勢壘
- 利用Matlab軟件對(duì)一維薛定諤方程的動(dòng)力學(xué)可視化教學(xué)*
.本文結(jié)合一維方勢壘模型的具體示例[3],利用Matlab仿真軟件提供的強(qiáng)大模擬功能,旨在通過圖像式直觀教學(xué)拓展課程的深度和廣度,并攻克知識(shí)難點(diǎn)和課程難點(diǎn),以獲得正確的量子力學(xué)圖景.通過仿真軟件的支持,我們可以更加直觀地觀察和分析一維方勢壘模型的量子化行為[4].其次,通過Matlab仿真軟件,我們可以更新方勢壘模型的表達(dá)方式.學(xué)生可以靈活調(diào)整勢壘高度、寬度和形狀等參數(shù),并實(shí)時(shí)觀察波函數(shù)的變化.這種交互式的學(xué)習(xí)方式有助于學(xué)生深入理解勢壘對(duì)波函數(shù)的影響,加深
物理通報(bào) 2023年11期2023-11-08
- 原子級(jí)控制的約瑟夫森結(jié)中Al2O3 勢壘層制備工藝
森結(jié)中AlOX 勢壘層是將高純度氧氣擴(kuò)散到Al 表面進(jìn)行,但該方式制備的勢壘層氧化不完全,厚度難以精準(zhǔn)控制.本文采用原子層沉積方式在金屬Ti 表面逐層生長Al2O3 勢壘層,并制備出三明治結(jié)構(gòu)的Ti/Al2O3/Ti 約瑟夫森結(jié).通過調(diào)節(jié)Al2O3 勢壘層的沉積厚度和約瑟夫森結(jié)的面積研究了其相應(yīng)的微觀結(jié)構(gòu)及電學(xué)性質(zhì).實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明,原子層沉積方式生長的單層Al2O3 薄膜厚度約為1.17 ?(1 ?=10-10 m),達(dá)到原子級(jí)控制勢壘層厚度,通過調(diào)節(jié)勢壘層
物理學(xué)報(bào) 2022年21期2022-11-14
- 半開放系統(tǒng)中的粒子逃逸問題*
和多個(gè) δ 函數(shù)勢壘組成的半Dirac 梳模型,首先求解該模型的精確解析解,其能量本征函數(shù)可以用遞推關(guān)系以封閉解析的形式給出.對(duì)單個(gè)勢壘、多個(gè)勢壘、無序勢壘等不同情況,利用傅里葉積分計(jì)算了任意時(shí)刻單粒子波函數(shù)的明確表示,導(dǎo)出了由初態(tài)保真度定義的粒子生存幾率閉合形式的表達(dá)式,重點(diǎn)研究了粒子生存幾率對(duì)勢壘高度、無序強(qiáng)度等系統(tǒng)參數(shù)的依賴,以及利用相關(guān)參數(shù)對(duì)衰減規(guī)律的操控及抑制.發(fā)現(xiàn)多個(gè)勢壘將大幅度提高粒子的生存幾率,無序的加入會(huì)極大地抑制其隨時(shí)間的振蕩.1 引言
物理學(xué)報(bào) 2022年16期2022-08-28
- 基于狄拉克方程推導(dǎo)求解一維勢壘問題
]，薛定諤方程在勢壘區(qū)域是否適用，既沒有實(shí)驗(yàn)上的定量驗(yàn)證，也沒有理論上的嚴(yán)格推導(dǎo)。通過以上式(5)和(6)的步驟，作者從理論上嚴(yán)格推導(dǎo)出了負(fù)動(dòng)能薛定諤方程。并且論證薛定諤方程和負(fù)動(dòng)能薛定諤方程的適用范圍，如表1所示。薛定諤方程和負(fù)動(dòng)能薛定諤方程結(jié)合成一對(duì)方程，使得相對(duì)論量子力學(xué)方程關(guān)于正負(fù)動(dòng)能解的三個(gè)對(duì)稱性在低動(dòng)量運(yùn)動(dòng)得以保留[7]。第一個(gè)是正負(fù)動(dòng)能解的對(duì)稱性，如式(2)所示。第二個(gè)是正負(fù)動(dòng)能解的流密度數(shù)值相同方向相反。第三個(gè)是如果勢能取相反數(shù)，則方程的本
華北科技學(xué)院學(xué)報(bào) 2022年1期2022-05-25
- ε-(AlxGa1-x)2O3/ε-Ga2O3異質(zhì)結(jié)電子輸運(yùn)性質(zhì)研究
a1-x)2O3勢壘層為研究對(duì)象，考慮有限厚度的勢壘層和異質(zhì)結(jié)界面的自發(fā)極化和壓電極化效應(yīng)，給出ε-(AlxGa1-x)2O3/ε-Ga2O3異質(zhì)結(jié)結(jié)構(gòu)的2DEG特性，在不同Al摩爾組分和ε-(AlxGa1-x)2O3勢壘層厚度的情況下，研究它們對(duì)2DEG濃度、合金無序散射、界面粗糙度散射和極性光學(xué)聲子散射的影響，研究結(jié)果對(duì)控制ε-(AlxGa1-x)2O3/ε-Ga2O3異質(zhì)結(jié)構(gòu)中的2DEG濃度和提高電子遷移率具有一定意義。1 理論模型與計(jì)算方法1.1
人工晶體學(xué)報(bào) 2022年3期2022-04-14
- 一維雙方勢壘量子隧穿的研究及其數(shù)值模擬
入射粒子能量小于勢壘高度，其仍然有一定的概率穿過勢壘，出現(xiàn)在勢壘后面的區(qū)域．而當(dāng)入射粒子能量略微高于勢壘高度，仍然有一定概率在勢壘表面發(fā)生反射．這些現(xiàn)象用經(jīng)典力學(xué)無法解釋，必須借助于量子力學(xué)理論，其本質(zhì)為微觀粒子具有波粒二象性[1-4]．因此，量子隧穿現(xiàn)象是粒子具有波動(dòng)性的表現(xiàn)．利用量子隧穿效應(yīng)，能夠非常好地解釋放射性元素α衰變、熱核聚變、金屬電子冷發(fā)射、半導(dǎo)體p-n結(jié)、隧道二極管等．除此之外，量子隧穿效應(yīng)的重要實(shí)際應(yīng)用之一為掃描隧道顯微鏡，1993年利用
大學(xué)物理 2022年1期2022-01-13
- 具有卓越光輸出效率的GaN基LED模擬研究
