空位
- FeCuMnNi合金體系中溶質(zhì)-空位團(tuán)簇的原子尺度研究
移級(jí)聯(lián)損傷,產(chǎn)生空位和自間隙原子等點(diǎn)缺陷及其團(tuán)簇;形成的點(diǎn)缺陷及其團(tuán)簇具有很高的移動(dòng)性,加速了溶質(zhì)原子的擴(kuò)散,在溫度場、應(yīng)力場的作用下,經(jīng)過長時(shí)間的演化,在RPV鋼中形成析出物、位錯(cuò)環(huán)等微觀缺陷以及元素的晶界偏聚[1-3]。這會(huì)使RPV鋼出現(xiàn)輻照硬化和輻照脆化,導(dǎo)致材料韌脆轉(zhuǎn)變溫度升高,增加壓力容器發(fā)生脆性斷裂的風(fēng)險(xiǎn),直接威脅核設(shè)施的安全運(yùn)行[4-5]。研究表明,中子輻照誘發(fā)RPV鋼脆化的機(jī)制可分為兩類:主導(dǎo)機(jī)制為硬化脆化,即輻照導(dǎo)致材料形成高密度納米級(jí)的
原子能科學(xué)技術(shù) 2023年10期2023-10-27
- 不同過冷度條件下HCP-Mg 凝固過程中的空位捕獲
200444)空位是材料中最至關(guān)重要的缺陷, 會(huì)嚴(yán)重影響諸如金屬蠕變、屈服極限、半導(dǎo)體摻雜、光學(xué)器件吸收譜等重要材料屬性[1-3]. 空位的形成通常是在材料加工的早期——凝固過程中被捕獲進(jìn)晶體. 這種捕獲通常會(huì)造成其濃度超過平衡濃度, 稱為“捕獲效應(yīng)”. Hillert 等[4]基于固液界面的漸變模型, 構(gòu)建了一個(gè)用于描述純金屬快速凝固過程中空位捕獲的經(jīng)驗(yàn)?zāi)Ｐ? 并認(rèn)為空位捕獲必須在凝固速度超過1 m/s 的條件下才會(huì)發(fā)生.空位捕獲現(xiàn)象是公認(rèn)的事實(shí)[5]
- 用插空位法求解不相鄰問題的步驟
題的主要方法是插空位法.運(yùn)用插空位法解答不相鄰問題的步驟為：題目中要求5名兒童不相鄰，則需采用插空位法解題，先將無限制條件的元素（5位母親）進(jìn)行全排列；再將不相鄰的元素（5名兒童）插入已排好的元素（5位母親）之間的空位及兩端的位置上.例2.將A，B，C，D，E， 5名同學(xué)按下列要求進(jìn)行排列，求所有滿足條件的排列方法數(shù).（1）5名同學(xué)排成一排，且A，B不相鄰；（2）5名同學(xué)排成一排，且A，B都不與C相鄰；（3）若一排有6個(gè)座位，將5名同學(xué)安排到其中的5個(gè)座位
語數(shù)外學(xué)習(xí)·高中版下旬 2023年1期2023-03-23
- 半導(dǎo)體材料中空位的引入、表征及其對(duì)光催化的影響
,13-14]、空位工程[15-16]、異質(zhì)結(jié)[17-18]和壓電光催化[19-20]等。眾所周知，缺陷能夠明顯改變材料的物化性質(zhì)[21]。空位作為最常見的點(diǎn)缺陷之一，因其能在不引入雜質(zhì)元素的條件下優(yōu)化光催化性能而被廣泛研究。Fujiwara等在20世紀(jì)90年代研究了硫空位對(duì)CdS吸附CO2能力的促進(jìn)[22]，是第一個(gè)直接討論空位缺陷影響光催化性能的研究。此后，各種元素空位的開發(fā)，例如常見的陰離子空位氧[16]、硫[23]、氮[24]和陽離子空位鋅[25]
功能材料 2022年11期2022-12-19
- 富鋰錳基三元材料Li1.167Ni0.167Co0.167Mn0.5O2中的氧空位形成*
.5O2 中的氧空位形成,討論了環(huán)境溫度、壓強(qiáng)以及點(diǎn)缺陷的存在對(duì)氧空位形成能的影響,還討論了氧空位對(duì)材料容量的影響.結(jié)果表明,氧空位的形成能隨溫度的升高而下降,隨氧分壓的降低而降低.對(duì)于帶電氧空位(,空位形成能隨著費(fèi)米能級(jí)的升高而增加.研究還表明,氧空位的形成對(duì)Li1.167Ni0.167Co0.167 Mn0.5O2 材料中電荷密度分布的影響是相當(dāng)局域的, 氧空位形成后僅在氧空位附近的Mn 離子周圍出現(xiàn)明顯的電荷密度的重新分布.此外,計(jì)算了氧空位附近存在
物理學(xué)報(bào) 2022年17期2022-09-14
- Fe-C 合金在輻照條件下基體缺陷演化的OKMC 模擬*
驗(yàn)證了碳(C)-空位(Vac)復(fù)合體在理想條件下的演化，在較低溫度下，復(fù)合體主要為C-Vac2.基于復(fù)合體陷阱的假設(shè)，對(duì)Fe-C 系統(tǒng)中基體缺陷在輻照條件下的演化進(jìn)行了模擬.驗(yàn)證了碳空位復(fù)合體對(duì)基體缺陷有明顯的捕獲作用.模擬Fe-C 系統(tǒng)中基體缺陷在輻照條件下的演化能夠得到與實(shí)驗(yàn)一致的結(jié)果，對(duì)比討論了模擬中使用的有效近似參數(shù)對(duì)模擬結(jié)果的影響，為鐵基合金輻照缺陷演化的研究提供了基礎(chǔ)支撐.1 引言反應(yīng)堆中的中子輻照、高溫、高壓環(huán)境使鐵基合金產(chǎn)生微觀結(jié)構(gòu)改變,韌
物理學(xué)報(bào) 2022年16期2022-08-28
- 鋼液環(huán)境對(duì)Ti-O團(tuán)簇形貌影響的分子動(dòng)力學(xué)模擬
由于體系內(nèi)出現(xiàn)了空位群，導(dǎo)致此處能量較低，從而吸引了Ga＋與N-，誘導(dǎo)了GaN的形核。上述研究均表明溶液中溶劑原子和空位對(duì)溶質(zhì)團(tuán)簇的形貌結(jié)構(gòu)及長大過程有顯著影響。本文采用分子動(dòng)力學(xué)模擬探究鋼液中液態(tài)Fe原子、空位對(duì)Ti-O團(tuán)簇的形貌及長大過程的影響。1 模擬過程和參數(shù)設(shè)置利用Lammps軟件進(jìn)行分子動(dòng)力學(xué)模擬計(jì)算，選用楊立昆等開發(fā)的Fe-Ti-O三元體系勢函數(shù)進(jìn)行相關(guān)計(jì)算，根據(jù)該勢函數(shù)計(jì)算得出Fe的熔點(diǎn)為2 051.99 K，模擬冶煉溫度為2 122 K，
