歐姆
- 不同工況下鋰電池歐姆和極化內(nèi)阻測試方法研究
的阻力，其大小由歐姆內(nèi)阻和極化內(nèi)阻組成。歐姆內(nèi)阻主要是由Li+通過正負(fù)極集流板、電解質(zhì)、隔膜等所受到的阻力構(gòu)成，其次還有極耳和外部銅片連接處的接觸內(nèi)阻[3]。極化內(nèi)阻是指電池在充放電過程中由電化學(xué)極化和濃度差極化所引起的電化學(xué)反應(yīng)內(nèi)阻?，F(xiàn)階段國內(nèi)外學(xué)者對(duì)鋰離子電池內(nèi)阻的獲取方法主要利用充電脈沖電流電壓的變化或等效電路模型兩種手段[4]。例如楊燕等[5]采用多個(gè)倍率的電流對(duì)電池在固定荷電狀態(tài)(SOC)下進(jìn)行交替充電或放電，并測量工作電壓，繪制U-I 曲線圖，
電源技術(shù) 2023年10期2023-11-03
- TiN、Ti插入層對(duì)ITO與GaN歐姆接觸性能影響的研究
高溫退火后會(huì)形成歐姆接觸[14-16]。雖然在ITO/GaN間插入Ti或TiN層可以促進(jìn)歐姆接觸的形成,但是高溫退火會(huì)導(dǎo)致各層界面發(fā)生擴(kuò)散、相變、分解等過程,影響歐姆接觸的熱穩(wěn)定性。目前關(guān)于高溫退火對(duì)ITO/插入層/GaN結(jié)構(gòu)的光學(xué)透過率、歐姆接觸機(jī)理的研究較少。本文主要研究在不同退火條件下Ti、TiN插入層對(duì)ITO與GaN之間歐姆接觸性能的影響。通過磁控濺射在GaN與ITO之間插入不同厚度的Ti與TiN,研究退火溫度、退火時(shí)間對(duì)ITO薄膜透過率、ITO與
人工晶體學(xué)報(bào) 2023年9期2023-09-22
- Omelet歐姆蛋
西式人氣早餐——歐姆蛋。也會(huì)寫作omelette，是把打好的雞蛋放到平底鍋里煎出來的，通常都會(huì)加入黃油，以使蛋卷的口感蓬松，這是它與炒蛋的最大區(qū)別。另外，還可以根據(jù)個(gè)人喜好添加各種fillings（填充物，糕點(diǎn)內(nèi)的陷），比如cheese（芝士）、onions（洋蔥）、peppers（青椒、辣椒）、tomatoes， 等等。雞蛋是歐姆蛋的主要材料。其實(shí)雞蛋的做法有很多種，我們一起來了解一下吧。這實(shí)際上是一種意式做法，和煎蛋卷類似，只不過沒有卷起來。一般是有酥
閱讀（快樂英語高年級(jí)） 2023年5期2023-05-26
- 氮化鎵功率電子器件上歐姆接觸電極研究進(jìn)展
件[1]。其中，歐姆接觸是功率器件的基礎(chǔ)結(jié)構(gòu)。器件利用金屬電極與GaN間接觸形成的歐姆接觸來輸入或輸出電流[1]。對(duì)于大功率電子器件和高頻器件來說，電極低的接觸電阻意味著低功耗和高器件可靠性，歐姆接觸直接關(guān)系到GaN器件的性能，是影響器件性能的重要因素之一[2]。通常，寬禁帶半導(dǎo)體的功率器件需要的比接觸電阻（ρc）值在10-5～10-6Ω×cm2內(nèi)[3]，然而，在GaN材料中獲得良好的歐姆接觸是個(gè)難題，因?yàn)檩^寬的帶隙（氮化鎵為3.4 eV）導(dǎo)致n型材料上的
科技創(chuàng)新與應(yīng)用 2023年4期2023-02-24
- 中波天饋線系統(tǒng)之天線與饋線
部阻抗為9.23歐姆，虛部電抗為-217.8歐姆：輸入945kHz信號(hào)時(shí)實(shí)部阻抗為45歐姆，虛部電抗為42.2歐姆：輸入1305kHz信號(hào)時(shí)實(shí)部阻抗為279歐姆，虛部電抗為278.0歐姆，除此之外中波天線輸入阻抗與天線高度、邊長、地網(wǎng)、地井及土壤條件有關(guān)。以下是常見中波天線阻抗曲線，如圖3所示。圖2 圖34 中波饋線早期的中波饋線多采用籠式饋線，有6線、16線和24線幾種形式，籠式饋線中間導(dǎo)線為熱端，傳送射頻信號(hào)，四周導(dǎo)線為冷端，通過饋線桿與大地連接，一般
數(shù)字傳媒研究 2022年8期2022-12-14
- Ni膜厚度對(duì)4H-SiC歐姆接觸特性的影響
C材料的性能對(duì)比歐姆接觸的制備是SiC半導(dǎo)體器件的制作中必不可少的步驟，形成穩(wěn)定、可重復(fù)性好、比接觸電阻小的歐姆接觸，對(duì)于SiC半導(dǎo)體器件的廣泛應(yīng)用至關(guān)重要。Ni目前被認(rèn)為是形成N型4H-SiC歐姆接觸質(zhì)量較好的材料[2，3]，因此,本文采用Ni膜作為SiC歐姆接觸的研究對(duì)象。2 實(shí)驗(yàn)過程本文實(shí)驗(yàn)采用的N型4H-SiC片采購自山東天岳先進(jìn)材料科技有限公司。實(shí)驗(yàn)前，將4 in(1 in=2.54 cm)的4H-SiC用砂輪切割成2 cm×2 cm的小方片，洗
傳感器與微系統(tǒng) 2022年12期2022-12-10
- 深度認(rèn)識(shí)多用電表歐姆擋及其倍率轉(zhuǎn)換原理
理圖和如圖2所示歐姆表原理圖或類似圖形．圖1 多用電表原理圖圖2 歐姆表原理圖同時(shí)，還都根據(jù)表頭的滿偏電流(1)和測量待測電阻Rx時(shí)的表頭電流(2)來分析計(jì)算待測電阻Rx的電阻值．但是，在教學(xué)實(shí)踐中發(fā)現(xiàn)，用圖1和圖2介紹多用電表歐姆擋或歐姆表原理圖時(shí)存在一個(gè)明顯的弊端，也就是它們無法正確反映歐姆擋或歐姆表的倍率轉(zhuǎn)換與歐姆調(diào)零的關(guān)系．同時(shí)，用實(shí)驗(yàn)室配備的常用多用電表歐姆擋進(jìn)行有關(guān)實(shí)驗(yàn)測量時(shí)，一些實(shí)驗(yàn)現(xiàn)象根據(jù)圖1或圖2不能作出合理的正確解釋．對(duì)此，已有物理專業(yè)
物理通報(bào) 2022年9期2022-09-01