小組設(shè)計(jì)了不同的勢壘結(jié)構(gòu)，以實(shí)現(xiàn)高空穴注入和低極化效果。例如，梯度漸變的InGaN勢壘，這種結(jié)構(gòu)可以減少阱之間的極化效應(yīng)，導(dǎo)致輕微彎曲，還將減少p型一端電子的積累。另一小組設(shè)計(jì)了InGaN/GaN超晶格勢壘及漸變的銦成分阱和勢壘，這種結(jié)構(gòu)可進(jìn)一步減小阱和勢壘之間的極化效應(yīng)，使有源區(qū)中的載流子濃度分布更均勻[2]。設(shè)計(jì)使用鋸齒形的AlGaN EBL和齒形的InGaN/GaN勢壘來進(jìn)一步提升GaN基LED的光輸出功率。1 結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)和參數(shù)設(shè)置利用物理仿真軟件進(jìn)行
燈與照明 2021年3期2021-11-23
- 高工作溫度紅外探測器的研究進(jìn)展及趨勢
的前景。本文介紹勢壘型探測器的結(jié)構(gòu)特點(diǎn)，闡述構(gòu)建勢壘型探測器的材料結(jié)構(gòu)類型與其對(duì)系統(tǒng)性能的影響，總結(jié)其他相關(guān)技術(shù)實(shí)現(xiàn)的高溫探測器。最后對(duì)勢壘型探測器目前的研究進(jìn)展進(jìn)行歸納，提出了幾個(gè)高溫探測器技術(shù)未來的研究方向。勢壘型結(jié)構(gòu)；高工作溫度探測器；材料制備；熱成像系統(tǒng)；光電器件0 引言與傳統(tǒng)的光電系統(tǒng)相比，現(xiàn)代化光電系統(tǒng)逐漸向著體積更緊湊、功耗更低、成本更低的方向設(shè)計(jì)，也就是低SWaP（size, weight and power）應(yīng)用。對(duì)于固態(tài)探測器來說，低S
紅外技術(shù) 2021年8期2021-08-31
- 單晶二維材料勢壘層磁性隧道結(jié)的偏壓效應(yīng)
/絕緣(半導(dǎo)體)勢壘層/鐵磁電極三層構(gòu)成。1975 年,Julliere[3]在Co/Ge/Fe 磁性隧道結(jié)中發(fā)現(xiàn)了隧穿磁電阻(Tunneling Magnetoresistance,TMR)效應(yīng),即磁性隧道結(jié)的隧穿電阻明顯依賴于兩鐵磁層的相對(duì)磁化方向。具體來說,當(dāng)兩鐵磁層的相對(duì)磁化方向平行時(shí),隧穿電阻小;當(dāng)兩鐵磁層的相對(duì)磁化方向反平行時(shí),隧穿電阻較大。20 世紀(jì)90 年代,磁性隧道結(jié)多以非晶氧化鋁(Al-O)作為勢壘層,但由于無序散射的原因,在室溫下只能
電子元件與材料 2021年7期2021-08-06
- MgO基磁性隧道結(jié)溫度-偏壓相圖的理論研究*
構(gòu)建了適用于單晶勢壘層磁性隧道結(jié)的理論.該理論將單晶勢壘層視作周期性光柵, 利用光學(xué)衍射理論處理勢壘層對(duì)隧穿電子的衍射, 因此可以很好地計(jì)入隧穿電子波的相干性.根據(jù)此理論, 同時(shí)計(jì)入溫度和偏壓的影響計(jì)算了MgO基磁性隧道結(jié)的溫度-偏壓相圖.理論結(jié)果表明, 通過調(diào)節(jié)MgO基磁性隧道結(jié)的鐵磁電極半交換劈裂能D、化學(xué)勢μ以及勢壘層周期勢v(Kh)可以優(yōu)化其溫度特性和偏壓特性.該結(jié)果為MgO基磁性隧道結(jié)的應(yīng)用提供了堅(jiān)實(shí)的理論基礎(chǔ).1 引 言在上世紀(jì)90年代, 磁性
物理學(xué)報(bào) 2021年10期2021-06-01
- 利用超高斯光模擬方勢壘
即使粒子動(dòng)能低于勢壘高度仍能以一定概率穿過勢壘的現(xiàn)象, 這是粒子波動(dòng)性的直接體現(xiàn). 1927年, Hund[1]首次注意到隧穿現(xiàn)象的幾率問題; 同年, Nordheim[2]應(yīng)用薛定諤方程計(jì)算了電子從多種不同表面反射的反射系數(shù). 隨后隧穿效應(yīng)被廣泛應(yīng)用于原子分子物理、核物理和固體物理的研究. 例如, Oppenheimer[3]根據(jù)隧穿計(jì)算了外場作用下氫原子的電離率; Gamow, Gurney和Condon用隧穿來解釋?duì)亮Ｗ铀プ僛4-6]; Millik
- 不同元素?fù)诫s對(duì)氯離子在TiO2膜擴(kuò)散的影響研究
iO2膜內(nèi)的擴(kuò)散勢壘，由此預(yù)測元素?cái)U(kuò)散對(duì)材料耐蝕性能的影響。研究結(jié)果可為篩選耐蝕性鈦合金成分提供理論參考。1 實(shí) 驗(yàn)本研究采用基于密度泛函理論的VASP軟件包進(jìn)行計(jì)算[16-18]，電子交換和關(guān)聯(lián)作用采用廣義梯度近似泛函的Perdew-Burke-Emzerhof方案處理，平面波截?cái)嗄茉O(shè)置為500 eV。晶體結(jié)構(gòu)優(yōu)化采用共軛梯度算法，其收斂標(biāo)準(zhǔn)設(shè)置為：能量的收斂精度10-4eV，力的收斂精度 0.1 eV/nm。布里淵區(qū)采用Monkhors-Pack的3×
鈦工業(yè)進(jìn)展 2020年6期2021-01-08
- 由薄層金屬表面電子隧穿和逸出功研究金屬表面結(jié)構(gòu)
以越過金屬的逸出勢壘發(fā)射出，稱為金屬電子的冷發(fā)射[1]。根據(jù)金屬電子的冷發(fā)射電流可以確定隧穿電子數(shù)目，得出隧穿概率和透射系數(shù)，由透射系數(shù)和逸出勢壘的關(guān)系，可得金屬表面逸出功。由逸出勢壘、勢壘寬度和金屬電子能級(jí)的關(guān)系可以研究金屬的表面結(jié)構(gòu)。關(guān)鍵詞：量子隧穿;勢壘;逸出功;冷發(fā)射;隧穿概率;透射系數(shù);金屬電子能級(jí)中圖分類號(hào)：O485? ? ? ? ? 文獻(xiàn)標(biāo)志碼：A? ? ? ? ?文章編號(hào)：2095-2945（2020）05-0050-03Abstract：