上海金屬 2022年3期2022-06-01
- 空位對(duì)Cu/Sn 焊點(diǎn)中Cu3 Sn層元素?cái)U(kuò)散的影響
Cu 界面上存在空位時(shí)各元素的擴(kuò)散行為,研究發(fā)現(xiàn)Cu 晶體中Cu 空位形成能大于Cu3Sn 晶體中Cu 的空位形成能,在任何溫度下最有可能的遷移路徑是Cu 晶體中的Cu 向Cu3Sn 晶體中的Cu空位遷移,同時(shí)相比于無空位模型,界面存在空位時(shí)擴(kuò)散現(xiàn)象更加明顯。郭麗婷等[11]研究了電場作用下電場方向和電場強(qiáng)度對(duì)Cu3Sn/Cu 界面原子擴(kuò)散行為的影響,發(fā)現(xiàn)在正向電場方向下,提高電場強(qiáng)度,會(huì)使得界面處原子的擴(kuò)散速率差異更加顯著,產(chǎn)生的Kirkendall 效
電子元件與材料 2022年4期2022-04-30
- 空位對(duì)Hf-Ta-C體系的結(jié)構(gòu)、力學(xué)性質(zhì)及電子性質(zhì)影響的第一性原理研究
Evgenii空位對(duì)Hf-Ta-C體系的結(jié)構(gòu)、力學(xué)性質(zhì)及電子性質(zhì)影響的第一性原理研究彭軍輝1,2, TIKHONOV Evgenii1(1. 西北工業(yè)大學(xué) 材料學(xué)院, 材料發(fā)現(xiàn)國際中心, 西安 710072; 2. 太原工業(yè)學(xué)院 材料工程系, 太原 030008)本研究理論預(yù)測了三元Hf-Ta-C空位有序結(jié)構(gòu)以及空位對(duì)力學(xué)性質(zhì)的影響。采用第一性原理進(jìn)化晶體結(jié)構(gòu)預(yù)測軟件USPEX, 預(yù)測得到了5種熱力學(xué)穩(wěn)定和3種亞穩(wěn)的(Hf, Ta)C1–x空位有序結(jié)構(gòu),
無機(jī)材料學(xué)報(bào) 2022年1期2022-04-12
- 空位缺陷對(duì)單層2H-MoTe2光電效應(yīng)的第一性原理研究
方法研究了1Te空位、2Te空位和Mo空位對(duì)單層2H-MoTe2光響應(yīng)電流的影響，可以指導(dǎo)2H-MoTe2在電子領(lǐng)域和光電器件領(lǐng)域的應(yīng)用。1 理論模型與計(jì)算方法選擇穩(wěn)定性2H相MoTe2作為結(jié)構(gòu)模型的原胞，晶格常數(shù)為a=b=0.348 nm，按輸運(yùn)和周期方向擴(kuò)胞4×3×1并轉(zhuǎn)化為器件。該器件由3部分組成：左電極、右電極和中心區(qū)域,如圖1所示。其中左、右電極分別為沿Y軸負(fù)方向和正方向延伸的半無限長，整個(gè)器件在X-Y平面周期性排列。2H-MoTe2的本征(Pu
人工晶體學(xué)報(bào) 2022年12期2022-02-01
- 空位濃度對(duì)纖鋅礦CdS電子結(jié)構(gòu)和光學(xué)性質(zhì)影響的第一性原理研究
贗勢方法，研究了空位缺陷對(duì)閃鋅礦結(jié)構(gòu)CdS體系電子結(jié)構(gòu)和光學(xué)性質(zhì)的影響，發(fā)現(xiàn)S空位使得能帶變窄，而Cd空位使帶隙變寬，空位的介入使其鄰近原子電子結(jié)構(gòu)發(fā)生變化，使得空位缺陷體系光學(xué)性質(zhì)變化主要集中在低能量區(qū)。就目前而言，關(guān)于空位濃度對(duì)纖鋅礦CdS電子結(jié)構(gòu)和光學(xué)性質(zhì)影響的文獻(xiàn)較少。基于以上的研究背景和思路，本文采用基于密度泛函理論的第一性原理平面波贗勢方法，借助于Materials Studio軟件包中的CSATEP程序模塊，用第一性原理對(duì)纖鋅礦CdS的本征體
人工晶體學(xué)報(bào) 2022年12期2022-02-01
- 三元Hf-C-N 體系的空位有序結(jié)構(gòu)及其力學(xué)性質(zhì)和電子性質(zhì)的第一性原理研究*
-C-N 體系的空位有序結(jié)構(gòu)及其力學(xué)性質(zhì)和電子性質(zhì).首先采用第一性原理和進(jìn)化算法,預(yù)測得到8 種可能存在的熱力學(xué)穩(wěn)定的Hf-C-N 空位有序結(jié)構(gòu);這些結(jié)構(gòu)都具有巖鹽結(jié)構(gòu),與實(shí)驗(yàn)發(fā)現(xiàn)的無序固溶體的結(jié)構(gòu)類型一致.本文的預(yù)測結(jié)果證明了Hf-C-N 空位化合物能夠以有序結(jié)構(gòu)形式存在,空位與C,N 原子都位于[Hf6]八面體間隙,這一結(jié)構(gòu)特點(diǎn)與HfCx 的相同.然后采用第一性原理方法,計(jì)算了Hf-C-N 空位有序結(jié)構(gòu)的力學(xué)性質(zhì),發(fā)現(xiàn)除C∶N=1∶4 外,相同C/N
物理學(xué)報(bào) 2021年21期2021-11-19
- 氧化鋁中氧空位形成能的摻雜調(diào)制
生定向移動(dòng)，使氧空位在局部發(fā)生聚集并形成可供電子快速遷移的通道，實(shí)現(xiàn)電阻的退化.所以，氧空位的形成能大小直接影響電阻轉(zhuǎn)變的難易程度.目前，相關(guān)研究主要集中在二元金屬氧化物半導(dǎo)體中，如氧化鋅、氧化鎳、氧化銅等.眾所周知，氧化鋁是當(dāng)前硅基半導(dǎo)體制造工藝中最常見的金屬氧化物，且與工藝路線完全兼容.但是氧化鋁是一種絕緣材料，氧空位的形成能非常高，無法在電場作用下實(shí)現(xiàn)可逆的電阻轉(zhuǎn)變.因此，如何使氧化鋁也具備阻變功能層的特性，是一個(gè)值得研究的課題.本文借助第一性原理，