- 歐姆加熱和轉(zhuǎn)谷氨酰胺酶對(duì)豬肉糜制品品質(zhì)特性的影響
品質(zhì)形成[3]。歐姆加熱是一種新型快捷的電極加熱方式，主要通過誘導(dǎo)食物自身導(dǎo)電達(dá)到加熱的目的。歐姆加熱比傳統(tǒng)加熱食品有諸多優(yōu)點(diǎn)，如有更好的感官特性和食用品質(zhì)等[6-8]。前人研究表明，快速歐姆加熱方式顯著提高魚糜凝膠保水性能[9]。同時(shí)使用歐姆加熱和谷氨酰胺轉(zhuǎn)移酶（0.5% TG酶）處理制備豬肉糜制品方向的研究國內(nèi)外還是空白，通過對(duì)比水浴加熱，探明歐姆加熱法制備的豬肉糜制品特點(diǎn)，由于歐姆加熱本身對(duì)于肉中蛋白質(zhì)變性程度并不比水浴加熱高，對(duì)于肉糜制品質(zhì)構(gòu)（凝膠
食品工業(yè) 2022年4期2022-06-14
- GaAs光導(dǎo)開關(guān)電極制備工藝及性能測試
的重要因素之一為歐姆接觸電極的制備技術(shù),電極的歐姆接觸質(zhì)量將直接影響光導(dǎo)開關(guān)的電學(xué)響應(yīng)特性,進(jìn)而決定它的可靠性。半導(dǎo)體-金屬接觸理論研究表明:由于半導(dǎo)體和金屬材料之間存在勢壘差,一般的半導(dǎo)體-金屬接觸會(huì)形成電阻很大的肖特基接觸,這會(huì)導(dǎo)致光導(dǎo)開關(guān)的接觸電阻增大,從而降低光導(dǎo)開關(guān)的效率、性能和壽命[18-21],因此,為提高光導(dǎo)開關(guān)的可靠性,就需要電極具有良好的歐姆接觸。目前就國內(nèi)外光導(dǎo)開關(guān)的研究現(xiàn)狀對(duì)比而言[22-25],國內(nèi)制備的光導(dǎo)開關(guān)在性能方面較差,尤
西安交通大學(xué)學(xué)報(bào) 2022年2期2022-03-02
- 歐姆加熱解凍法對(duì)豬肉理化及氧化特性的影響
式集中于電解凍（歐姆加熱解凍、高壓脈沖電場解凍）、高壓解凍、微波輔助解凍、真空蒸汽解凍、射頻解凍等）[1，3]。歐姆加熱解凍是一種全新的電極加熱解凍方法。在電場作用下，電流通過導(dǎo)電性的食物時(shí)，帶電能量充分釋放，引發(fā)食品自熱現(xiàn)象，從而達(dá)到解凍的效果。研究表明，這種解凍方式在解凍工藝中發(fā)揮了很重要的作用，當(dāng)歐姆加熱解凍電壓梯度為10～30 V/cm 時(shí)，與新鮮樣品相比，由于組織結(jié)構(gòu)的變化引起解凍牛肉片質(zhì)構(gòu)特性（硬度、咀嚼性和膠黏度）顯著變化，而其余指標(biāo)變化不大
農(nóng)產(chǎn)品加工 2022年1期2022-02-17
- 溫度對(duì)質(zhì)子交換膜燃料電池輸出性能的影響
其活化損失電壓、歐姆損失電壓以及濃差損失電壓進(jìn)行了分析，得出電池內(nèi)部含水量以及電導(dǎo)率的變化情況，并比較了PEMFC的輸出功率和極化曲線，確定了最佳的運(yùn)行溫度，從而為PEMFC工作性能的改進(jìn)提供了指導(dǎo)。1 PEMFC建模1.1 PEMFC的動(dòng)力學(xué)模型式中：ENernst為能斯特電壓，V；Vact為活化損失電壓，V；Vohmic為歐姆損失電壓，V；Vconc為濃差損失電壓，V。根據(jù)氫氣/氧氣燃料電池的能斯特方程，PEMFC能斯特電壓ENernst的計(jì)算式為式中
可再生能源 2021年12期2021-12-28
- 碳化硅肖特基器件多層金屬化技術(shù)研究
發(fā)展的一個(gè)難題是歐姆接觸問題。SiC 歐姆接觸金屬的選擇范圍廣泛，可使用Cr、Ni、TiAu、Ta、WTiNi、TiC、TiN、TiAl、Mo、WMo、AuTa等金屬或合金。雖然SiC 材料已經(jīng)商品化，在歐姆接觸方面，在P 型SiC 上制作歐姆接觸的難度比在P型Si 上制作歐姆接觸的難度大；同時(shí)P 型歐姆接觸的熱穩(wěn)定性有待提高。鑒于此，通過金屬化技術(shù)，在SiC 器件相應(yīng)位置上獲得更好的歐姆接觸，成為SiC工藝技術(shù)的關(guān)鍵。解決這一問題，將使SiC 器件成為2
微處理機(jī) 2021年1期2021-03-04
- 微安表內(nèi)阻值對(duì)熱敏電阻溫度計(jì)設(shè)計(jì)的影響
500～2000歐姆的微安表時(shí)，總是出現(xiàn)熱敏電阻被擊穿的現(xiàn)象。即使非常仔細(xì)，把參數(shù)優(yōu)化到最合理的取值[5]，依然無法避免。然而改用同樣量程，內(nèi)阻約為160歐姆的微安表后，這種現(xiàn)象不再發(fā)生。通過分析我們發(fā)現(xiàn)，微安表內(nèi)阻值的大小對(duì)熱敏電阻安全性起到?jīng)Q定性的作用。本研究以量程為300微安的表頭為例，給出微安表內(nèi)阻值對(duì)熱敏電阻溫度計(jì)設(shè)計(jì)的影響。下面幾部分詳細(xì)討論它們之間的關(guān)系，段落1討論熱敏電阻溫度計(jì)的設(shè)計(jì)原理和電路中各參數(shù)設(shè)定的基本原則。段落2對(duì)熱敏電阻的安全電
物理與工程 2020年1期2020-06-07
- 微波無線傳能系統(tǒng)中直流阻抗匹配器設(shè)計(jì)①
器，在0～100歐姆小負(fù)載變化范圍內(nèi)保持近似60%的傳輸效率；文獻(xiàn)[6]使用一個(gè)含有方波頻率微控器的升壓降壓轉(zhuǎn)換器得到恒定的100歐姆輸入阻抗用于直流匹配，并在0～1000歐姆負(fù)載變化范圍內(nèi)保持73%的傳輸效率；文獻(xiàn)[7]使用了一款電流工作在不連續(xù)傳導(dǎo)模式下輸入阻抗為190歐姆的直流匹配器，并在100～5000歐姆負(fù)載范圍內(nèi)保持穩(wěn)定且近似60%的傳輸效率，直流阻抗匹配器的轉(zhuǎn)換效率為75%。在已有直流阻抗匹配器設(shè)計(jì)中，文獻(xiàn)[7]中電路具有直流負(fù)載使用范圍廣、