科技創(chuàng)新與應(yīng)用 2020年5期2020-03-02
- 氮化物子帶躍遷探測器材料結(jié)構(gòu)對(duì)器件效率的影響*
任意調(diào)節(jié)勢阱層和勢壘層厚度,也不會(huì)改變影響光生載流子傳輸?shù)?span id="j5i0abt0b" class="hl">勢壘層極化電場分布.同時(shí),降低臺(tái)階勢壘層鋁組分和適當(dāng)增加其厚度可以提高光生載流子隧穿通過臺(tái)階勢壘層的效率.本文仿真結(jié)果對(duì)于設(shè)計(jì)優(yōu)化的氮化物子帶躍遷探測器材料結(jié)構(gòu)、提升器件性能具有指導(dǎo)意義.1 引 言基于氮化物體材料帶間躍遷工作的短波長光電探測器憑借其全固態(tài)、紫外波段量子效率高[1]的特點(diǎn)在軍用及民用領(lǐng)域得到廣泛應(yīng)用.隨著外延技術(shù)的進(jìn)步,薄層GaN/Al(Ga)N異質(zhì)結(jié)材料結(jié)構(gòu)的成功制備使得利用氮化物
物理學(xué)報(bào) 2019年22期2019-11-28
- 用背角準(zhǔn)彈散射研究近庫侖勢壘能區(qū)重離子核反應(yīng)
1004)近庫侖勢壘(近壘)能區(qū)重離子核反應(yīng)涉及量子隧穿和耦合道效應(yīng)等重要問題，是一個(gè)長期受關(guān)注但仍未解決的問題[1-3]。如對(duì)于熔合反應(yīng)，還無法用耦合道理論同時(shí)再現(xiàn)16O+208Pb體系壘上和壘下能區(qū)的熔合截面和勢壘分布，擬合壘上的熔合激發(fā)函數(shù)需用較大的表面彌散參數(shù)a(a=1.0 fm)，而擬合勢壘分布則需要較小的a(a≈0.4 fm)[4]。熔合反應(yīng)與背角準(zhǔn)彈散射(QEL)經(jīng)歷了相同的核勢并均含有反應(yīng)機(jī)制的信息，是一對(duì)互補(bǔ)過程，即T+R=1(T為穿透勢
原子能科學(xué)技術(shù) 2019年10期2019-10-30
- 鋰離子電池正極材料Li2FeO2的電子結(jié)構(gòu)性質(zhì)和Li擴(kuò)散*
低的Li離子擴(kuò)散勢壘.目前關(guān)于Immm結(jié)構(gòu)的Li2FeO2在實(shí)驗(yàn)上還沒有相關(guān)的報(bào)道.本文從理論上研究這種材料不僅可以進(jìn)一步豐富對(duì)此類材料性質(zhì)的認(rèn)識(shí),而且對(duì)這類材料的探索及材料性質(zhì)的預(yù)測具有重要的意義.2 計(jì)算方法本文的計(jì)算基于密度泛函理論(density functional theory,DFT)的第一性原理方法,采用VASP程序包,交換關(guān)聯(lián)能采用廣義梯度近似(generalized gradient approximation,GGA)[14],采用了
物理學(xué)報(bào) 2019年15期2019-09-04
- 一維M形勢壘透射系數(shù)的計(jì)算與分析*
跨越比其動(dòng)能大的勢壘，該類經(jīng)典力學(xué)案例最常見的有兩種，其一，小球克服重力勢能跨越斜木板問題：斜木板頂端和底端的重力勢能差大于小球初始動(dòng)能時(shí)，從底端出發(fā)的小球不可能跨過斜木板；其二，帶電粒子克服電勢能跨越電容器的兩個(gè)極板問題：電容器兩極板的電勢能差值大于帶電粒子的初始動(dòng)能時(shí)，從極板低電勢能一端出發(fā)的帶電粒子不能到達(dá)另一極板．從上面兩個(gè)案例可知經(jīng)典力學(xué)表現(xiàn)出很強(qiáng)的因果定律，在力的作用下，物體具有決定性的運(yùn)動(dòng)狀態(tài)．但是同樣的兩個(gè)案例，如果將物體的尺寸都減小到微觀
物理通報(bào) 2019年7期2019-06-29
- Dirac-Weyl 半金屬結(jié)中電磁控制的克萊因隧穿和電荷電導(dǎo)
i等人利用一維電勢壘調(diào)控了反轉(zhuǎn)對(duì)稱下的Weyl半金屬中的電子隧穿并提出了波矢濾波器的模型[10]，隨后，Jalil等人利用單磁勢壘控制Weyl費(fèi)米子角度依賴的克萊因隧穿，理論上獲得了電子共振下的完美透射環(huán)[11].在此基礎(chǔ)上，Cheng等人[12]進(jìn)一步研究了Weyl半金屬中雙磁勢壘作用下的電子隧穿，其結(jié)果表明，角度依賴的電子隧穿在雙磁勢壘的布局方式、門電壓的高度以及費(fèi)米能的調(diào)控下，可以實(shí)現(xiàn)動(dòng)量空間波矢過濾.此外，新加坡Yesilyurt小組提出利用傾斜能
- Atom-pair Tunneling-induced Effective Schr?dinger Cat State and Its Quantum-classical Transitions in the Extended Bose-Hubbard Model
色-哈伯德模型小勢壘和大勢壘隧穿的相圖According to Eq(7,10),the phase diagram Fig.4 on decay rate withs=2 000 is obtained.We can distinguish three different situations in the phase-transition behavior of both barriers.In one region with a smallJand
- Pt/Au/n-InGaN肖特基接觸的電流輸運(yùn)機(jī)理?
