以Bi2Te3基單層在高溫下的ZT值小于1[16-18]。最近,Janus單層作為一類新型的二維材料衍生物,受到了學(xué)術(shù)界的廣泛關(guān)注。Janus結(jié)構(gòu)中對稱性的破壞不僅影響了材料的電子性質(zhì),而且也顯著改變輸運性質(zhì)。此外,在晶體結(jié)構(gòu)中的不對稱性還會引入額外的聲子非諧性,從而降低κl[19-21]。例如以Bi2Te3基形成的Janus單層中,Bi2Te2Se、Bi2Te2S、Bi2TeSe2的κl分別為1.30、1.20和0.80 W·m-1·K-1,低于單層Bi

了初始幾何缺陷下單層網(wǎng)殼結(jié)構(gòu)的整體穩(wěn)定性，并采用隨機缺陷的模態(tài)法和N 階特征的缺陷模態(tài)法，對4 個不同的梁跨比的K8 單層網(wǎng)殼結(jié)構(gòu)，在實驗中進行了近1300 次的彈塑性荷載位移的全過程研究分析，基于實用的角度討論了不同分析方法的科學(xué)性和可行性。經(jīng)過研究實驗的結(jié)果表明，隨機缺陷模態(tài)法雖然能夠科學(xué)地評估不同初始幾何缺陷對單層網(wǎng)殼結(jié)構(gòu)穩(wěn)定性的影響，但本身的數(shù)據(jù)計算量較大；而在分析具有穩(wěn)定承載力系數(shù)的總體試樣統(tǒng)計特征時，代表空間試樣N 的個數(shù)不能小于100；而N

二維鐵磁性材料在單層CrI3[4]和雙層Cr2Ge2Te6[5]中得到實現(xiàn)，這為進一步研究二維鐵磁及其關(guān)鍵性質(zhì)提供了啟示。根據(jù)Mermin-Wagner 定理[6]，二維材料的本征長程磁有序是不可能的，隨著厚度的減小，熱波動越來越強烈；所幸的是，較強的磁各向異性能夠抵抗熱波動，穩(wěn)定二維磁有序。鑭系稀土金屬元素通常具有大磁矩、強自旋軌道耦合(SOC)和特殊的4f 電子態(tài)，這對其磁性性質(zhì)及其在自旋電子學(xué)中的應(yīng)用至關(guān)重要[7-9]。根據(jù)密度泛函理論(DFT)計算

接進入肺表面活性單層膜[8,9]，可能會引起膜的相變、重組和溶解，從而導(dǎo)致人體疾病。因此，探索納米顆粒與生物膜分子之間的相互作用及其對人體產(chǎn)生的影響是一個亟需解決的課題[7]。研究中常用Langmuir技術(shù)模擬單層生物膜，分析納米顆粒的摻入對處于空氣-液體界面的模擬膜的影響。近年來，納米顆粒對脂質(zhì)單層膜結(jié)構(gòu)和物理化學(xué)性質(zhì)的影響受到廣泛關(guān)注[9-13]。Guzman分別研究了二氧化鈦(TiO2)[12]和二氧化硅(SiO2)[13]納米顆粒對DPPC單層膜界

了雙軸拉伸應(yīng)變對單層NbSi2N4 磁性的影響.聲子譜和分子動力學(xué)的計算結(jié)果表明,單層NbSi2N4 結(jié)構(gòu)具有良好的動力學(xué)與熱力學(xué)穩(wěn)定性.研究發(fā)現(xiàn)單層NbSi2N4為無磁金屬,1.5%的雙軸拉伸應(yīng)變可使其轉(zhuǎn)變?yōu)殍F磁金屬.對單層NbSi2N4 材料電子結(jié)構(gòu)的分析表明,拉伸應(yīng)變誘導(dǎo)的鐵磁性具有巡游電子起源: 當不考慮自旋極化時,單層NbSi2N4 在費米能級處存在一條半滿的能帶,其主要由Nb 原子的dz2 軌道貢獻,拉伸應(yīng)變可使其更局域化,進而引起斯通納不穩(wěn)定