- 關(guān)于“○”的爭論及辭書收錄建議
○ 漢字 圖符 空位 編號(hào)一、 問題的提出據(jù)舒寶璋（1991）回憶，二十世紀(jì)六十年代，基于實(shí)際使用情況，他建議將“○”作為漢字收入《現(xiàn)代漢語詞典》。這一觀點(diǎn)引起了學(xué)者們的爭論， 本文對(duì)“○”是否應(yīng)被辭書收錄引起的相關(guān)討論進(jìn)行梳理，并考察不同辭書在不同時(shí)代的處理方式，結(jié)合國家出版標(biāo)準(zhǔn)的相關(guān)規(guī)定和語料庫中的使用情況，對(duì)不同目的編寫的辭書應(yīng)如何處理“○”提出建議。二、 關(guān)于“○”收錄辭書的主要爭議關(guān)于辭書收錄“○”的討論主要圍繞著兩個(gè)問題進(jìn)行：一是“○”是否為漢
辭書研究 2021年5期2021-09-24
- S空位調(diào)節(jié)扶手型二硫化鉬納米帶的電子性質(zhì)
不可避免，其中S空位最為典型.潘等人發(fā)現(xiàn)，對(duì)有空位的ZMoS2NRs邊緣進(jìn)行修飾時(shí)，能夠使其從金屬性質(zhì)變?yōu)榘虢饘傩再|(zhì)[12].所謂半金屬材料是指在一個(gè)自旋通道上表現(xiàn)出金屬特性，在另一個(gè)自旋通道中表現(xiàn)出絕緣體性質(zhì).半金屬材料被認(rèn)為是未來納米器件中提供100%自旋極化電流的理想自旋電子材料[13-17].事實(shí)上，AMoS2NRs中的原子空位缺陷很容易得到，甚至可以通過實(shí)驗(yàn)實(shí)現(xiàn)其濃度來控制[18-20].然而，關(guān)于空位對(duì)其電子性質(zhì)的影響的報(bào)道極少，這里，我們采用
原子與分子物理學(xué)報(bào) 2021年3期2021-08-16
- 金屬摻雜改善HfO2阻變存儲(chǔ)器(RRAM)氧空位導(dǎo)電細(xì)絲性能
電細(xì)絲(成分為氧空位或金屬離子)的形成與斷裂，實(shí)現(xiàn)RRAM高、低阻態(tài)轉(zhuǎn)變[7-10]。KALANTARIAN等[11]認(rèn)為導(dǎo)電細(xì)絲形狀、半徑都會(huì)影響RRAM的Set-Reset電壓、數(shù)據(jù)保持特性和耐擦寫性。因此，理解阻變過程中可逆轉(zhuǎn)變的物理機(jī)理是優(yōu)化器件性能、促進(jìn)技術(shù)發(fā)展的有效途徑。KWON等[12]通過高分辨率透射電子顯微鏡發(fā)現(xiàn)在 Pt/TiO2/Pt器件中存在氧空位納米導(dǎo)電細(xì)絲；沉淀工藝制作ZnO薄膜層時(shí)在(0001)面上產(chǎn)生氧空位，在高電場的作用下，
材料科學(xué)與工程學(xué)報(bào) 2021年3期2021-07-28
- 鎢中空位及其團(tuán)簇的能量學(xué)和動(dòng)力學(xué)性質(zhì)參數(shù)
中引入大量缺陷。空位及其團(tuán)簇便是其中1種主要缺陷，它們影響并決定著W中微觀組織結(jié)構(gòu)和氫同位素滯留性質(zhì)，最終影響和改變材料的力、熱性能[3]。空位及其團(tuán)簇的能量學(xué)和動(dòng)力學(xué)行為已被廣泛研究[4-54]。盡管如此，空位及其團(tuán)簇的能量學(xué)和動(dòng)力學(xué)基本性質(zhì)參數(shù)仍不完整且存在一些爭議[4-54]。本文將對(duì)文獻(xiàn)中現(xiàn)有的空位及其團(tuán)簇的能量學(xué)和動(dòng)力學(xué)性質(zhì)參數(shù)進(jìn)行總結(jié)，并采用第一性原理(FP)方法計(jì)算獲得更加完整和精確的基本性質(zhì)參數(shù)，并探討文獻(xiàn)中相關(guān)爭議的可能原因。1 計(jì)算方法
原子能科學(xué)技術(shù) 2021年1期2021-01-21
- 鎢/銅界面處氫原子與空位相互作用的第一性原理計(jì)算
2.2 界面處的空位在強(qiáng)中子輻照下，材料內(nèi)部將產(chǎn)生大量的缺陷，缺陷的演化會(huì)影響材料的力學(xué)性能，最終導(dǎo)致部件材料失效。因此，研究鎢/銅界面中缺陷的存在有助于在原子尺度上理解材料的力學(xué)性能變化。通過在鎢/銅界面中引入不同位置的空位和間隙發(fā)現(xiàn)，由于鎢原子和銅原子的原子半徑較大，兩者的間隙均很難穩(wěn)定地存在于界面中。因此，以下的研究中僅考慮空位，而不考慮間隙。根據(jù)圖1中鎢/銅界面模型，本文將界面模型中不同層數(shù)中的單個(gè)晶格原子移去，以獲得不同層數(shù)下的單空位模型。1)
原子能科學(xué)技術(shù) 2021年1期2021-01-21
- 鉍基氧空位光催化劑應(yīng)用研究進(jìn)展
能帶結(jié)構(gòu)、晶面和空位易于調(diào)控等特點(diǎn)，廣泛受到光催化領(lǐng)域的關(guān)注。Bi基光催化劑其Bi6s和O2p軌道部分重疊，使得帶隙減小，吸光帶邊紅移；Bi基光催化劑獨(dú)特的層狀結(jié)構(gòu)能夠加速載流子到達(dá)表面，以上優(yōu)勢使Bi基光催化劑在光催化中成為研究的熱點(diǎn)[1]。然而，受吸光范圍、光量子效率(包括載流子的分離與傳輸問題)以及到達(dá)催化劑表面的電子(e-)與空穴(h+)參與反應(yīng)等因素限制，Bi基光催化劑催化效果還不理想[2]。為解決這些問題進(jìn)行了多種改性研究，如形成氧空位(OVs