aN肖特基接觸的勢壘特性和電流輸運(yùn)機(jī)理,結(jié)果表明,在不同背景載流子濃度下,Pt/Au/n-InGaN肖特基勢壘特性差異明顯.研究發(fā)現(xiàn),較低生長溫度制備的InGaN中存在的高密度施主態(tài)氮空位(VN)缺陷導(dǎo)致背景載流子濃度增高,同時(shí)通過熱電子發(fā)射模式擬合得到高背景載流子濃度的InGaN肖特基勢壘高度和理想因子與熱電子場發(fā)射模式下的結(jié)果差別很大,表明VN缺陷誘發(fā)了隧穿機(jī)理并降低了肖特基勢壘高度,相應(yīng)的隧穿電流顯著增大了肖特基勢壘總的輸運(yùn)電流,證實(shí)熱電子發(fā)射和缺陷
物理學(xué)報(bào) 2018年21期2018-12-02
- 勢壘硅摻雜對(duì)GaN基LED極化電場及其光電性能的影響
nAlGaN作為勢壘材料來調(diào)節(jié)多量子阱中的應(yīng)力[3]，對(duì)InGaN多量子阱壘層摻雜Si來改善器件的光學(xué)及電學(xué)性能[4-6]。勢壘層n型摻雜對(duì)于提升MQWs及LED器件的性能起著至關(guān)重要的作用。目前都通過調(diào)控壘層摻雜生長LED結(jié)構(gòu)進(jìn)行表征及光電性能討論。但對(duì)勢壘層Si摻雜的理論機(jī)理探討研究報(bào)道較少。目前，李國強(qiáng)等通過壘層Si摻雜來改善lnGaN綠光多量子阱的界面質(zhì)量和電流的擴(kuò)展性提高LED光電性能[7]；郭志友等通過壘層的n和p型摻雜提高LED的光輸出功率[
發(fā)光學(xué)報(bào) 2018年10期2018-10-26
- nBn型InSb紅外器件性能仿真
n結(jié)構(gòu)是一種單極勢壘層探測器結(jié)構(gòu),其電極層以及吸收層均為n型材料,寬禁帶的勢壘層薄層嵌于電極層和吸收層之間,其能帶示意圖如圖1所示。勢壘層B會(huì)阻擋電極層中的電子向吸收區(qū)擴(kuò)散,但不會(huì)阻擋吸收區(qū)的光生電子和空穴。在無光照時(shí),器件內(nèi)電流很??；當(dāng)施加光照時(shí),在吸收區(qū)由于光激發(fā)產(chǎn)生的電子空穴對(duì)分別在外加電場的抽取作用下運(yùn)動(dòng),到達(dá)電極形成電信號(hào)。與傳統(tǒng)pn結(jié)結(jié)構(gòu)器件不同,nBn結(jié)構(gòu)沒有內(nèi)建空間電荷區(qū),其吸收層耗盡區(qū)寬度大大降低甚至完全消除,可以有效降低SRH暗電流、直
激光與紅外 2018年7期2018-08-08
- 增強(qiáng)型AlGaN/GaN HEMT勢壘層優(yōu)化設(shè)計(jì)
要實(shí)現(xiàn)方法有：薄勢壘層、槽柵結(jié)構(gòu)、柵下區(qū)域氟等離子體注入、柵極注入結(jié)構(gòu)等[3-7]。為進(jìn)一步探索和優(yōu)化P-GaN柵增強(qiáng)型AlGaN/GaN HEMT器件的電學(xué)特性，采用Atlas進(jìn)行仿真模擬，研究了AlxGa1-xN勢壘層厚度H及Al組分X對(duì)器件轉(zhuǎn)移特性、輸出特性、耐壓特性的影響以及對(duì)增大漏極偏壓時(shí)電流崩塌效應(yīng)產(chǎn)生程度的影響。1 器件模型Atlas模擬軟件是基于載流子連續(xù)性方程、漂移擴(kuò)散輸運(yùn)方程、泊松方程，利用二維有限元的分析方法來得到器件的電學(xué)特性[8]
電子科技 2018年8期2018-07-23
- 影響AlGaN/GaN/AlGaN HEMT器件2DEG的因素
aN緩沖層一側(cè)的勢壘消失，能帶也拉平，電子氣在基態(tài)波函數(shù)擴(kuò)展的很寬的范圍內(nèi)將幾乎完全失去二維特性，其遷移率會(huì)大大降低，電學(xué)性能變差。而AlGaN/GaN/AlGaN雙異質(zhì)結(jié)構(gòu)，由于在GaN的另一側(cè)加入了Al組分較低的AlGaN背勢壘，提高了緩沖層一側(cè)的勢壘，增強(qiáng)了溝道量子阱中電子氣的限制，從而提高了HEMT器件的夾斷特性及輸出特性。本文分析AlGaN/GaN/AlGaN雙異質(zhì)結(jié)構(gòu)特性以及2DEG的分布情況，分析材料的個(gè)參數(shù)對(duì)2DEG的影響。2 AlGaN/
電子世界 2018年11期2018-06-19
- Effects of Three-dimensional Ehrlich-Schwoebel Barriers on Cu(111) and Cu(100) Homoepitaxial Growth
-083D ES勢壘對(duì)Cu(111) 和 Cu(001)晶面同質(zhì)外延生長的影響董貴仁，唐吉玉，崔 靖，劉 娟，何右青(華南師范大學(xué) 物理與電信工程學(xué)院，廣東 廣州 510006)三維3D ES勢壘直接影響著層間擴(kuò)散，在Cu(111) 和 Cu(100)面2D ES勢壘和3D ES勢壘是不同的。本文主要研究了基于(1+1)維KMC模型，在這兩個(gè)特殊的晶面上Cu薄膜的同質(zhì)外延生長。觀察兩個(gè)面的生長情況，發(fā)現(xiàn)隨著溫度的增加薄膜的粗糙度逐漸減小，由于Cu(111)
材料科學(xué)與工程學(xué)報(bào) 2017年3期2017-06-21
- 半狄拉克費(fèi)米子勢壘透射系數(shù)的計(jì)算
）半狄拉克費(fèi)米子勢壘透射系數(shù)的計(jì)算胡靖1程鯤2黃備兵2*（1.鹽城工學(xué)院 電氣工程學(xué)院，江蘇鹽城 224051；2.鹽城工學(xué)院 數(shù)理學(xué)院，江蘇鹽城 224051）通過求解半狄拉克費(fèi)米子勢壘問題的定態(tài)薛定諤方程，得到了半狄拉克費(fèi)米子的透射系數(shù)與其入射到勢壘方向之間的關(guān)系。本文分別計(jì)算了勢壘在 x和 y方向上半狄拉克費(fèi)米子的透射系數(shù)。這些結(jié)果表明半狄拉克費(fèi)米子可以同時(shí)展現(xiàn)單層和雙層石墨烯的勢壘透射行為，為研究半狄拉克費(fèi)米子的輸運(yùn)行為提供了有價(jià)值的理論參考。半狄
中國科技縱橫 2016年19期2016-11-19
- 一維等間距δ勢壘中的波函數(shù)及其物理性質(zhì)