主族的Se原子對單層MoS2一側(cè)的S原子進行替換，得到具有較強的壓電效應(yīng)的Janus結(jié)構(gòu)MoSSe[1,19]; Yu等在單層MoSi2N4中的Si原子和Mo原子分別替換為同族Ge和W原子，得到具有優(yōu)異的光催化分解水能力的Janus MoSiGeN4和Janus WSiGeN4[16]。最近，一種二維IVA-VA化合物材料單層SiP2被報道[20]，該材料是一種帶隙大小為2.39 eV的間接半導(dǎo)體，其載流子遷移率達到3.27×104cm2/(V·s)，光吸

氧化銅(CuO)單層[21-22]。同年，Lin等[23]成功制備了具有三角形納米孔洞陣列的硒化銅(CuSe)單層，進一步研究顯示該材料是磁性原子、功能分子等選擇性吸附的理想模板，在高密度信息存儲方面有著巨大的潛力。隨后，具有一維摩爾條紋的CuSe單層[24]相繼被成功制備，在不考慮自旋軌道耦合(spin-orbit coupling, SOC)時CuSe單層具有狄拉克節(jié)線(Dirac nodal-line)拓撲特性。2019年，Dong等[25]與Liu

被制備出來，其中單層過渡金屬硫 化 物（Transition metal dichalcogenides，TMDs）以其優(yōu)異的物化性質(zhì)受到廣泛的關(guān)注和研究［5-7］，單層TMDs 具有三原子層結(jié)構(gòu)，由于其不具有中心對稱性，因此具有壓電效應(yīng)［8-9］。關(guān)于TMDs的壓電效應(yīng)國內(nèi)外專家學(xué)者做了大量的研究工作。Duerloo 等［8］通過基于密度泛函理論（Density functional theory，DFT）DFT 的第一性原理計算了6 種單層TMDs 的

料,人們開始研究單層單硫族化合物[3-5]。單層單硫族化合物二維材料[6-9]因其優(yōu)異的性能和較強的抗氧化能力而受到人們的關(guān)注。鍺或錫的單硫族化合物具有鍺型斜方晶結(jié)構(gòu)(空間群為Pnma),與黑磷烯結(jié)構(gòu)類似[10]。二維硒化鍺(GeSe)材料已被證實在光電領(lǐng)域很有應(yīng)用潛力,因此,對GeSe二維化合物進行系統(tǒng)研究非常必要[11]。到目前為止,基于GeSe納米片的光電行為的實驗研究已有一些報道。有實驗表明,具有良好光學(xué)帶隙的少層GeSe薄片可以有效地收集太陽光,

①復(fù)合式襯砌；②單層襯砌。目前初期支護與二次襯砌間設(shè)立防水層的復(fù)合式襯砌結(jié)構(gòu)已經(jīng)在國內(nèi)項目中得到了廣泛應(yīng)用[1]。從襯砌結(jié)構(gòu)受力的角度進行分析，復(fù)合式襯砌結(jié)構(gòu)中初支與二襯間存在防水層，其結(jié)構(gòu)形式和力學(xué)機理相對比較明確，可以基于一些合理的假定和簡化，進行襯砌結(jié)構(gòu)的計算和設(shè)計[2-5]；以往的復(fù)合式襯砌結(jié)構(gòu)設(shè)計主要基于荷載-結(jié)構(gòu)法，按照經(jīng)驗確定初支與二襯的荷載分擔比[6]，或者采用二襯承擔所有荷載的設(shè)計方法，忽略了初支的支護作用，該設(shè)計方法具有一定的局限性。而

4 年,理論預(yù)言單層1T' 相過渡金屬硫族化合物是一類新型的二維量子自旋霍爾絕緣體.其中,以單層1T'-WTe2 為代表的材料體系具有原子結(jié)構(gòu)穩(wěn)定、體帶隙顯著、拓撲性質(zhì)易于調(diào)控等許多獨特的優(yōu)勢,對低功耗自旋電子器件的發(fā)展具有重要的意義.本文總結(jié)了單層1T'-WTe2 在實驗上的最新進展,包括基于分子束外延生長的材料制備,螺旋邊界態(tài)的探測及其對磁場的響應(yīng),摻雜、應(yīng)力等手段在單層1T'-WTe2 中誘導(dǎo)出的新奇量子物態(tài)等.也對單層1T'-WTe2 未來可能的應(yīng)