河北環(huán)境工程學(xué)院學(xué)報(bào) 2020年6期2020-12-19
- 稀土鈰基催化材料氧空位的表征方法綜述
000）引 言氧空位（Ov）是金屬氧化物缺陷的一種，它們是金屬氧化物在特定外界環(huán)境下（如高溫、還原處理等）造成的晶格中氧的脫離，導(dǎo)致氧缺失形成氧空位。氧空位的概念最早是在1960年被提出來的，當(dāng)時(shí)也稱為“Wadsley defect”，研究者們發(fā)現(xiàn)金屬氧化物并非大家所認(rèn)為的理想完整晶體結(jié)構(gòu)，而是存在一定的氧離子缺陷位點(diǎn)[1]。這種缺陷的存在使得金屬氧化物在催化一些反應(yīng)中有至關(guān)重要的作用[2-3]。直到2000 年，人們才通過掃描隧道顯微鏡（STM）的表征手
化工學(xué)報(bào) 2020年8期2020-08-19
- 大直徑直拉單晶硅片退火前后工藝的研究
缺陷;殘余應(yīng)力;空位;空穴;缺陷引言大直徑的直拉單晶硅高溫退火，在國外，一般采取的方式是在拉直單晶硅后不出單晶爐，直接進(jìn)行高溫退火，這就是所謂的爐內(nèi)高溫退火的直拉大直徑單晶硅;而在國內(nèi)，對(duì)待大直徑的直拉單晶硅采取的方式均以單晶硅片的形式來進(jìn)行高溫退火。一般直徑超過300mm，厚度超過50mm的直拉單晶硅片對(duì)高溫退火要求是相當(dāng)嚴(yán)格的，在高溫退火過程中極容易出現(xiàn)炸裂的現(xiàn)象，同時(shí)也會(huì)有顯示不出來真實(shí)的電阻率值的現(xiàn)象。本文只針對(duì)大直徑直拉單晶硅片，在高溫退火過程中
- 空位缺陷摻雜單層MoTe2的研究
2樣品中存在多種空位缺陷，這些空位對(duì)MoTe2材料的穩(wěn)定性起著重要作用[16-18].空位的出現(xiàn)也有可能對(duì)材料電子和光學(xué)性質(zhì)產(chǎn)生顯著影響[19-20].然而，對(duì)空位摻雜的單層MoTe2，特別是1T′MoTe2還缺乏系統(tǒng)的研究.因此，本文擬對(duì)空位缺陷摻雜單層1H和1T′MoTe2進(jìn)行研究.1 計(jì)算方法本文采用基于密度泛函理論的計(jì)算軟件包Atomistix Tool Kit(ATK)完成結(jié)構(gòu)優(yōu)化以及電子結(jié)構(gòu)計(jì)算.采用的贗勢為Hartwigsen、Goedeck
- 氧空位對(duì)ZnO基(110)二維膜材料電子結(jié)構(gòu)的影響研究
陷，如Zn和O的空位缺陷，Zn和O的位置互換，以及Zn和O的間隙缺陷等，然而在低維氧化鋅材料尤其是二維膜材料方面的報(bào)道相對(duì)較少，對(duì)其高原子密度晶面的電子學(xué)性質(zhì)方面未見報(bào)道，在氧空位缺陷對(duì)低維材料電子結(jié)構(gòu)影響方面也未見報(bào)道. 本文在密度泛函理論計(jì)算分析方法的基礎(chǔ)上，系統(tǒng)研究了本征氧化鋅(110)二維膜材料的電子結(jié)構(gòu)性質(zhì)，并研究了氧空位對(duì)氧化鋅(110)二維膜材料電子結(jié)構(gòu)性質(zhì)的影響.2 計(jì)算模型與過程纖鋅礦ZnO塊體材料呈六角對(duì)稱，空間群為P63mc，晶格參數(shù)
原子與分子物理學(xué)報(bào) 2019年6期2019-12-06
- Ce摻雜與O空位對(duì)銳鈦礦相TiO2磁學(xué)和光學(xué)性能影響的第一性原理研究
的體系中產(chǎn)生了O空位，然而由于實(shí)驗(yàn)上較難對(duì)O空位的位置和濃度進(jìn)行準(zhǔn)確把控，因此O空位對(duì)該結(jié)構(gòu)性質(zhì)的影響是實(shí)驗(yàn)研究無法論述的；此外，根據(jù)作者先前的一系列研究可知，雖然單純的Ce摻雜銳鈦礦TiO2體系沒有磁性[11]，但O空位的形成卻能夠引起電子自旋極化[14]。而當(dāng)體系具有磁性時(shí)，其自旋能級(jí)的分裂必然改變帶隙寬度[11]，進(jìn)而對(duì)光學(xué)性質(zhì)產(chǎn)生影響。因此研究含有O空位的Ce摻雜TiO2的磁學(xué)性質(zhì)對(duì)提高其光催化活性是十分必要的。基于以上原因，本文在與文獻(xiàn)[10]相
人工晶體學(xué)報(bào) 2019年8期2019-09-18
- δ-Pu空位缺陷的密度泛函理論計(jì)算
存在自間隙原子和空位兩種本征缺陷，其中空位易與材料輻照老化產(chǎn)生的He結(jié)合形成團(tuán)簇，進(jìn)而發(fā)展成為氦泡，對(duì)材料的結(jié)構(gòu)和性能造成顯著影響[2,3]. 當(dāng)前對(duì)于Pu中缺陷的研究主要集中于氦點(diǎn)缺陷和氦泡的形成機(jī)理以及對(duì)基體物性的影響[4-6]，對(duì)空位的影響及其機(jī)理研究還比較少見.自1941年發(fā)現(xiàn)以來，钚及其化合物的性質(zhì)研究就受到廣泛重視. 然而，由于Pu的放射性、毒性以及復(fù)雜的物理性質(zhì)和化學(xué)性質(zhì)，精密的實(shí)驗(yàn)研究面臨很大困難. 盡管目前在Pu的宏觀性質(zhì)研究方面已經(jīng)取得
原子與分子物理學(xué)報(bào) 2019年5期2019-04-28
- 一個(gè)空位
然我并不可能找到空位的。站在人群中真的挺累的，我看著那些一手抓著扶手，一手刷著手機(jī)的人身體隨著車搖晃，小腿的肌肉也明顯地看出在微微地發(fā)顫以保持平衡，站著那該是有多累啊！一個(gè)站點(diǎn)到了，原來人擠人的公交車，仿佛突然被放空了，一大批人潮擠著下了車，原本擁擠的車上變得空曠了許多，瞬間多了幾個(gè)空位，我正踏步準(zhǔn)備搶占一個(gè)座位，視線瞄了一眼周圍——身旁并沒有任何人有絲毫的動(dòng)靜，沒有人像我一樣準(zhǔn)備找個(gè)空位坐下。站著人，依舊站著。為了不變得那么突兀，我也不好意思坐那個(gè)空位子