)?一維等間距δ勢壘中的波函數(shù)及其物理性質(zhì)洪云(重慶工商大學(xué) 計(jì)算機(jī)科學(xué)與信息工程學(xué)院，重慶 400067)利用透射矩陣方法，通過求解定態(tài)薛定諤方程，得出了一維等間距分布δ勢壘中的波函數(shù)及其物理性質(zhì)；通過數(shù)值分析，討論了幾種等間距分布的δ勢壘中電子的透射系數(shù)和幾率流密度隨能量變化的特點(diǎn)。隧穿效應(yīng)；δ勢壘；透射矩陣；透射系數(shù)；幾率流密度微觀粒子的量子隧穿效應(yīng)是量子力學(xué)的重要內(nèi)容之一，是粒子具有波動(dòng)性的表現(xiàn)。量子隧穿現(xiàn)象在微電子學(xué)、半導(dǎo)體器件、新型材料和介觀物
- 含有勢壘的一維無限深方勢阱的矩陣解法
2005）?含有勢壘的一維無限深方勢阱的矩陣解法朱昌勇（韶關(guān)學(xué)院 物理與機(jī)電工程學(xué)院， 廣東 韶關(guān) 512005）摘要：無限深方勢阱是量子力學(xué)中一個(gè)非常重要的模型，采用矩陣力學(xué)的方法解出了含有勢壘的一維無限深方勢阱的歸一化波函數(shù)和能級(jí)，并且討論了勢壘趨于?勢壘時(shí)能級(jí)的情況.關(guān)鍵詞：無限深勢阱；波函數(shù)；勢壘一維對(duì)稱無限深方勢阱是量子力學(xué)中最基本的問題之一，大部分的量子力學(xué)都有講述，而且可以通過奇偶性求得其解析解［1-3］.但是對(duì)于含有方勢壘的一維無限深方勢阱
韶關(guān)學(xué)院學(xué)報(bào) 2016年2期2016-08-05
- 自旋波在十字交叉形磁性納米線中的微磁模擬研究
視為一個(gè)自旋波“勢壘”。文章通過微磁模擬方法研究了在不同交變頻率外場激發(fā)的自旋波在十字交叉形坡莫合金納米線中的傳播特性，發(fā)現(xiàn)勢壘對(duì)自旋波傳播的影響與場源頻率有關(guān)。關(guān)鍵詞：自旋波；十字交叉形；磁性納米線；勢壘；微磁模擬 文獻(xiàn)標(biāo)識(shí)碼：A中圖分類號(hào)：TQ31 文章編號(hào)：1009-2374（2016）17-0013-03 DOI：10.13535/j.cnki.11-4406/n.2016.17.0061 微磁模擬我們?cè)O(shè)計(jì)的十字交叉納米線如圖1（a）所示。底部的坡
中國高新技術(shù)企業(yè) 2016年17期2016-06-21
- 電磁場中帶電粒子的量子遂穿效應(yīng)
沿X軸正方向射向勢壘，則按量子力學(xué)原理，電子穿過勢壘有一幾率T （ E ，a ） 。但若同時(shí)在0＜x ＜ a 的區(qū)域內(nèi)有一沿Y 軸方向的磁場B 和沿X 軸方向的電場E ，由于電子有自旋磁矩，在磁場B 中有一自旋能，它將影響電子的穿透幾率；而電子在電場中又具有電勢能，它同樣也會(huì)影響電子的穿透幾率。當(dāng)自旋朝上，電場沿X 軸負(fù)方向，穿透幾率隨著磁場和電場的增大而增大；當(dāng)自旋朝下，電場沿X軸正方向，穿透幾率隨著磁場和電場的增大而減小。關(guān)鍵字：電場 磁場 自旋 遂穿
數(shù)碼世界 2016年5期2016-06-17
- 粒子與不對(duì)稱雙勢壘相互作用的隧穿現(xiàn)象
）粒子與不對(duì)稱雙勢壘相互作用的隧穿現(xiàn)象任 青，楊文平（山西大同大學(xué)物理與電子科學(xué)學(xué)院，山西大同037009）本文在非相對(duì)論條件下,計(jì)算了粒子與不對(duì)稱雙勢壘相互作用的反射系數(shù)和透射系數(shù),并計(jì)算了特殊條件下的反射系數(shù)和透射系數(shù)以及隧穿時(shí)間和相位,通過計(jì)算,對(duì)隧穿現(xiàn)象有了更深的理解。不對(duì)稱雙勢壘;反射子數(shù);透射子數(shù);隧穿時(shí)間微觀世界中的量子穿越，是量子力學(xué)中最基本，最重要的過程之一。在經(jīng)典力學(xué)中粒子不能通過的區(qū)域，在微觀世界中可以通過。在科研研究的多個(gè)方面，量子
- 單層和多層Ehrlich-Schwoebel勢壘對(duì)薄膜粗糙度隨溫度變化的影響
chwoebel勢壘對(duì)薄膜粗糙度隨溫度變化的影響崔婧， 唐吉玉*， 伍達(dá)將， 劉洋， 朱永安(華南師范大學(xué)物理與電信工程學(xué)院，廣州 510006)以Cu為原型，利用動(dòng)力學(xué)蒙特卡洛(KMC)方法模擬了在一定的沉積速率下，單層、多層臺(tái)階Ehrlich-Schwoebel(ES)勢及溫度對(duì)成膜質(zhì)量的影響.結(jié)果表明，在一定沉積速率和ES勢壘下，薄膜的粗糙度在一定范圍內(nèi)隨著溫度的升高而降低，當(dāng)多層ES勢壘大于單層ES勢壘時(shí)，此溫度范圍受單層ES勢壘的影響，而與多層E
- 基于Matlab的勢壘貫穿透射系數(shù)研究
結(jié)論：當(dāng)粒子透過勢壘時(shí)，其透射系數(shù)與勢壘寬度、粒子能量E和勢壘高度U存在著一定的比例關(guān)系.若粒子能量與勢壘高度保持恒定，粒子穿過勢壘時(shí)對(duì)同樣寬度的勢壘進(jìn)行兩種透射方式：直接透射和n重依次透射（即讓粒子直接透射寬度為n＊a的勢壘和讓粒子依次透射n個(gè)寬度均為a的勢壘）.那么在這兩種方式下透射系數(shù)有怎樣的差別呢？2 問題的分析對(duì)于以上兩種方式下勢壘貫穿透射系數(shù)的研究用常規(guī)的解析方法比較復(fù)雜，且隨著透射重?cái)?shù)n的增加計(jì)算的復(fù)雜程度會(huì)很明顯地加大，這就使得到的結(jié)果會(huì)出
物理與工程 2015年1期2015-07-02
- T3 晶格中無質(zhì)量Dirac粒子的磁電約束和波導(dǎo)
霍爾效應(yīng)[5]和勢壘中的Klein隧穿[6]等.除了石墨烯外，還有不少二維材料的載流子也滿足相對(duì)論無質(zhì)量Dirac方程.例如dice晶格，也稱為T3晶格.實(shí)驗(yàn)表明這種晶格能在 SrTiO3/SrIrO3/SrTiO3三層異質(zhì)結(jié)構(gòu)中實(shí)現(xiàn)[7].另外利用光學(xué)手段也能產(chǎn)生dice晶格，即T3光學(xué)晶格中的冷原子的行為也可看成準(zhǔn)相對(duì)論無質(zhì)量Dirac費(fèi)米子[8]. 不過在T3晶格中載流子的贗自旋S=1， 而不像石墨烯晶格中的贗自旋S=1/2. 由于T3晶格中載流子具