空間電子技術(shù) 2020年2期2020-06-04
- Ti與Al比例及退火溫度對(duì)AlGaN/GaN HEMT歐姆接觸影響
半導(dǎo)體界面處高的歐姆電阻對(duì)器件性能和可靠性的影響問題一直受到研究者的廣泛關(guān)注，也是當(dāng)今研究的熱點(diǎn)問題之一．低的歐姆接觸電阻對(duì)改善AlGaN/GaN HEMT器件的電學(xué)特性極為重要，對(duì)歐姆接觸的要求為有更低的歐姆接觸電阻、接觸電阻的高穩(wěn)定性、表面光滑度和邊緣清晰度好、耐腐蝕、耐輻射損傷、低的殘余應(yīng)力、導(dǎo)熱導(dǎo)電性能好等．在進(jìn)行歐姆接觸的研究中，因?yàn)椴豢赡芡瑫r(shí)滿足所有的需求，最好的策略是盡可能地滿足更多的要求．改善AlGaN/GaN HEMT器件電極性能的方法主
大連理工大學(xué)學(xué)報(bào) 2020年2期2020-04-01
- 歐姆加熱對(duì)米飯蒸煮過程能耗及其品質(zhì)的影響
紹金，李星恕,2歐姆加熱對(duì)米飯蒸煮過程能耗及其品質(zhì)的影響丁辛亭1，熊秀芳1，李樹旺1，王紹金1，李星恕1,2※（1. 西北農(nóng)林科技大學(xué)機(jī)械與電子工程學(xué)院，楊凌 712100；2. 陜西省農(nóng)業(yè)裝備工程技術(shù)研究中心，楊凌 712100）針對(duì)電飯煲蒸煮米飯存在電熱轉(zhuǎn)化效率低、溫度不易控制等不足，該研究設(shè)計(jì)了一種加熱速率和保溫溫度自動(dòng)可控的歐姆加熱試驗(yàn)系統(tǒng)，研究了浸泡時(shí)間（5、15、30、50、80 min）和水米比（1.25∶1、1.50∶1、1.75∶1、2.
農(nóng)業(yè)工程學(xué)報(bào) 2020年24期2020-03-04
- 熱退火處理對(duì)AuGeNi/n-AlGaInP歐姆接觸性能的影響*
有較低接觸電阻的歐姆接觸, 其比接觸電阻率在445 ℃退火600 s時(shí)達(dá)到1.4 × 10—4 Ω·cm2.二次離子質(zhì)譜儀測試表明, 疊層金屬Ni/Au/Ge/Ni/Au與n?AlGaInP界面發(fā)生固相反應(yīng), Ga, In原子由于熱分解發(fā)生外擴(kuò)散并在晶格中留下Ⅲ族空位.本文把歐姆接觸形成的原因歸結(jié)為Ge原子內(nèi)擴(kuò)散占據(jù)Ga空位和In空位作為施主提高N型摻雜濃度.優(yōu)化退火工藝對(duì)低摻雜濃度n?(Al0.27Ga0.73)0.5In0.5P的歐姆接觸性能有顯著改善
物理學(xué)報(bào) 2020年4期2020-02-28
- 慕尼黑大學(xué)：大師云集 享譽(yù)世界
應(yīng)用提供了便利。歐姆：舉世公認(rèn)的電學(xué)大師同學(xué)們一定對(duì)電學(xué)大師歐姆有所了解吧，電阻的單位就是“歐姆”。歐姆是德國著名的科學(xué)家，他發(fā)現(xiàn)的歐姆定律是電學(xué)發(fā)展史上的一個(gè)里程碑。一個(gè)鎖匠的后代，能取得如此偉大的成就，是與他的勤奮好學(xué)分不開的。歐姆從小就熱愛科學(xué)，但中途輟過學(xué)，也擔(dān)任過中學(xué)教師，還親自動(dòng)手制作過儀器。多年電學(xué)研究，歷盡千辛萬苦，他最終發(fā)現(xiàn)了歐姆定律。然而，歐姆定律并沒有引起物理學(xué)界的重視，有些物理學(xué)家甚至還對(duì)他進(jìn)行了尖銳的批評(píng)，這使得歐姆遭受了巨大的精
小學(xué)生必讀(高年級(jí)版) 2020年10期2020-02-05
- n型GaN過渡族難熔金屬歐姆電極對(duì)比*
下與n型GaN的歐姆接觸特性,并與Ti基Ti/Al電極進(jìn)行了對(duì)比.采用圓點(diǎn)型傳輸線模型測量了Hf/Al和Ti/Al電極的比接觸電阻率.結(jié)果表明,同等退火條件下的Hf/Al電極,相比于傳統(tǒng)Ti/Al電極,展現(xiàn)出了更加優(yōu)越的歐姆接觸性能.在N2氛圍中低溫650 ℃條件下退火60 s的Hf/Al電極得到了最低的比接觸電阻率為4.28×10-5 Ω·cm2.本文還利用深度剖析的俄歇電子能譜儀對(duì)電極的結(jié)構(gòu)特性進(jìn)行了分析,經(jīng)歷退火的Hf/Al電極樣品中金屬與金屬,金屬
物理學(xué)報(bào) 2019年20期2019-10-25
- 荸薺汁歐姆加熱特性及歐姆加熱對(duì)其澄清度的影響
值得研究的課題。歐姆加熱又稱為通電加熱,它是利用食品物料具有的電導(dǎo)特性來加工食品的技術(shù),比如電解質(zhì)溶液會(huì)發(fā)生定向移動(dòng)從而使物料導(dǎo)電[1,7]。歐姆加熱易操作、無污染、熱能利用率高,加工食品質(zhì)量好,能實(shí)現(xiàn)含有顆粒的液固混合食品及固體食品的高溫快速殺菌[8]。Palaniappan等[9]研究了不同電壓和不溶性固體對(duì)歐姆加熱胡蘿卜和番茄汁巴氏殺菌的影響。Martynenko等[10]做了歐姆加熱處理液體食品之后食品品質(zhì)的評(píng)估,指出溫度影響了果汁的電導(dǎo)率。LI
食品工業(yè)科技 2019年15期2019-08-28
- 退火參數(shù)對(duì)p-Si與Ti/Pt/Au歐姆接觸的影響*