浙江國土資源 2019年9期2019-01-28
- 氧空位依賴的氯氧化鉍光催化反應(yīng)
)在BiOCl氧空位上的吸附、活化和光催化反應(yīng)隨著現(xiàn)代材料表征技術(shù)與理論模擬計(jì)算的協(xié)同發(fā)展，人們逐漸認(rèn)識(shí)到對(duì)于實(shí)際的催化劑，其表面少量缺陷相比于其體相結(jié)構(gòu)和化學(xué)組成起著更重要的作用1。鑒于此，深刻地理解表面氧空位與光催化中動(dòng)力學(xué)、熱力學(xué)以及反應(yīng)路徑之間的關(guān)系非常重要。其中氧空位是最常見并且研究最多的一種陰離子缺陷2。最近，華中師范大學(xué)化學(xué)學(xué)院張禮知教授研究團(tuán)隊(duì)結(jié)合氧空位依賴的光催化表面化學(xué)的研究現(xiàn)狀及其團(tuán)隊(duì)在該領(lǐng)域的最新研究進(jìn)展，在Angewandte C
物理化學(xué)學(xué)報(bào) 2018年12期2018-12-20
- 原子模擬金屬鋯中點(diǎn)缺陷行為
量的點(diǎn)缺陷,包括空位和自間隙。這些點(diǎn)缺陷隨后擴(kuò)散,并可被系統(tǒng)的不同阱捕獲,或者聚集形成更大的缺陷,例如位錯(cuò)環(huán)和空位團(tuán)[1]。空位團(tuán)也可以出現(xiàn)在淬火鋯合金中。過去已經(jīng)進(jìn)行了大量的實(shí)驗(yàn)研究來確定HCP-Zr及其合金中這些缺陷團(tuán)簇的結(jié)構(gòu)。第一個(gè)輻射生長模型是在1962年提出的,之后相繼又提出了很多模型。然而,能夠預(yù)測純Zr的單晶變形的機(jī)械模型尚不清楚,因此還是依賴唯象的方法[2]。對(duì)諸如鋯合金等各向異性材料的基本蠕變機(jī)制的理解還不夠強(qiáng),不能真正預(yù)測。實(shí)驗(yàn)[3-8
- 氧空位缺陷對(duì)PbTiO3鐵電薄膜漏電流的調(diào)控?
最顯著的就是以氧空位缺陷為代表的薄膜晶格缺陷.而在鐵電薄膜中氧空位缺陷將直接影響鐵電材料的局域極化強(qiáng)度和方向,進(jìn)而改善漏電流.Jia和Urban[13]利用透射電子顯微鏡觀察到鈦酸鋇(BaTiO3)薄膜中存在32%的氧空位缺陷.通過摻雜改變薄膜晶粒大小和形貌來有效地抑制氧空位,進(jìn)而提高漏電流特性,為不顯著增大薄膜厚度而改善漏電流性能提供了思路.基于此,本文重點(diǎn)探究雜質(zhì)元素和氧缺陷空位對(duì)漏電流的耦合調(diào)控,即研究Cu,Fe,Al和V四種金屬陽離子摻雜對(duì)PbTi
物理學(xué)報(bào) 2018年18期2018-10-26
- 氧空位缺陷對(duì)光催化活性的影響及其機(jī)制
對(duì) TiO2中氧空位對(duì)其可見光催化降解去除 NO氣體的影響進(jìn)行了研究，但該研究并沒有引起足夠的重視．直到2011年，陳曉波等[2]利用在氫氣氣氛中高溫煅燒納米TiO2粉末，在其表面引入氧空位及大量無序結(jié)構(gòu)等，使其強(qiáng)烈地吸收可見光，進(jìn)而極大地提高了可見光催化產(chǎn)氫效率．由此，引入并調(diào)控氧空位成為改善光催化材料活性的重要手段且備受矚目，因而成為研究的熱點(diǎn)之一．氧空位不僅存在于氧化物中，而且存在于所有含氧化合物中．盡管其具有眾多優(yōu)點(diǎn)，如：化學(xué)穩(wěn)定性高、儲(chǔ)量豐富、價(jià)
天津科技大學(xué)學(xué)報(bào) 2018年5期2018-10-23
- 缺陷對(duì)單壁碳納米管電子結(jié)構(gòu)調(diào)制的第一性原理計(jì)算
拓?fù)淙毕? 如單空位(碳管中失去一個(gè)碳原子)、雙空位(碳管中失去兩個(gè)相鄰的原子)和Stone-Wales缺陷等[6-9]. 碳管中的拓?fù)淙毕菀部赏ㄟ^實(shí)驗(yàn)引入, 用化學(xué)處理或離子碰撞可在碳管中引入空位. Krasheninnikov等[10]的分子動(dòng)力學(xué)模擬結(jié)果表明, 使用Ar離子轟擊碳納米管, 主要產(chǎn)生單空位和雙空位, 當(dāng)用120 eV的Ar離子垂直管軸轟擊時(shí), 其中30%～40%的碰撞產(chǎn)生雙空位. 這種碳原子缺失會(huì)導(dǎo)致碳納米管的電子結(jié)構(gòu)發(fā)生特定改變, 從
吉林大學(xué)學(xué)報(bào)（理學(xué)版） 2018年4期2018-07-19
- 淺談數(shù)字口譯技巧
，簡而言之就是“空位”和“落位”。【關(guān)鍵詞】數(shù)字口譯；口譯質(zhì)量；空位；落位【作者簡介】尹子津，福州大學(xué)外國語學(xué)院。眾所周知，數(shù)字口譯是評(píng)估口譯質(zhì)量的一個(gè)重點(diǎn)，因?yàn)槠潢P(guān)系著口譯的準(zhǔn)確性，也關(guān)系著對(duì)譯員口譯能力及其口譯可信度的評(píng)估。而數(shù)字口譯也一直是口譯的難點(diǎn)。北大的方生平先生認(rèn)為，數(shù)字信息所攜帶的信息量要比一般語義信息所攜帶的信息量大出約20倍。而且，數(shù)字口譯的高信息量和低預(yù)測性都將對(duì)譯員造成心理過載，最終影響口譯的流暢度和準(zhǔn)確性。為提高數(shù)字口譯的效率，筆者
校園英語·下旬 2018年1期2018-05-15
- Sm3+,Sr2+共摻雜對(duì)CeO2基電解質(zhì)性能影響的密度泛函理論+U計(jì)算?