- 附加δ勢壘的一維半無限深勢阱
36037附加δ勢壘的一維半無限深勢阱唐義甲，韓修林阜陽師范學(xué)院物理與電子工程學(xué)院,安徽阜陽,236037通過對(duì)添加δ勢壘的一維半無限深勢阱的薛定諤方程進(jìn)行求解，得到了粒子運(yùn)動(dòng)的波函數(shù)和能級(jí)的相關(guān)公式。分析發(fā)現(xiàn)，δ勢壘的添加以及它的強(qiáng)度與位置的變化對(duì)能級(jí)都有影響，附加δ勢后,一維粒子的能量變大,能級(jí)變得復(fù)雜，束縛態(tài)增加，基態(tài)粒子受δ勢影響較大；且能級(jí)越高的粒子受δ勢影響越小，最后Mathematica作圖顯示了這一現(xiàn)象。δ勢壘;一維無限深勢阱;定態(tài)薛定諤方
宿州學(xué)院學(xué)報(bào) 2015年7期2015-06-23
- 勢壘邊界對(duì)共振透射的影響
學(xué)著作都會(huì)對(duì)一維勢壘散射問題進(jìn)行討論.但長期以來，大部分的著作只是對(duì)透射系數(shù)和反射系數(shù)加以描述，對(duì)勢壘中的微觀粒子的概率分布幾乎沒有涉及，并且一些書中展示的示意圖并不科學(xué).2011年宮建平對(duì)一維勢壘散射中粒子的概率分布進(jìn)行了詳細(xì)的數(shù)值研究[1]，發(fā)現(xiàn)當(dāng)入射粒子能量大于勢壘高度時(shí)勢壘中的粒子概率在某些入射能量下會(huì)出現(xiàn)振蕩現(xiàn)象，而不是單純地衰減.本文探討方勢壘下振蕩峰的個(gè)數(shù)與入射能量、勢壘寬度的關(guān)系，并討論勢壘邊界情況對(duì)振蕩的影響.本文采用轉(zhuǎn)移矩陣方法進(jìn)行散射
晉中學(xué)院學(xué)報(bào) 2015年3期2015-04-01
- Diodes溝槽型超級(jí)勢壘整流器提高下一代充電器效率
下專利溝槽型超級(jí)勢壘整流 (Trench SBR)技術(shù)的器件SBRT15U50SP5及SBRT20U50SLP，能夠?qū)崿F(xiàn)下一代電池充電器對(duì)效率和溫度的嚴(yán)格要求。兩款全新溝槽型超級(jí)勢壘整流器具有超低正向電壓、低漏電流，并以較低的溫度工作，有效滿足充電器輸出整流二極管的要求，從而易于處理36 kHz斷續(xù)模式充電器設(shè)計(jì)的較短電流脈沖。Diodes推出的兩款器件包括適合10W智能手機(jī)充電器的15 A SBRT15U50SP5，以及為12.5 W平板電腦充電器而設(shè)的
電子設(shè)計(jì)工程 2015年2期2015-03-27
- Diodes溝槽型超級(jí)勢壘整流器提高下一代充電器效率
des溝槽型超級(jí)勢壘整流器提高下一代充電器效率Diodes推出兩款采用了旗下專利溝槽型超級(jí)勢壘整流(Trench SBR) 技術(shù)的器件——SBRT15U50SP5及SBRT20U50SLP，能夠?qū)崿F(xiàn)下一代電池充電器對(duì)效率和溫度的嚴(yán)格要求。兩款全新溝槽型超級(jí)勢壘整流器具有超低正向電壓、低漏電流，并以較低的溫度工作，有效滿足充電器輸出整流二極管的要求，從而易于處理36 kHz斷續(xù)模式充電器設(shè)計(jì)的較短電流脈沖。新推出的兩款器件包括適合10 W智能手機(jī)充電器的15
單片機(jī)與嵌入式系統(tǒng)應(yīng)用 2015年2期2015-03-24
- 附加δ勢壘對(duì)一維半無限深勢阱影響的研究
37 )?附加δ勢壘對(duì)一維半無限深勢阱影響的研究唐義甲，韓修林(阜陽師范學(xué)院 物理與電子工程學(xué)院，安徽 阜陽 236037 )摘要：通過對(duì)添加δ勢壘的一維半無限深勢阱的薛定諤方程進(jìn)行求解，得到了粒子運(yùn)動(dòng)的波函數(shù)和能級(jí)的相關(guān)公式，分析發(fā)現(xiàn)，δ勢壘的添加以及它的強(qiáng)度與位置的變化對(duì)能級(jí)都有影響。對(duì)比不含δ勢壘的一維半無限深勢阱的能級(jí)，探究δ勢壘的添加對(duì)原能級(jí)產(chǎn)生的影響，并利用Mathematica作圖來直觀顯示這一影響。關(guān)鍵詞：δ勢壘；一維無限深勢阱；能級(jí)薛定諤
- 金屬二次電子發(fā)射能譜的表面吸附勢壘模型
射能譜的表面吸附勢壘模型虞陽燁,曹猛,張海波(西安交通大學(xué)電子物理與器件教育部重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室, 710049, 西安)為了改善加速器和高功率微波源中金屬器壁的表面狀況,采用數(shù)學(xué)建模并結(jié)合實(shí)驗(yàn)驗(yàn)證的方法,建立了二次電子能譜的吸附勢壘模型。首先,以到達(dá)金屬內(nèi)表面二次電子為參考對(duì)象,分析金屬壁的吸附過程,發(fā)現(xiàn)水蒸氣吸附造成的能級(jí)扭曲會(huì)使金屬表面勢壘降低,由此建立了水吸附形態(tài)下的薛定諤方程,并求解得到吸附勢壘的透射系數(shù);然后,結(jié)合內(nèi)二次電子能量分布建立吸附勢壘模型,得
西安交通大學(xué)學(xué)報(bào) 2015年10期2015-03-07
- 表面柵靜電感應(yīng)晶體管溝道勢壘形成機(jī)理研究
電感應(yīng)晶體管溝道勢壘形成機(jī)理研究93856部隊(duì) 王富強(qiáng) 馬行空 瞿宜斌為了研究靜電感應(yīng)晶體管（SIT）勢壘形成機(jī)理，本文利用Silvaco Tcad軟件模擬，仿真分析了溝道勢壘對(duì)柵、漏極電壓的依賴關(guān)系。通過改變反偏柵壓和漏偏壓，得出了器件溝道在完全夾斷狀態(tài)下，溝道勢壘成馬鞍型分布。反偏柵壓影響著器件導(dǎo)通和關(guān)斷狀態(tài)，漏偏壓影響著勢壘的高低，且二者相互依賴，共同影響著溝道勢壘的形成。靜電感應(yīng)晶體管；溝道勢壘；鞍電勢引言作為具有類三極管特性的靜電感應(yīng)晶體管[1]
電子世界 2015年16期2015-01-29
- 一種積累型槽柵超勢壘二極管