)過渡金屬硫化物單層具有直接帶隙,可產(chǎn)生較強的光致發(fā)光,這一特殊的性質(zhì)使其在光電器件、光電探測等領(lǐng)域具有廣泛的應(yīng)用前景.由于只有原子級別的厚度以及存在激子的非輻射復(fù)合,其光致發(fā)光效率仍有待提高.本文設(shè)計了一種金膜-二氧化鈦光柵-過渡金屬硫化物單層組合結(jié)構(gòu),可大幅提升過渡金屬硫化物單層光致發(fā)光效率.利用Purcell 效應(yīng)對自發(fā)輻射速率進行控制,得到峰值為3.4 倍的發(fā)光增強.研究了單層二硫化鎢以及單層二硒化鎢在設(shè)計結(jié)構(gòu)上的光致發(fā)光信號,通過實驗證實了過渡金

半導(dǎo)體，當剝離成單層結(jié)構(gòu)時，則轉(zhuǎn)變?yōu)橹苯訋栋雽?dǎo)體，帶隙為1.55 eV[8]. 在實驗上，通常采用機械剝離，水熱，化學(xué)氣相沉積等方法[9-11]來制備單層MoSe2，Liu[12]等發(fā)現(xiàn)基于單層MoSe2構(gòu)建的場效應(yīng)晶體管，可以取得高達104的電流開關(guān)比，體現(xiàn)了MoSe2優(yōu)異的電學(xué)性能；實驗數(shù)據(jù)還表明單層MoSe2在可見光范圍內(nèi)具有較強的光吸收能力[13]，同時王等研究發(fā)現(xiàn)MoSe2的光電轉(zhuǎn)換效率接近10%[14]，這進一步顯示單層MoSe2在光電器件方

DFT）計算藍磷單層對小氣體分子H2S、SO2的氣敏特性，發(fā)現(xiàn)其具有很好的氣敏性能. Mao等[11]通過第一性原理計算，研究具有點缺陷工程的GeSe單層吸附有毒氣體（NH3、SO2和NO2）分子的結(jié)構(gòu)、穩(wěn)定性、狀態(tài)密度和功函數(shù)，發(fā)現(xiàn)氣體分子與GeSe單分子膜點缺陷之間的相互作用非常敏感，并使得GeSe的電子結(jié)構(gòu)和功函數(shù)變化極大，從而具有檢測性能.Rad等[12]通過密度泛函理論計算N摻雜石墨烯吸附SOx（x = 2, 3）分子的能力，發(fā)現(xiàn)SO2和SO3分

–HD)植被網(wǎng)與單層土工網(wǎng)得到了廣泛的應(yīng)用。PE–HD的硬度、拉伸強度和蠕變性均較強。近年來，以PE–HD的高分子聚合物片材為主要材料的纖維土工網(wǎng)成為一種新興的有效加固措施。PE–HD 料經(jīng)過機械設(shè)備的特定生產(chǎn)方法加工，即可得到PE–HD 植被網(wǎng)與單層土工網(wǎng)。PE–HD 單層土工網(wǎng)具有防滲與隔離性能良好、結(jié)晶度高、樹脂密度大、化學(xué)物理穩(wěn)定性優(yōu)、抗拉性能較強的優(yōu)點，成為邊坡防護的重要材料[1]。根據(jù)構(gòu)成材料形式的不同，PE–HD 纖維單層土工網(wǎng)的分類越來越多

梯度電流條件下的單層堆焊試驗，研究了電流對堆焊層化學(xué)成分、鐵素體數(shù)FN的影響規(guī)律，并分析堆焊層微觀組織。國產(chǎn)單層電渣堆焊焊材在不同電流下具有良好的焊接工藝性，焊后自動脫渣，堆焊層具有良好的平整度及直線度。理化性能結(jié)果顯示，不同電流水平下的化學(xué)成分、鐵素體、硬度、側(cè)彎、晶間腐蝕、氫剝離結(jié)果均滿足技術(shù)條件要求。在堆焊厚度相同的條件下，隨著焊接電流增大及焊接速度加快，熔深及稀釋率增大，堆焊層主要合金元素中Cr、Ni含量下降，鐵素體含量降低，工程應(yīng)用中可通過調(diào)節(jié)焊