類,肖特基接觸與歐姆接觸[3]。理想的歐姆接觸是指,當(dāng)金屬與半導(dǎo)體通過一定條件接觸在一起時(shí),交界處沒有勢壘的存在,表現(xiàn)出低阻特性,類似純電阻,伏安特性曲線呈線性[4]。一般情況下,當(dāng)金屬接觸到半導(dǎo)體后,半導(dǎo)體的一側(cè)在界面處會(huì)形成新的勢壘,即肖特基勢壘,它具有整流作用[5]。通常在金屬電極引線制作之前,我們會(huì)使用半導(dǎo)體表面重?fù)诫s以及摻雜后的退火激活工藝來處理樣品,此時(shí)在同等勢壘高度的情況下隧道厚度會(huì)變窄,容易發(fā)生隧穿,而達(dá)到良好的歐姆接觸[6-7]。在半導(dǎo)體
傳感技術(shù)學(xué)報(bào) 2018年10期2018-11-02
- 歐姆加熱殺菌對(duì)豆?jié){中微生物菌落總數(shù)的影響
271018)歐姆加熱技術(shù)是一種新型的食品加工技術(shù)。其原理是利用電極將電流直接導(dǎo)入食品,利用食品物料自身的電導(dǎo)特性對(duì)食品進(jìn)行加熱[1]。與傳統(tǒng)加熱方式相比,歐姆加熱過程中,物料升溫均勻、快速,能夠有效避免傳統(tǒng)加熱過程中所遇到局部過熱和焦糊現(xiàn)象等問題,保證食品的品質(zhì)[2-4]。除此之外,歐姆加熱由于非熱效應(yīng)—電場的作用,可以使食品中的微生物發(fā)生“電穿孔”效應(yīng),造成微生物細(xì)胞膜的破裂,內(nèi)容物溶出,導(dǎo)致微生物的死亡[5]。因此,歐姆加熱可以有效降低食品的殺菌溫
食品工業(yè)科技 2018年14期2018-08-04
- Powersoft Quattrocanali 4通道功放平臺(tái)
放模塊，提高了8歐姆輸出，使得4歐姆、8歐姆和定壓驅(qū)動(dòng)功率相同，讓功率共享技術(shù)成為可能，同時(shí)Dante版本可以接入進(jìn)行數(shù)字信號(hào)與模擬信號(hào)備份；（2）普通版本仍可接入網(wǎng)絡(luò)實(shí)現(xiàn)監(jiān)控及編組靜音功能，同時(shí)所有型號(hào)都具備GPIO端口，可進(jìn)行控制面板連接；（3）具備Alarm警報(bào)接入功能，可以在固定安裝時(shí)方便接入警報(bào)系統(tǒng)，進(jìn)行強(qiáng)切；（4）可進(jìn)行低阻及高阻混合使用，無需外加任何設(shè)備，同時(shí)帶DSP版本功放可提供更多功能選項(xiàng)。（易科國際）endprint
演藝科技 2017年12期2018-01-27
- 歐姆加熱技術(shù)在食品加工中的應(yīng)用進(jìn)展
271018)歐姆加熱技術(shù)在食品加工中的應(yīng)用進(jìn)展單長松1，李法德2，王少剛2，趙子彤1，陳超科2，吳澎1*1(山東農(nóng)業(yè)大學(xué) 食品科學(xué)與工程學(xué)院，山東 泰安, 271018)2(山東農(nóng)業(yè)大學(xué) 機(jī)械與電子工程學(xué)院，山東 泰安, 271018)歐姆加熱是一種新型食品熱加工技術(shù)，在食品物料的快速均勻加熱及提高食品安全性及質(zhì)量方面有巨大的應(yīng)用潛力。由于該技術(shù)在實(shí)際應(yīng)用中受物料自身電導(dǎo)性、電場強(qiáng)度等因素影響，國內(nèi)的研究仍處于起步階段，相較于國外在處理含顆粒食品、含蛋
食品與發(fā)酵工業(yè) 2017年10期2017-12-26
- 阻抗不匹配接口鬧異常
纜阻抗屬性為75歐姆，而路由器E1-F接口默認(rèn)是120歐姆阻抗，阻抗不匹配，造成網(wǎng)絡(luò)故障。故障現(xiàn)象筆者單位有路由器使用E1-F連接外連網(wǎng)絡(luò)，在網(wǎng)絡(luò)停機(jī)維護(hù)后，對(duì)該路由器的線纜進(jìn)行了更換，但在更換后，該E1接口鏈路異常，接口反復(fù)Up/Down，接口統(tǒng)計(jì)數(shù)據(jù)中出現(xiàn)很多CRC錯(cuò)誤（如圖1）。CRC（Cyclic Redundancy Check，循環(huán)冗余檢驗(yàn)）是一種根據(jù)網(wǎng)絡(luò)數(shù)據(jù)包或電腦文件等數(shù)據(jù)產(chǎn)生簡短定位數(shù)據(jù)檢驗(yàn)碼的一種散列函數(shù)，主要用來檢測或校驗(yàn)數(shù)據(jù)傳輸或者
網(wǎng)絡(luò)安全和信息化 2017年1期2017-11-22
- 歐姆蛋
——人氣西式早餐
風(fēng)情Yummy!歐姆蛋 ——人氣西式早餐OMELET16同學(xué)們每天都有吃早餐嗎？早餐一定要吃哦，否則很容易得膽結(jié)石。早餐不但要吃，而且要吃好。這期我們就為大家介紹一款美味又營養(yǎng)的西式人氣早餐—歐姆蛋。by 璇璣歐姆蛋（煎蛋卷） OMELET也會(huì)寫作omelette，是把打好的雞蛋放到平底鍋里煎出來的，通常都會(huì)加入黃油，以使蛋卷的口感蓬松，這是它與炒蛋的最大區(qū)別。另外，還可以根據(jù)個(gè)人喜好添加各種fillings（填充物，糕點(diǎn)內(nèi)的），比如cheese（芝士）、
瘋狂英語·新讀寫 2017年10期2017-10-12
- 能量型磷酸鐵鋰動(dòng)力電池直流內(nèi)阻測試及分析
下充電態(tài)/放電態(tài)歐姆內(nèi)阻和極化內(nèi)阻的變化規(guī)律。實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明：歐姆內(nèi)阻在數(shù)值上遠(yuǎn)大于極化內(nèi)阻；極化內(nèi)阻比歐姆內(nèi)阻對(duì)SOC更敏感；極化內(nèi)阻隨著脈沖時(shí)間長度的增加而增加，且這種增加趨勢隨著脈沖時(shí)間長度的增加逐漸減?。浑姵爻浞烹姞顟B(tài)對(duì)歐姆內(nèi)阻的影響較小，對(duì)極化內(nèi)阻的影響較大；電流倍率對(duì)歐姆內(nèi)阻的測量結(jié)果影響較小，極化內(nèi)阻隨著電流倍率的增加呈線性減小。磷酸鐵鋰；直流內(nèi)阻；混合功率脈沖特性法；倍率；脈沖時(shí)間受石油短缺、空氣污染和溫室效應(yīng)等問題日益加劇的影響，包括插電式