率二極管和肖特基勢壘功率二極管（Schottky Barrier Diode）為主。PIN二極管有著高耐壓、大導(dǎo)通電流、低反向泄漏電流和低導(dǎo)通損耗等優(yōu)點(diǎn)，但PIN二極管內(nèi)建電勢較高，約為0.7 V，電導(dǎo)調(diào)制效應(yīng)在漂移區(qū)中產(chǎn)生的大量少數(shù)載流子降低了器件的關(guān)斷速度，限制了二極管向高頻化方向發(fā)展[1]。肖特基二極管正向開啟電壓小，且沒有少子存儲(chǔ)效應(yīng)，開關(guān)頻率高，但是反向泄漏電流大，且漂移區(qū)電阻與器件耐壓成2.5次方的矛盾關(guān)系[2]，阻礙其在高壓大電流范圍的應(yīng)用[
電子與封裝 2014年3期2014-12-05
- 粒子在非均勻環(huán)上的量子行走
期望通過人為設(shè)置勢壘來控制粒子的傳播，研究等效量子勢對(duì)量子行走的影響。1 單粒子在環(huán)上的量子行走離散時(shí)間量子行走在數(shù)學(xué)上與經(jīng)典隨機(jī)行走類似，首先執(zhí)行一個(gè)硬幣操作，然后根據(jù)硬幣態(tài)決定粒子向哪個(gè)方向移動(dòng)一步，如此不斷循環(huán)。不同的是這里的硬幣態(tài)不是僅處于頭和尾兩個(gè)態(tài)，而是可以處于它們?nèi)我獾牧孔酉喔莎B加態(tài)。系統(tǒng)的希爾伯特空間由硬幣空間HC＝｛｜c(diǎn)〉：c＝1，2，…，d｝和位置空間HW＝｛｜x〉∶x＝1，2，…，N｝的直積構(gòu)成。粒子每一步的演化算符U 由硬幣算符C和
- 弱聯(lián)接玻色愛因斯坦凝聚體中勢壘寬度對(duì)非線性耦合及其動(dòng)力學(xué)的影響
愛因斯坦凝聚體中勢壘寬度對(duì)非線性耦合及其動(dòng)力學(xué)的影響劉新建，李衛(wèi)東(山西大學(xué)理論物理研究所，中國 太原 030006)利用解析與數(shù)值方法，對(duì)處于對(duì)稱雙勢阱中的玻色愛因斯坦凝聚體中，勢壘寬度對(duì)系統(tǒng)非線性耦合及其動(dòng)力學(xué)的影響進(jìn)行了研究．研究發(fā)現(xiàn)當(dāng)勢壘寬度較大時(shí)，系統(tǒng)的線性耦合強(qiáng)度可迅速減?。辉?span id="j5i0abt0b" class="hl">勢壘寬度大于0.3且非線性強(qiáng)度較大時(shí)，線性耦合強(qiáng)度遠(yuǎn)小于非線性耦合項(xiàng)，此時(shí)玻色約瑟夫森結(jié)模型的動(dòng)力學(xué)特性由非線性耦合強(qiáng)度來決定．同時(shí)對(duì)勢壘寬度對(duì)BEC約瑟夫森振蕩的周期和
湖南師范大學(xué)自然科學(xué)學(xué)報(bào) 2014年3期2014-09-07
- NiCr勢壘腐蝕工藝技術(shù)
032）NiCr勢壘腐蝕工藝技術(shù)馬洪江，劉昕陽（中國電子科技集團(tuán)公司第四十七研究所，沈陽110032）傳統(tǒng)的以NiCr為勢壘層的肖特基產(chǎn)品在勢壘合金完成后使用王水（硝酸：鹽酸＝1：3）去除多余的NiCr，但此方法過程不易控制，形成的勢壘區(qū)也不十分平坦，而使用硝酸鈰銨溶液去除NiCr不僅過程容易控制，且成品率高。通過對(duì)兩種方法去除NiCr的對(duì)比，找到了更合適的肖特基產(chǎn)品的NiCr勢壘層腐蝕方法。硝酸鈰銨；王水；NiCr1 引 言肖特基二極管（SBD）是利用金
微處理機(jī) 2014年5期2014-08-07
- 有質(zhì)量手性費(fèi)米子的勢壘隧穿
費(fèi)米子.電子通過勢壘的隧穿是量子力學(xué)中的基本問題,滿足Schr?dinger方程的非相對(duì)論電子通過勢壘時(shí)透射概率隨勢壘的高度和寬度指數(shù)衰減[1].因此電子完全通過極高和極寬勢壘的現(xiàn)象被認(rèn)為是完全不可能的,然而1929年Klein[2]發(fā)現(xiàn)滿足Dirac方程的相對(duì)論電子可以完全隧穿勢壘,這個(gè)效應(yīng)叫Klein隧穿.對(duì)Klein隧穿的理解來自量子場論[3].勢壘具有很強(qiáng)的電勢從而排斥電子而吸引正電子,導(dǎo)致在勢壘內(nèi)部產(chǎn)生正電子態(tài),它的能量與勢壘外面的電子匹配,越過
- 多量子勢壘電子阻擋層對(duì)UV LED 性能的影響
必須擁有夠高的勢壘。當(dāng)AlGaN 的Al 組分確定時(shí)，由AlGaN 和GaN 組成的異質(zhì)結(jié)的導(dǎo)帶帶階是一定的［4］，隨著勢壘材料AlGaN 的Al 組分的增加，AlGaN/GaN 異質(zhì)結(jié)的導(dǎo)帶帶階會(huì)增加。p－AlGaN－EBL 和緊跟著的p 層所形成的異質(zhì)結(jié)的導(dǎo)帶帶階，是p－AlGaN－EBL的勢壘高度的一部分，所以可以通過增加p－AlGaNEBL 的Al 組分來增加其勢壘高度，以獲得足夠低的電子溢出比。Hideki Hirayama［5－7］的團(tuán)隊(duì)已經(jīng)
電子科技 2014年6期2014-03-13
- 拓?fù)浣^緣體表面臺(tái)階勢壘的輸運(yùn)性質(zhì)
直入射情況下穿過勢壘可達(dá)到完全透射。正是由于這些迷人的重要特征，使拓?fù)浣^緣體在未來的電子技術(shù)發(fā)展中有著巨大的應(yīng)用潛力，所以研究拓?fù)浣^緣體表面態(tài)的輸運(yùn)性質(zhì)成為了人們目前關(guān)注的焦點(diǎn)。近幾年來，人們研究了拓?fù)浣^緣體表面上單勢壘、雙勢壘和多勢壘的電子輸運(yùn)性質(zhì)。GAO等研究了拓?fù)浣^緣體表面上單壘和雙壘的隧穿性質(zhì)，他們發(fā)現(xiàn)可以調(diào)節(jié)克萊因隧穿，甚至可以阻止克萊因隧穿，這些特殊的性質(zhì)使控制“拓?fù)浣饘佟敝械碾娮邮兂闪丝赡躘4]。在他們研究的基礎(chǔ)上，像電子準(zhǔn)直器、波矢濾波器
河北科技大學(xué)學(xué)報(bào) 2013年5期2013-11-13
- 基于一維間距調(diào)制型光子晶格的光傳輸現(xiàn)象*
格體系中引入一種勢壘作用[14].例如,間距減小的不均勻波導(dǎo)陣列可以實(shí)現(xiàn)光波的無反射傳輸[14-16].這種波導(dǎo)全同但間距不均勻的波導(dǎo)陣列所形成的缺陷結(jié)構(gòu)是一種非對(duì)角線無序的晶格體系.此類缺陷存在共軛的局域模式,而且支持光波的局域態(tài)傳輸[17-19].本文將非線性薛定諤方程(NLSE)作為理論基礎(chǔ),波導(dǎo)間距遵從兩個(gè)正(負(fù))雙曲正割函數(shù)和正(負(fù))矩形函數(shù),并將兩個(gè)函數(shù)極值形成的勢壘中間部分作為勢阱,研究窄高斯光束在正雙曲正割(和正矩形)勢壘處和勢阱處入射時(shí)的