陣列單元采用的是單層多諧振平行偶極子形式，通過優(yōu)化單元結(jié)構(gòu)，得到寬頻帶范圍內(nèi)較線性的反射相位響應(yīng)及較大的相位變化區(qū)間。在此單元的基礎(chǔ)上，設(shè)計了一個口徑480mm的共40×40個單元的反射陣天線，天線在Ku頻帶內(nèi)具有穩(wěn)定的增益及較低的副瓣電平。【關(guān)鍵詞】? ? 衛(wèi)星通信? ? 寬帶? ? 單層? ? 反射相位引言反射陣天線是將拋物反射面天線平面化并結(jié)合陣列天線的若干優(yōu)點而形成的一種新的天線類型。相比于彎曲的拋物反射面天線，反射陣天線因其平面化的結(jié)構(gòu)而更易于加

家一直在探索這類單層材料的規(guī)?；铣伞Ｈ涨?，北京化工大學(xué)化學(xué)學(xué)院宋宇飛教授、趙宇飛教授團隊開發(fā)出一種新方法，成功制備多品種單層LDHs納米片，并將其應(yīng)用于光催化二氧化碳還原和電催化水氧化，該方法有望實現(xiàn)在短時間內(nèi)大量制備單層LDHs。LDHs作為一種典型的陰離子插層2D材料，在光/電催化領(lǐng)域顯示出廣泛的應(yīng)用。特別是單層的LDHs，由于其富有大量的缺陷，展現(xiàn)出更加優(yōu)異的光電催化性能。例如，已有研究表明，含有豐富缺陷的單層NiAl-LDH在大于600 nm波長

化學(xué)鍍層，但由于單層Ni-P 鍍層的耐腐蝕性能與其孔隙率密切相關(guān)，只有當鍍層覆蓋完整、孔隙率較低的情況下才能起到良好的防護作用。近年來，雙層鍍層受到越來越多的關(guān)注。張祖軍等［1］在鋁合金表面制備了以Ni-P鍍層為底層、Ni-B鍍層為表層的雙層鍍層，高榮杰等［2］在Q235B鋼表面制備了兩種高磷Ni-P 鍍層緊密堆疊的雙層鍍層，趙丹等［3］在 Q235 鋼表面制備了以Ni-P 鍍層為底層、Ni-Zn-P 鍍層為表層的雙層鍍層，王良洪等［4］在7075 鋁合金

層袋、白色微透光單層袋、雙層袋黃袋轉(zhuǎn)白色微透光單層袋、白色單層無紡布袋和不套袋5種處理后杧果品質(zhì)差異。結(jié)果表明，套袋能明顯改變杧果果實的外觀品質(zhì)，減少果皮擦傷，增加果面光潔度。3種果袋透光率內(nèi)黑外黃褐色粘底雙層袋＜白色微透光單層袋＜白色單層無紡布袋，內(nèi)黑外黃褐色粘底雙層袋、白色微透光單層袋、內(nèi)黑外黃褐色粘底雙層袋轉(zhuǎn)白色微透光單層袋的L*、c*和b*值增加有利于果皮亮度、飽和度的增加，果實偏黃呈黃色或黃綠色。套白色單層無紡布袋的a*值最大，最有利于熱農(nóng)1號杧

現(xiàn)出半導(dǎo)體性能，單層WS2厚度僅為0.618 nm，是一種直接帶隙材料，其帶隙約為2.0 eV，在帶隙邊存在極強的吸收峰[15-17]。不同層數(shù)的WS2表現(xiàn)出不一樣的光電性質(zhì)[18]。就光電探測器應(yīng)用而言，如何增強WS2的光吸收進而提高器件的光響應(yīng)率是一大關(guān)鍵。國內(nèi)外學(xué)者在增強單層WS2光吸收方面做了一些探索。Cao等[19]在Si襯底上采用Ag納米光柵和分布式布拉格反射器 (DBR) 增強單層WS2的光吸收。系統(tǒng)研究了DBR周期、Ag納米光柵高度和周期、