激發(fā)產(chǎn)生的少量氧空位以及低氧分壓下Ce4+到Ce3+的轉(zhuǎn)變,是一種擁有極低的氧離子電導(dǎo)率和電子電導(dǎo)率的混合導(dǎo)體材料.而高性能的IT-SOFC電解質(zhì)材料則要求材料具有較高的氧離子電導(dǎo)率以提高氧離子的傳輸性能以及越低越好的電子電導(dǎo)率以降低電解質(zhì)的內(nèi)短路電流.為了提高CeO2基材料的氧離子電導(dǎo)率,人們通常會(huì)在CeO2中摻入某種二價(jià)或者三價(jià)元素,通過電荷平衡來產(chǎn)生氧空位.近年來,關(guān)于CeO2的實(shí)驗(yàn)和理論研究有很多[9?19],人們發(fā)現(xiàn)在單摻雜體系中,摻雜離子的價(jià)態(tài)
物理學(xué)報(bào) 2018年8期2018-05-08
- 租 船
知道怎樣租船沒有空位嗎？我是這樣解的。全租小船，就是求36里面有幾個(gè)4，算式為36÷4，“四九三十六”，36÷4=9（條），也就是租9條小船沒有空位。我是這樣解的。全租大船，就是求36里面有幾個(gè)6，算式為36÷6，“六六三十六”，36÷6=6（條），因此租 6條大船沒有空位。我是這樣解的。先租6條小船，6條小船可以坐4×6=24（人），這樣還有36－24=12（人）需要租大船，需要租大船12÷6=2（條），因此要想沒有空位，可以租6條小船和2條大船。我是這
數(shù)學(xué)小靈通(1-2年級(jí)) 2018年4期2018-05-07
- 原子模擬鈦中微孔洞的結(jié)構(gòu)及其失效行為?
?18],可能使空位型點(diǎn)缺陷在裂紋萌生擴(kuò)展中扮演比其他材料更重要的角色.因此有必要對(duì)空位及其團(tuán)簇的結(jié)構(gòu)穩(wěn)定性以及對(duì)裂紋形核的影響進(jìn)行細(xì)致研究.本文采用激發(fā)弛豫算法結(jié)合第一原理及原子間作用勢,考察鈦中不同尺寸空位團(tuán)簇的穩(wěn)定和亞穩(wěn)構(gòu)型;采用分子動(dòng)力學(xué)模擬,系統(tǒng)研究拉應(yīng)力作用下不同尺寸的穩(wěn)定空位團(tuán)簇對(duì)微裂紋形核的影響,以期為理解鈦合金復(fù)雜的疲勞斷裂機(jī)理提供參考.2 方 法原子模擬采用嵌入原子法作用勢(EAM),該勢可較好地描述六角金屬鈦的點(diǎn)缺陷能、面缺陷能和彈性
物理學(xué)報(bào) 2018年5期2018-03-27
- SrFe0.5Nb0.5O3雙鈣鈦礦Sr空位最大值研究*
有待研究，比如，空位在材料中不可避免，在鈣鈦礦材料中也不例外，空位是否存在最大值的問題．1 空位在SrFe0.5Nb0.5O3鈣鈦礦材料中潛在作用用來描述熱力學(xué)點(diǎn)缺陷含量如下(1)其中，n表示空位數(shù)量，N表示格點(diǎn)總數(shù)，ΔSV表示空位形成熵，ΔEV表示空位形成能，k表示玻爾茲曼常數(shù)，T表示溫度．根據(jù)熱力學(xué)定律，溫度不可能達(dá)到0 K，只能無限接近，所以熱力學(xué)缺陷C一定是大于等于零的數(shù)值．空位的存在在很大程度上對(duì)電荷分布、磁性能、電性能等有較大的影響，主要體現(xiàn)在
物理通報(bào) 2018年9期2018-03-05
- 氧空位遷移造成的氧化物介質(zhì)層時(shí)變擊穿的蒙特卡羅模擬
100081)氧空位遷移造成的氧化物介質(zhì)層時(shí)變擊穿的蒙特卡羅模擬栗蘋 許玉堂?(北京理工大學(xué)機(jī)電學(xué)院,北京 100081)(2017年5月19日收到;2017年7月3日收到修改稿)氧空位,蒙特卡羅,氧化物介質(zhì),模擬1 引 言半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)是近幾十年信息技術(shù)革命的基礎(chǔ),其核心技術(shù)是互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管組成的集成電路.根據(jù)摩爾定律,金屬氧化物半導(dǎo)體(MOS)晶體管尺寸不斷縮小,將在10年內(nèi)逼近其物理極限.其中柵介質(zhì)厚度的按比例縮小是其中最先達(dá)到物理極限的部分
物理學(xué)報(bào) 2017年21期2017-11-10
- A l摻雜和空位對(duì)ZnO磁性影響的第一性原理研究?