物理學(xué)報(bào) 2013年6期2013-09-25
- NiCr勢壘肖特基技術(shù)
，SBD是肖特基勢壘二極管(Schottky Barrier Diode)的簡稱。SBD不是利用P型半導(dǎo)體與N型半導(dǎo)體接觸形成PN結(jié)原理制作的，而是利用金屬與半導(dǎo)體接觸形成的功函數(shù)差勢壘原理制作的。因此，SBD也稱為金屬－半導(dǎo)體(接觸)二極管或表面勢壘二極管，它是一種多數(shù)載流子輸運(yùn)的單極器件。在通常情況下，一般采用金屬—半導(dǎo)體接觸來形成肖特基勢壘，但是由于金屬與半導(dǎo)體接觸時(shí)，接觸界面之間SiO2層的存在，使得接觸電阻和表面態(tài)密度明顯增大，致使器件的性能大大
微處理機(jī) 2013年1期2013-06-13
- Vishay發(fā)布采用SlimSMA?封裝的新款45 V TMBSTMTrench MOS勢壘肖特基整流器
ench MOS勢壘肖特基整流器——VSSAF3L45和VSSAF5L45。整流器采用高度0.95 mm的表面貼裝SlimSMATMDO-221AC封裝，正向電流為3 A和5 A。新的VSSAF3L45和VSSAF5L45在3 A下具有0.37 V的極低正向壓降，可在低壓高頻DC/DC轉(zhuǎn)換器、續(xù)流二極管，以及智能手機(jī)充電器等空間受限應(yīng)用的極性保護(hù)中減少功率損耗，并提高效率。新整流器的最高工作結(jié)溫為+150℃，MSL潮濕敏感度等級(jí)達(dá)到per J-STD-02
電子設(shè)計(jì)工程 2013年1期2013-03-24
- 無法從黑洞中逃逸嗎？
個(gè)名詞，一個(gè)叫“勢壘”，一個(gè)叫“量子隧道效應(yīng)”。勢壘就是勢能比附近的勢能都高的空間區(qū)域，而量子隧道效應(yīng)是由微觀粒子波動(dòng)性所確定的量子效應(yīng)，又稱勢壘貫穿。粒子的運(yùn)動(dòng)過程中若遇到一個(gè)高于粒子能量的勢壘，按照經(jīng)典力學(xué)，粒子是不可能越過勢壘的；但按照量子力學(xué)，則可以解出除了在勢壘處的反射外，還有透過勢壘的波函數(shù)，這表明在勢壘的另一邊粒子具有一定的概率，即粒子可以貫穿勢壘。經(jīng)典物理學(xué)認(rèn)為，物體越過勢壘有一閾值能量，粒子能量小于此能量則不能越過，大于此能量則可以越過。
飛碟探索 2012年5期2012-12-30
- Vishay發(fā)布12個(gè)采用不同封裝的45V TMBS TrenchMOS勢壘肖特基整流器
nch MOS 勢壘肖特基整流器。 這些整流器在20 A電流下具有0.51 V的極低正向壓降，適合在太陽能電池接線盒中用作起保護(hù)作用的旁路二極管。發(fā)布的產(chǎn)品包括單芯片 V（B，F(xiàn)）T1045BP、V（B，F(xiàn)）T2045BP、V（B，F(xiàn)）T3045BP 和 V（B，F(xiàn)）T4045BP。 每款器件均提供功率TO-220AC、ITO-220AC和TO-263AB封裝。所有整流器在沒有反向偏置（t≤1小時(shí)）的直流正向電流下的最高結(jié)溫為200℃。器件符合RoHS指令
電子設(shè)計(jì)工程 2012年3期2012-03-31
- 自組裝耦合量子點(diǎn)中的類氫雜質(zhì)
0.3和γ=2、勢壘寬t= 5 nm、10 nm和20 nm時(shí)，類氫雜質(zhì)結(jié)合能隨著量子點(diǎn)尺寸的變化情況。從圖2(a)中可以看出，在壘寬為10 nm和20 nm時(shí)，雜質(zhì)結(jié)合能隨著量子尺寸的增大先增大后減小。這是因?yàn)樵诹孔狱c(diǎn)尺寸較小時(shí)，波函數(shù)將會(huì)穿過勢阱在邊界勢壘層分布，從而影響雜質(zhì)中心對(duì)電子的束縛;隨著量子點(diǎn)尺寸的增大，電子隧穿的幾率減小，相應(yīng)的結(jié)合能將會(huì)增加;然而當(dāng)量子點(diǎn)尺寸進(jìn)一步增大時(shí)，量子隧穿將逐漸退居次要地位，電子波函數(shù)將主要集中在一個(gè)量子點(diǎn)中，由于
- 粒子隧穿任意形狀勢壘透射譜的計(jì)算*
粒子隧穿任意形狀勢壘透射譜的計(jì)算*陳賽艷，覃 銘(百色學(xué)院物理與電信工程系，廣西百色 533000）借助轉(zhuǎn)移矩陣法，用數(shù)值計(jì)算研究了量子力學(xué)中粒子隧穿通過任意形狀勢壘的透射譜，給出了相關(guān)的數(shù)值計(jì)算方法.粒子隧穿;任意勢壘;透射譜粒子隧穿不僅具有重要的科學(xué)意義而且具有潛在的應(yīng)用價(jià)值，因而，激發(fā)了越來越多的研究.納米結(jié)構(gòu)中電子輸運(yùn)［1～4］問題，介觀與納觀電子器件的分析［5，6］等涉及電子在限制勢中的隧穿;半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)中的共震隧穿［7］，隧道結(jié)器件的高頻特性［8
菏澤學(xué)院學(xué)報(bào) 2011年5期2011-12-22
- 思維創(chuàng)新熱力學(xué)研究
果必須克服一定的勢壘，才能完成創(chuàng)新思維成果。通過引入負(fù)熵的概念，把思維創(chuàng)新過程定量化。通過超過勢壘能量的蓄積，達(dá)到預(yù)定成果的難度水平，即可以完成思維創(chuàng)新過程。[關(guān)鍵詞]思維創(chuàng)新，創(chuàng)造力，熱力學(xué)，勢壘，能量差。[中圖分類號(hào)]B804.4[文獻(xiàn)標(biāo)識(shí)碼]A[文章編號(hào)]1005-4634(2006)04-0283-060引言胡錦濤在全國科學(xué)技術(shù)大會(huì)上的講話指出：“動(dòng)員全黨全社會(huì)堅(jiān)持走中國特色自主創(chuàng)新道路，為建設(shè)創(chuàng)新型國家而努力奮斗，進(jìn)一步開創(chuàng)全面建設(shè)小康社會(huì)、加快
教學(xué)研究 2006年4期2006-08-17