的關(guān)注.常溫下的單層黑磷空穴遷移率可達1000 cm2V-1s-1 [11-14].與石墨烯和TMDs相比，黑磷具有直接帶隙，帶隙隨著黑磷層數(shù)的增加而減小，單層黑磷帶隙為1.51 eV，塊狀黑磷帶隙為0.3 eV[15]，這使得我們可以通過改變黑磷晶體層數(shù)來獲得理想的帶隙.對于黑磷的研究已經(jīng)有很多.劉遠全[16]等人利用第一性原理研究了Fe、Co、Ni在P位吸附和摻雜磷烯的性質(zhì)，發(fā)現(xiàn)Co在P位的吸附的穩(wěn)定性強于Fe、Ni.大多數(shù)材料都可以通過應(yīng)變工程改變其

大量研究，少層或單層MoTe2[13-15]已經(jīng)在實驗室通過化學(xué)氣相沉積方法成功制備.但是，采用這些方法制備的MoTe2結(jié)構(gòu)中不可避免地會出現(xiàn)各種缺陷.TEM和STEM圖像顯示，在所制備的MoTe2樣品中存在多種空位缺陷，這些空位對MoTe2材料的穩(wěn)定性起著重要作用[16-18].空位的出現(xiàn)也有可能對材料電子和光學(xué)性質(zhì)產(chǎn)生顯著影響[19-20].然而，對空位摻雜的單層MoTe2，特別是1T′MoTe2還缺乏系統(tǒng)的研究.因此，本文擬對空位缺陷摻雜單層1H和1

10]. 但對于單層的二硫化鉬(monolayer MoS2); 其結(jié)構(gòu)與石墨烯的結(jié)構(gòu)相似, 這種似石墨烯的層狀結(jié)構(gòu)使二硫化鉬在眾多領(lǐng)域都得到了廣泛的應(yīng)用[3-8], 如在晶體管制造業(yè)、儲能材料以及器件、電池、電化學(xué)、催化劑等領(lǐng)域都蘊藏著巨大的應(yīng)用價值[5-14]. 為此, 研究者們對單層二硫化鉬材料進行了研究. 例如李剛等[1]用Se摻雜單層MoS2研究了摻雜的能帶結(jié)構(gòu)和光吸特性, 并分析了對其光解水性質(zhì)的影響; 陶鵬程等[2]討論了鹵族元素摻雜對金屬-

，隨著工業(yè)發(fā)展對單層工業(yè)廠房的要求越來越高，現(xiàn)在的工業(yè)建筑朝著超大層高、大跨度、大柱距、大噸位吊車的方向發(fā)展，為適應(yīng)當前工業(yè)廠房的發(fā)展水平，應(yīng)當對這類單層超大層高大跨重載工業(yè)建筑結(jié)構(gòu)體系及其快速建造關(guān)鍵技術(shù)進行深入的研究和探索。本文首先介紹了大跨度工業(yè)廠房的鋼結(jié)構(gòu)的優(yōu)勢，分析了鋼結(jié)構(gòu)工業(yè)廠房安裝的準備工作，并結(jié)合相關(guān)實踐經(jīng)驗，介紹超大層高大跨重載鋼結(jié)構(gòu)工業(yè)廠房快速建造關(guān)鍵技術(shù)。關(guān)鍵詞：單層;超大層高;大跨度;重載工業(yè)廠房;鋼結(jié)構(gòu);快速建造DOI：10.16

到修改稿)用氫對單層二維過渡金屬硫化物(TMDs)進行功能化是調(diào)節(jié)單層TMDs電子性質(zhì)的既有效又經(jīng)濟的方法. 采用密度泛函理論, 對單層TMDs (MX2 (M = Mo, W; X = S, Se, Te))的穩(wěn)定性和電子性質(zhì)進行理論研究, 發(fā)現(xiàn)在單層MX2的層間有一個比其表面更穩(wěn)定的氫吸附位點. 當同陽離子時, 隨著陰離子原子序數(shù)的增加, H原子與MX2層的結(jié)合越強, 氫化單層MX2結(jié)構(gòu)越穩(wěn)定; 相反, 同陰離子時, 隨著陽離子原子序數(shù)的增加, H原子