- 溫度和放電深度對(duì)鈉硫電池歐姆內(nèi)阻的影響
電深度對(duì)鈉硫電池歐姆內(nèi)阻的影響鮑劍明1，2，龔明光1，2，劉 宇1，2( 1.上海電氣鈉硫儲(chǔ)能技術(shù)有限公司，上海 201815； 2.上海鈉硫儲(chǔ)能系統(tǒng)工程技術(shù)研究中心，上海 201815 )鈉硫電池的歐姆內(nèi)阻與溫度和放電深度(DOD)密切相關(guān)。通過不同溫度下的脈沖放電實(shí)驗(yàn)，測量不同DOD時(shí)鈉硫電池的歐姆內(nèi)阻。除DOD為100%外，在某一固定DOD下，歐姆內(nèi)阻隨著溫度的降低而增大。在某一固定溫度下，DOD為0～7.14%時(shí)，隨著DOD增加，β″-氧化鋁陶瓷管
電池 2017年2期2017-07-18
- 歐姆加熱過程對(duì)豬肉氧化和體外消化率動(dòng)態(tài)變化的研究
100083)歐姆加熱過程對(duì)豬肉氧化和體外消化率動(dòng)態(tài)變化的研究戴 妍,盧 憶+,喻倩倩,劉 毅,李興民,戴瑞彤*(北京海淀區(qū)清華東路17號(hào)中國農(nóng)業(yè)大學(xué)食品科學(xué)與營養(yǎng)工程學(xué)院,北京 100083)本文研究了歐姆加熱與水浴加熱肉塊到一定的終點(diǎn)溫度(20～100 ℃)時(shí),脂肪和蛋白質(zhì)氧化、蛋白質(zhì)表面疏水活性和聚合度、胃蛋白酶、胰蛋白酶和α-凝乳蛋白酶體外消化率的動(dòng)態(tài)變化。結(jié)果顯示:隨著肉塊終點(diǎn)溫度的升高,蛋白質(zhì)羰基呈現(xiàn)先下降后上升的趨勢,而胰、α-凝乳蛋白酶體
食品工業(yè)科技 2017年5期2017-06-01
- 呈現(xiàn)多個(gè)特性考查多種能力
——對(duì)一道電學(xué)實(shí)驗(yàn)試題的賞析
的表盤，圖乙是其歐姆擋測電阻的原理簡化示意圖：(1)在按正確的使用方法將選擇開關(guān)置于“×10”擋測量電阻Rx的阻值時(shí)，指針在刻度盤的正中央15刻度線處，則Rx=____Ω.(2)把該多用電表的歐姆擋和一電壓表接成電路，就能一次性測出電壓表的內(nèi)阻和多用電表中歐姆擋內(nèi)部電源的電動(dòng)勢，已知電壓表內(nèi)阻在1萬歐姆范圍內(nèi).①在多用電表連接電壓表之前，正確的操作是：____.②圖乙中的A表筆是____(填“紅”或“黑”)表筆.在多用電表連接電壓表時(shí)，與電壓表“+”接線柱
數(shù)理化解題研究 2016年28期2016-12-16
- 多層Ti/Al電極結(jié)構(gòu)對(duì)GaN/AlGaN HEMT歐姆接觸特性的影響
GaN HEMT歐姆接觸特性的影響于 寧1,王紅航2,劉飛飛1,杜志娟1,王岳華1,宋會(huì)會(huì)1,朱彥旭1*,孫 捷1（1.北京工業(yè)大學(xué)電控學(xué)院光電子技術(shù)實(shí)驗(yàn)室，北京 100124; 2.電子科技大學(xué)中山學(xué)院電子薄膜與集成器件國家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室中山分實(shí)驗(yàn)室，廣東中山 528402）研究了多層Ti/Al結(jié)構(gòu)電極對(duì)GaN/AlGaN HEMT歐姆接觸特性及表面形態(tài)的影響。采用傳輸線模型對(duì)各結(jié)構(gòu)電極的比接觸電阻率進(jìn)行了測量，采用掃描電子顯微鏡對(duì)電極表面形態(tài)進(jìn)行掃描。實(shí)驗(yàn)
發(fā)光學(xué)報(bào) 2016年2期2016-10-28
- Pd對(duì)Ni基n型SiC器件的歐姆接觸特性影響
n型SiC器件的歐姆接觸特性影響張奎1, 崔?；?(1．周口科技職業(yè)學(xué)院 信息與電子工程系，河南 周口 466001；2．周口科技職業(yè)學(xué)院 機(jī)械工程系，河南 周口 466001)采用電子束蒸發(fā)法沉積Ni膜，對(duì)Ni膜進(jìn)行650～1 150 ℃的熱處理，研究了不同Ni層處理溫度對(duì)歐姆接觸的影響，再經(jīng)過900～1 050 ℃熱處理，歐姆接觸比電阻率能夠達(dá)到10-6，驗(yàn)證了Ni2Si化合物促進(jìn)了歐姆接觸的形成；采用磁控濺射法沉積Pd和Au層，對(duì)比了Au/Pd/Ni
周口師范學(xué)院學(xué)報(bào) 2016年5期2016-10-17
- 土耳其科學(xué)家研究用紅外輔助歐姆加熱預(yù)烹調(diào)肉丸的顏色、質(zhì)構(gòu)和烹調(diào)特性
于傳統(tǒng)加熱方式，歐姆和紅外組合加熱能夠在促進(jìn)產(chǎn)品品質(zhì)提升的情況下，減小烹調(diào)時(shí)間。為研究應(yīng)用紅外加熱輔助歐姆加熱預(yù)烹調(diào)對(duì)肉丸品質(zhì)特性的促進(jìn)作用，土耳其科學(xué)家進(jìn)行實(shí)驗(yàn)。使用特制的連續(xù)化歐姆加熱烹調(diào)設(shè)備進(jìn)行產(chǎn)品的預(yù)烹調(diào)，加工條件為電場梯度15.26 V/cm、92 s。然后采用紅外強(qiáng)度為3.706、5.678、8.475 kW/m2，處理距離為10.5、13.5、16.5 cm的不同組合條件下，處理4、8、12 min，考察處理后產(chǎn)品的顏色、質(zhì)構(gòu)和烹調(diào)特性。結(jié)果
肉類研究 2016年3期2016-04-22
- 鋁硅歐姆接觸電阻率與預(yù)擴(kuò)散溫度的關(guān)系