稿)A l摻雜和空位對(duì)ZnO磁性影響的第一性原理研究?侯清玉1)3)?李勇1) 趙春旺1)2)1)(內(nèi)蒙古工業(yè)大學(xué)理學(xué)院,呼和浩特 010051)2)(上海海事大學(xué)文理學(xué)院,上海 201306)3)(內(nèi)蒙古自治區(qū)薄膜與涂層重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室,呼和浩特 010051)(2016年11月11日收到;2016年12月6日收到修改稿)A l摻雜和Zn空位在ZnO中或A l摻雜和O空位在ZnO中的磁性來源和機(jī)理的認(rèn)識(shí)頻有爭議.為了解決本問題,本文采用基于自旋密度泛函理論框架
物理學(xué)報(bào) 2017年6期2017-08-03
- 空位缺陷對(duì)β-AgVO3電子結(jié)構(gòu)和光吸收性能的影響?
晶體中存在的Ag空位和O空位引起的.Zhao等[5]通過在室溫條件下用NaBH4還原β-AgVO3,發(fā)現(xiàn)可以把β-AgVO3中的Ag離子還原成Ag納米顆粒并吸附在β-AgVO3表面,形成Ag/AgVO3納米帶,與β-AgVO3相比具有更強(qiáng)的光催化活性.解釋其原因一是Ag納米顆粒的存在引起等離子體表面共振,有效抑制了晶體中光生電子-空穴對(duì)的復(fù)合,提升光生電子-空穴對(duì)的遷移率,從而使Ag/AgVO3光催化活性提高;原因二是Ag/AgVO3的帶隙值(1.51 e
物理學(xué)報(bào) 2017年15期2017-04-26
- Cr2AlC中空位相關(guān)屬性及電子結(jié)構(gòu)的第一性原理研究
?Cr2AlC中空位相關(guān)屬性及電子結(jié)構(gòu)的第一性原理研究彭飛(上海電子信息職業(yè)技術(shù)學(xué)院電子工程系,上海201411)通過第一性原理研究了Cr2AlC中空位對(duì)其結(jié)構(gòu)和電子性質(zhì)的影響.在Cr2AlC中，Cr,Al和C空位形成能分別為1.15eV(Cr-poor)、-1.93eV(Cr-rich)，2.02eV(Al-poor)、-4.38eV(Al-rich)和 1.14eV(C-rich)、-3.05eV(C-poor). 計(jì)算結(jié)果表明,Al空位的形成能相對(duì)較
- 空位缺陷對(duì)CrSi2光電性能的影響
561000)?空位缺陷對(duì)CrSi2光電性能的影響于立軍1,張春紅2,張忠政2,鄧永榮2,閆萬珺2(1.長春師范大學(xué) 物理學(xué)院,長春 130032；2.安順學(xué)院 航空電子電氣與信息網(wǎng)絡(luò)工程中心,貴州 安順 561000)采用第一性原理方法,計(jì)算含空位缺陷CrSi2的電子結(jié)構(gòu)和光學(xué)性質(zhì),并分析含Cr和Si空位缺陷的CrSi2光電性能.結(jié)果表明：Cr和Si空位均使CrSi2的晶格常數(shù)和體積變小；能帶結(jié)構(gòu)密集而平緩,且整體向上移動(dòng),Si空位缺陷形成帶隙寬度為0.
吉林大學(xué)學(xué)報(bào)（理學(xué)版） 2015年3期2015-08-16
- LiF中空位形成能的第一性原理計(jì)算
039)LiF中空位形成能的第一性原理計(jì)算何 旭1, 杜 泉2(1．成都紡織高等?？茖W(xué)?；A(chǔ)教學(xué)部， 成都 611731; 2．西華大學(xué)物理與化學(xué)學(xué)院， 成都 610039)采用平面波展開和基于密度泛函理論框架下的第一性原理贗勢法, 計(jì)算了102 GPa下LiF化合物中Li空位和F空位的形成能及空間周圍的原子弛豫, 討論了空位形成時(shí)電荷密度的重新分布, 相應(yīng)的電子態(tài)密度以及能帶結(jié)構(gòu)等性質(zhì). 結(jié)果表明: LiF晶體中F空位的形成能比大于Li空位的形成能; F
原子與分子物理學(xué)報(bào) 2015年5期2015-03-23
- 面向等離子體鎢材料中氫氦氣泡形成研究獲進(jìn)展
，科研人員計(jì)算了空位-氫復(fù)合體濃度隨溫度的變化關(guān)系，該結(jié)果表明在iter的服役溫度(1 000 K)附近，空位-氫的復(fù)合體大量存在，相比之下空位-氦則更加穩(wěn)定。研究還表明，氫和氦在空位中的聚集促進(jìn)了空位與空位之間的結(jié)合。因此，氫和氦氣泡可以通過以下兩種方式成核和生長：(1)空位捕獲氦原子，當(dāng)氦原子濃度達(dá)到閾值時(shí)，空位周圍發(fā)射一個(gè)自間隙原子，長大的空位再捕獲氦原子再發(fā)射自間隙原子直到氦氣泡的形成。(2)氫和氦原子在空位中的占據(jù)，促進(jìn)了空位的聚集從而形成空位團(tuán)
中國有色冶金 2015年1期2015-01-27
- 空位
圖/文/黛西空位圖/文/黛西Eternal Mind Vacancy假如，今天再見，估計(jì)我們已認(rèn)不出彼此?；蛟S，那段童年的記憶，只有我還刻骨銘心，而她早都忘了；或許，這個(gè)人從來都沒存在過，只有我童年的幻想。但，悲傷是真真切切地存在過的。在我心里，有一個(gè)位置，一直空著……某天下午，在公交車上。我看見你正和一個(gè)男孩拉著手，此時(shí)你也看見了我，但我們連笑都沒來得及，就把目光移到了窗外。送給美好的過去送給美好的過去在我旁邊就有一個(gè)空位，你卻始終沒坐，就這樣一站接著一
讀者欣賞 2014年6期2014-07-03
- 稀土元素對(duì)Ni-Cr-Al合金高溫氧化影響機(jī)理的研究