其層數(shù)由高降低至單層可使其能帶結(jié)構(gòu)從間接帶隙轉(zhuǎn)變?yōu)橹苯訋丁?span id="j5i0abt0b" class="hl">單層TMDs的光激發(fā)過程中的基本粒子為激子[9-10]，即庫侖力束縛下的電子空穴對，包括中性和帶電激子兩類。其中中性激子(X0激子)由庫侖力束縛下的一個電子和一個空穴組成；帶電激子又包括了一個電子和兩個空穴組成的正電激子(X+激子)，和一個空穴兩個電子組合而成的負電激子(X-激子)。由于強烈的量子限域效應(yīng)、較大的載流子有效質(zhì)量和較弱的介電屏蔽作用，單層TMDs具有可達數(shù)百meV量級的激子結(jié)合能，比

41000）1 單層二硫化鉬簡介二硫化鉬是一種典型的層狀過渡金屬硫族化合物，化學(xué)式是。單層層內(nèi)的Mo原子和S原子之間通過較強的共價鍵結(jié)合形成二維六角格子，類似于石墨烯，如圖1（b）所示，結(jié)構(gòu)非常穩(wěn)定。每個Mo原子被位于三棱柱頂點的六個S原子包圍，也就是說每個單層包含一層Mo原子和上下兩層 S原子，形成類“三明治”結(jié)構(gòu),如圖1（a）所示。圖1 單層MoS2的導(dǎo)帶低和價帶頂位于二維六角布里淵區(qū)的頂點處（K點），如圖2所示。對于位于點附近的低能量載流子而言，兩個

大跨多曲鼓形節(jié)點單層網(wǎng)殼結(jié)構(gòu)體系，其支點依附在東西主樓的兩側(cè)鋼筋混凝土框架上，俯視看為多段弧形線條，立面看為多曲變化的曲面，其結(jié)構(gòu)重心偏移結(jié)構(gòu)本身，結(jié)構(gòu)平面外剛度弱，無法采用傳統(tǒng)鋼結(jié)構(gòu)散拼、整體吊裝等施工方法，本文結(jié)合結(jié)構(gòu)特點，并充分考慮現(xiàn)場施工環(huán)境采用胎架支撐、分層分階的施工技術(shù)。由于本結(jié)構(gòu)重心偏移，需考慮網(wǎng)殼結(jié)構(gòu)本生撓度和側(cè)向變形影響，應(yīng)預(yù)留網(wǎng)殼結(jié)構(gòu)的變形值確保建筑外觀效果。通過此文希望對其他同類型結(jié)構(gòu)的安裝起到一定借鑒作用。關(guān)鍵詞：大跨度；單層；網(wǎng)殼

王 嵐 編譯單層碳納米管的功能化對轎車輪胎胎面膠料及其硫化膠性能的影響王 嵐 編譯文中重點研究了單層碳納米管經(jīng)功能化處理后，對胎面膠料及其硫化膠性能的影響。試驗表明，向轎車輪胎胎面膠中添加羧基化單層碳納米管后，100%和300%定伸應(yīng)力提高，拉伸強度和撕裂強度無甚變化，伸長率減小，硬度和固特里奇生熱增大，耐磨耗性有所下降。單層碳納米管；羧基化；胎面膠；磨耗在輪胎橡膠中應(yīng)用單層碳納米管，是其頗有發(fā)展前景的用途之一。文中的研究旨在弄清楚經(jīng)受了不同功能化處理的單

材料多向?qū)雍习逯?span id="j5i0abt0b" class="hl">單層力學(xué)性能不同于單向板力學(xué)性能，表現(xiàn)出明顯的就位特性。文章采用能量準則法和經(jīng)驗公式法對復(fù)合材料層合板中90°層的就位特性進行了評述，基于試驗數(shù)據(jù)對這兩類方法進行了分析。結(jié)果顯示，能量準則法很好預(yù)測了薄90°就位層的就位橫向拉伸強度，而對厚90°就位層預(yù)測能力弱；由于面內(nèi)剪切損傷機理復(fù)雜，兩種方法對就位剪切強度的預(yù)測誤差較大。關(guān)鍵詞：復(fù)合材料；層合板；單層；就位效應(yīng)；分析中圖分類號：V262 文獻標志碼：A 文章編號：2095-2945（2