心 陳樹華?鋁硅歐姆接觸電阻率與預(yù)擴(kuò)散溫度的關(guān)系國家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局專利局專利審查協(xié)作廣東中心 陳樹華【摘要】本文給出了歐姆接觸的評(píng)價(jià)方法且實(shí)驗(yàn)得到了低歐姆接觸電阻率的樣品，隨著預(yù)擴(kuò)散溫度的從1100℃變化到1150℃，歐姆接觸電阻率從7.8×10-6Ω·cm2，5.5×10-6Ω·cm2，1.3×10-6Ω·cm2依次降低?！娟P(guān)鍵詞】鋁；硅；歐姆接觸；電阻率1 引言半導(dǎo)體材料、器件及其應(yīng)用在近幾十年取得了快速發(fā)展，同時(shí)大量實(shí)驗(yàn)和數(shù)據(jù)表明明良好的歐姆接觸可以改善
電子世界 2016年5期2016-04-09
- 科學(xué)歷程
——德國物理學(xué)家歐姆出生1789年3月16日，喬治·西蒙·歐姆 生于德國埃爾朗根城，父親自學(xué)了數(shù)學(xué)和物理方面的知識(shí)，并教給少年時(shí)期的歐姆，喚起了歐姆對(duì)科學(xué)的興趣。1826年，歐姆發(fā)現(xiàn)了電學(xué)上的一個(gè)重要定律——歐姆定律。這個(gè)定律在今天看來很簡單，然而它的發(fā)現(xiàn)過程卻并非如一般人想象的那么簡單。在那個(gè)年代，人們對(duì)電流強(qiáng)度、電壓、電阻等概念都還不大清楚。特別是電阻的概念還沒有被提出，當(dāng)然也就根本談不上對(duì)其進(jìn)行精確測量了。歐姆運(yùn)用庫侖的方法制造了電流扭力秤，用來測量
百科知識(shí) 2016年5期2016-03-14
- 背照射和正照射p-i-n結(jié)構(gòu)GaN紫外探測器的i-GaN和p-GaN厚度設(shè)計(jì)
不大，但是較差的歐姆接觸特性將嚴(yán)重降低探測器的響應(yīng)，適當(dāng)?shù)販p小p-GaN厚度可以大幅度改善探測器的響應(yīng)特性。進(jìn)一步分析表明，能帶結(jié)構(gòu)的差別導(dǎo)致了正照射和背照射器件結(jié)構(gòu)中i層和p層厚度的選擇不同。2 模擬計(jì)算所采用的器件結(jié)構(gòu)示意圖及參數(shù)圖1(a)是用于本文模擬的背照射p-i-n結(jié)構(gòu)GaN紫外探測器結(jié)構(gòu)示意圖，包括n+-AlGaN層、i-GaN層(弱n型)和p-GaN層，入射光從襯底背面照射。為了簡化計(jì)算過程，n+-AlGaN窗口層采用透過率為70%的n歐姆電
發(fā)光學(xué)報(bào) 2015年9期2015-12-04
- 艦船管系絕緣密封墊片電絕緣性能研究
電阻降低到102歐姆（或歐姆?厘米）量級(jí)，在海水中的電絕緣有效期約為4個(gè)月，環(huán)氧墊片的濕態(tài)電阻可保持為104～6歐姆（或歐姆?厘米）量級(jí)，環(huán)氧材料組成的墊片其絕緣性能遠(yuǎn)好于石棉橡膠纖維墊片的絕緣性能。石棉橡膠纖維墊片；環(huán)氧墊片；電阻率1 前言艦船在長期的海洋環(huán)境中，其船體、裝置、管路等均會(huì)受到腐蝕的危害。我國海軍艦船因腐蝕導(dǎo)致的維修費(fèi)用占整個(gè)維修費(fèi)用的二分之一左右，艦艇因腐蝕而損失戰(zhàn)斗性能的事故也曾多次發(fā)生[1]。在艦船各種腐蝕現(xiàn)象中，異種金屬接觸腐蝕作為
中國工程科學(xué) 2015年5期2015-12-01
- 多用電表的使用
就是一個(gè)最簡單的歐姆表的電路原理圖。實(shí)際的歐姆表就是在這個(gè)原理的基礎(chǔ)上制成的。將電壓表、電流表、歐姆表組合在一起就成了多用電表。把它們組合在一起，基本的電路原理圖如下所示：仔細(xì)觀察那些位置是電流擋、那些位置是電壓擋、那些位置是歐姆擋？二、練習(xí)使用多用電表準(zhǔn)備（1）觀察多用電表的外形，認(rèn)識(shí)選擇開關(guān)的測量項(xiàng)目及量程；（2）檢查多用電表的指針是否停在表盤刻度左端的零位置。若不指零，則可用小螺絲刀調(diào)整機(jī)械調(diào)零旋鈕使指針指零；（3）將紅、黑表筆分別插入“+”、“-”
新教育時(shí)代電子雜志(教師版) 2015年22期2015-11-23
- 利用ICP進(jìn)行In摻雜對(duì)GaN基LED材料性能的影響
善GaN材料p型歐姆接觸特性的方法，即采用電子束蒸發(fā)技術(shù)在InGaN層上沉積一層ITO薄膜，然后通過感應(yīng)耦合等離子體技術(shù)（ICP）對(duì)ITO進(jìn)行轟擊。通過XPS測試分析可知，ICP轟擊ITO過程中，ITO中的In原子擴(kuò)散至p-GaN層。通過在p-GaN上方制作歐姆接觸并進(jìn)行I-V測試，結(jié)果表明In摻雜后樣品p型歐姆接觸特性得到改善。GaN；p型歐姆接觸；ICP；XPS1 引言p型摻雜一直以來都是制約GaN基器件進(jìn)一步發(fā)展的主要因素之一。目前，熱退火仍是提高p
山東工業(yè)技術(shù) 2015年6期2015-07-27
- 助人越獄的獄警
一、奇怪的殺妻案歐姆是奧斯科監(jiān)獄里的獄警。這段時(shí)間正值他外出度假，可一聽說尼克入獄的消息，歐姆立刻銷假趕了回來，親自為他安排入獄的一切事宜。因?yàn)閷?duì)年輕的歐姆來說，度假遠(yuǎn)遠(yuǎn)比不上探究尼克的秘密有趣。尼克的名字最近被媒體炒作得沸沸揚(yáng)揚(yáng)。他是一名研究魚類的生物學(xué)家，和名?，旣愋禄檠酄?。就在幾個(gè)月之前，有人報(bào)警說瑪麗離奇失蹤。尼克則被當(dāng)成嫌疑人送上法庭。歐姆的電腦中至今保存著這次庭審視頻：控方律師出示一方絲巾走到尼克面前：“你拒絕請(qǐng)辯護(hù)律師，要求自我辯護(hù)。那么請(qǐng)問