b) 稀土La與空位共存的鎳合金超原胞圖2(a)Al2O3晶胞圖2(b)O2分子原胞Ni-Cr-Al合金在高溫氧化的條件下，加入稀土元素對(duì)其降低氧化速率、增強(qiáng)氧化薄膜的結(jié)合力、提高氧化薄膜的粘附性等方面起到積極的促進(jìn)作用.氧化膜生長的快慢取決于氧化膜中離子的擴(kuò)散速度，而離子擴(kuò)散速度與離子空位濃度有直接的關(guān)系.對(duì)于稀土改善氧化膜的粘附性機(jī)理，幾種具有代表性的機(jī)理解釋的模型為:(1)稀土氧化物的“釘扎”作用.(2)稀土阻止氧化膜與基體間形成孔洞.(3)減緩氧化
吉林化工學(xué)院學(xué)報(bào) 2014年11期2014-03-01
- D-D中子輻照單晶TiO2的損傷特性
通過彈性碰撞誘發(fā)空位缺陷損失能量，再用對(duì)原子尺度缺陷極其敏感的正電子湮沒技術(shù)(PAT)研究D-D中子在單晶TiO2內(nèi)部引發(fā)的缺陷類型和缺陷濃度，給出中子在樣品中的作用機(jī)制。1 材料和方法TiO2(001)單晶購于德國 MaTecK-Material-Technologie & Kristalle GmbH，生長方法為水熱法，晶體尺寸10 mm×10 mm×0.5 mm，單面拋光。輻照在蘭州大學(xué)ZF-300-II型強(qiáng)流中子發(fā)生器上完成，中子源為 D-D反應(yīng)，
核技術(shù) 2012年2期2012-10-16
- 鐵鋁金屬間化合物中的原子缺陷
金有序無序性能、空位硬化性能和阻尼性能的影響.鐵鋁金屬間化合物;原子缺陷;影響Abstract:The formation and characteristics of atomic defects in Fe-Al intermetallic compounds and their influences on order-disorder，vacancy-hardening and damping behaviors are discussed in t
蘇州市職業(yè)大學(xué)學(xué)報(bào) 2012年2期2012-09-14
- 含單空位的(10,10)碳納米管的振動(dòng)性質(zhì)和拉曼譜
SW)[7]、單空位(monovacancy，MV)[8]、 雙空位(divacancy, DV)[9]以及這些缺陷的衍生結(jié)構(gòu)[10].當(dāng)這些缺陷存在時(shí)，即使其濃度很小，也會(huì)極大地影響碳管的物理和化學(xué)性質(zhì)[11].因此，深入了解缺陷存在時(shí)對(duì)碳管性質(zhì)的影響，具有十分重要的意義.到目前為止，人們對(duì)于包含缺陷的碳管的研究，主要集中在缺陷對(duì)碳管的結(jié)構(gòu)和電學(xué)性質(zhì)的影響上，著重討論缺陷對(duì)碳管中電子輸運(yùn)性質(zhì)的改變，這些研究為碳管在量子線和場效應(yīng)管等方面的潛在應(yīng)用提供了理
鄭州大學(xué)學(xué)報(bào)（理學(xué)版） 2012年2期2012-05-15
- ·經(jīng)典詩歌欣賞·
我的身邊總有 空位當(dāng)某天聞到一縷芳馨垂下眼簾 喃喃低語突然一種預(yù)感使我驚恐不安睜開 軀體原來依然 空位于是我也走了留下一個(gè) 空位——朱凌波 《空 位》現(xiàn)代人有著本質(zhì)的孤獨(dú)，灰色的生活狀態(tài)又加重了這種孤獨(dú)，所以即便朋輩滿座，他們?nèi)詴?huì)感到內(nèi)在的不可抗拒的凄涼。《空位》傳遞的正是第三代詩人們過分重視主體內(nèi)心世界所產(chǎn)生的普泛痛苦體驗(yàn)。詩人感到“身邊總有《空位》”渴望會(huì)有人來，當(dāng)“聞到一縷芳馨”時(shí)，他暗垂眼簾希望它會(huì)被填補(bǔ)滿；可睜開“軀體”一看，空位依然，原來只是一
名作欣賞 2010年3期2010-08-15
- 含空位和雜質(zhì)缺陷的閃鋅礦電子結(jié)構(gòu)的第一性原理計(jì)算
∶1，這主要是由空位缺陷造成的；二是鐵和鎘雜質(zhì)，即閃鋅礦晶格中含鐵或者鎘雜質(zhì)。天然閃鋅礦常含有鐵雜質(zhì)，其含量(質(zhì)量分?jǐn)?shù))從0.4%到22%不等，含鐵超過6.0%的閃鋅礦稱為鐵閃鋅礦[13]。鐵雜質(zhì)對(duì)閃鋅礦的半導(dǎo)體性質(zhì)影響較大，含鐵閃鋅礦是n型半導(dǎo)體，鐵含量越高，其導(dǎo)電性越強(qiáng)[14?15]，鐵雜質(zhì)使閃鋅礦不利于或者難于浮選。閃鋅礦中也常含有鎘雜質(zhì)，當(dāng)含鎘量達(dá)到 5%時(shí)，稱為鎘閃鋅礦，鎘雜質(zhì)能夠提高閃鋅礦的可浮性。本研究根據(jù)礦物晶體學(xué)和半導(dǎo)體缺陷理論構(gòu)建含有硫
中國有色金屬學(xué)報(bào) 2010年4期2010-01-04
- 住宅小區(qū)智能化總體設(shè)計(jì)質(zhì)量的研究
。關(guān)鍵詞：越位；空位；價(jià)值工程；限額同綠色住宅、生態(tài)住宅、節(jié)能住宅一樣，住宅智能化正逐步得到市場的廣泛認(rèn)同。但是，當(dāng)前智能住宅往往出現(xiàn)這樣的情況：一方面業(yè)主投入不少，住戶使用率卻不高；另一方面物管努力不少，住房投訴率卻不低。究其原因，筆者認(rèn)為往往與智能化系統(tǒng)設(shè)計(jì)相對(duì)簿弱有直接關(guān)系。資料顯示：由于設(shè)計(jì)造成的工程質(zhì)量問題大約占40%，對(duì)投資的影響程度為70%。因此，筆者認(rèn)為總體設(shè)計(jì)單位應(yīng)首先從以下三個(gè)方面著手加強(qiáng)設(shè)計(jì)質(zhì)量控制。1 擺正位置，明確職責(zé)，正確處理與
中國新技術(shù)新產(chǎn)品 2009年18期2009-09-03