層結(jié)構(gòu)的隔熱屏的單層鉬圓片變形問題，提供一種多層結(jié)構(gòu)鉬隔熱屏，包括多個單層鉬圓片，各單層鉬圓片上設(shè)置有通孔，各單層鉬圓片上設(shè)置有支撐各相鄰單層鉬圓片的凸軌，通孔中穿有兩端設(shè)有緊固支撐鉬螺桿。優(yōu)選的，所述設(shè)置在單層鉬圓片上的通孔有若干個，各通孔兩端鄰近位置各設(shè)置有一道凸軌，所述凸軌用于支撐和固定相鄰鉬圓片，其中，凸軌處壓制成半圓形，使得相鄰鉬圓片之間還留有縫隙；優(yōu)選的，所述鉬螺桿下方設(shè)置成直角彎曲狀，并留有一段支撐鉬螺桿，用于構(gòu)成對鉬隔熱屏底部支撐架，螺桿上

，包括：儲物室、單層籠、給食槽、給水槽、給食管、給水管、排食管、排水管，所述儲物室設(shè)在若干單層籠頂部，每個單層籠上設(shè)有給食槽、給水槽，給食管、給水管、排食管、排水管貫穿連接若干單層籠，給食槽連接給食管、排食管，給水槽連接給水管排水管，給食槽、給水槽連接儲物室。本實用新型通過給食管、給水管、排食管、排水管貫穿連接若干單層籠可以實現(xiàn)對每層食物、水的定量供給，而且通過排食管、排水管可以及時把污染過的食物和水及時排出，保證籠內(nèi)清潔，從而保證鳥兒好的心情，避免生病，

的方法成功剝離出單層MoS2[10]．近年來,通過溶劑[11]或裂解[12]的方法制備單層MoS2的方法也有報道．如今,作為典型的類石墨烯單層過渡金屬化合物,單層MoS2憑借其優(yōu)秀的光學(xué)和電學(xué)性質(zhì)在輔助石墨烯甚至替代石墨烯上有著很好的前景,在晶體管制造[13]和電子探針的應(yīng)用[14]等方面也受到人們的關(guān)注．MoS2是間接帶隙半導(dǎo)體材料,其禁帶寬度為1.29 eV[15],而單層MoS2則是直接帶隙半導(dǎo)體材料,禁帶寬度為1.8 eV[11]．到目前為止,對于

，此種現(xiàn)象定義為單層突進，是層間矛盾的突出體現(xiàn)。單層突進極易形成低效或無效注采循環(huán)現(xiàn)象，導(dǎo)致油層動用不均衡，加快含水上升和產(chǎn)量遞減速度。因此，研究非均質(zhì)油層單層突進的形成原因及相應(yīng)的調(diào)整對策具有重要意義[1]。統(tǒng)計H油田2001年以來的7410井次注入剖面資料，共有57914層（次）相對吸水量大于0，平均單層相對吸水12.80%。從分布頻率來看，以低于10%的為主，從累計分布曲線來看，90%以上的油層相對吸水量低于30%（圖1）。圖1 H油田油層相對吸水量

SiO2納米顆粒單層膜流變特性的雙Wilhelmy片法研究*臧渡洋1)張永建2)Langevin Dominique3)1)(空間應(yīng)用物理與化學(xué)教育部重點實驗室，西北工業(yè)大學(xué)理學(xué)院，西安710072) 2)(西北工業(yè)大學(xué)材料學(xué)院，西安710072) 3)(Laboratoire de Physique des Solides，UniversitéParis-Sud，UMR CNRS 8502，Batiment 510，91405 Orsay cedex，F(xiàn)

083)0 前言單層索網(wǎng)體系是點支式柔性支承玻璃幕墻結(jié)構(gòu)中的一種新型體系,以其建筑結(jié)構(gòu)簡捷、輕盈美觀、通透性好等優(yōu)點深受建筑師的青睞,應(yīng)用廣泛[1-2]。單層平面索網(wǎng)作為一種新型預(yù)張力結(jié)構(gòu)體系,具有柔性大、質(zhì)量輕、阻尼小、自振頻率低的特點,屬風敏感結(jié)構(gòu)[3-4]。有很多學(xué)者針對單層索網(wǎng)幕墻結(jié)構(gòu)振動特性開展了深入研究,文獻[5-6]研究了單層索網(wǎng)體系固有振動特性,文獻[7-10]研究了單層索網(wǎng)幕墻結(jié)構(gòu)動力特性,文獻[11-12]研究了單層索網(wǎng)幕墻結(jié)構(gòu)的風振響