山海經(jīng) 2015年5期2015-06-05
- p-InGaN層厚度對(duì)p-i-n結(jié)構(gòu)InGaN太陽電池性能的影響及機(jī)理
的p-InGaN歐姆接觸特性會(huì)破壞InGaN太陽電池性能。計(jì)算結(jié)果還表明，無論歐姆接觸特性好壞，隨著p-InGaN層厚度的增加，短路電流下降是導(dǎo)致InGaN電池效率降低的主要原因。選擇較薄的p-InGaN層有利于提高p-i-n結(jié)構(gòu)InGaN太陽電池的效率。InGaN； 太陽電池； p-i-n結(jié)構(gòu)1 引 言高效率太陽電池是解決能源問題的一個(gè)重要途徑，也是當(dāng)今國際研究的熱點(diǎn)之一。目前Si、Ge、GaAs等常規(guī)電池材料都不能完全覆蓋所有太陽光譜，制約了太陽電池效
發(fā)光學(xué)報(bào) 2015年5期2015-05-05
- 13 K idney and Urinary Tract
Shankar（歐姆），et al.Dept Nephrol，1st Affil Hosp，Sun Yat-sen Univ，Guangzhou 510080.Chin J Nephrol 2014；30（11）：805-812.Ob jectiveTo investigate the prevalence and related risk factors of hyperuricemia in patients with lupus nephritis（
- 鉛酸蓄電池板柵結(jié)構(gòu)的模擬分析
筋數(shù)量有助于降低歐姆壓降。鉛酸蓄電池 板柵 模擬0 引言板柵是電極活性物質(zhì)的集流體和載體。它在蓄電池中占到20 %～30 %的成本。鉛酸蓄電池的充放電電流導(dǎo)引主要通過板柵來完成[1]，板柵的形狀、外型尺寸和結(jié)構(gòu)是影響蓄電池性能的重要因素。鉛酸蓄電池的板柵設(shè)計(jì)是電池優(yōu)化設(shè)計(jì)的重要內(nèi)容之一。板柵設(shè)計(jì)的技術(shù)要求是保證板柵很好地完成附載活性物質(zhì)和導(dǎo)引電流的作用[2]。大量研究結(jié)果表明，掌握板柵上電位及電流分布的規(guī)律，對(duì)于優(yōu)化板柵設(shè)計(jì)具有重大的意義。可使板柵獲得更為
船電技術(shù) 2014年10期2014-05-07
- 低摻雜濃度n型GaAs歐姆接觸的研究
As接觸層上制備歐姆接觸時(shí)，接觸層的摻雜濃度越高(＞1×1018at/cm3)越易于形成低電阻的歐姆接觸，接觸層的摻雜濃度越低(＜1×1018at/cm3)越難形成低電阻的歐姆接觸，因此一直以來低摻雜濃度n型GaAs接觸層的制備是研究的難點(diǎn)和重點(diǎn)［4］。在本文中，我們將重點(diǎn)研究低摻雜濃度(2×1017at/cm3)n型GaAs接觸層的歐姆接觸，通過改變金屬層AuGe/Ni的厚度，合金化的溫度和時(shí)間等參數(shù)獲得優(yōu)化的制備條件。2 測量歐姆接觸電阻的方法在薄層材
激光與紅外 2013年11期2013-10-25
- 多晶硅納米膜歐姆接觸特性的研究
。金屬和半導(dǎo)體的歐姆接觸，無論是對(duì)半導(dǎo)體器件性能還是對(duì)半導(dǎo)體物理特性的研究都非常重要，而本文制作成的傳感器的橋壁電阻變化量為千分之幾，即幾歐姆，因此，歐姆接觸（ohmic contact）直接影響到傳感器的精度、穩(wěn)定性與可靠性。文章對(duì)多晶硅納米膜歐姆接觸特性進(jìn)行研究，以獲取更加高的歐姆接觸特性，對(duì)其實(shí)用化有著非常重要的意義。1 實(shí) 驗(yàn)以雙面拋光（100）厚度為400μm的單晶硅片作為襯底，清洗干凈后利用LPCVD在硅片正面淀積厚度為80nm的多晶硅納米薄膜
黑龍江工程學(xué)院學(xué)報(bào) 2013年1期2013-08-13
- 指針式萬用表測試二極管檔位選擇探討
可用指針式萬用表歐姆檔判斷其極性，并可以初略判斷二極管是否損壞。目前教科書及相關(guān)資料中都采用歐姆檔R×1k或R×10k來測量其正向、反向電阻，測量誤差較大。本文從指針式萬用表歐姆檔的工作原理和半導(dǎo)體二極管的特性著手，闡明測量二極管等半導(dǎo)體器件應(yīng)該使用指針式萬用表的R×1 和R×10k 檔，以獲得更高的測量精度。1 指針式萬用表歐姆檔工作原理圖1 是指針式萬用表置于歐姆檔的原理圖，其中電阻RX功率是15 W，電感L是驅(qū)動(dòng)萬用表指針偏轉(zhuǎn)的表頭，滿度偏轉(zhuǎn)電流是5
機(jī)電工程技術(shù) 2013年9期2013-06-01
- 黃雀在后
，看著桑那說：“歐姆里，我早就說過，這小子肯定不一般，兜里有倆錢，要不，他怎么成天開好車，住在富人小區(qū)里？”聽了尼亞拉的話，桑那心里暗暗說：傻小子，別太高興，咱們差不多是一伙的。不過，他覺得完全可以利用這兩人，把那100萬美元從銀行里提出來。想到這他便說：“我妻子瑪麗安，你們應(yīng)該認(rèn)識(shí)的，沒有她，你們什么也別想得到?！?span id="j5i0abt0b" class="hl">歐姆里踹了桑那一腳：“別啰嗦，我知道我該怎么做！”尼亞拉把桑那像包粽子一樣用繩子緊緊捆好，鄙夷地說：“你還像個(gè)男子漢嗎？關(guān)鍵時(shí)刻出賣自己的女人
故事林 2013年14期2013-05-14
- 獼猴桃漿歐姆加熱特性及酶失活率數(shù)學(xué)模型的建立
