)與多種因子有相關性，研究發(fā)現(xiàn)冠狀動脈側支循環(huán)與血清單核細胞趨化因子1 有關［4］，冠狀動脈側支循環(huán)與超敏C 反應蛋白有關［5］，冠狀動脈側支湖南師范大學學報（醫(yī)學版） 2015年6期2015-04-23
- 接裝紙和成型紙透氣度對卷煙中元素遷移行為的影響
氣、煙蒂和煙灰遷移率的影響，旨在為低危害卷煙產品的開發(fā)提供參考。1 材料與方法1.1 材料、試劑和儀器5 種不同透氣度（0，100，400，800 和1 200 CU）激光打孔接裝紙，長度固定為32 mm；5 種不同透氣度（3 300，4 500，6 000，10 000 和15 000 CU）成型紙；某牌號卷煙（烤煙型）同一批次的煙絲，木漿卷煙紙（定量28 g/m2、透氣度60 CU）；普通醋酸纖維濾棒樣品（濾嘴長度24 mm、濾棒吸阻4 000 Pa、煙草科技 2015年6期2015-02-08
- Tips－PEN薄膜載流子遷移率的穩(wěn)態(tài)SCLC與阻抗譜法測量的研究
，導致了載流子遷移率強烈的依賴溫度、電場強度和載流子濃度，這種依賴性主要取決于材料的態(tài)密度分布［3－4］。遷移率是研究材料中荷電載流子輸運過程以及器件電學特性等重要的輸運參數(shù)。目前，各種方法已用于測量有機材料載流子遷移率，如渡越時間法［5－6］、暗電流注入法［7－8］、穩(wěn)態(tài)空間電荷限制電流法（SCLC）以及阻抗譜法［9］等。渡越時間法由于激光穿透到樣品的一定深度，對于薄的樣品將產生較大的測量誤差，因此，樣品厚度必須大于1μm。阻抗譜法可以揭示載流子的動態(tài)特液晶與顯示 2014年6期2014-11-09
- Cu-Pt和Pd-Pt二元合金系中fcc相擴散遷移率參數(shù)的優(yōu)化與計算
fcc相的擴散遷移率參數(shù)進行優(yōu)化與計算,同時有關Cu-Pt和Pd-Pt基礎二元合金系擴散的研究可以為Pt基多元合金系擴散的研究提供理論信息.近年來,擴散的計算模擬是相變研究的一個重要發(fā)展方向.DICTRA (diffusion controlled transformation) 軟件包是其中一個有效的模擬工具,它在CALPHAD (calculation of phase diagram)框架下進行操作,是CALPHAD方法的擴展[7-11].在擴散實驗廈門大學學報（自然科學版） 2014年5期2014-08-07
- 基于空間電荷限制對有機材料空穴遷移率的測定
對有機材料空穴遷移率的測定胥開芳，張登高（鹽城生物工程高等職業(yè)技術學校，江蘇鹽城 224051）利用空間電荷限制電流的方法測定有機材料的空穴遷移率。用SCLC方法測試得到NPB,m-MTDATA,CBP,Balq四種有機材料的空穴零場遷移率，擬合繪制出四種材料在不同電場下空穴的場依賴遷移率。測試不同濃度紅色磷光染料Ir(piq)2(acac)摻雜到這四種母體后空穴遷移率的變化情況，分析發(fā)現(xiàn)，摻雜母體與客體的能級匹配是研究載流子在摻雜層輸運模式的關鍵，其直接機電工程技術 2014年9期2014-02-11
- 美首次研制出穩(wěn)定的單原子層鍺
—單鍺，其電子遷移率是硅的10倍，因而有望取代硅用于制造更好的晶體管。研究發(fā)表在美國化學會《納米》雜志上。在自然界中，鍺很容易形成多層晶體，其中的每個原子層緊緊依附在一起，這就使單原子層鍺的性能不穩(wěn)定。為了解決這個問題，戈德伯格團隊首先制造出了多層的鍺晶體，并在每層之間擠入了一些鈣原子，接著用水將鈣溶解，并用氫原子填滿留下的化學鍵，最后剝下了單層鍺。填充了氫原子的單鍺的化學穩(wěn)定性比傳統(tǒng)硅要好。而且，單鍺擁有“直接帶隙”，這意味著它很容易吸收或釋放光;而傳統(tǒng)機床與液壓 2013年8期2013-04-17
- 微波條件下二苯甲酮與1-羥基環(huán)己基苯基甲酮從微波紙向Tenax中的遷移規(guī)律
40W時的最大遷移率幾乎相同，而HCH在微波440W和600W時最大遷移率幾乎相同，且微波條件下的最大遷移率小于常用恒溫條件下的最大遷移率。除了功率的作用，溫度和所做功對BP和HCH的遷移也有影響，且相比常用恒溫加熱的遷移實驗，微波加熱能加快BP和HCH在脂肪類物質中遷移行為的發(fā)生，但最大遷移率降低。二苯甲酮；1-羥基環(huán)己基苯基甲酮；微波；微波紙；脂肪類食品模擬物Tenax近年來，食品安全問題接踵而至，人們對食品安全越來越關注。特別是最早在紙質類食品包裝中食品科學 2013年3期2013-03-03
- 應變Si/(001)Si1－xGex電子遷移率*
－xGex電子遷移率*王曉艷1)2)張鶴鳴1)宋建軍1)馬建立1)王冠宇1)安久華1)1)(西安電子科技大學微電子學院，寬禁帶半導體材料與器件重點實驗室，西安710071) 2)(寶雞文理學院電子電氣工程系，寶雞721007) (2010年8月3日收到;2010年10月16日收到修改稿)依據(jù)離化雜質散射、聲學聲子散射和谷間散射的散射模型，在考慮電子谷間占有率的基礎上，通過求解玻爾茲曼方程計算了不同鍺組分下，不同雜質濃度時應變Si/(001)Si1－xGex物理學報 2011年7期2011-08-15
- 應變Si PMOSFET電流特性研究*
變Si中的電子遷移率顯著的高于體Si，并且應變Si已經被用于制造高性能的應變Si NMOSFET器件，同樣的，對于應變Si中有高的空穴遷移率這一點引起了人們制造應變Si PMOSFET的興趣。Si在弛豫的SiGe層上生長產生張應變，輕空穴帶上升，重空穴帶降低，從而大大提高了低場遷移率。有資料顯示用MBE可以生長高質量的應變Si層，可以制造出高性能的應變Si PMOSFET[1]，因此對其研究是有意義的。近年來對應變Si MOSFET的研究多著重于應變材料中電子器件 2010年4期2010-12-21
- 多晶硅薄膜晶體管的有效遷移率模型*
TFT中,溝道遷移率與晶粒間界陷阱態(tài)、表面散射效應等因素有關,因此用有效遷移率來表示.現(xiàn)有的P-Si TFT遷移率模型多為經驗公式[4-5];文獻[6]的有效遷移率模型考慮了溝道內晶粒間界的數(shù)目,并將晶粒與晶粒間界分開考慮,但忽略了高柵壓所引起的遷移率退化效應,只適用于低柵壓的線性區(qū).本研究基于P-Si TFT的物理過程,建立了一個適應于從小晶粒到大晶粒線性區(qū)的多晶硅薄膜晶體管有效遷移率模型.新模型考慮了高柵壓所引起的遷移率退化效應,更符合P-Si TFT華南理工大學學報（自然科學版） 2010年5期2010-03-16
- 卷煙主流煙氣重金屬遷移率與煙葉中重金屬不同形態(tài)之間的關系研究