062)獼猴桃漿歐姆加熱特性及酶失活率數(shù)學(xué)模型的建立趙武奇，趙曉春(陜西師范大學(xué)食品工程與營養(yǎng)科學(xué)學(xué)院，陜西西安 710062)利用歐姆加熱技術(shù)對(duì)獼猴桃漿進(jìn)行加熱，探討了加熱過程中加熱速率和電導(dǎo)率的變化規(guī)律，建立了多酚氧化酶和過氧化物酶失活率的數(shù)學(xué)模型。結(jié)果表明，加熱速率隨著電場強(qiáng)度的升高而增大，電場強(qiáng)度對(duì)試樣的電導(dǎo)率影響不大，隨著溫度的升高，電導(dǎo)率呈線性關(guān)系增大;回歸方程在α=0.05水平顯著，可用于歐姆加熱工藝參數(shù)對(duì)多酚氧化酶和過氧化物失活影響的預(yù)測。
食品工業(yè)科技 2012年21期2012-10-25
- 兩種歐姆接觸電阻率測量方法的研究①
領(lǐng)域.而人們對(duì)于歐姆接觸的設(shè)計(jì)、制造和測量的要求越來越高，歐姆接觸是金屬與半導(dǎo)體之間存在的一種非整流接觸[1]，當(dāng)有電流流過時(shí)，歐姆接觸上的電壓降應(yīng)當(dāng)遠(yuǎn)小于樣品或器件本身的壓降，這種接觸不影響器件的電流—電壓特性，或者說，電流—電壓是由樣品的電阻或器件的特性決定的[2－4].文中將采用兩種方法對(duì)測試樣品進(jìn)行測試，并對(duì)其進(jìn)行比較分析.1 實(shí)驗(yàn)將清洗干凈后的厚度為400μm單晶硅片作為襯底，電阻率為2～4Ω·cm2，利用LPCVD在硅片正面淀積多晶硅納米薄膜，
- 后端工藝的N型歐姆接觸
不斷發(fā)展，人們對(duì)歐姆接觸的低阻性能要求也越來越高。歐姆接觸是金屬與半導(dǎo)體界面的一種重要接觸形式，它會(huì)對(duì)器件的效率、增益和開關(guān)速度等性能指標(biāo)有直接影響，還可以用于一切器件和電路信號(hào)的輸入、輸出以及各元件間的相互連接。制備高性能且可靠的歐姆接觸不僅有利于技術(shù)改進(jìn)，還有較大的經(jīng)濟(jì)意義。2 原理歐姆接觸是指金屬與半導(dǎo)體的接觸，而其接觸面的電阻值遠(yuǎn)小于半導(dǎo)體本身的電阻，使得大多數(shù)的電壓降在有源區(qū)（Active region）而不在接觸面上。歐姆接觸良好形成需要有兩個(gè)
電子與封裝 2012年3期2012-09-19
- 多用電表歐姆擋工作原理的理解和分析
簡單介紹了多用表歐姆擋的原理，并涉及了多用表測電阻的一些方法，但由于教材中沒有提出歐姆擋的原理分析，在教學(xué)中學(xué)生提出了不少疑問.例如：為什么歐姆擋的刻度線不均勻？什么是歐姆擋的中值電阻？為什么歐姆擋換擋測量電阻時(shí)要重新調(diào)零？……針對(duì)這些問題，筆者對(duì)J0411型實(shí)驗(yàn)用多用表做了一些探究，下面是筆者對(duì)歐姆擋原理的理解和分析.2 分析歐姆擋的工作原理圖1所示是J0411型多用表歐姆擋的電路圖.最大倍率擋（×1k）只由電流計(jì)G的調(diào)零電位器RP，R1，R2組成內(nèi)部共
物理通報(bào) 2012年5期2012-08-16
- 兩體二能級(jí)系統(tǒng)的糾纏特性
級(jí)系統(tǒng)在零溫玻色歐姆和零溫玻色超歐姆環(huán)境下的糾纏特性。1 糾纏度的定義糾纏度有許多定義，如線性熵、Concurrence、Negativity等。我們將采用Wootters定義Concurrence來度量糾纏[11]。對(duì)于一個(gè)處于狀態(tài)ρ的任意兩體二能級(jí)系統(tǒng)，Concurrence定義為其中，μi(i=1,2,3,4)為矩陣則concurrence簡化為如果系統(tǒng)處于混合態(tài)且密度矩陣可表示為以下形式：則concurrence簡化為[12]2 模型考慮一個(gè)復(fù)合系
- 食品歐姆加熱過程中不同電極形狀的溫度場分布的數(shù)值模擬
10642)食品歐姆加熱過程中不同電極形狀的溫度場分布的數(shù)值模擬姜 欣1,李 琳1,田 婷2,沈五雄2,周家華2(1.華南理工大學(xué)輕工與食品學(xué)院,廣東廣州 510641;2.華南農(nóng)業(yè)大學(xué)食品學(xué)院,廣東廣州 510642)為了了解 5種不同電極板形狀對(duì)食品歐姆加熱中物料的溫度場分布及加熱效率的影響,建立了不同電極形狀的歐姆加熱三維模型,利用有限元的方法求解歐姆加熱過程中模型的溫度場和電場方程,模擬分析了矩形、圓形以及弧形電極的歐姆加熱過程中的溫度分布.結(jié)果表
- 高考物理多用電表實(shí)驗(yàn)題賞析
理、考查多用電表歐姆擋的正確使用、考查多用電表檢測電路4種.1 考查多用表的讀數(shù)例1.(2009年安徽卷)用多用電表進(jìn)行了幾次測量,指針分別處于a、b的位置,如圖1所示.若多用電表的選擇開關(guān)處于表1中所指的擋位,a和b的相應(yīng)讀數(shù)是多少?請(qǐng)?zhí)钤诒砀裰?表1圖1答案見表2表2解析:直流電流 100 mA擋讀第 2行“0～10”一排,最小分度值為2 mA估讀到1 mA就可以了;直流電壓2.5 V擋讀第2行“0～250”一排,最小分度值為0.05 V估讀到0.01
物理教師 2010年5期2010-07-24
- 歐姆與他的定律
梁 羽歐姆定律的數(shù)學(xué)表達(dá)式是物理學(xué)中的一個(gè)最重要、最普遍的電流定律。這個(gè)給人以和諧感覺的數(shù)學(xué)表達(dá)式是如此簡單明了，它表明：導(dǎo)體中的電流強(qiáng)度I與它兩端的電壓U成正比，跟它的電阻R成反比。這個(gè)以歐姆的名字命名的電流定律發(fā)表于1827 年。在我們今天看來，這個(gè)定律是如此簡單，然而它的發(fā)現(xiàn)過程卻飽含了歐姆的無數(shù)心血。在那個(gè)時(shí)代，電流強(qiáng)度、電壓等概念都尚不清楚，特別是電阻的概念還未形成，測量的儀器也很簡陋，根本無法對(duì)它們進(jìn)行十分精密的測量。因此，整個(gè)過程是非常艱辛的
物理教學(xué)探討·高中學(xué)生版 2009年1期2009-07-23